輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令
Ministerial Order Specifying Goods and Technologies Pursuant to the Provisions of the Appended Table 1 of the Export Trade Control Order and the Appended Table of the Foreign Exchange Order
平成三年十月十四日通商産業省令第四十九号
Order of the Ministry of International Trade and Industry No. 49 of October 14, 1991
輸出貿易管理令(昭和二十四年政令第三百七十八号)別表第一及び外国為替管理令(昭和五十五年政令第二百六十号)別表の規定に基づき、輸出貿易管理令別表第一及び外国為替管理令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令を次のように制定する。
This Ministerial Order specifying goods and technologies pursuant to the provisions of the Appended Table 1 of the Export Trade Control Order and the Appended Table of the Foreign Exchange Control Order is enacted as set forth hereinafter, pursuant to the provisions of the Export Trade Control Order (Cabinet Order No. 378, 1949) and the Appended Table of the Foreign Exchange Control Order (Cabinet Order No. 260, 1980).
輸出貿易管理令別表第一関係)
(Re: Appended Table 1 of the Export Trade Control Order)
第一条 輸出貿易管理令(以下「輸出令」という。)別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 1 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 2 of the appended table 1 of the Export Trade Control Order (referred to hereinafter as the "Export Order") fall under any of the following:
一 核燃料物質又は核原料物質であって、次のいずれかに該当するもの
(i) nuclear fuel materials or nuclear source materials falling under any of the following:
イ ウラン又はその化合物
(a) uranium or uranium compounds;
ロ トリウム又はその化合物
(b) thorium or thorium compounds;
ハ プルトニウム又はその化合物
(c) plutonium or plutonium compounds;
ニ イからハまでの貨物の一又は二以上を含むもの
(d) nuclear fuel materials or nuclear source materials including 1 or 2 or more of the goods in (a) through (c);
二 原子炉若しくはその部分品若しくは附属装置又は車両、船舶、航空機若しくは宇宙空間用若しくは打ち上げ用の飛しょう体の原子炉用に設計した発電若しくは推進のための装置
(ii) nuclear reactors, components or auxiliaries thereof, or power-generating or propulsion equipment specially designed for use in vehicles, vessels, aircraft or space use, or for nuclear reactors for launching space craft;
三 重水素又は重水素化合物であって、重水素の原子数の水素の原子数に対する比率が五、〇〇〇分の一を超えるもの
(iii) deuterium or deuterium compounds with a hydrogen to deuterium atom number ratio exceeding 1/5,000;
四 一キログラム以上の人造黒鉛であって、ほう素当量が全重量の一、〇〇〇、〇〇〇分の五未満で、かつ、二〇度の温度における見掛け比重が一・五〇を超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
(iv) among artificial graphite weighing 1 kilogram or more with a boron content level less than 5/1,000,000 of the total weight and apparent specific gravity exceeding 1.50 at 20 degrees centigrade, those falling under any of the following:
イ 原子炉用のもの
(a) artificial graphite for use in nuclear reactors;
ロ 原子炉用に用いることができるもの(イに該当するものを除く。)
(b) artificial graphite usable in nuclear reactors (excluding those falling under (a));
五 放射線を照射した核燃料物質若しくは核原料物質の分離用若しくは再生用に設計した装置又はその部分品若しくは制御装置
(v) equipment specially designed for the separation or reprocessing of irradiated nuclear fuel materials or nuclear source materials, or components or controllers thereof;
六 リチウムの同位元素の分離用の装置又は核燃料物質の成型加工用の装置
(vi) equipment for the separation of lithium isotopes, or equipment for the fabrication of nuclear fuel materials;
七 ウラン若しくはプルトニウムの同位元素の分離用の装置であって、次のいずれかに該当するもの若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(vii) equipment for the separation of uranium or plutonium isotopes falling under any of the following, or auxiliaries thereof or components thereof:
イ ガス拡散法を用いるもの
(a) equipment utilizing gas diffusion methods;
ロ 遠心分離法を用いるもの
(b) equipment utilizing centrifuge separation methods;
ハ ノズル分離法を用いるもの
(c) equipment utilizing nozzle separation methods;
ニ ボルテックス法を用いるもの
(d) equipment utilizing vortex methods;
ホ 化学交換法を用いるもの
(e) equipment utilizing chemical exchange methods;
ヘ レーザー分離法を用いるもの
(f) equipment utilizing laser separation methods;
ト プラズマ法を用いるもの
(g) equipment utilizing plasma methods;
チ 電磁分離法を用いるもの
(h) equipment utilizing magnetic separation methods;
八 周波数変換器又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(viii) frequency changers or components thereof falling under any of the following:
イ ガス遠心分離機用の周波数変換器であって、次の(一)及び(二)に該当するもの又はその部分品
(a) frequency changers for gas centrifuges that fall under the following 1. and 2. or components thereof:
(一) 出力が三相以上のものであって、周波数が六〇〇ヘルツ以上のもの
1. frequency changers with output of 3 or more phases and a frequency of 600 hertz or more;
(二) 出力周波数をプラスマイナス〇・二パーセント未満で制御できるもの
2. frequency changers capable of controlling output frequency with accuracy less than plus/minus 0.2%;
ロ 可変周波数又は固定周波数モーター駆動に用いることができる周波数変換器であって、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの(イに該当するもの及び産業機械又は消費財用の周波数変換器であって、当該機械等から取り外した場合には、ハードウェア及びソフトウェアの制限により次の(一)から(三)までのいずれかの特性を満たさなくなるものを除く。)
(b) among frequency changers that can be used for variable or fixed frequency motor driving, those falling under all of the following 1. through 3. (excluding those falling under (a) and those used for industrial machinery or consumer goods that become unable to satisfy, when removed from the relevant machinery or goods, any of the properties specified in the following 1 through 3. due to hardware or software restrictions):
(一) 出力が三相以上のものであって、四〇ボルトアンペア以上の出力を得ることができるもの
1. frequency changers with output of 3 or more phases capable of yielding output of 40 volt-amperes or more;
(二) 六〇〇ヘルツ以上の出力周波数で作動するもの
2. frequency changers operating with an output frequency of 600 hertz or more;
(三) 出力周波数をプラスマイナス〇・二パーセント未満で制御できるもの
3. frequency changers capable of controlling output frequency with accuracy less than plus/minus 0.2%;
九 ニッケルの粉であって、径の平均値が一〇マイクロメートル未満で、かつ、重量比による純度が九九パーセント以上のもの又はこれを用いて製造した多孔質金属
(ix) nickel powders with an average diameter less than 10 micrometers and a weight-based purity level of 99% or more, or porous metals produced thereof;
十 重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(x) equipment used for the production of deuterium or deuterium compounds, or components or auxiliaries thereof that fall under any of the following:
イ 重水素若しくは重水素化合物の製造用の装置(濃縮用の装置を含む。)又はその部分品若しくは附属装置
(a) equipment for the production of deuterium or deuterium compounds, (including concentration equipment), or components or auxiliaries thereof;
ロ 重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b) equipment used for the production of heavy water or components or auxiliaries thereof falling under any of the following (excluding those falling under (a)):
(一) 棚段塔であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. shelf plate towers falling under all of the following i. through iii.:
1 細粒炭素綱を用いたもの
i. towers utilizing fine-grain carbon steel;
2 二メガパスカル以上の圧力で用いることができるもの
ii. towers usable at pressure of 2 megapascals or more;
3 (二)に掲げる内部構造物を有するもの
iii. towers having internal structural elements listed in 2.;
(二) 棚段塔の内部構造物であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
2. internal structural elements of shelf plate towers and that fall under all of the following i. through iii.:
1 断面積が二・五四平方メートル以上のものであって、二つ以上の部分に分割されているもの
i. internal structural elements with a cross section area of 2.54 square meters or more and divided into 2 or more parts;
2 気体と液体を向流的に流して接触させるように設計したもの
ii. internal structural elements designed to propel gases and fluids in contact counter to the current;
3 硫化水素に対して耐食性のある材料を用いたもの
iii. internal structural elements utilizing materials corrosion-resistant against hydrogen sulfide;
(三) 低温で用いられる蒸留塔であって、次の1から4までのすべてに該当するもの
3. distillation columns used at low temperatures that fall under all of the following i. through iv.:
1 細粒ステンレス綱であって、水素ぜい性のないものを用いたもの
i. fine-grain stainless steel using steels without hydrogen embrittlement;
2 内径が三〇センチメートル以上であり、かつ、有効長が四メートル以上のもの
ii. distillation columns with an internal diameter 30 centimeters or more and an effective length of 4 meters or more;
3 温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したもの
iii. distillation columns designed to be usable at -238 degrees centigrade or less;
4 〇・五メガパスカル以上五メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができるように設計したもの
iv. distillation columns designed to be usable within a pressure range from 0.5 megapascals or more to 5 megapascals or less;
(四) 真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充てん物であって、化学的にぬれ性を改善する処理を行った燐青銅製のもののうち、メッシュ状のもの
4. among filling materials designed to be usable in a vacuum distillation column, and phosphorus bronze subjected to a process that chemically improves wettability, those that are mesh-shaped;
(五) 温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したターボエキスパンダであって、水素の排出量が一時間につき一、〇〇〇キログラム以上のもの
5. turboexpanders designed to be usable at -238 degrees centigrade or less with a hydrogen emission level of 1,000 kilograms per hour or more;
(六) 削除
6. deleted;
(七) カリウムアミドを含む液化アンモニアを循環させることができるポンプであって、次の1から3までのすべてに該当するもの
7. pumps capable of circulating liquid ammonia containing potassium amide, which fall under all of the following i. through iii.:
1 気密な構造のもの
i. pumps with a sealed structure;
2 一・五メガパスカル以上六〇メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができるもの
ii. pumps usable within a pressure range from 1.5 megapascals or more to 60 megapascals or less;
3 吐出し量が一時間につき八・五立方メートルを超えるもの
iii. pumps with discharge exceeding 8.5 cubic meters per hour;
十の二 三酸化ウラン、六ふっ化ウラン、二酸化ウラン、四ふっ化ウラン、金属ウラン若しくは四塩化ウランの製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(x)-2 equipment for the production of uranium trioxide, uranium hexafluoride, uranium dioxide, uranium tetrafluoride, metallic uranium or uranium tetrachloride, falling under any of the following, or auxiliaries or components thereof:
イ ウラン精鉱を原料とする三酸化ウランの製造用の装置
(a) equipment used for the production of uranium trioxide using uranium concentrate as raw materials;
ロ 三酸化ウラン又は四ふっ化ウランを原料とする六ふっ化ウランの製造用の装置
(b) equipment used for the production of uranium hexafluoride using uranium trioxide or uranium tetrafluoride as raw materials;
ハ 三酸化ウラン又は六ふっ化ウランを原料とする二酸化ウランの製造用の装置
(c) equipment used for the production of uranium dioxide using uranium trioxide or uranium hexafluoride as raw materials;
ニ 二酸化ウラン又は六ふっ化ウランを原料とする四ふっ化ウランの製造用の装置
(d) equipment used for the production of uranium tetrafluoride using uranium dioxide or uranium hexafluoride as raw materials;
ホ 四ふっ化ウランを原料とする金属ウランの製造用の装置
(e) equipment used for the production of metallic uranium using uranium tetrafluoride as raw materials;
ヘ 二酸化ウランを原料とする四塩化ウランの製造用の装置
(f) equipment used for the production of uranium tetrachloride using uranium dioxide as raw materials;
十の三 二酸化プルトニウム、しゅう酸プルトニウム、過酸化プルトニウム、三ふっ化プルトニウム、四ふっ化プルトニウム若しくは金属プルトニウムの製造用の装置若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(x)-3 equipment used for the production of plutonium dioxide, plutonium oxalate, plutonium peroxide, plutonium trifluoride, plutonium tetrafluoride or metallic plutonium, or auxiliaries or components thereof;
十一 しごきスピニング加工機又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xi) flow-forming machines or components thereof that fall under any of the following:
イ しごきスピニング加工機であって、数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもののうち、ローラの数が三以上のもの
(a) among flow-forming machines capable of being controlled by numerically-controlled coordinate measurement equipment or computer, those with 3 or more rollers;
ロ 内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満の円筒形のロータを成形することができるように設計したマンドレル
(b) mandrels designed to be capable of forming cylindrical rotors with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
十二 削除
(xii) deleted;
十三 削除
(xiii) deleted;
十四 工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、輪郭制御をすることができる軸数が二以上の電子制御装置を取り付けることができるもののうち、次のイからニまでのいずれかに該当するもの(ホに該当するものを除く。)
(xiv) among machine tools (limited to those capable of processing metals, ceramics and composite materials) to which an electronic controller with 2 or more axes capable of performing contour control can be attached, those falling under any of the following (a) through (d):
イ 旋削をすることができる工作機械であって、次の(一)及び(二)に該当するもの((三)に該当するものを除く。)
(a) machine tools capable of lathe turning that fall under the following 1. and 2. (excluding those falling under 3.):
(一) 国際標準化機構が定めた規格(以下「国際規格」という。)ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇六ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the rectilinear axes is 0.006 millimeters or less when measured by the measurement method specified by the International Standards Organization (ISO) (hereinafter referred to as "International Standard") ISO 230-2:1988;
(二) 直径が三五ミリメートルを超えるものを加工することができるもの
2. machine tools capable of processing items with a diameter exceeding 35 millimeters;
(三) 棒材作業用の旋盤のうち、スピンドル貫通穴から材料を差し込み加工するものであって、次の1及び2に該当するもの
3. bar work lathes materials are inserted from a spindle hole of which for process, and that fall under the following i. and ii.:
1 加工できる材料の最大直径が四二ミリメートル以下のもの
i. bar work lathes with the maximum diameter of material to be processed of 42 millimeters or less;
2 チャックを取り付けることができないもの
ii. bar work lathes incapable of having a chuck attached;
ロ フライス削りをすることができる工作機械であって、次の(一)から(三)までのいずれかに該当するもの((四)に該当するものを除く。)
(b) machine tools capable of milling that fall under any of the following 1. through 3. (excluding those falling under 4.):
(一) 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇六ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the rectilinear axes is 0.006 millimeters or less when measured by the measurement; method specified by International Standard ISO 230-2:1998
(二) 輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
2. machine tools with 2 or more rotational axes capable of controlling contour;
(三) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のもの
3. machine tools with 5 or more axes capable of controlling contour;
(四) フライス盤であって、次の1及び2に該当するもの
4. milling machines falling under the following i. and ii.:
1 国際規格ISO八四一(数値制御工作機械―座標軸及び運動の記号)で定めるX軸の方向の移動量が二メートルを超えるもの
i. milling machines exhibiting a range of motion in the X-axis direction exceeding 2 meters specified by ISO 841 (numerically-controlled machine tools - axis and motion nomenclature);
2 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により国際規格ISO八四一で定めるX軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇三ミリメートルを超えるもの
ii. milling machines in which the precision of positioning of the X-axis specified by ISO 841 exceeds 0.03 millimeters when measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
ハ 研削をすることができる工作機械であって、次の(一)から(三)までのいずれかに該当するもの(次の(四)又は(五)に該当するものを除く。)
(c) machine tools capable of grinding that fall under any of the following 1. through 3. (excluding those falling under 4. or 5.):
(一) 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the rectilinear axes is 0.004 millimeters or less when measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
(二) 輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
2. machine tools with 2 or more rotational axes capable of controlling contour;
(三) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のもの
3. machine tools with 5 or more axes capable of controlling contour;
(四) 円筒外面研削盤、円筒内面研削盤又は円筒内外面研削盤であって、次の1及び2に該当するもの
4. a cylindrical exterior grinding machine, a cylindrical interior grinding machine, or a cylindrical interior-exterior grinding machine that falls under the following i. and ii.:
1 外径又は長さが一五〇ミリメートル以内のものを研削するように設計したもの
i. a machine designed to grind objects with an external diameter or length of 150 millimeters or less;
2 国際規格ISO八四一で定めるX軸、Z軸及びC軸のみを有するもの
ii. a machine possessing only X-axis, Z-axis and C-axis as specified by ISO 841;
(五) ジグ研削盤であって、次の1及び2のいずれにも該当しないもの
5. jig grinding machines that do not fall under the following i. nor ii.:
1 国際規格ISO八四一で定めるZ軸を有するもののうち、国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により当該Z軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
i. among jig grinding machines possessing Z-axis specified by ISO 841, those the precision of positioning of the Z-axis of which is less than 0.004 millimeters when measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
2 国際規格ISO八四一で定めるW軸を有するもののうち、国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により当該W軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
ii. among jig grinding machines possessing W-axis specified by ISO 841, those the precision of positioning of the W-axis of which is less than 0.004 millimeters when measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
ニ 放電加工(ワイヤ放電加工を除く。)をすることができる工作機械であって、輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
(d) machine tools capable of performing electrical discharge machining (excluding wire electrical discharge machining), with 2 or more rotational axes capable of contour control;
ホ 工作機械であって、次のいずれかを製造するためのみに設計したもの
(e) machine tools designed only for the production of any of the following:
(一) 歯車
1. gears;
(二) クランク軸又はカム軸
2. crank shafts or cam shafts;
(三) 工具又は刃物
3. tools or blades;
(四) 押出機のウオーム
4. extruder worms;
十五 削除
(xv) deleted;
十六 削除
(xvi) deleted;
十七 測定装置(工作機械であって、測定装置として使用することができるものを含む。)であって、次のいずれかに該当するもの
(xvii) measurement equipment (including machine tools with a measurement function) that falls under any of the following:
イ 電子計算機又は数値制御装置により制御される測定装置であって、次のいずれかに該当するもの
(a) measurement equipment controlled by computers or numerically-controlled coordinate measurement equipment, which falls under any of the following:
(一) 測定軸の数が二であって、国際規格で定める測定方法によりそれぞれの軸の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差の数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一を乗じて得た数値に一・二五を加えた数値以下となるもの
1. measurement equipment with 2 or more measurement axes that possesses measurement axes for which, when the precision of measurement of intervals is measured using a method specified by an international standard for any of the points of measurement within the limits of operation, the numerical value of the maximum permissible error for measuring length, expressed in micrometers, is less than the numerical value of the length of the measurement axis, expressed in millimeters, multiplied by 0.001 and a value of 1.25 added;
(二) 測定軸の数が三以上であって、国際規格で定める測定方法により空間の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差の数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一二五を乗じて得た数値に一・七を加えた数値以下となる測定軸を有するもの
2. measurement equipment with 3 or more measurement axes that possesses measurement axes for which, when the precision of measurement of intervals is measured using a method specified by an international standard for any of the points of measurement within the limits of operation, the numerical value of the maximum permissible error for measuring length, expressed in micrometers, is less than the numerical value of the length of the measurement axis, expressed in millimeters, multiplied by 0.00125 and a value of 1.7 added;
ロ 直線上の変位を測定するものであって、次のいずれかに該当するもの
(b) measurement equipment measuring displacement along a straight line that falls under any of the following:
(一) 非接触型の測定システムであって、〇・二ミリメートルまでの測定レンジにおいて、分解能が〇・二マイクロメートル以下のもの
1. non-contact type measurement systems with a resolution of 0.2 micrometers or less within a measurement range up to 0.2 millimeters;
(二) 線形可変差動変圧器(LVDT)を用いた測定システムであって、次の1及び2に該当するもの
2. measurement systems using linear variable differential transformers (LVDT) that fall under the following i. and ii.:
1 線形可変差動変圧器(LVDT)が次のいずれかに該当するもの
i. systems with a linear variable differential transformer (LVDT) that falls under any of the following:
一 最大の作動範囲がプラスマイナス五ミリメートル以下のものであって、〇から最大の作動範囲における直線性が〇・一パーセント以下のもの
a. an LVDT with the maximum operating range of plus/minus 5 millimeters or less and a linearity of 0.1% or less from zero to the maximum operating range;
二 最大の作動範囲がプラスマイナス五ミリメートルを超えるものであって、〇からプラスマイナス五ミリメートルにおける直線性が〇・一パーセント以下のもの
b. an LVDT with the maximum operating range of more than plus/minus 5 millimeters and a linearity of 0.1% or less from zero to plus/minus 5 millimeters;
2 一九度以上二一度以下の温度範囲において測定した場合に、ドリフトが二四時間当たり〇・一パーセント以下のもの
ii. systems exhibiting a drift of 0.1% per 24 hours or less when measured within a temperature range of 19 degrees centigrade or more and 21 degrees centigrade or less;
(三) 次の1及び2に該当するもの(フィードバック機能を有しない干渉計であって、レーザーを用いて工作機械、測定装置又はこれらに類するもののスライド運動誤差を測定するものを除く。)
3. measurement equipment falling under the following i. and ii (excluding interferometers which have no feedback function and with which slide movement errors of machine tools, measurement equipment or those similar thereto are measured by using lasers):
1 レーザー光を用いて測定することができるもの
i. measurement equipment capable of measuring using a laser beam;
2 一九度以上二一度以下の温度範囲において、次の一及び二の特性を一二時間維持することができるもの
ii. measurement equipment capable of maintaining the properties in the following a. and b. for 12 hours within a temperature range of 19 degrees centigrade or more and 21 degrees centigrade or less:
一 測定できる最大の測定レンジにおいて、分解能が〇・一マイクロメートル以下のもの
a. measurement equipment with a resolution of 0.1 micrometers or less within the largest measurement range over which measurement is capable of being performed;
二 測定範囲内のいずれか一の点において、空気屈折率で補正した場合に、測定軸のマイクロメートルで表した測定の不確かさの数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇〇五を乗じて得た数値に〇・二を加えた数値以下のもの
b. measurement equipment possessing a numerical value of measurement uncertainty for the measurement axis, expressed in micrometers, less than the value obtained by multiplying the length of that measurement axis, expressed in millimeters, by 0.0005, and then adding 0.2 thereto, when compensated for by the refractive index of air at any single point within the measurement range;
ハ 角度の変位を測定するものであって、角度位置の偏差の最大値が〇・〇〇〇二五度以下のもの(平行光線を用いて鏡の角度の変位を測定する光学的器械を除く。)
(c) measurement equipment that measures angular displacement, and with a maximum angular location deviation of 0.00025 degrees or less (excluding optical instruments that measure angular displacement using parallel light beams);
ニ 曲面形状を有するものの長さ及び角度を同時に測定することができる測定装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) measurement equipment capable of simultaneously measuring the length and angle of objects having curved shapes and that fall under the following 1. and 2.:
(一) 測定軸の測定の不確かさの数値が測定距離五ミリメートル当たり三・五マイクロメートル以下のもの
1. measurement equipment with a numerical value for the measurement uncertainty for measurement axes of 3.5 micrometers or less per 5 millimeters of measurement distance;
(二) 角度位置の偏差の最大値が〇・〇二度以下のもの
2. measurement equipment with a maximum angular position deviation of 0.02 degrees or less;
十八 誘導炉、アーク炉若しくはプラズマ若しくは電子ビームを用いた溶解炉又はこれらの附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xviii) induction furnaces, arc furnaces or plasma melting furnaces or electron-beam melting furnaces or auxiliaries thereof that fall under any of the following:
イ 真空誘導炉若しくは不活性ガスを用いる誘導炉(半導体ウエハーの加工用のものを除く。)であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの又はこれらの電源装置であって、出力が五キロワット以上のもの
(a) vacuum induction furnaces or induction furnaces utilizing non-volatile gases (excluding those used for process of semiconductor wafers) and that fall under all of the following 1. through 3., or power units thereof with output of 5 kilowatts or more:
(一) 炉の内部を八五〇度を超える温度にすることができるもの
1. furnaces capable of heating the interior thereof exceeding 850 degrees centigrade;
(二) 直径が六〇〇ミリメートル以下の誘導コイルを有するもの
2. furnaces having an induction coil with a diameter of 600 millimeters or less;
(三) 電源装置からの入力が五キロワット以上のもの
3. furnaces with input from the power units of 5 kilowatts or more;
ロ アーク炉であって、真空中若しくは不活性ガス中で金属を溶解して鋳造するもののうち、容量が一、〇〇〇立方センチメートル超二〇、〇〇〇立方センチメートル未満の消耗電極を有し、かつ、一、七〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの又は電子計算機を用いた当該アーク炉用の制御装置若しくは監視装置
(b) among arc furnaces that melt and cast metals in a vacuum or under non-volatile gases, those possessing consumable electrodes with a capacity exceeding 1,000 cubic centimeters and less than 20,000 cubic centimeters, and capable of melting metals at in excess of 1,700 degrees centigrade or controllers or monitor equipment for the arc furnaces and that utilize computers;
ハ 出力が五〇キロワット以上のプラズマ若しくは電子ビームを用いた溶解炉であって、真空中若しくは不活性ガス中で金属を溶解して鋳造するもののうち、一、二〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの又は電子計算機を用いた当該溶解炉用の制御装置若しくは監視装置
(c) among plasma melting furnaces or electron-beam melting furnaces with an output of 50 kilowatts or more that melt and cast metal in a vacuum or within non-volatile gases, those capable of melting metals at in excess of 1,200 degrees centigrade, and controllers or monitor equipment for the melting furnaces that utilize computers;
十九 アイソスタチックプレスであって、次のイ及びロに該当するもの又はその制御装置若しくは当該アイソスタチックプレスに用いることができるように設計した型
(xix) isostatic presses falling under the following (a) and (b) or controllers thereof or molds designed to be capable of use with isostatic presses:
イ 最大圧力が六九メガパスカル以上のもの
(a) isostatic presses with a maximum pressure of 69 megapascals or more;
ロ 中空室の内径が一五二ミリメートルを超えるもの
(b) isostatic presses with hollow cavities possessing an internal diameter which exceeds 152 millimeters;
二十 ロボット(操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。)若しくはエンドエフェクターであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの制御装置
(xx) robots (excluding operating robots and sequence robots) or end effectors that fall under any of the following, or controllers thereof:
イ 工業標準化法(昭和二十四年法律第百八十五号)に基づく日本工業規格(以下単に「日本工業規格」という。)C六〇〇七九―〇号(爆発性雰囲気で使用する電気機械器具―第〇部:一般要件)で定める防爆構造のもの(塗装用のものを除く。)
(a) explosion-proof robots or end effectors as specified by Japan Industrial Standard C6007910 (Electric machine and appliances used in explosive atmospheres Part 0: General requirements) based on the Industrial Standardization Act (Act No. 185, 1949) (hereinafter referred to as "Japan Industrial Standard") (excluding those used for painting);
ロ 全吸収線量がシリコン換算で五〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(b) robots or end effectors designed to be able to withstand irradiation with total absorption line volume exceeding 50,000 grays on a silicon conversion basis;
二十一 振動試験装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xxi) vibration test equipment or components thereof that fall under any of the following:
イ デジタル制御方式であり、かつ、電動式の振動試験装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) vibration test equipment digitally controlled and electrically powered that fall under the following 1. and 2.:
(一) 試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のものであって、二〇ヘルツ超二、〇〇〇ヘルツ未満の周波数範囲で加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの
1. equipment with an excitation force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present, and capable of generating vibrations with an acceleration effective value of 98 meters per second squared or more, in a frequency range from exceeding 20 hertz and less than 2,000 hertz;
(二) フィードバック制御技術又は閉ループ制御技術を用いたもの
2. equipment utilizing feedback control technology or closed-loop control technology;
ロ 振動試験装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) components of vibration test equipment and that fall under any of the following:
(一) イに該当する振動試験装置の制御に使用するように設計した部分品であって、振動試験用のプログラムを用いたものであり、かつ、五キロヘルツを超える帯域幅で実時間での振動試験をデジタル制御するもの
1. components designed for use in control of vibration test equipment falling under (a), using programs for a vibration test, and performing digital control of vibration tests in real time in bandwidth exceeding 5 kilohertz;
(二) イに該当する振動試験装置に使用することができる振動発生機であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のもの
2. vibration generators usable for vibration test equipment falling under (a), with an excitation force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present;
(三) イに該当する振動試験装置に使用することができる振動台又は振動発生装置の部分品であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上となる振動を発生させるために二台以上の振動発生機を接続して使用するように設計したもの
3. parts of vibration tables or vibration generators capable of use for vibration test equipment falling under (a) and designed for use by connecting 2 or more vibration generators in order to generate vibrations with exciting force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present;
二十二 ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するもの
(xxii) structural materials capable of use for gas centrifuge rotors that fall under any of the following:
イ アルミニウム合金(鍛造したものを含む。)であって、引張強さが二〇度の温度において四六〇メガパスカル以上となるもののうち、外径が七五ミリメートルを超える棒又は円筒形のもの
(a) among aluminum alloys (including forged alloy) with a tensile strength of 460 megapascals or more at 20 degrees centigrade, those with a shaft-like or cylindrical shape and an external diameter exceeding 75 millimeters;
ロ 炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) carbon fibers, aramid fibers or glass fibers, or prepreg made from carbon fibers or glass fibers, or molded products made with carbon fibers or aramid fibers, falling under any of the following:
(一) 炭素繊維又はアラミド繊維であって、次のいずれかに該当するもの
1. carbon fibers or aramid fibers that fall under any of the following:
1 比弾性率が一二、七〇〇、〇〇〇メートル以上のもの
i. fibers with a specific elastic modulus of 12,700,000 meters or more;
2 比強度が二三五、〇〇〇メートル以上のもの
ii. fibers with a specific strength of 235,000 meters or more;
(二) ガラス繊維であって、次の1及び2に該当するもの
2. glass fibers falling under the following i. and ii.:
1 比弾性率が三、一八〇、〇〇〇メートル以上のもの
i. glass fibers with a specific elastic modulus of 3,180,000 meters or more;
2 比強度が七六、二〇〇メートル以上のもの
ii. glass fibers with a specific strength of 76,200 meters or more;
(三) (一)又は(二)に該当する炭素繊維又はガラス繊維に熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグであって、次のいずれかに該当するもの
3. prepreg consisting of carbon fibers or glass fibers falling under 1. or 2. and impregnated with thermosetting resin that falls under any of the following:
1 繊維状のもの
i. fibrous prepreg;
2 幅が一五ミリメートル以下のテープ状のもの
ii. tape-shaped prepreg with a width of 15 millimeters or less;
(四) (一)に該当する繊維又は(三)に該当するプリプレグ(炭素繊維を使用したものに限る。)を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満のもの
4. cylindrical formed goods utilizing fibers falling under 1. or prepreg falling under 3. (limited to goods utilizing carbon fiber) with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
ハ マルエージング鋼であって、引張強さが二〇度の温度において一、九五〇メガパスカル以上となるもののうち、寸法の最大値が七五ミリメートルを超えるもの
(c) among maraging steels with a tensile strength of 1,950 megapascals or more at 20 degrees centigrade, those with the greatest value of dimensions exceeding 75 millimeters;
ニ チタン合金(鍛造したものを含む。)であって、引張強さが二〇度の温度において九〇〇メガパスカル以上となるもののうち、外径が七五ミリメートルを超える棒又は円筒形のもの
(d) among titanium alloys (including forged alloys) with a tensile strength of 900 megapascals or more at 20 degrees centigrade, those with a shaft-like or cylindrical shape and an external diameter exceeding 75 millimeters;
二十三 ベリリウム若しくはベリリウム合金(ベリリウムの含有量が全重量の五〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはベリリウム化合物又はこれらの半製品若しくは一次製品
(xxiii) metals, waste, or scrap of beryllium and beryllium alloys (limited to those with a beryllium content exceeding 50% of the total weight) or beryllium compounds, or primary or semi-finished products thereof;
二十四 核兵器の起爆用のアルファ線源に用いられる物質又はその原料となる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiv) substances used as alpha sources for the detonation of nuclear weapons, or raw materials thereof that fall under any of the following:
イ 重量比による純度が九九・九九パーセント以上のビスマスであって、銀の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
(a) bismuth with a weight-based purity level of 99.99% or more and a silver content less than 0.001% of the total weight;
ロ ラジウム二二六、ラジウム二二六合金、ラジウム二二六化合物若しくはラジウム二二六混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品(医療用装置に組み込まれたもの及び装置に内蔵されたものであって一装置当たりの放射能の総量が〇・三七ギガベクレル未満のものを除く。)
(b) radium 226, radium 226 alloys, radium 226 compounds or radium 226 mixtures, or primary or semi-finished products thereof (excluding those incorporated into and installed in medical devices, where the total radioactivity per device is less than 0.37 gigabecquerels);
ハ アルファ中性子反応により中性子源を発生させるに適した放射性核種又はその化合物若しくは混合物(装置に内蔵された化合物又は混合物であって、一装置当たりの崩壊による放射能の総量が三・七ギガベクレル未満のものを除く。)であって、一キログラム当たりの崩壊による放射能の総量が三七ギガベクレル以上のもの
(c) radionuclide suitable for alpha-neutron reaction to generate neutron sources, or compounds or mixtures thereof (excluding those installed in equipment, for which the total radiation per device is less than 3.7 gigabecquerels), and with total radiation per kilogram of 37 gigabecquerels or more;
二十五 ほう素、ほう素化合物若しくはほう素混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、ほう素一〇のほう素一〇及びほう素一一に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたほう素から構成されるもの又はそのほう素を含むもの
(xxv) boron, boron compounds or boron mixtures, or primary or semi-finished products thereof, comprised of concentrated boron with a boron 10 to boron 10 and boron 11 ratio greater than the ratio in nature, or anything containing such boron;
二十六 核燃料物質の製造用の還元剤又は酸化剤として用いられる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(xxvi) substances used as reducing or oxidizing agents for the production of nuclear fuel materials and that fall under any of the following:
イ カルシウムであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) calcium falling under the following 1. and 2.:
(一) カルシウム又はマグネシウム以外の金属の含有量が全重量の〇・一パーセント未満のもの
1. calcium with a content ratio of metals other than calcium or magnesium less than 0.1% of the total weight;
(二) ほう素の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
2. calcium with a boron content ratio less than 0.001% of the total weight;
ロ 三ふっ化塩素
(b) chlorotrifluorine;
ハ マグネシウムであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c) magnesium falling under the following 1. and 2.:
(一) マグネシウム又はカルシウム以外の金属の含有量が全重量の〇・〇二パーセント未満のもの
1. magnesium with a content ratio of metals other than magnesium or calcium less than 0.02% of the total weight;
(二) ほう素の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
2. magnesium with a boron content ratio less than 0.001% of the total weight;
二十七 アクチニドに対して耐食性のある材料を用いたるつぼであって、次のいずれかに該当するもの
(xxvii) crucibles made with materials corrosion-resistant against actinide that fall under any of the following:
イ 容量が〇・一五リットル超八リットル未満のるつぼであって、次のいずれかに該当する材料若しくはこれらを組み合わせたもの(不純物の総重量の当該るつぼの総重量に対する割合が二パーセント以下のものに限る。)からなるもの又はその材料により被覆されたもの
(a) crucibles with a capacity exceeding 0.15 liters and less than 8 liters, made from or coated with any of the following, or a combination thereof (limited to those with a ratio of the total weight of impurities to the total weight of the relevant crucible of 2% or less):
(一) ふっ化カルシウム
1. calcium fluoride;
(二) メタジルコン酸カルシウム
2. calcium metazirconate;
(三) 硫化セリウム
3. cerium sulfide;
(四) 酸化エルビウム
4. erbium oxide;
(五) 酸化ハフニウム
5. hafnium oxide;
(六) 酸化マグネシウム
6. magnesium oxide;
(七) ニオブ、チタン及びタングステンからなる合金であって、窒化したもの
7. nitride of alloys containing niobium, titanium and tungsten;
(八) 酸化イットリウム
8. yttrium oxide;
(九) 酸化ジルコニウム
9. zirconium oxide;
ロ 容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九九・九パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもの
(b) crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 99.9% or more;
ハ 容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九八パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもののうち、タンタルの炭化物、窒化物、ほう化物又はこれらのいずれかを組み合わせたもので被覆されたもの
(c) among crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 98% or more, those that are coated with tantalum carbide, tantalum nitride, tantalum boride, or a combination thereof;
二十八 ハフニウム若しくはハフニウム合金(ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはハフニウム化合物(ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)又はこれらの半製品若しくは一次製品
(xxviii) metals, waste, or scrap of hafnium and hafnium alloys (limited to those with a hafnium content exceeding 60% of the total weight) or hafnium compounds (limited to those with hafnium content level exceeding 60% of the total weight), or primary or semi-finished products thereof;
二十九 リチウム若しくはリチウム合金の地金若しくはくず若しくはリチウム化合物若しくはリチウム混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、リチウム六のリチウム六及びリチウム七に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたリチウムから構成されるもの又はそのリチウムを含むもの(熱ルミネセンス線量計に組み込まれたリチウム化合物又はリチウム混合物を除く。)
(xxix) metals, waste or scraps of lithium or lithium alloys or lithium compounds or mixtures, or primary or semi-finished products thereof, comprising concentrated lithium with a lithium 6 to lithium 6 and lithium 7 ratio greater than the ratio in nature, or containing the lithium (excluding lithium compounds and lithium mixtures incorporated into thermo-luminescence dosimeters);
三十 タングステン、タングステンの炭化物又はタングステンの含有量が全重量の九〇パーセントを超える合金であって、質量が二〇キログラムを超え、かつ、内径が一〇〇ミリメートル超三〇〇ミリメートル未満の円筒形のもの若しくは中空の半球形のもの又はこれらを組み合わせたもの(おもり又はガンマ線のコリメータ用に設計されたものを除く。)
(xxx) tungsten, tungsten carbide, or alloys with a tungsten content exceeding 90% of the total weight, weighing in excess of 20 kilograms, with a cylindrical shape and internal diameter exceeding 100 millimeters and less than 300 millimeters, or with a hollow hemispherical shape, and combinations of both shapes (excluding those designed for use in dead weight or gamma ray collimators);
三十一 ジルコニウム若しくはジルコニウム合金(ジルコニウムの含有量が全重量の五〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはジルコニウム化合物(ハフニウムの含有量がジルコニウムの含有量の五〇〇分の一未満のものに限る。)又はこれらの半製品若しくは一次製品(厚さが〇・一ミリメートル以下のはくを除く。)
(xxxi) metals, waste, or scraps of zirconium or zirconium alloys (limited to alloys with a zirconium content exceeding 50% of the total weight), or zirconium compounds (limited to those with a hafnium content level less than 1/500 the zirconium content level), and primary or semi-finished products thereof (excluding leaf with a thickness 0.1 millimeters or less);
三十二 ふっ素製造用の電解槽であって、製造能力が一時間当たり二五〇グラムを超えるもの
(xxxii) electrolytic cells for fluorine production with a production capability exceeding 250 grams per hour;
三十三 ガス遠心分離機のロータの製造用若しくは組立用の装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxiii) equipment for the production or assembly of gas centrifuge rotors, or components thereof, which fall under any of the following:
イ ガス遠心分離機のロータのチューブ、バッフル及びエンドキャップの組立用の装置
(a) equipment used for assembly gas centrifuge rotor tubes, baffle and end caps;
ロ ガス遠心分離機のロータのチューブの中心軸を調整するための装置
(b) equipment used to adjust the center axis of gas centrifuge separator rotor tubes;
ハ 次の(一)から(三)までのすべてに該当するベローズ(アルミニウム合金、マルエージング鋼又は繊維で強化した複合材料からなるものに限る。)の製造用のマンドレル又は型
(c) mandrels or molds used for manufacture of bellows (limited to those made from aluminum alloys, maraging steel, or fiber-reinforced composite materials) falling under the following all of 1. through 3.:
(一) 内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満のもの
1. mandrels or molds with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
(二) 溝のピッチが一二・七ミリメートル以上のもの
2. mandrels or molds with a groove pitch of 12.7 millimeters or more;
(三) 溝の深さが二ミリメートルを超えるもの
3. mandrels or molds with a groove depth exceeding 2 millimeters;
三十四 遠心力式釣合い試験機(一面釣合い試験機を除く。)であって、次のいずれかに該当するもの(第三条第十七号の三ロに該当するものを除く。)
(xxxiv) centrifugal balancing machines (excluding balancing machines that can measure unbalance on one plane) that fall under any of the following (excluding those falling under Article 3, item (xvii)-3, (b)):
イ 長さが六〇〇ミリメートル以上の弾性ロータを試験することができるように設計したものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a) centrifugal balancing machines designed to be capable of testing elastic rotors with a length of 600 millimeters or more that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 外径が七五ミリメートルを超える弾性ロータを試験することができるもの又はジャーナルの径が七五ミリメートル以上のもの
1. centrifugal balancing machines capable of testing elastic rotors with an external diameter exceeding 75 millimeters, or with a journal diameter of 75 millimeters or more;
(二) 重量が〇・九キログラム以上二三キログラム以下の弾性ロータを試験することができるもの
2. centrifugal balancing machines capable of testing elastic rotors with a weight of 0.9 kilograms or more and 23 kilograms or less;
(三) 一分につき五、〇〇〇回転を超える回転数で試験することができるもの
3. centrifugal balancing machines capable of testing at 5,000 rounds per minute or more;
ロ 円筒形のロータを試験することができるように設計したものであって、次の(一)から(四)までのすべてに該当するもの
(b) centrifugal balancing machines designed to be capable of testing cylindrical rotors, and that fall under all of the following 1. through 4.:
(一) ジャナールの径が七五ミリメートルを超えるもの
1. machines with a journal diameter exceeding 75 millimeters;
(二) 重量が〇・九キログラム以上二三キログラム以下のロータを試験することができるもの
2. machines capable of testing rotors of 0.9 kilograms or more and 23 kilograms or less;
(三) 修正面上の残留不釣合いが一キログラム当たり〇・〇一キログラムミリメートル以下のもの
3. machines with a residual imbalance on the balancing plane of 0.01 kilograms millimeters or less per 1 kilogram;
(四) ベルト駆動式のもの
4. machines with a belt drive mechanism;
三十五 フィラメントワインディング装置であって、次のイ及びロに該当するもの又はその制御装置若しくはマンドレル
(xxxv) filament winding machines falling under the following (a) and (b), or controllers thereof or mandrels:
イ 繊維を位置決めし、包み及び巻く作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が二以上のもの
(a) among machines that perform positioning on filaments and carry out wrapping and winding operations, those with 2 or more axes capable of controlling both these operations in coordination;
ロ 内径が七五ミリメートル超六五〇ミリメートル未満であって、かつ、長さが三〇〇ミリメートル以上の円筒形のチューブを製造することができるもの
(b) machines capable of manufacturing cylindrical tubes with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 650 millimeters and a length of 300 millimeters or more;
三十六 ガスレーザー発振器、固体レーザー発振器又は色素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxvi) gas laser oscillators, solid-state laser oscillators or dye laser oscillators that fall under any of the following:
イ 五〇〇ナノメートル超六〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した金属蒸気レーザー発振器(銅レーザー発振器に限る。)であって、平均出力が三〇ワット以上のもの
(a) metal vapor laser oscillators (limited to copper laser oscillators) designed for use within a wavelength range exceeding 500 nanometers and less than 600 nanometers, with an average output of 30 watts or more;
ロ 四〇〇ナノメートル超五一五ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアルゴンイオンレーザー発振器であって、平均出力が四〇ワットを超えるもの
(b) argon ion laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 400 nanometers and less than 515 nanometers, with an average output exceeding 40 watts;
ハ 九、〇〇〇ナノメートル超一一、〇〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した二酸化炭素レーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(c) among carbon dioxide laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 9,000 nanometers and less than 11,000 nanometers, designed to generate a pulse, those falling under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2. oscillators with an average output exceeding 500 watts;
(三) パルス幅が二〇〇ナノ秒未満のもの
3. oscillators with a pulse width of 200 nanoseconds or less;
ニ 二四〇ナノメートル超三六〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したエキシマレーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) among excimer laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 240 nanometers and less than 360 nanometers, and designed to generate a pulse, those falling under the following 1. and 2.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2. oscillators with an average output exceeding 500 watts;
ホ 一六マイクロメートルの波長で用いるように設計したパラ水素を用いたラマンレーザー発振器であって、パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
(e) raman laser oscillators utilizing parahydrogen and designed for use at a wavelength of 16 micrometers, with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
ヘ 七二〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアレキサンドライトレーザー発振器であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(f) alexandrite laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 720 nanometers and less than 800 nanometers that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が一二五ヘルツを超えるもの
1. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 125 hertz;
(二) 平均出力が三〇ワットを超えるもの
2. oscillators with an average output exceeding 30 watts;
(三) レーザー光のスペクトル線幅が〇・〇〇五ナノメートル以下のもの
3. oscillators with a laser beam spectral line width of 0.005 nanometers or less;
ト 一、〇〇〇ナノメートル超一、一〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したネオジムを添加した固体レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの(ネオジムガラスレーザー発振器を除く。)
(g) fixed laser oscillators with neodymium added, designed for use within a wavelength range exceeding 1,000 nanometers and less than 1,100 nanometers that fall under any of the following (excluding neodymium glass laser oscillators):
(一) パルス励起及びキュースイッチを用いたものであって、一ナノ秒以上のパルス幅のパルスを発振するもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. among oscillators utilizing pulse excitation and a Q-switch and emitting a pulse with a pulse width of 1 nanosecond or more, those falling under any of the following:
1 単一横モードのパルスを発振するものであって、平均出力が四〇ワットを超えるもの
i. oscillators emitting a single-transverse-mode pulse, and with an average output exceeding 40 watts;
2 多重横モードのパルスを発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
ii. oscillators emitting a multi-transverse-mode pulse, and with an average output exceeding 50W;
(二) 波長範囲が五〇〇ナノメートル超五五〇ナノメートル未満で、かつ、平均出力が四〇ワットを超える第二高調波を発生するように設計したもの
2. oscillators designed to generate a second harmonic within the frequency range exceeding 500 nanometers and less than 550 nanometers, and with an average output exceeding 40 watts;
チ 三〇〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した色素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
(h) dye laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 300 nanometers and less than 800 nanometers that fall under any of the following:
(一) 単一モードのパルスを発振する波長可変レーザー発振器(レーザー光の増幅のみを行う装置を除く。)であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. variable wavelength laser oscillators emitting a single-mode pulse (excluding equipment that only performs laser beam amplification) that fall under all of the following i. through iii.:
1 パルス繰返し周波数が一キロヘルツを超えるもの
i. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
2 平均出力が一ワットを超えるもの
ii. oscillators with an average output exceeding 1 watt;
3 パルス幅が一〇〇ナノ秒未満のもの
iii. oscillators with a pulse width less than 100 nanoseconds;
(二) パルスを発振する波長可変レーザー発振器であって、次の1から3までのすべてに該当するもの((一)に該当するものを除く。)
2. variable wavelength oscillator emitting a pulse that fall under all of the following i. through iii. (excluding those falling under 1.):
1 パルス繰返し周波数が一キロヘルツを超えるもの
i. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
2 平均出力が三〇ワットを超えるもの
ii. oscillators with an average output exceeding 30 watts;
3 パルス幅が一〇〇ナノ秒未満のもの
iii. oscillators with a pulse width less than 100 nanoseconds;
リ 五、〇〇〇ナノメートル超六、〇〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した一酸化炭素レーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの
(i) among carbon monoxide laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 5,000 nanometers and less than 6,000 nanometers, designed to generate a pulse, those falling under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. oscillators with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が二〇〇ワットを超えるもの
2. oscillators with an average output exceeding 200 watts;
(三) パルス幅が二〇〇ナノ秒未満のもの
3. oscillators with a pulse width of 200 nanoseconds or less;
三十七 質量分析計であって、原子質量単位で表した質量が二三〇以上のイオンを測定することができ、かつ、原子質量の差が二未満のイオンを区別することができるもののうち、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(ヘに該当するものを除く。)又は当該質量分析計に用いることができるイオン源
(xxxvii) among mass spectrometers, capable of measuring ions with a mass of 230 or more expressed in atomic weight units, and capable of differentiating ions with an atomic weight difference less than 2, those falling under any of the following (a) through (e) (excluding those falling under (f)) or ion sources usable with the mass spectrometers:
イ 誘導結合プラズマを用いたもの
(a) mass spectrometers utilizing inductively-coupled plasma;
ロ グロー放電を用いたもの
(b) mass spectrometers utilizing glow discharge;
ハ 熱電離を用いたもの
(c) mass spectrometers utilizing thermal ionization;
ニ 分析される物質に電子を衝突させてイオン化するイオン源を有するものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) among mass spectrometers possessing an ion source that ionizes by bombarding the materials under analysis with electrons, those which fall under the following 1. and 2.:
(一) 電子ビームを用いて分子がイオン化されるイオン源領域に、分析される物質の分子の平行ビームを照射する装置を有するもの
1. mass spectrometers with equipment that delivers parallel beams of molecules of the materials under analysis to the area of an ion source where molecules ionize using electron beams;
(二) 分析される物質の分子の平行ビーム中の電子ビームを用いてイオン化されない分子を捕捉するため、零下八〇度以下の温度となることができるコールドトラップを一以上有するもの
2. mass spectrometers with one or more cold traps capable of attaining temperatures at -80 degrees centigrade or less to capture molecules that do not ionize using electron beams in parallel beams of molecules of the materials under analysis;
ホ アクチニド又はそのふっ化物のイオン化用に設計したイオン源を有するもの
(e) mass spectrometers possessing an ion source designed for ionization of actinides or fluorides thereof;
ヘ 次の(一)から(五)までの全てに該当するもの
(f) mass spectrometers that fall under all of the following 1. through 5.:
(一) 原子質量単位で表した質量が三二〇以上のイオンを測定することができるものであって、原子質量単位での分解能が三二〇を超えるもの
1. mass spectrometers capable of measuring ions with a mass of 320 or more, expressed in atomic weight units, which have a resolution of more than 320, expressed in atomic weight units;
(二) イオン源が、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセント以上のニッケル銅合金又はニッケルクロム合金で作られた又はこれらの材料で保護されたもの
2. mass spectrometers possessing an ion source made from, or protected with, nickel, nickel copper alloys with a nickel content of 60% or more of the total weight, or nickel chrome alloys;
(三) 分析される物質に電子を衝突させてイオン化するイオン源を有するもの
3. mass spectrometers possessing an ion source that ionizes by bombarding the materials under analysis with electrons;
(四) 同位元素の分析に用いることができるコレクタを有するもの
4. mass spectrometers possessing a collector usable for isotope analysis;
(五) 六ふっ化ウランのガスの流れを止めずに試料を採取することができるように設計したもの
5. mass spectrometers capable of taking samples without stopping the flow of uranium hexafluoride gas;
三十八 圧力計又はベローズ弁であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxviii) pressure gauges or bellows valves that fall under any of the following:
イ 絶対圧力を測定することができる圧力計であって、次の(一)から(三)まで(センサを密閉するためのシールを用いていないものについては、(二)を除く。)の全てに該当するもの
(a) pressure gauges capable of measuring absolute pressure that fall under all of the following 1. through 3. (excluding 2. for those using no seal to cover up sensors tight):
(一) アルミニウム、アルミニウム合金、酸化アルミニウム、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるニッケル合金若しくはふっ素化炭化水素ポリマーで作られた又はこれらの材料で保護されたセンサを用いたもの
1. pressure gauges utilizing a sensor made from, or protected with, aluminum, aluminum alloys, aluminum oxide, nickel, nickel alloys with a nickel content exceeding 60% of the total weight, or fluorinated hydrocarbon polymers;
(二) センサを密閉するために必要不可欠であり、内容物と直接接触し、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化アルミニウム、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるニッケル合金若しくはふっ素化炭化水素ポリマーで作られた又はこれらの材料で保護されたシールを用いたもの
2. pressure gauges indispensable to cover up sensors tight and coming into direct contact with the contents which utilize a seal made from, or protected with, aluminum, aluminum alloys, aluminum oxide, nickel, nickel alloys with a nickel content exceeding 60% of the total weight, or fluorinated hydrocarbon polymers;
(三) 次のいずれかに該当するもの
3. pressure gauges that fall under any of the following:
1 フルスケールが一三キロパスカル未満であるとき、いずれかのフルスケールにおいて、精度がフルスケールのプラスマイナス一パーセント未満のもの
i. when the full scale is less than 13 kilopascals, pressure gauges with a precision of less than plus/minus 1% of the full scale, in any full scale;
2 フルスケールが一三キロパスカル以上であるとき、一三キロパスカルにおいて、精度がプラスマイナス一三〇キロパスカル未満のもの
ii. when the full scale is 13 kilopascals or more, pressure gauges with a precision of less than plus/minus 130 kilopascals at 13 kilopascals;
ロ ベローズ弁であって、呼び径が五A以上のもののうち、内容物と接触する全ての部分がアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル又はニッケル合金(ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(b) among bellows valves with a nominal diameter of 5A or more, those for which all portions that come into contact with the contents comprising, lined with, or coated with aluminum, aluminum alloys, nickel, or nickel alloys (limited to those with a nickel content exceeding 60% of the total weight);
三十九 ソレノイドコイル形の超電導電磁石であって、次のイからニまでのすべてに該当するもの(医療用の磁気共鳴イメージング装置に用いるように設計したものを除く。)
(xxxix) superconducting solenoid electromagnets that fall under all of the following (a) through (d) (excluding those designed for use of clinical magnetic resonance equipment):
イ 磁束密度が二テスラを超えるもの
(a) superconducting solenoid electromagnets with magnetic flux density exceeding 2 teslas;
ロ コイルの長さを内径で除した値が二を超えるもの
(b) superconducting solenoid electromagnets, the coil length of which divided by an internal diameter exceeds 2;
ハ コイルの内径が三〇〇ミリメートルを超えるもの
(c) superconducting solenoid electromagnets with a coil internal diameter exceeding 300 millimeters;
ニ コイルの軸の中心部分を中心として内径の三五パーセントを半径とする円であって、コイルの軸に垂直なものの範囲において、磁界の均一性が一パーセント未満のもの
(d) a circle with the radius of 35% of the internal diameter, centered on the center of the coil axis, and with a magnetic field homogeneity less than 1% within the range of those perpendicular to the coil axis;
四十 真空ポンプであって、吸気口の内径が三八センチメートル以上のもののうち、排気速度が一秒当たり一五、〇〇〇リットル以上で、かつ、到達圧力が一三・三ミリパスカル未満のもの
(xl) among vacuum pumps with an intake internal diameter of 38 centimeters or more, those with an exhaust speed of 15,000 liters or more per second and an ultimate pressure less than 13.3 millipascals;
四十の二 スクロール型圧縮機又はスクロール型真空ポンプであって、ベローズシールを用いたもののうち、次のイからハまでの全てに該当するもの
(xl)-2 among scroll-type compressors or vacuum pumps that use bellows seals, those falling under all of the following (a) through (c):
イ 吸気量を一時間あたり五〇立方メートル以上とすることができるもの
(a) those with a capacity of air-intake of 50 cubic meters per hour or more;
ロ 圧力比を二以上とすることができるもの
(b) those with a capacity of pressure ratio of 2 or more;
ハ プロセスガスに接触する全ての面が次のいずれかの材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(c) those in which all surfaces that come into contact with the contents which are composed of, lined with, or coated with any of the following materials:
(一) アルミニウム又はアルミニウム合金
1. aluminum or aluminum alloys;
(二) 酸化アルミニウム
2. aluminum oxide;
(三) ステンレス鋼
3. stainless steel;
(四) ニッケル又はニッケル合金
4. nickel or nickel alloys;
(五) 青銅
5. phosphorus bronze;
(六) ふっ素重合体
6. fluoropolymers;
四十一 直流の電源装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xli) direct current power units falling under any of the following:
イ 出力電流が五〇〇アンペア以上のもののうち、電流又は電圧の変動率が〇・一パーセント未満で、かつ、出力電圧が一〇〇ボルト以上の状態で連続八時間を超えて使用することができるもの
(a) among direct current power units with an output current of 500 amperes or more, those with a current or voltage fluctuation rate less than 0.1%, and capable of use for exceeding 8 consecutive hours under an output voltage of 100 volts or more;
ロ 出力電圧が二〇、〇〇〇ボルト以上のもののうち、電流又は電圧の変動率が〇・一パーセント未満で、かつ、出力電流が一アンペア以上の状態で連続八時間を超えて使用することができるもの
(b) among direct current power units with an output voltage of 20,000 volts or more, those with a current or voltage fluctuation rate less than 0.1%, and capable of use for exceeding 8 consecutive hours with an output current of 1 ampere or more;
四十二 電子加速器又はフラッシュ放電型のエックス線装置であって、次のいずれかに該当するもの(電子顕微鏡の部分品又は医療用装置を除く。)
(xlii) electron accelerators or flash X-ray generators falling under any of the following (excluding electron microscope components and medical equipment):
イ 電子の運動エネルギーのせん頭値が〇・五メガ電子ボルト以上二五メガ電子ボルト未満であって、次のいずれかに該当するもの
(a) electron accelerators or flash X-ray generators with a peak value for electron kinetic energy of 0.5 megaelectron volts or more and less than 25 megaelectron volts, and that fall under any of the following:
(一) ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒以下であって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した加速された電子の全電荷量を乗じた値が〇・二五以上のもの
1. electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration of 1 microsecond or less, and with a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power by the total charge quantity of accelerated electrons, expressed in coulombs;
(二) ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒を超えるものであって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した一マイクロ秒の間に加速することができる電荷量の最大値を乗じた値が〇・二五以上のもの
2. electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration exceeding 1 microsecond, and having a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power is multiplied by the maximum charge quantity of electrons accelerated for 1 microsecond, expressed in coulombs;
ロ 電子の運動エネルギーのせん頭値が二五メガ電子ボルト以上であって、せん頭出力が五〇メガワットを超えるもの
(b) electron accelerators or flash X-ray generators with a peak electron kinetic energy of 25 megaelectron volts or more and a peak output exceeding 50 megawatts;
四十三 発射体の速度の最大値を一秒につき一・五キロメートル以上にすることができる衝撃試験機
(xliii) impact testing machines capable of supporting a maximum projectiles velocity of 1.5 kilometers per second or more;
四十四 高速度の撮影が可能なカメラ又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xliv) high speed cameras or components thereof that fall under any of the following:
イ ストリークカメラ又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(a) streak cameras or components thereof that fall under any of the following:
(一) ストリークカメラであって、撮影速度が一マイクロ秒につき〇・五ミリメートルを超えるもの
1. streak cameras with a photographing speed exceeding 0.5 millimeters per microsecond;
(二) 電子式のストリークカメラであって、時間分解能が五〇ナノ秒以下のもの
2. electronic streak cameras with a time resolution of 50 nanoseconds or less;
(三) (二)に該当するカメラ用のストリーク管
3. streak tubes for cameras that fall under 2.;
(四) モジュール式の構造を有するストリークカメラに用いるために設計したプラグインユニットであって、(一)又は(二)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plugging units designed to be used in streak cameras having a module type structure which need to attain or exceed the functions or characteristics of the goods that fall under 1. or 2.;
(五) (一)に該当するカメラ用に設計したタービン、反射鏡及び軸受で構成される回転反射鏡の組立品又は同期電子装置
5. assemblies of rotating reflectors composed of turbines, reflectors, and bearings, or synchronizing electronic equipment designed for cameras that fall under 1.;
ロ フレーミングカメラ又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) framing cameras or components thereof and that fall under any of the following:
(一) フレーミングカメラであって、撮影速度が一秒につき二二五、〇〇〇こまを超えるもの
1. framing cameras with a photographing speed exceeding 225,000 frames per second;
(二) フレーミングカメラであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
2. framing cameras with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(三) (一)又は(二)に該当するカメラ用に設計したフレーミング管又は固体撮像素子であって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
3. framing tubes or solid-state image sensors designed for cameras falling under 1 or 2. and with a shutter speed less than 50 nanoseconds;
(四) モジュール式の構造を有するフレーミングカメラに用いるために設計したプラグインユニットであって、(一)又は(二)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plugging units designed for use in framing cameras having a module type structure which need to attain or exceed the functions or characteristics of the goods that fall under 1. or 2.;
(五) (一)又は(二)に該当するカメラ用に設計したタービン、反射鏡及び軸受で構成される回転反射鏡の組立品又は同期電子装置
5. assemblies of rotating reflectors composed of turbines, reflectors, and bearings, or synchronizing electronic equipment designed for cameras that fall under 1. or 2.;
ハ 固体カメラ若しくは電子管カメラ又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの(イ又はロに該当するものを除く。)
(c) solid-state or electron tube cameras, or components thereof that fall under any of the following excluding those falling under (a) or (b)):
(一) 固体カメラ又は電子管カメラであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
1. solid-state or electron tube cameras with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(二) (一)に該当するカメラ用に設計した固体撮像素子又はイメージ増強管であって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
2. solid-state image sensors or image intensifier tubes designed for cameras falling under 1. with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(三) カーセル又はポッケルスセルを用いた電気制動シャッターであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
3. electrically triggered shutters utilizing Kerr cells or Pockel cells with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(四) モジュール式の構造を有するカメラに使用するために設計したプラグインユニットであって、(一)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plugging units designed to be used in cameras having a module type structure which need to attain or exceed the functions or characteristics of the goods that fall under 1.;
四十五 流体の速度を測定するための干渉計又は流体の圧力を測定することができる圧力測定器若しくは水晶圧電型圧力センサを用いた圧力変換器であって、次のいずれかに該当するもの
(xlv) interferometers for measuring fluid velocities or pressure gauges capable of measuring fluid pressure, or quartz pressure transducers that fall under any of the following:
イ 流体の速度を測定するための干渉計であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) interferometers for measuring fluid speeds falling under the following 1. and 2.:
(一) 一秒につき一キロメートルを超える速度を測定することができるもの
1. interferometers capable of measuring speeds exceeding 1 kilometer per second;
(二) 一〇マイクロ秒未満の間隔で速度を測定することができるもの
2. interferometers capable of measuring speeds at intervals less than 10 microseconds;
ロ 一〇ギガパスカルを超える圧力を測定することができる圧力測定器
(b) pressure gauges capable of measuring pressures exceeding 10 gigapascals;
ハ 一〇ギガパスカルを超える圧力を測定することができる水晶圧電型圧力センサを用いた圧力変換器
(c) quartz pressure transducers capable of measuring pressures exceeding 10 gigapascals;
四十六 三個以上の電極を有する冷陰極管であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(xlvi) cold-cathode tubes having 3 or more electrodes and that fall under all of the following (a) through (c):
イ せん頭陽極電圧が二、五〇〇ボルト以上のもの
(a) cold-cathode tubes with a peak anode voltage of 2,500 volts or more;
ロ せん頭陽極電流が一〇〇アンペア以上のもの
(b) cold-cathode tubes with a peak anode current of 100 amperes or more;
ハ 陽極遅延時間が一〇マイクロ秒以下のもの
(c) cold-cathode tubes with an anode delay time of 10 microseconds or less;
四十七 トリガー火花間げきであって、陽極遅延時間が一五マイクロ秒以下のもののうち、せん頭電流が五〇〇アンペア以上のもの
(xlvii) among trigger spark gaps with a cathode delay time of 15 microseconds or less, those with a peak current of 500 amperes or more;
四十八 スイッチングを行う機能を有する組立品であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(xlviii) assemblies having switching capabilities that fall under all of the following (a) through (c):
イ せん頭陽極電圧が二、〇〇〇ボルトを超えるもの
(a) assemblies with a peak anode voltage exceeding 2,000 volts;
ロ せん頭陽極電流が五〇〇アンペア以上のもの
(b) assemblies with a peak anode current of 500 amperes or more;
ハ ターンオン時間が一マイクロ秒以下のもの
(c) assemblies with a turn-on time of 1 microsecond or less;
四十九 パルス用コンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
(xlix) pulse condensers falling under any of the following:
イ 定格電圧が一、四〇〇ボルトを超えるものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a) pulse condensers possessing a rated voltage exceeding 1,400 volts that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 総エネルギーが一〇ジュールを超えるもの
1. pulse condensers with a total energy exceeding 10 joules;
(二) 公称静電容量が〇・五マイクロファラドを超えるもの
2. pulse condensers with a nominal capacitance exceeding 0.5 microfarads;
(三) 直列インダクタンスが五〇ナノヘンリー未満のもの
3. pulse condensers with series inductance less than 50 nanohenries;
ロ 定格電圧が七五〇ボルトを超えるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) pulse condensers with a rated voltage exceeding 750 volts, and that fall under the following 1. and 2.:
(一) 公称静電容量が〇・二五マイクロファラドを超えるもの
1. pulse condensers with a nominal capacitance exceeding 0.25 microfarads;
(二) 直列インダクタンスが一〇ナノヘンリー未満のもの
2. pulse condensers with series inductance less than 10 nanohenries;
五十 パルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次のいずれかに該当するもの
(l) pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under any of the following:
イ モジュール方式のパルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次の全てに該当するもの
(a) modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under all of the following:
(一) 四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一五マイクロ秒未満の時間でパルスを供給することができるもの
1. modular pulse generators or xenon flashlamp drivers capable of supplying a pulse for less than 15 microseconds against a resistance load less than 40 ohms;
(二) 出力が一〇〇アンペアを超えるもの
2. modular pulse generators or xenon flashlamp drivers with an output exceeding 100 amperes;
(三) 寸法の最大値が三〇センチメートル以下のもの
3. modular pulse generators or xenon flashlamp drivers having a largest dimensional value of 30 centimeters or less;
(四) 重量が三〇キログラム未満のもの
4. modular pulse generators or xenon flashlamp drivers with a weight less than 30 kilograms;
(五) 零下五〇度より低い温度から一〇〇度を超える温度まで用いることができるように設計したもの又は宇宙で用いることができるように設計したもの
5. modular pulse generators or xenon flashlamp drivers designed to be usable from below -50 degrees centigrade to over 100 degrees centigrade, or designed to be usable for space use;
ロ パルス発生器又はパルスヘッドであって、五五オーム未満の抵抗負荷に対して六ボルトを超える電圧のパルスを発生し、かつ、五〇〇ピコ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの(イに該当するものを除く。)
(b) pulse generators or pulse heads generating pulses with voltage exceeding 6 volts against a resistance load less than 55 ohms, and requiring a pulse rise time less than 500 picoseconds (excluding those falling under (a));
五十一 雷管の部分品であって、次の全てに該当するもの
(li) components of detonators that fall under all of the following:
イ 電気信号により火薬類の起爆を制御することができるもの
(a) components of detonators capable of controlling the ignition of explosives through electric signals;
ロ ストリップラインの構造を有するもの
(b) components of detonators that have the stripline structure;
ハ 定格電圧が二キロボルトを超えるもの
(c) components of detonators with a rated voltage exceeding 2 kilovolts;
ニ インダクタンスパスが二〇ナノヘンリー未満のもの
(d) components of detonators with an inductance path of less than 20 nanohenries;
五十二 光電子増倍管であって、光電陰極の面積が二〇平方センチメートルを超えるもののうち、陽極パルス立上がり時間が一ナノ秒未満のもの
(lii) among photomultiplier tubes with photocathode area exceeding 20 square centimeters, those with an anode pulse rise time less than 1 nanosecond;
五十三 トリチウム又は重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、次のいずれかに該当するもの
(liii) neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium or deuterium-deuterium nuclear reaction that fall under any of the following:
イ トリチウムと重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
(a) neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction designed to be operable without using a vacuum pump;
ロ 重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、一秒につき三ギガ以上の中性子を生産できるもののうち、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
(b) among neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction that are capable of producing 3 Giga neutrons or more per second, those designed to be operable without using a vacuum pump;
五十四 放射線被ばくの防止のために用いられる遠隔操作のマニピュレーターであって、厚さ〇・六メートル以上の放射線を遮へいする壁を隔てて操作することができるもの
(liv) remote manipulators used in the prevention of radioactive exposure, and operable behind a radiation shielding wall with a thickness of 0.6 meters or more;
五十五 放射線を遮へいするように設計した窓であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの又はその窓枠
(lv) radiation shielding windows and that fall under all of the following (a) through (c), or frames thereof:
イ コールドエリア側に露出する面の面積が〇・〇九平方メートルを超えるもの
(a) windows with an area exceeding 0.09 square meters for the surface that protrudes into the cold area;
ロ 密度が一立方センチメートル当たり三グラムを超える材料を用いたもの
(b) windows made from materials with a density exceeding 3 grams per cubic centimeters;
ハ 厚さが一〇〇ミリメートル以上のもの
(c) windows with a thickness of 100 millimeters or more;
五十六 放射線による影響を防止するように設計したテレビカメラ又はそのレンズであって、全吸収線量がシリコン換算で五〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるもの
(lvi) TV cameras or lenses specially designed for protection from the influence of radiation, and capable of withstanding radiation with total absorption exceeding 50,000 grays on a silicon conversion basis;
五十七 トリチウム、トリチウム化合物又はトリチウム混合物であって、トリチウムの原子数の水素の原子数に対する比率が一、〇〇〇分の一を超えるもの(装置に内蔵されたものであって、一装置当たりの放射能の総量が一、四八〇ギガベクレル未満のものを除く。)
(lvii) tritium, tritium compounds or tritium mixtures, with a ratio of tritium atomicity to hydrogen atomicity exceeding 1/1,000 (excluding those installed in equipment, with total radioactivity per 1 equipment less than 1,480 gigabecquerels);
五十八 トリチウムの製造、回収又は貯蔵に用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの
(lviii) equipment used for the production, collection or preservation of tritium that falls under any of the following:
イ トリチウムの製造用(濃縮用を含む。)、回収用又は貯蔵用に設計した装置
(a) equipment designed for the production (including that for concentration), collection or preservation of tritium;
ロ トリチウムの製造、回収又は貯蔵に用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b) equipment used for the production, collection or preservation of tritium that falls under any of the following (excluding that falling under (a)):
(一) 水素又はヘリウムを零下二五〇度以下の温度に冷却することができる冷凍装置であって、冷凍能力が一五〇ワットを超えるもの
1. freezing equipment capable of cooling hydrogen or helium to -250 degrees centigrade or less, and with a freezing capacity exceeding 150 watts;
(二) 水素の同位元素の貯蔵用の装置であって、金属水素化物を貯蔵のための媒体として用いるもの
2. equipment for the storage of hydrogen isotopes that utilizes metal hydrides as storage catalyst;
五十九 重水からトリチウムを回収するため又は重水を製造するための白金を用いた触媒であって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するために設計したもの
(lix) platinized catalysts for the collection of tritium from heavy water or for the production of heavy water, and designed to promote hydrogen isotope exchange between hydrogen and water;
六十 ヘリウム三の混合率が天然の混合率を超えるヘリウム(容器又は装置に密封されたヘリウム三であって、その重量が一グラム未満のものを除く。)
(lx) helium with a helium-3 mixing rate greater than the mixing rate in nature (excluding helium-3 sealed in containers or equipment with a weight less than 1 gram);
六十一 レニウム、レニウムの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金又はレニウム及びタングステンの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金であって、質量が二〇キログラムを超え、かつ、内径が一〇〇ミリメートル超三〇〇ミリメートル未満の円筒形のもの若しくは中空の半球形のもの又はこれらを組み合わせたもの
(lxi) rhenium, alloys with a rhenium content of 90% or more of the total weight, or alloys with a rhenium or tungsten content of 90% or more of the total weight weighing in excess of 20 kilograms, with a cylindrical shape and internal diameter exceeding 100 millimeters and less than 300 millimeters, or with a hollow hemispherical shape, and combinations of both shapes;
六十二 防爆構造の容器であって、爆発物又は爆発装置の試験に用いるために設計されたもののうち、次のイ及びロに該当するもの
(lxii) explosion-proof containers designed to be used for the testing of explosives or explosive devices which fall under any of the following (a) and (b):
イ トリニトロトルエン二キログラム以上と同等の爆発を十分に封じ込めるように設計したもの
(a) explosion-proof containers designed to be capable of fully containing explosions equivalent to 2 kilograms or more of trinitrotoluene;
ロ 当該試験による分析情報又は測定情報を伝達することができる構造又は特性を有するもの
(b) explosion-proof containers that have a structure or properties to transmit analysis or measurement information of relevant tests.
第二条 輸出令別表第一の三の項(一)の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 2 (1) Goods specified by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 3 (i) of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるもの
(i) substances for raw materials of chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing the substances, wherein the content of any of the substances exceeds 30 % of the total weight:
イ 三―ヒドロキシ―一―メチルピペリジン
(a) 3-hydroxy-1-methylpiperidine;
ロ フッ化カリウム
(b) potassium fluoride;
ハ エチレンクロロヒドリン
(c) ethylene chlorohydrin;
ニ ジメチルアミン
(d) dimethylamine;
ホ 塩酸ジメチルアミン
(e) dimethylamine hydrochloride;
ヘ フッ化水素
(f) hydrogen fluoride;
ト ベンジル酸メチル
(g) methyl benzilate;
チ 三―キヌクリジノン
(h) 3-quinuclidinone;
リ ピナコロン
(i) pinacolone;
ヌ シアン化カリウム
(j) potassium cyanide;
ル 一水素二フッ化カリウム
(k) potassium bifluoride;
ヲ 一水素二フッ化アンモニウム
(l) ammonium bifluoride;
ワ 一水素二フッ化ナトリウム
(m) sodium bifluoride;
カ フッ化ナトリウム
(n) sodium fluoride;
ヨ シアン化ナトリウム
(o) sodium cyanide;
タ 五硫化リン
(p) phosphorous pentasulfide;
レ ジイソプロピルアミン
(q) diisopropylamine;
ソ 二―ジエチルアミノエタノール
(r) 2-diethylamino ethanol;
ツ 硫化ナトリウム
(s) sodium sulfide;
ネ トリエタノールアミン塩酸塩
(t) triethanolamine hydrochloride;
ナ 亜リン酸トリイソプロピル
(u) phosphorous acid triisopropyl;
ラ ジエチルチオリン酸
(v) diethyl thiophosphoric acid;
ム ジエチルジチオリン酸
(w) diethyl dithio phosphoric acid;
ウ ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム
(x) sodium hexafluorosilicic acid;
二 軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物(イからトまでに該当する物質を含む混合物にあっては、イからハまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一パーセントを超えるもの又はニからトまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。)
(ii) substances having equivalent toxic ability with chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing such a substance (for mixtures containing a substance falling under (a) through (g), limited to those for which the content of a substance falling under any of (a) through (c) exceeds 1 % of the total weight, or those for which the content of the substance falling under any of (d) through (g) exceeds 30 % of the total weight):
イ O・O―ジエチル=S―[二―(ジエチルアミノ)エチル]=ホスホロチオラート並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(a) O,O-diethyl=S-[2-(diethylamino)ethyl] = phosphorothiolate and alkylate salts and protonate salts thereof;
ロ 一・一・三・三・三―ペンタフルオロ―二―(トリフルオロメチル)―一―プロペン
(b) 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluoromethyl)-1-propane;
ハ 三―キヌクリジニル=ベンジラート
(c) 3-quinuclidinyl = benzilate;
ニ 二塩化カルボニル
(d) carbonyl dichloride;
ホ 塩化シアン
(e) cyanogen chloride;
ヘ シアン化水素
(f) hydrogen cyanide;
ト トリクロロニトロメタン
(g) trichloronitromethane;
三 軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物(ヘからヤまでに該当する物質を含む混合物にあっては、ヘからタまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一〇パーセントを超えるもの又はレからヤまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。)
(iii) substances having equivalent toxic ability with chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing the substances (for mixtures containing substances falling under (f) through (cc), limited to those for which the content of any of the substances falling under (f) through (p) exceeds 10 % of the total weight, or those for which the content of any of the substances falling under (f) through (cc) exceeds 30 % of the total weight):
イ アルキルホスホニルジフルオリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(a) alkyl phosphonyl difluoride (limited to those having an alkyl group carbon number of 3 or less);
ロ O―アルキル=O―二―ジアルキルアミノエチル=アルキルホスホニット(O―アルキルのアルキル基がシクロアルキル基であるものを含み、O―アルキルのアルキル基の炭素数が十以下であり、かつ、O―二―ジアルキルアミノエチル及びアルキルホスホニットのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(b) O-alkyl = O-2-dialkylaminoethyl = alkyl phosphonite (including those O-alkyl alkyl group of which is a cycloalkyl group, though limited to those O-alkyl alkyl group carbon number of which is 10 or less and O-2-dialkylaminoethyl or alkyl phosphonite alkyl group carbon number of which is 3 or less) as well as alkylate salts and protonate salts thereof;
ハ O―二―ジアルキルアミノエチル=ヒドロゲン=アルキルホスホニット(O―二―ジアルキルアミノエチル及びアルキルホスホニットのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(c) O-2-dialkylaminoethyl = hydrogen = alkyl phosphonite (limited to those O-2-dialkylaminoethyl or alkyl phosphonite alkyl group carbon number of which is 3 or less) as well as alkylate salts and protonate salts thereof;
ニ O―イソプロピル=メチルホスホノクロリダート
(d) O-isopropyl = methyl phosphonochloridate;
ホ O―ピナコリル=メチルホスホノクロリダート
(e) O-pinacolyl = methyl phosphonochloridate;
ヘ 炭素数が三以下である一のアルキル基との結合以外に炭素原子との結合のないりん原子を含む化合物
(f) compounds containing phosphorus atoms having no bond with a carbon atom other than a bond with one alkyl group carbon number of which is 3 or less;
ト N・N―ジアルキルホスホルアミジク=ジハリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(g) N,N-dialkyl phosphoramidic = dihalide (limited to those with alkyl group carbon number of 3 or less);
チ ジアルキル=N・N―ジアルキルホスホルアミダート(ジアルキル及びN・N―ジアルキルホスホルアミダートのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(h) dialkyl = N,N-dialkyl phosphoramidate (limited to those with dialkyl or N,N-dialkyl phosphoramidate alkyl group carbon number of 3 or less);
リ 三塩化ヒ素
(i) arsenic trichloride;
ヌ 二・二―ジフェニル―二―ヒドロキシ酢酸
(j) 2,2-diphenyl-2-hydroxyacetic acid;
ル キヌクリジン―三―オール
(k) quinuclidine-3-ol;
ヲ N・N―ジアルキルアミノエチル―二―クロリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)及びそのプロトン化塩類
(l) N,N-dialkylaminoethyl-2-chloride (limited to those alkyl group carbon number of which is 3 or less) and protonate salts thereof;
ワ N・N―ジアルキルアミノエタン―二―オール(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)及びそのプロトン化塩類
(m) N,N-dialkyl aminoethane-2-ol (limited to those alkyl group carbon number of which is 3 or less) and protonate salts thereof;
カ N・N―ジアルキルアミノエタン―二―チオール(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)及びそのプロトン化塩類
(n) N,N-dialkyl aminoethane-2-thiol (limited to those alkyl group carbon number of which is 3 or less) and protonate salts thereof;
ヨ ビス(二―ヒドロキシエチル)スルフィド
(o) bis(2-hydroxyethyl) sulfide;
タ 三・三―ジメチルブタン―二―オール
(p) 3,3-dimethylbutane-2-ol;
レ 塩化ホスホリル
(q) phosphoryl chloride;
ソ 三塩化リン
(r) phosphorous trichloride;
ツ 五塩化リン
(s) phosphorous pentachloride;
ネ 亜リン酸トリメチル
(t) trimethyl phosphite;
ナ 亜リン酸トリエチル
(u) triethyl phosphite;
ラ 亜リン酸ジメチル
(v) dimethyl phosphite;
ム 亜リン酸ジエチル
(w) diethyl phosphite;
ウ 一塩化硫黄
(x) sulfur monochloride;
ヰ 二塩化硫黄
(y) sulfur bichloride;
ノ 塩化チオニル
(z) thionyl chloride;
オ エチルジエタノールアミン
(aa) ethyl diethanol amine;
ク メチルジエタノールアミン
(bb) methyl diethanol amine;
ヤ トリエタノールアミン
(cc) triethanolamine.
2 輸出令別表第一の三の項(二)の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
(2) Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 3 (ii) of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 反応器であって、容量が〇・一立方メートル超二〇立方メートル未満のもののうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(i) among reactor vessels or reactors having a capacity exceeding 0.1 cubic meters and less than 20 cubic meters of which all portions that come into contact with the contents, those composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and a chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ タンタル又はタンタル合金
(e) tantalum or tantalum alloys;
ヘ チタン又はチタン合金
(f) titanium or titanium alloys;
ト ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g) zirconium or zirconium alloys;
チ ニオブ又はニオブ合金
(h) niobium or niobium alloys;
二 貯蔵容器であって、容量が〇・一立方メートルを超えるもののうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(ii) among storage tanks, containers or receivers having a capacity exceeding 0.1 cubic meters, those all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ タンタル又はタンタル合金
(e) tantalum or tantalum alloys;
ヘ チタン又はチタン合金
(f) titanium or titanium alloys;
ト ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g) zirconium or zirconium alloys;
チ ニオブ又はニオブ合金
(h) niobium or niobium alloys;
三 熱交換器若しくは凝縮器であって、伝熱面積が〇・一五平方メートル超二〇平方メートル未満のもの又はこれらの部分品として設計されたチューブ、プレート、コイル若しくはブロックのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(iii) among heat exchangers or condensers having a heat transfer area exceeding 0.15 square meters and less than 20 square meters, or tubes, plates, coils or blocks designed as components thereof, those all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ 黒鉛又はカーボングラファイト
(e) graphite or carbon graphite;
ヘ タンタル又はタンタル合金
(f) tantalum or tantalum alloys;
ト チタン又はチタン合金
(g) titanium or titanium alloys;
チ ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h) zirconium or zirconium alloys;
リ 炭化けい素
(i) silicon carbide;
ヌ 炭化チタン
(j) titanium carbide;
ル ニオブ又はニオブ合金
(k) niobium or niobium alloys;
三の二 前号に掲げるものの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(iii)-2 components of those listed in the preceding item and that fall under any of the following:
イ チューブ
(a) tubes;
ロ プレート
(b) plates;
ハ コイル
(c) coils;
ニ ブロック
(d) blocks;
四 蒸留塔若しくは吸収塔であって、塔の断面積が〇・〇〇七八五平方メートルを超えるもの又はこれらの部分品として設計された液体分配器、蒸気分配器若しくは液体収集器のうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(iv) among distillation or absorption columns with a cross section area exceeding 0.00785 square meters, or liquid dispensers, vapor dispensers or liquid collectors designed as components thereof, those all parts that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ 黒鉛又はカーボングラファイト
(e) graphite or carbon graphite;
ヘ タンタル又はタンタル合金
(f) tantalum or tantalum alloys;
ト チタン又はチタン合金
(g) titanium or titanium alloys;
チ ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h) zirconium or zirconium alloys;
リ ニオブ又はニオブ合金
(i) niobium or niobium alloys;
五 充てん用の機械であって、遠隔操作が可能であり、かつ、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(v) filling equipment capable of remote operation all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and a chrome content exceeding 20 % of the total weight;
六 かくはん機であって、第一号に該当するものに用いられるもの又はその部分品として設計されたインペラー、ブレード若しくはシャフトのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(vi) among agitators used for those falling under item (i), or impellers, blades, or shafts designed as components thereof, those all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ タンタル又はタンタル合金
(e) tantalum or tantalum alloys;
ヘ チタン又はチタン合金
(f) titanium or titanium alloys;
ト ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g) zirconium or zirconium alloys;
チ ニオブ又はニオブ合金
(h) niobium or niobium alloys;
七 呼び径が一〇A超の弁又はその部分品として設計されたケーシング若しくはケーシングライナーであって、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(vii) valves nominal diameter of which is exceeding 10 A (i.e. 10mm) or casing or casing liners designed as components thereof, and all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and a chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ タンタル又はタンタル合金
(e) tantalum or tantalum alloys;
ヘ チタン又はチタン合金
(f) titanium or titanium alloys;
ト ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g) zirconium or zirconium alloys;
チ ニオブ又はニオブ合金
(h) niobium or niobium alloys;
リ セラミックであって、次のいずれかに該当するもの
(i) ceramics that fall under any of the following:
(一) 炭化けい素の含有量が全重量の八〇パーセント以上のもの
1. ceramics with a silicon carbide content of 80 % or more of the total weight;
(二) 酸化アルミニウムの含有量が全重量の九九・九パーセント以上のもの
2. ceramics with an aluminum oxide content of 99.9 % or more of the total weight;
(三) 酸化ジルコニウム
3. zirconium oxides;
八 内容物の漏れを検知する装置の取付口が設けられている多重管であって、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(viii) multi-walled piping provided with a port for equipment for detecting content leaks all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ 黒鉛又はカーボングラファイト
(e) graphite or carbon graphite;
ヘ タンタル又はタンタル合金
(f) tantalum or tantalum alloys;
ト チタン又はチタン合金
(g) titanium or titanium alloys;
チ ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h) zirconium or zirconium alloys;
リ ニオブ又はニオブ合金
(i) niobium or niobium alloys;
九 二重以上のシールで軸封をしたポンプ若しくはシールレスポンプであって最高規定吐出し量が一時間につき〇・六立方メートルを超えるもの若しくは真空ポンプであって最高規定吐出し量が一時間につき五立方メートルを超えるもの又はこれらの部分品として設計されたケーシング、ケーシングライナー、インペラー、ローター若しくはジェットポンプノズルのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(ix) among pumps axes of which are sealed by 2 or more layers or seal-less pumps the maximum specified discharge volume of which exceeds 0.6 cubic meters per hour, or vacuum pumps the maximum specified discharge volume of which exceeds 5 cubic meters per hour, or casings, casing liners, impellers, rotors, or jet pump nozzles designed as components thereof, those in which all portions that come into contact with the contents of which are composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and a chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ ふっ素重合体
(c) fluoropolymers;
ニ ガラス
(d) glass;
ホ 黒鉛又はカーボングラファイト
(e) graphite or carbon graphite;
ヘ タンタル又はタンタル合金
(f) tantalum or tantalum alloys;
ト チタン又はチタン合金
(g) titanium or titanium alloys;
チ ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h) zirconium or zirconium alloys;
リ セラミック
(i) ceramic;
ヌ フェロシリコン
(j) ferrosilicon;
ル ニオブ又はニオブ合金
(k) niobium or niobium alloys;
十 焼却装置であって、使用中における燃焼室の平均温度が一、〇〇〇度を超えるもののうち、焼却する物質を供給する部分について内容物と接触する全ての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、又は被覆されたもの
(x) among incinerators average temperature of incineration chamber during use of which exceeds 1,000 degrees centigrade, those which have portions for supplying the substance to be incinerated for which all portions that come into contact with the contents are composed of or coated with materials falling under any of the following:
イ ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a) nickel or alloys with a nickel content exceeding 40 % of the total weight;
ロ ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b) alloys with a nickel content exceeding 25 % of the total weight and a chrome content exceeding 20 % of the total weight;
ハ セラミック
(c) ceramic;
十一 空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xi) gas monitoring systems that fall under any of the following:
イ 前項に掲げるものについて空気中における濃度が一立方メートル当たり〇・三ミリグラム未満であっても検知することができるものであり、かつ、連続して使用するように設計したもの
(a) systems capable of detecting those listed in the preceding paragraph even when the concentration in the air is less than 0.3 milligrams per cubic meter and designed for continuous use;
ロ アンチコリンエステラーゼ作用を有する化合物を検知するように設計したもの
(b) systems designed for detecting compounds having an anticholinesterase effect;
十二 前号に掲げるものの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xii) components of those listed in the preceding item and that fall under any of the following:
イ 検出器
(a) detectors;
ロ センサーデバイス
(b) sensor devices;
ハ センサーカートリッジ
(c) sensor cartridges.
第二条の二 輸出令別表第一の三の二の項(一)の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 2-2 (1) Goods specified by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 3-2 (i) of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 ウイルス(ワクチンを除く。)であって、アフリカ馬疫ウイルス、アフリカ豚コレラウイルス、アンデアン・ポテト・ラテント・ウイルス、アンデスウイルス、エボラウイルス、黄熱ウイルス、オーエスキー病ウイルス、オムスク出血熱ウイルス、オロポーチウイルス、ガナリトウイルス、キャサヌール森林病ウイルス、牛疫ウイルス、クリミアーコンゴ出血熱ウイルス、口蹄疫ウイルス、サビアウイルス、サル痘ウイルス、小反芻獣疫ウイルス、シンノンブレウイルス、水胞性口炎ウイルス、西部ウマ脳炎ウイルス、セントルイス脳炎ウイルス、ソウルウイルス、ダニ媒介性脳炎ウイルス、チクングニヤウイルス、チャパレウイルス、跳躍病ウイルス、テッシェン病ウイルス、テュクロウイルス、デング熱ウイルス、痘瘡ウイルス、東部ウマ脳炎ウイルス、ドブラバーベルグレドウイルス、トリインフルエンザウイルス(H五又はH七のH抗原を有するものに限る。)、豚コレラウイルス、ニパウイルス、日本脳炎ウイルス、ニューカッスル病ウイルス、ハンターンウイルス、ブタエンテロウイルス九型、フニンウイルス、ブルータングウイルス、ベネズエラウマ脳炎ウイルス、ヘンドラウイルス、ポテト・スピンドル・チュバー・ウィロイド、ポワッサンウイルス、マチュポウイルス、マールブルグウイルス、マレー渓谷脳炎ウイルス、ヤギ痘ウイルス、羊痘ウイルス、ラグナネグラウイルス、ラッサ熱ウイルス、ランピースキン病ウイルス、リッサウイルス属のウイルス(狂犬病ウイルスを含む。)、リフトバレー熱ウイルス、リンパ球性脈絡髄膜炎ウイルス、ルヨウイルス又はロシオウイルス
(i) viruses (excluding vaccines): the African horse sickness virus, the African swine fever virus, the Andean potato latent virus, the Andes virus, the Ebola virus, the yellow fever virus, Aujeszky's disease virus, the Omsk hemorrhagic fever virus, the Oropouche virus, the Guanarito virus, the Kyasanur Forest disease virus, the cattle plague virus, the Crimean-Congo hemorrhagic fever virus, the foot-and-mouth disease virus, the Sabia virus, the monkeypox virus, the peste des petits ruminants virus, the Sin Nombre virus, the vesicular stomatitis virus, the western equine encephalitis virus, the Saint Louis encephalitis virus, the Seoul virus, the tick-borne encephalitis virus, the Chikungunya virus, the Chapare virus, the louping ill virus, the Teschen disease virus, the Choclo virus, the dengue fever virus, the smallpox virus, the eastern equine encephalitis virus, the Dobrava-Belgrade virus, the avian influenza virus (limited to those having the H5 or H7 H antigen), the swine fever virus, the Nipah virus, the Japanese encephalitis virus, the Newcastle disease virus, the Hantaan virus, porcine enterovirus type 9, the Junin virus, the blue tongue virus, the Venezuelan equine encephalitis virus, the Hendra virus, the potato spindle tuber viroid, the Powassan virus, the Machupo virus, the Marburg virus, the Murray Valley encephalitis virus, the goat pox virus, the sheep pox virus, the Laguna Negra virus, the Lassa fever virus, the lumpy skin disease virus, the Lyssavirus viruses (including the rabies virus), the Rift Valley fever virus, the lymphocytic choriomeningitis virus, the Lujo virus, or the Rocio virus;
二 細菌(ワクチンを除く。)であって、アルゲンチネンス菌、ウシ流産菌、オウム病クラミジア、ガス壊疽菌、Q熱リケッチア、牛肺疫菌(小コロニー型)、コレラ菌、志賀赤痢菌、炭疽菌、チフス菌、腸管出血性大腸菌(血清型O二六、O四五、O一〇三、O一〇四、O一一一、O一二一、O一四五及びO一五七)、発疹チフスリケッチア、バラチ菌、鼻疽菌、ブタ流産菌、ブチリカム菌、ペスト菌、ボツリヌス菌、マルタ熱菌、山羊伝染性胸膜肺炎菌F三八株、野兎病菌又は類鼻疽菌
(ii) bacteria (excluding vaccines): Clostridium argentinense, Brucella abortus, Chlamydia psittaci, the gas bacillus, Coxiella burnetii, Mycoplasma mycoides (small colony), the cholera bacillus, Shigella dysenteriae, Bacillus anthracis, the typhoid bacillus, enterohemorrhagic Escherichia coli (serotype O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, and O157), Rickettsia prowazekii, Clostridium baratii, Actinobacillus mallei, Brucella suis, Clostridium butyricum, Bacillus pestis, Bacillus botulinus, Brucella melitensis, Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae (strain F38), Bacillus tularensis, or Pseudomonas pseudomallei;
三 毒素(免疫毒素を除く。)であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素、HT―2トキシン、黄色ブドウ球菌毒素(腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素)、コノトキシン、コレラ毒素、ジアセトキシスシルペノール毒素、赤痢菌毒素、T―2トキシン、テトロドトキシン、ビスカムアルバムレクチン、ベロ毒素及び志賀毒素様リボゾーム不活化蛋白質、ボツリヌス毒素、ボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシン
(iii) toxins (excluding immunotoxins): aflatoxin, abrin, clostridium welchii toxin, HT-2 toxin, staphylococcal enterotoxin (enterotoxin, alpha-toxin, and toxic shock syndrome toxin), conotoxin, cholera toxin, diacetoxyscirpenol-toxin, Shigella dysenteriae toxin, T-2 toxin, tetrodotoxin, Viscum album lectin, verotoxin or Shiga toxin-like ribosome inactive protein, botulin toxin, Volkensin, microcystin, or modeccin;
四 前号に該当するもののサブユニット
(iv) subunits of those falling under the preceding item;
五 細菌又は菌類であって、クラビバクター・ミシガネンシス亜種セペドニカス、コクシジオイデス・イミチス、コクシジオイデス・ポサダシ、コクリオボールス・ミヤベアヌス、コレトトリクム・カーハワイ、ザントモナス・アクソノポディス・パソバー・シトリ、ザントモナス・アルビリネアンス、ザントモナス・オリゼ・パソバー・オリゼ、シンキトリウム・エンドビオチクム、スクレロフトラ・ライシアエ・バラエティー・ゼアエ、セカフォラ・ソラニ、チレチア・インディカ、プクシニア・グラミニス種グラミニス・バラエティー・グラミニス、プクシニア・ストリイフォルミス、ペロノスクレロスポラ・フィリピネンシス、マグナポルテ・オリゼ、ミクロシクルス・ウレイ又はラルストニア・ソラナセアルム・レース三及び次亜種二
(v) bacteria or fungi: Clavibacter michiganensis ssp. sepedonicus, Coccidioides immitis, Coccidioides posadasii, Cochliobolus miyabeanus, Colletotrichum kahawae, Xanthomonas axonopodis pv. citri, Xanthomonas albilineans, Xanthomonas oryzae pv. oryzae, Synchytrium endobioticum, Sclerophthorarayssiae var.zeae, Thecaphora solani, Tilletia indica, Puccinia graminis var. graminis, Puccinia striiformis, Peronosclerospora philippinensis, Magnaporthe oryzae, Microcyclus ulei, or Ralstonia solanacearum race 3 or biovar 2;
六 第一号、第二号若しくは前号に該当するものの核酸の塩基配列のうち病原性を発現させるもの又は第三号若しくは第四号に該当するものを産生させる核酸の塩基配列を有する遺伝子(染色体、ゲノム、プラスミド、トランスポゾン及びベクターを含む。)
(vi) genes (including chromosomes, genomes, plasmids, transposons, and vectors) having a base sequence of nucleic acids falling under item (i), item (ii), or the preceding item, wherein that base sequence of nucleic acids causes the expression of pathogenicity or the production of those falling under item (iii) or item (iv);
七 第一号、第二号若しくは第五号に該当するものの核酸の塩基配列のうち病原性を発現させるもの又は第三号若しくは第四号に該当するものを産出させる核酸の塩基配列を有するように遺伝子を改変した生物(微生物を含む。)
(vii) organisms (including microorganisms) the gene of which is altered such render a base sequence of nucleic acids falling under item (i), item (ii), or item (v), wherein that base sequence of nucleic acids causes the expression of pathogenicity or the production of substances falling under item (iii) or item (iv).
2 輸出令別表第一の三の二の項(二)の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
(2) Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 3-2 (ii) of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 物理的封じ込めに用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの
(i) physical containment facilities falling under any of the following:
イ 物理的封じ込めのレベルがP三又はP四である施設用の装置
(a) equipment for facilities with physical containment level of P3 or P4;
ロ クラス―III安全キャビネットの有する物理的封じ込めの機能と同等の機能を有するアイソレータ
(b) isolators having physical containment functions equivalent to those of class III safety cabinets;
二 発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii) fermenters or components thereof that fall under any of the following:
イ 使い捨て式以外の発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(a) fermenters or components thereof, other than disposables, which fall under any of the following:
(一) 容量が二〇リットル以上の密閉式の発酵槽であって、定置した状態で内部の滅菌又は殺菌ができるもの
1. hermetically sealed fermenters, the capacity of which is 20 liters or more, capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
(二) (一)に該当する発酵槽に用いることができるように設計された培養容器であって、定置した状態で内部の滅菌又は殺菌ができるもの
2. culture vessels designed to be usable for fermenters that fall under 1. which are capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
(三) (一)に該当する発酵槽に用いることができるように設計された制御装置であって、発酵装置を制御するための二以上のパラメーターを同時に監視又は制御をすることができるもの
3. controllers designed to be usable for fermenters that fall under 1. which are capable of simultaneously monitoring or controlling two parameters or more for controlling fermentation equipment;
ロ 使い捨て式の発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) disposable fermenters or components thereof that fall under any of the following:
(一) 容量が二〇リットル以上の密閉式の発酵槽
1. hermetically sealed fermenters, the capacity of which is 20 liters or more;
(二) (一)に該当する発酵槽に用いることができるように設計された使い捨て培養容器の収容装置
2. containers for disposable culture vessels designed to be usable for fermenters that fall under 1.;
(三) (一)に該当する発酵槽に用いることができるように設計された制御装置であって、発酵装置を制御するための二以上のパラメーターを同時に監視又は制御をすることができるもの
3. controllers designed to be usable for fermenters that fall under 1. which are capable of simultaneously monitoring or controlling two parameters or more for controlling fermentation equipment;
三 連続式の遠心分離機であって、次のイからニまでのすべてに該当するもの
(iii) continuous centrifuge separators falling under all of the following (a) through (d):
イ 流量が一時間につき一〇〇リットルを超えるもの
(a) separators with a flow volume exceeding 100 liters per hour;
ロ 研磨したステンレス鋼又はチタンで構成されたもの
(b) separators comprised of polished stainless steel or titanium;
ハ メカニカルシールで軸封をしているもの
(c) separators having an axle sealed with a mechanical seal;
ニ 定置し、かつ、閉じた状態で蒸気により内部の滅菌をすることができるもの
(d) separators capable of internal sterilization using vapor when fixed and in a closed state;
四 クロスフローろ過用の装置であって、次のイ及びロに該当するもの(逆浸透膜を用いたものを除く。)
(iv) cross (tangential) flow filtration equipment falling under the following (a) or (b) (excluding those using a reverse penetration membrane):
イ 有効ろ過面積の合計が一平方メートル以上のもの
(a) equipment with a total effective filtering area of 1 square meter or more;
ロ 次の(一)又は(二)に該当するもの
(b) equipment that falls under the following 1. or 2.:
(一) 定置した状態で内部の滅菌又は殺菌をすることができるもの
1. equipment capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
(二) 使い捨ての部分品を使用するもの
2. equipment using disposable components;
四の二 前号に掲げるものに使用するように設計した部分品であって、有効ろ過面積が〇・二平方メートル以上のもの
(iv)-2 components designed for use for those listed in the preceding item with an effective filtering area of 0.2 square meters or more;
五 凍結乾燥器であって、次のイ及びロに該当するもの
(v) freeze-drying equipment falling under the following (a) and (b):
イ 二四時間につき一〇キログラム以上一、〇〇〇キログラム未満の氷を作る能力を有するもの
(a) equipment having the capacity to create 10 kilogram or more and less than 1,000 kilograms of ice in a 24-hour period;
ロ 蒸気により内部の滅菌をすることができるもの
(b) equipment capable of internal sterilization using vapor;
五の二 噴霧乾燥器であって、次のイからハまでの全てに該当するもの
(v)-2 spray-drying equipment that falls under all of the following (a) through (c):
イ 水分蒸発量が一時間あたり〇・四キログラム以上四〇〇キログラム以下のもの
(a) spray-drying equipment with a moisture evaporation of 0.4 kilograms or more and 400 kilograms or less per hour;
ロ 平均粒子径一〇マイクロメートル以下の製品を製造することが可能なもの又は噴霧乾燥器の最小の部分品の変更で平均粒子径一〇マイクロメートル以下の製品を製造することが可能なもの
(b) spray-drying equipment capable of producing products with an average particle diameter of 10 micrometers or less, or spray-drying equipment, by replacing its smallest components, capable of producing products with an average particle diameter of 10 micrometers or less;
ハ 定置した状態で内部の滅菌又は殺菌することができるもの
(c) spray-drying equipment capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
六 物理的封じ込め施設において用いられる防護のための装置であって、エアライン方式の換気用の装置を有する全身の若しくは半身の衣服又はフードであるもののうち、その内部を陽圧に維持することができるもの
(vi) among whole or half body clothing or hoods that possess protective equipment used in physical containment and airline ventilation use equipment, those capable of maintaining a positive internal pressure;
七 粒子状物質の吸入の試験用の装置であって、吸入室の容積が一立方メートル以上のもの
(vii) aerosol inhalation chambers with the capacity of 1 square meter or more;
八 噴霧器若しくは煙霧機又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(viii) spraying or fogging systems or components thereof, which fall under any of the following:
イ 航空機、飛行船、気球又は無人航空機に搭載するように設計した噴霧器又は煙霧機であって、初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できるもの
(a) spraying or fogging systems designed to be mounted in aircraft, airship, balloon, or unmanned aerial vehicles capable of dispersing droplets initial particles of which have a median cubic diameter less than 50 microns from an on-board liquid device at a rate exceeding 2 liters per minute;
ロ 航空機、飛行船、気球又は無人航空機に搭載するように設計したエアゾール発生装置のスプレーブーム又はノズルであって、初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できるもの
(b) a spray boom or nozzle for an aerosol generators designed to be mounted in aircraft, airship, balloon, or unmanned aerial vehicles capable of dispersing droplets, the initial particles of which have a median cubic diameter less than 50 microns from an on-board liquid spraying devices at a rate exceeding 2 liters per minute;
ハ 初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できる装置に使用するように設計したエアゾール発生装置
(c) aerosol generators designed to be used in a devices capable of dispersing droplets initial particles of which have a median cubic diameter less than 50 microns from an on-board liquid spraying device at a rate exceeding 2 liters per minute.
第三条 輸出令別表第一の四の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 3 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 4 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 ロケット又はペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットの製造用の装置若しくは工具(型を含む。以下この条において同じ。)、試験装置若しくはこれらの部分品
(i) rockets or equipment or tools (including molds; hereinafter the same applies in this Article) for the manufacture of rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, test equipment, or components thereof;
一の二 ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機又はその製造用の装置若しくは工具、試験装置若しくはこれらの部分品
(i)-2 unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or equipment or tools for the manufacture thereof, or test equipment, or components thereof;
一の三 エアゾールを噴霧できるように設計した無人航空機であって、燃料の他に粒子又は液体状で二〇リットルを超えるペイロードを運搬するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの(前号に該当するもの又は娯楽若しくはスポーツの用に供する模型航空機を除く。)
(i)-3 among unmanned aerial vehicles designed to be capable of atomizing aerosol and designed to be capable of transporting payloads exceeding 20 liters in a particulate or liquid form in addition to fuel, and falling under any of the following (excluding those falling under the preceding item and model aircraft used for entertainment or sports):
イ 自律的な飛行制御及び航行能力を有するもの
(a) vehicles having an autonomous flight control or navigation capability;
ロ 視認できる範囲を超えて人が飛行制御できる機能を有するもの
(b) vehicles having a function enabling flight control by a person exceeding the visible range;
二 次のいずれかに該当する貨物又はその製造用の装置若しくは工具、試験装置若しくはこれらの部分品
(ii) goods falling under any of the following or equipment or tools for the manufacture thereof, or test equipment, or components thereof:
イ ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができる貨物であって、次のいずれかに該当するもの
(a) goods usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, and falling under any of the following:
(一) 多段ロケットの各段
1. individual stages of multiple-stage rockets;
(二) 固体ロケット推進装置又はハイブリッドロケット推進装置であって、全力積が八四一、〇〇〇ニュートン秒以上のもの
2. solid rocket propulsion units or hybrid rocket propulsion unit with the total impulse of 841,000 Newton-seconds or more;
(三) 液体ロケット推進装置であって、全力積が八四一、〇〇〇ニュートン秒以上のもの又はこれに組み込まれるように設計した液体ロケットエンジン
3. liquid rocket propulsion units with a total impulse of 841,000 Newton-seconds or more or liquid rocket engines designed to be incorporated into such units;
ロ 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができる貨物であって、次のいずれかに該当するもの
(b) goods capable of use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more, falling under any of the following:
(一) 再突入機
1. re-entry vehicles;
(二) 再突入機の熱遮へい体(セラミック又はアブレーション材料を用いたものに限る。)又はその部分品
2. thermal shields (limited to those using ceramic or abrasion materials) for re-entry vehicles or components thereof;
(三) 再突入機のヒートシンク又はその部分品
3. heat sinks for re-entry vehicles and components thereof;
(四) 再突入機に使用するように設計した電子機器
4. electronics parts designed for use for re-entry vehicles;
(五) 誘導装置であって、飛行距離に対する平均誤差半径の比率が三・三三パーセント以下のもの
5. guidance equipment with a ratio of average error radius to flight distance of 3.33 % or less;
(六) 推力の方向を制御する装置
6. thrust vector controllers;
三 推進装置若しくはその部分品、モータケースのライニング若しくは断熱材であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの製造用の装置若しくは工具、試験装置若しくはこれらの部分品
(iii) propulsion units or components thereof, motor case linings, or insulation materials falling under any of the following, or equipment or tools for the manufacture thereof, or test equipment, or components thereof:
イ ターボジェットエンジン又はターボファンエンジンであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) turbojet engines or turbo fan engines falling under the following 1. and 2.:
(一) 機体に搭載されていない状態における最大推力が四〇〇ニュートンを超えるもの(機体に搭載されていない状態における最大推力が八、八九〇ニュートンを超えるものであって、本邦の政府機関が民間航空機に使用することを認定したものを除く。)
1. engines maximum thrust of which is 400 newtons or more when not mounted in an airframe (excluding those maximum thrust of which is 8,890 newtons or more when not mounted in an airframe and the use of which in private aircraft has been authorized by Japanese governmental institution);
(二) 海面上における国際民間航空機関が定める標準大気状態での最大連続推力の燃料消費量が一時間につき推力一ニュートン当たり〇・一五キログラム以下のもの
2. engines fuel consumption of which at maximum continuous thrust is 0.15 kilograms per thrustnewton per hour or less in standard atmospheric conditions above the sea as defined by the International Civil Aviation Organization;
ロ ラムジェットエンジン、スクラムジェットエンジン、パルスジェットエンジン若しくは複合サイクルエンジン(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又はペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(b) ramjet engines, scramjet engines, pulse jet engines, or combined cycle engines (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more) or components thereof;
ハ 固体ロケット用のモータケースであって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるもの
(c) motor cases for solid rockets usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more;
ニ 固体ロケット用のモータケースのライニング(推進薬とモータケース又は断熱材を結合することができるものに限る。)であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用することができるもの又は五〇〇キログラム未満のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用するように設計したもの
(d) motor case linings for solid rockets (limited to those in which the propellant and motor case or insulation can be combined) usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more or designed for use in rockets or unmanned aircraft capable of transporting payloads weighing less than 500 kilograms for 300 kilometers or more;
ホ 固体ロケット用のモータケースの断熱材であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用することができるもの又は五〇〇キログラム未満のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用するように設計したもの
(e) motor case insulation for solid rockets, usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more or designed for use in rockets or unmanned aircraft capable of transporting payloads weighing less than 500 kilograms for 300 kilometers or more;
ヘ 固体ロケット用のモータケースのノズルであって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるもの
(f) motor case nozzles for solid rockets usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more;
ト 液体状、スラリー状又はゲル状の推進薬の制御装置であって、周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はその部分品(サーボ弁及びポンプを除く。)
(g) control equipment for propellants in liquid, slurry or gel states, the frequency range of which is 20 hertz or more and 2,000 hertz or less and designed to be capable of withstanding vibrations with effective acceleration rate exceeding 98 meters per second squared (limited to control equipment which can be used in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more) and components thereof (excluding servo valves and pumps);
チ 前号イ(二)に該当するハイブリッドロケット推進装置の部分品
(h) components of hybrid rocket propulsion units that fall under (ii)(a) 2.;
リ 液体推進薬用のタンクであって、次のいずれかに該当するものに使用するように設計したもの
(i) tanks for liquid propellants designed for use in those falling under any of the following:
(一) 第七号に該当する推進薬又はその原料となる物質
1. propellants falling under item (vii) or raw materials thereof;
(二) 液体推進薬((一)に該当するものを除く。)であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用するもの
2. liquid propellants (excluding those falling under 1.) used in rockets capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more;
ヌ ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用するように設計したターボプロップエンジンであって、海面上における国際民間航空機関が定める標準大気状態での最大出力が一〇キロワット以上のもの(本邦の政府機関が民間航空機に使用することを認定したものを除く。)又はその部分品
(j) turboprop engines designed for use in unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, and whose maximum output is 10 kilowatts or more in standard atmospheric conditions above the sea as defined by the International Civil Aviation Organization (excluding those certified for use in civil aircraft by the governmental organizations of Japan) or components thereof;
四 多段ロケットの切離し装置又は段間継手(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)又はこれらの製造用の装置若しくは工具、試験装置若しくはこれらの部分品
(iv) separation mechanisms or staging mechanisms for multiple-stage rockets (limited to those usable for a rocket capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more), or equipment or tools for the manufacture thereof, or test equipment, or components thereof;
五 しごきスピニング加工機であって、数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもののうち、輪郭制御をすることができる軸数が三以上のもの又はその部分品
(v) flow-forming machines that can be controlled by numerically-controlled coordinate measurement equipment and computers, with 3 or more axes capable of contouring control, or components thereof;
六 サーボ弁又は推進薬の制御装置に使用することができるポンプであって、次のイ及びロに該当するもののうち、ハ又はニのいずれかに該当するもの
(vi) among pumps usable for servo valves or controllers for propellants and that fall under any of the following (a) and (b), those falling under (c) or (d):
イ 液体状、スラリー状又はゲル状の推進薬の制御装置に使用するように設計したもの
(a) pumps designed for use in controllers for propellants in liquid, slurry, or gel states;
ロ 周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの
(b) pumps frequency range of which is 20 hertz or more and 2,000 hertz or less and designed to be able to withstand vibrations with effective acceleration rate exceeding 98 meters per second squared;
ハ 絶対圧力が七、〇〇〇キロパスカル以上の状態において一分につき〇・〇二四立方メートル以上流すことができるように設計したサーボ弁であって、アクチュエータの応答時間が一〇〇ミリ秒未満のもの
(c) pumps designed to allow a flow of 0.024 cubic meters per minute or more in a state wherein the absolute pressure is 7,000 kilopascals or more and the actuator response time of which is less than 100 milliseconds;
ニ ポンプであって、軸の回転数が一分につき八、〇〇〇回転以上のもの又は吐出し圧力が七、〇〇〇キロパスカル以上のもの
(d) pumps with the number of rotation of axles of 8,000 rotations per minute or more or discharge pressure of 7,000 kilopascals or more;
六の二 推進薬の制御装置に使用できるポンプに使用することができるラジアル玉軸受であって、日本工業規格B一五一四-一号(転がり軸受-軸受けの公差-第一部:ラジアル軸受)で定める精度が二級以上のもののうち、次のイからハまでの全てに該当するもの
(vi)-2 among radial ball bearings usable for pumps usable for controllers for propellants precision of which is class 2 or more as specified in Japanese Industrial Standards B1514-1 (Rolling bearings - Tolerances - Part 1: Radial bearings), those falling under all of the following (a) through (c):
イ 内輪内径が一二ミリメートル以上五〇ミリメートル以下のもの
(a) bearings with an inner wheel internal diameter of 12 millimeters or more and 50 millimeters or less;
ロ 外輪外径が二五ミリメートル以上一〇〇ミリメートル以下のもの
(b) bearings with an outer wheel external diameter of 25 millimeters or more and 100 millimeters or less;
ハ 幅が一〇ミリメートル以上二〇ミリメートル以下のもの
(c) bearings with a width of 10 millimeters or more and 20 millimeters or less;
七 推進薬又はその原料となる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(vii) propellants or raw material thereof falling under any of the following:
イ 濃度が七〇パーセントを超えるヒドラジン
(a) hydrazine with concentration exceeding 70 %;
ロ ヒドラジンの誘導体
(b) a derivative of hydrazine;
ハ 過塩素酸アンモニウム
(c) ammonium perchlorate;
ニ アンモニウムジニトラミド
(d) ammonium dinitramide;
ホ 粒子が球形又は回転楕円体で、その径が二〇〇マイクロメートル未満のアルミニウムの粉であって、重量比による純度が九七パーセント以上のもののうち、国際規格ISO二五九一(一九八八)又はこれと同等の規格で定める測定方法により測定した径が六三マイクロメートル未満のものの含有量が全重量の一〇パーセント以上のもの
(e) among aluminum powder the particles of which are globular or spheroidal and with diameter thereof less than 200 micrometers and with a weight-based purity level of 97% or more, those the content of those diameter of which is less than 63 micrometers as measured by measurement method specified in International Organization for Standardization ISO 2591:1988 or standards equivalent thereto is 10% or more of the total weight;
ヘ 重量比による純度が九七パーセント以上のジルコニウム(天然の比率でジルコニウムに含まれるハフニウムを含む。)、ベリリウム、マグネシウム又はこれらの合金の粉末状のものであって、篩、レーザー回析、光学式走査等を用いて測定した粒子の径が六〇マイクロメートル未満のものの含有量が全体積又は全重量の九〇パーセント以上のもの
(f) among powder-state zirconium (containing hafnium contained in the zirconium at a natural ratio), beryllium, magnesium, or alloys thereof with a weight-based purity level of 97% or more, those for which particles of diameters less than 60 micrometers as measured using sieves, laser diffraction, optical scanning or other relevant methods account for 90% or more of the total volume or weight;
ト 重量比による純度が八五パーセント以上のほう素又はその合金の粉末状のものであって、篩、レーザー回析、光学式走査等を用いて測定した粒子の径が六〇マイクロメートル未満のものの含有量が全体積又は全重量の九〇パーセント以上のもの
(g) among powder-state boron or alloys thereof with a weight-based purity level of 85% or more by a yield-to-weight comparison, those for which particles of diameters less than 60 micrometers as measured using sieves, laser diffraction, optical scanning or other relevant methods account for 90% or more of the total volume or weight;
チ 過塩素酸塩、塩素酸塩又はクロム酸塩であって、粉末状の金属又は燃料成分が混合されたもの
(h) a perchlorate, a chlorate, or a chromate in which a powdered metal or fuel constituent is mixed;
リ カルボラン、デカボラン、ペンタボラン又はこれらの誘導体
(i) carborane, decaborane, or pentaborane, or a derivative thereof;
ヌ 液体酸化剤であって、次のいずれかに該当するもの
(j) a liquid oxidizer falling under any of the following:
(一) 三酸化二窒素
1. dinitrogen trioxide;
(二) 二酸化窒素又は四酸化二窒素
2. nitrogen dioxide or dinitrogen tetraoxide;
(三) 五酸化二窒素
3. dinitrogen pentoxide;
(四) 窒素酸化物の混合物
4. a mixture of nitrogen oxide;
(五) 耐腐食性を有する赤煙硝酸
5. red fuming nitric acid having resistance to corrosion;
(六) ふっ素及びその他のハロゲン、酸素又は窒素からなる化合物(気体の三ふっ化窒素を除く。)
6. a compound made from fluorine or other halogens, oxygen, or nitrogen (excluding nitrogen trifluoride gas);
ル 末端にカルボキシル基を有するポリブタジエン
(k) polybutadiene having a carboxyl group at its terminal;
ヲ 末端に水酸基を有するポリブタジエン
(l) polybutadiene having a hydroxyl group at its terminal;
ワ グリシジルアジドの重合体
(m) a glycidylamide polymer;
カ ブタジエンとアクリル酸との重合体
(n) a polymer of butadiene and acrylic acid;
ヨ ブタジエンとアクリロニトリルとアクリル酸との重合体
(o) a polymer of butadiene, acrylonitrile, and acrylic acid;
タ 次のいずれかに該当する推進薬
(p) a propellant falling under any of the following:
(一) 一キログラム当たりの発熱量が四〇、〇〇〇、〇〇〇ジュール以上の固体及び液体の推進薬
1. a solid or liquid propellant with heating value of 40,000,000 joules per kilogram or more;
(二) 二〇度の温度かつ一気圧において計測した一立方メートル当たりの発熱量が三七、五〇〇、〇〇〇、〇〇〇ジュール以上の燃料及び燃料添加剤(化石燃料又は植物に由来する有機物を原材料として製造される燃料を用いて製造したものを除く。)
2. fuel or fuel additives (excluding those produced by using fuels manufactured by using fossil fuels or organic substances derived from plants as raw materials) with a heating value of 37,500,000,000 joules per cubic meter when measured at a temperature of 20 degrees centigrade and 1 atmospheric pressure;
レ トリス―一―(二―メチル)アジリジニルホスフィンオキシド
(q) tris-1-(2-methyl) aziridinyl phosphine oxide;
ソ テトラエチレンペンタミン、アクリロニトリル及びグリシドールの反応生成物
(r) a reaction product of tetraethylenepentamine, acrylonitrile, and glycidol;
ツ テトラエチレンペンタミン及びアクリロニトリルの反応生成物
(s) a reaction product of tetraethylenepentamine and acrylonitrile;
ネ イソフタル、トリメシン、イソシアヌル又はトリメチルアジピンの骨格を有する多官能性アジリジンアミドであって、二―メチルアジリジン基又は二―エチルアジリジン基を有するもの
(t) a multi-functional aziridineamide having an isophthal-, trimesin-, isocyanur-, or trimethyladipin- skeleton having a 2-methylaziridine group or a 2-ethylaziridine group;
ナ トリフェニルビスマス
(u) triphenylbismuth;
ラ フェロセン誘導体
(v) a ferrocene derivative;
ム トリエチレングリコールジナイトレート
(w) triethylene glycol dinitrate;
ウ トリメチロールエタントリナイトレート
(x) trimethylolethane trinitrate;
ヰ 一・二・四―ブタントリオールトリナイトレート
(y) 1,2,4-butanetrioltrinitrate;
ノ ジエチレングリコールジナイトレート
(z) diethylene glycol dinitrate;
オ ポリテトラハイドロフランポリエチレングリコール
(aa) polytetrahydrofuran polyethlene glycol;
ク 四・五―ジアジドメチル―二―メチル―一・二・三―トリアゾール
(bb) 4,5-diazidomethyl-2-methyl--,2,3-triazole;
ヤ メチル―ニトラトエチルニトラミン
(cc) methyl-nitrate ethyl nitramine;
マ エチル―ニトラトエチルニトラミン
(dd) ethyl-nitrate ethyl nitramine;
ケ ブチル―ニトラトエチルニトラミン
(ee) butyl-nitrate ethyl nitramine;
フ ビス(二・二―ジニトロプロピル)アセタール
(ff) bis (2,2-dinitropropyl) acetal;
コ ビス(二・二―ジニトロプロピル)フォルマール
(gg) bis (2,2-dinitropropyl) formal;
八 次のいずれかに該当する推進薬若しくはその原料となる物質の製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置又はこれらの部分品(次号から第十号の二までのいずれかに該当するものを除く。)
(viii) equipment or tools for the production of propellants or raw materials thereof, or test equipment or components thereof (excluding those falling under any of the next items through item (x), (ii)):
イ 前号に該当する貨物
(a) goods falling under the preceding item;
ロ オクトーゲン又はヘキソーゲン
(b) octogen or hexagen;
ハ コンポジット推進薬
(c) a composite propellant;
ニ 二―ニトロジフェニルアミン又はN―メチル―p―ニトロアニリン
(d) 2-nitrodiphenylamine or N-methyl-p-nitroaniline;
ホ ヒドラジンニトロホルメート
(e) hydrazine nitroformate;
ヘ ヘキサニトロヘキサアザイソウルチタン
(f) hexanitrohexaazaisowurtzitane;
九 バッチ式の混合機(液体用のものを除く。)であって、〇以上一三・三二六キロパスカル以下の絶対圧力で混合することができるもののうち、混合容器内の温度を制御することができ、かつ、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品
(ix) among batch mixers (excluding those for liquids) usable at an absolute pressure of 0 kilopascal or more and 13.326 kilopascals or less, those capable of controlling the temperature inside the mixing container, and falling under the following (a) and (b) or components thereof:
イ 全容量が一一〇リットル以上のもの
(a) mixers with total volume of 110 liters or more;
ロ 混合機の中心軸から離れた混和軸又は捏和軸を少なくとも一本有するもの
(b) mixers having at least one mixing axis or a kneading axis separated from the center axis thereof;
九の二 連続式の混合機(液体用のものを除く。)であって、〇以上一三・三二六キロパスカル以下の絶対圧力で混合することができるもののうち、混合容器内の温度を制御することができ、かつ、次のいずれかに該当するもの又はその部分品
(ix)-2 among continuous mixers (excluding those for liquids) capable of mixing at an absolute pressure of 0 kilopascal or more and 13.326 kilopascals or less, those capable of controlling the temperature inside the mixing container, and falling under the following, or components thereof:
イ 二本以上の混和軸又は捏和軸を有するもの
(a) mixers having 2 or more mixing axles or kneading axles;
ロ 振動機能を備えた一本の回転軸を有し、かつ、混合容器内及び回転軸上に捏和のための突起を有するもの
(b) mixers having one rotating axle with a vibration function and having a projection for kneading in the mixing container and on the rotating axle;
十 第七号若しくは第八号ロからヘまでのいずれかに該当する推進薬若しくはその原料となる物質を粉砕することができるジェットミル又はその部分品
(x) jet mills capable of pulverizing propellants falling under any of item (vii) or item (viii), (b) through (f) or raw materials thereof or components thereof;
十の二 第七号ホからトまでのいずれかに該当する金属の粉末(噴霧粉、球形粉又は回転楕円体粉に限る。)の製造用の装置又はその部分品
(x)-2 equipment for the production of powder (limited to atomized powders, globular powders, or spheroidal powders) of metals falling under any of item (vii), (e) through (g) or components thereof;
十一 複合材料、繊維、プリプレグ又はプリフォーム(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品
(xi) equipment for the production of composites, fibers, prepregs, or preforms (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more) and that falls under any of the following or parts or accessories thereof:
イ フィラメントワインディング装置又はファイバープレイスメント装置であって、繊維を位置決めし、包み作業及び巻き作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が三以上のもの又はその制御装置
(a) among filament winding machines or fiber placement machines for positioning fibers and carrying out wrapping operations and winding operations, those with three or more axles capable of controlling those operations in a correlated manner or controllers thereof;
ロ 複合材料からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するためのものであって、テープ又はシートを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が二以上のもの
(b) among equipment for the production of airframes of an aircraft or the structure of rockets comprised of composites, and for positioning tape or sheets and carrying out lamination operations, those with 2 or more axles capable of controlling those operations in a correlated manner;
ハ 三次元的に織ることができる織機又はインターレーシングマシン
(c) weaving machines or interlacing machines capable of three-dimensional weaving;
ニ 繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
(d) equipment for the production of fibers that falls under any of the following:
(一) 重合体繊維から他の繊維を製造する装置
1. equipment for the production of other fibers from polymer fibers;
(二) 熱したフィラメント状の基材に元素又は化合物を蒸着させるための装置
2. equipment for vapor depositing elements or compounds on substrates in a heated filament form;
(三) 耐火セラミックの湿式紡糸装置
3. wet spinning apparatus for fire-resistant ceramics;
ホ 繊維の表面処理又はプリプレグ若しくはプリフォームの製造を行うように設計したもの
(e) equipment designed for surface treating of fibers or the production of prepregs or preforms;
十二 ノズルであって、原料ガスの熱分解(一、三〇〇度以上二、九〇〇度以下の温度範囲において、かつ、一三〇パスカル以上二〇、〇〇〇パスカル以下の絶対圧力の範囲において行うものに限る。)により生成する物質を基材に定着させるためのもの
(xii) nozzles used in fixing substances generated from the thermal decomposition of gas onto substrates (limited to that carried out in the temperature range 1,300 degrees centigrade or more and 2,900 degrees centigrade or less and the absolute pressure range of 130 pascals or more and 20,000 pascals or less) to substrates;
十三 ロケット推進装置のノズル若しくは再突入機の先端部の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその制御装置
(xiii) equipment for the production of nozzle of rocket propulsion systems or re-entry vehicle nose tips, and that falls under any of the following or process controls thereof:
イ 構造材料の炭素の密度を増加させるためのもの
(a) equipment for the densification of carbon of structural materials;
ロ 原料ガスの熱分解により生成する炭素を基材に定着させるためのもの
(b) equipment for fixing carbon generated from the thermal decomposition of gas onto substrates;
十四 アイソスタチックプレスであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの又はその制御装置
(xiv) isostatic presses falling under all of the following (a) through (c) or controllers thereof:
イ 最大圧力が六九メガパスカル以上のもの
(a) isostatic presses with maximum pressure of 69 megapascals or more;
ロ 中空室内の温度制御ができるもの(中空室内の温度が六〇〇度以上の場合に限る。)
(b) isostatic presses capable of temperature control in hollow cavities (limited to the case when the temperature of hollow cavities is 600 degrees centigrade or more);
ハ 中空室の内径が二五四ミリメートル以上のもの
(c) isostatic presses, with an internal diameter of hollow cavities of 254 millimeters or more;
十五 炭素及び炭素繊維を用いた複合材料の炭素の密度を増加させるために設計した炉であって、化学的気相成長用のもの又はその制御装置
(xv) furnaces designed for the densification of carbon of composites using carbon or carbon fibers for chemical vapor deposition or controllers thereof;
十六 構造材料であって、次のいずれかに該当するもの
(xvi) structural materials falling under any of the following:
イ 比強度が七六、二〇〇メートルを超え、かつ、比弾性率が三、一八〇、〇〇〇メートルを超える繊維で補強した有機物若しくは金属をマトリックスとするものからなる複合材料(プリプレグであって、ガラス転移点が一四五度以下のものを除く。)又はその成型品(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット、無人航空機又は第二号に該当する貨物に使用するように設計したものに限る。)
(a) composites (excluding prepregs with glass transition points of 145 degrees centigrade or less) made from organic substances reinforced with fibers specific strength exceeding 76,200 meters and specific elastic modulus exceeding 3,180,000 meters or those with metal in the matrix phase, or molded products thereof (limited to those designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii));
ロ ロケット用に設計した炭素及び炭素繊維を用いた複合材料又はその成型品(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)
(b) composites using carbon and carbon fibers designed for rocket use or molded products thereof (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
ハ 人造黒鉛であって、次のいずれかに該当するもの(ロケットのノズル又は再突入機の先端部に使用することができるものに限る。)
(c) artificial graphite falling under any of the following (limited to artificial graphite usable for rocket nozzles or re-entry vehicles nose tips):
(一) 一五度の温度で測定したときのかさ密度が一立方センチメートル当たり一・七二グラム以上、かつ、粒子の径が一〇〇マイクロメートル以下の人造黒鉛であって、次のいずれかに加工することができるもの
1. artificial graphite, the bulk density of which measured at 15 degrees centigrade is 1.72 grams per cubic centimeter or more and the particle diameter of which is 100 micrometers or less and which is capable of being processed into any of the following:
1 円筒であって、直径が一二〇ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの又は管であって、内径が六五ミリメートル以上、厚さが二五ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの
i. cylinders with a diameter of 120 millimeters or more and a height of 50 millimeters or more, or tubes with an inner diameter of 65 millimeters or more, a thickness of 25 millimeters or more, and a height of 50 millimeters or more;
2 直方体であって、各辺の長さがそれぞれ一二〇ミリメートル以上、一二〇ミリメートル以上及び五〇ミリメートル以上のもの
ii. a rectangular parallelepiped, each of the dimensions of which is respectively 120 millimeters or more, 120 millimeters or more, and 50 millimeters or more;
(二) 熱分解黒鉛(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
2. pyrolytic graphite (limited to that usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
(三) 繊維で強化した黒鉛(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
3. graphite strengthened with fibers (limited to that usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
ニ ロケット又は無人航空機のレードーム(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)に使用するためのセラミックの複合材料(一〇〇メガヘルツ以上一〇〇ギガヘルツ以下の範囲のいずれかの周波数における比誘電率が六未満のものに限る。)
(d) composites of ceramics (limited to those with relative permittivity less than 6 in frequencies within the range of 100 megahertz or more and 100 gigahertz or less) for use in radomes (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more) of rockets or unmanned aerial vehicles;
ホ ロケット若しくは無人航空機の先端部、再突入機又はノズルフラップ(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)に使用することができる炭化けい素で強化された未焼成セラミック又は強化された炭化けい素セラミック複合材料
(e) unfired ceramics reinforced by silicon carbide or reinforced silicon carbide ceramic composites usable for nose tips of rockets or unmanned aerial vehicles, re-entry vehicles, or nozzle flaps (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
ヘ 次のいずれかに該当するタングステン、モリブデン若しくはこれらの合金を主たる構成物質とする粉又は粉を固めたもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の構造材料として用いることができるものに限る。)
(f) powders principally made from tungsten, molybdenum or alloys of those metals, or a consolidated powder (limited to those usable as structural materials for rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more):
(一) タングステン又はタングステンの含有量が合金の全重量の九七パーセント以上の粉であって、その粒子の径が五〇マイクロメートル以下のもの
1. tungsten or powders with a tungsten content of 97 % or more of the total weight of alloys, with a particle diameter of 50 micrometers or less;
(二) モリブデン又はモリブデンの含有量が合金の全重量の九七パーセント以上の粉であって、その粒子の径が五〇マイクロメートル以下のもの
2. molybdenum or powders with a molybdenum content of 97 % or more of the total weight of alloys, and a particle diameter of 50 micrometers or less;
(三) タングステン又はタングステンの含有量がその合金の全重量の九七パーセント以上(銅又は銀を含浸させたものである場合にあっては、タングステンの含有量が合金の全重量の八〇パーセント以上。)の粉を固めたものであって、次のいずれかに該当するものに加工することができるもの
3. consolidated tungsten or powders with a tungsten content of 97 % or more of the total weight of the alloys (for those impregnated with copper or silver, with a tungsten content of 80 % or more of the total weight of the alloys), and which is capable of being processed into any of the following:
1 円筒であって、直径が一二〇ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの又は管であって、内径が六五ミリメートル以上、厚さが二五ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの
i. cylinders with a diameter of 120 millimeters or more and a height of 50 millimeters or more, or tubes with an inner diameter of 65 millimeters or more, a thickness of 25 millimeters or more, and a height of 50 millimeters or more;
2 直方体であって、各辺の長さがそれぞれ一二〇ミリメートル以上、一二〇ミリメートル以上及び五〇ミリメートル以上のもの
ii. a rectangular parallelepiped, each of the dimensions of which is respectively 120 millimeters or more, 120 millimeters or more, and 50 millimeters or more;
ト ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるマルエージング鋼であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(g) maraging steels usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more which fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当するもの
1. maraging steels falling under any of the following:
1 固溶化熱処理段階で二〇度の温度において測定した最大引張強さが九〇〇、〇〇〇、〇〇〇パスカル以上のもの
i. maraging steels with a maximum tensile strength as measured at the solution heat treatment stage at 20 degrees centigrade of 900,000,000 pascals or more;
2 析出硬化熱処理段階で二〇度の温度において測定した最大引張強さが一、五〇〇、〇〇〇、〇〇〇パスカル以上のもの
ii. maraging steels with a maximum tensile strength as measured at the precipitation hardening heat treatment stage at 20 degrees centigrade of 1,500,000,000 pascals or more;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. maraging steels falling under any of the following:
1 厚さが五ミリメートル以下の板又は管
i. plates or tubes with a thickness of 5 mm or less;
2 厚さが五〇ミリメートル以下の管であって、かつ、内径が二七〇ミリメートル以上のもの
ii. tubes with a thickness of 50 mm or less and with an internal diameter of 270 millimeters or more;
チ チタンにより安定化されたオーステナイト・フェライト系ステンレス鋼であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
(h) austenitic-ferritic stainless steels stabilized by titanium, and that fall under the following 1. and 2. (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more):
(一) 次の1から3までのすべてに該当するもの
1. steels falling under all of the following i. through iii.:
1 クロムの含有量が全重量の一七パーセント以上二三パーセント以下で、かつ、ニッケルの含有量が全重量の四・五パーセント以上七パーセント以下のもの
i. steels with a chrome content of 17 % or more and 23 % or less of the total weight and a nickel content of 4.5 % or more and 7 % or less of the total weight;
2 チタンの含有量が全重量の〇・一パーセントを超えるもの
ii. steels with a titanium content exceeding 0.1 % of the total weight;
3 オーステナイト組織を示す部分が全体積の一〇パーセント以上のもの
iii. steels with parts indicating an austenite structure of 10% or more of the total volume;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. steels falling under any of the following:
1 塊又は棒であって、寸法の最小値が一〇〇ミリメートル以上のもの
i. ingots or rods with a smallest dimension value of 100 millimeters or more;
2 シートであって、幅が六〇〇ミリメートル以上で、かつ、厚さが三ミリメートル以下のもの
ii. sheets with a width of 600 millimeters or more and a thickness of 3 millimeters or less;
3 管であって、外径が六〇〇ミリメートル以上で、かつ、厚さが三ミリメートル以下のもの
iii. tubes with an external diameter of 600 millimeters or more and a thickness of 3 millimeters or less;
十七 加速度計若しくはジャイロスコープ若しくはこれらを用いた装置、航法装置若しくは磁気方位センサーであって、次のいずれかに該当するもの(ロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(xvii) accelerometers or gyroscopes, or equipment, navigation equipment or magnetic director sensors using them, which fall under any of the following (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles) or components thereof:
イ ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した航法装置であって、ジャイロスタビライザー又は自動操縦装置とともに使用するように設計したもの
(a) navigation equipment designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more and designed for use in a gyrostabilizer or automated flight controller;
ロ ジャイロ天測航法装置又は天体若しくは人工衛星の自動追跡により位置若しくは針路を測定することができる装置
(b) gyro-astro compasses, or devices that derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites;
ハ 直線加速度計であって、慣性航法装置用又は誘導装置用に使用するように設計したもののうち、スケールファクターの再現性が一年間につき〇・一二五パーセント未満であって、バイアスの再現性が一年間につき〇・〇一二二六三メートル毎秒毎秒未満のもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)
(c) linear accelerometers designed for use in inertial navigation systems or guidance systems with scale factor reproducibility less than 0.125 % per year and bias reproducibility less than 0.012263 meters per second squared per year (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more);
ニ ジャイロスコープであって、九・八一メートル毎秒毎秒の直線加速度の状態におけるドリフトレートの安定性が一時間につき〇・五度未満のもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)
(d) gyroscopes with drift rate stability less than 0.5 degrees per hour in a state of linear acceleration of 9.81 meters per second squared (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more);
ホ 加速度計又はジャイロスコープであって、慣性航法装置又は誘導装置に使用するように設計したもののうち、九八一メートル毎秒毎秒を超える直線加速度で使用することができるように設計したもの
(e) accelerators or gyroscopes designed for use in inertial navigation systems or guidance systems, which are designed to be capable of use with linear acceleration exceeding 981 meters per second squared;
ヘ ハ若しくはホに該当する加速度計又はニ若しくはホに該当するジャイロスコープを用いた装置
(f) equipment using accelerometers falling under (c) or (e) or gyroscopes falling under (d) or (e);
ト 磁気方位センサーであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもののうち、軸数が三のもの
(g) magnetic director sensors that fall under all of the following 1. through 3., with 3 or more axes:
(一) ピッチ角(プラスマイナス九〇度)及びロール角(プラスマイナス一八〇度)の内部傾き補正を有するもの
1. magnetic director sensors with an internal tilt compensation in the pitch angle (plus/minus 90-degrees) and in the roll angle (plus/minus 180-degree angle);
(二) 緯度プラスマイナス八〇度の地点における方位角精度の実効値が局所磁場に対して〇・五度未満のもの
2. magnetic director sensors of which the effective value of the azimuthal precision at the point of plus/minus 80 degrees latitude is less than 0.5, reference to local magnetic field;
(三) 飛行制御又は航法システムと統合するように設計したもの
3. magnetic director sensors designed for integration with flight control or navigation systems;
十七の二 ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した統合された航法システムであって、平均誤差半径が二〇〇メートル以下の精度のもの
(xvii)-2 integrated navigation systems designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, and with precision of an average error radius of 200 meters or less;
十七の三 加速度計若しくはジャイロスコープ若しくはこれらを用いた装置、航法装置、磁気方位センサー又は統合された航法システムの製造用の装置若しくは工具、試験装置、校正装置若しくは心合わせ装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xvii)-3 equipment or tools for the production of accelerometers or gyroscopes or equipment using those, or navigation systems, magnetic director sensors, or integrated navigation system, or test equipment, calibration equipment, or alignment equipment thereof, or components thereof, falling under any of the following:
イ 前二号に該当するものの製造用の装置若しくは工具、試験装置、校正装置若しくは心合わせ装置(ロからヘまでのいずれかに該当するものを除く。)又はこれらの部分品
(a) production equipment or tools or test equipment, calibration equipment, or alignment equipment for those falling under preceding two items (excluding those falling under any of the following (b) through (f)), or components thereof;
ロ 遠心力式釣合い試験機(歯科用装置又は医療用装置を試験するように設計したものを除く。)であって、次の(一)から(四)までのすべてに該当するもの
(b) centrifugal balancing machines (excluding those designed for testing dental equipment or medical equipment) falling under all of the following 1. through 4.:
(一) 重量が三キログラムを超えるロータを試験することができないもの
1. machines that are not capable of testing rotors exceeding 3 kilograms;
(二) 一分につき一二、五〇〇回転を超える回転数でロータを試験することができるもの
2. machines capable of testing rotors with speed exceeding 12,500 rotations per minute;
(三) 二面以上での不釣合いを試験できるもの
3. machines capable of testing imbalance on 2 or more planes;
(四) ロータの重量に対する残留不釣合いが一キログラムにつき〇・二グラムミリメートル以下のもの
4. machines with residual imbalance with respect to the rotor weight of 0.2 gram-millimeters per kilogram or less;
ハ 表示装置であって、ロに該当するものに使用することができるように設計したもの
(c) display equipment designed to be capable of use in machines falling under (b);
ニ モーションシミュレーター又はレートテーブルであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの(工作機械又は医療用装置に使用するように設計したものを除く。)
(d) motion simulators or rate tables falling under all of the following 1. through 3. (excluding those designed to be usable for machine tools or medical devices):
(一) 軸数が二以上のもの
1. motion simulators or rate tables with 2 or more axles;
(二) スリップリング又は電気の供給若しくは信号情報の伝達を行うことができる非接触型の装置を用いるもの
2. motion simulators or rate tables using a slip ring or non-contact type equipment capable of supplying electricity or transmitting signal information;
(三) 次のいずれかに該当するもの
3. motion simulators or rate tables falling under any of the following:
1 いずれかの軸における角速度が一秒につき四〇〇度以上又は三〇度以下のものであって、当該角速度の分解能が一秒につき六度以下のもののうち、当該角速度の精度が一秒につき〇・六度以下のもの
i. motion simulators or rate tables the angular velocity in any axles of which is 400 degrees or more or 30 degrees or less per second, wherein the resolution of the angular velocity is 6 degrees per second or less, and the precision of the angular velocity is 0.6 degrees per second or less;
2 いずれかの軸が一〇度以上回転する場合における角速度が、〇・〇五パーセント以下の精度で安定するもの
ii. motion simulators or rate tables angular velocity of which is stabilized at the precision of 0.05 % or less when the rotation of any axes is 10 degrees or more;
3 角度の位置決め精度が五秒以下のもの
iii. motion simulators or rate tables with angular positioning precision of 5 seconds or less;
ホ ポジショニングテーブルであって、次の(一)及び(二)に該当するもの(工作機械又は医療用装置に使用するように設計したものを除く。)
(e) positioning tables falling under the following 1. and 2. (excluding those designed for use in machine tools or medical devices):
(一) 軸数が二以上のもの
1. positioning tables with 2 or more axles;
(二) 角度の位置決め精度が五秒以下のもの
2. positioning tables with angular positioning precision of 5 seconds or less;
ヘ 遠心加速度試験機であって、九八〇メートル毎秒毎秒を超える加速度を与えることができ、スリップリング又は電気の供給若しくは信号情報の伝達を行うことができる非接触型の装置を用いるもの
(f) centrifugal accelerator testing machines capable of applying an acceleration rate exceeding 980 meters per second squared, and that uses a slip ring or non-contact-type equipment capable of supplying electricity and transmitting signal information;
十八 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した飛行制御装置又は姿勢制御装置
(xviii) flight controllers or attitude controllers designed for use in a rocket or unmanned aerial vehicle capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more;
十八の二 前号に掲げるものに使用するように設計したサーボ弁であって、周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下の全域において加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの
(xviii)-2 servo valves designed for use for those listed in the preceding item, and designed to be able to withstand vibrations with the effective rate of acceleration exceeding 98 meters per second squared within the frequency range from 20 hertz to 2,000 hertz;
十八の三 前二号に掲げるものの試験装置、校正装置又は心合わせ装置
(xviii)-3 test equipment, calibration equipment, or alignment equipment for those listed in preceding two items;
十九 アビオニクス装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xix) avionics equipment falling under any of the following:
イ レーダー(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したものに限る。)
(a) radars (limited to those usable for rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
ロ パッシブセンサーであって、特定の電磁波源の方向又は地形の特性を探知するもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したものに限る。)
(b) passive sensors for detecting the direction of a specific electromagnetic wave source or landform characteristics (limited to those designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more);
ハ 衛星航法システムからの電波を受信する装置であって、次の(一)若しくは(二)に該当するもの又はそのために特に設計した部分品
(c) equipment for receiving radio waves from satellite navigational systems falling under the following 1 or 2, or components especially designed therefor:
(一) 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したもの
1. equipment designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more;
(二) 航行又は飛しょうする移動体に使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
2. equipment designed for use in mobile bodies that navigate or fly and that falls under any of the following:
1 毎秒六〇〇メートルを超える速度のもとで、航法に係る情報を提供することができるもの
i. equipment capable of providing information pertaining to navigation based on speeds exceeding 600 meters per second;
2 軍隊又は政府機関による使用を目的として設計若しくは改良され、かつ、衛星航法システムで用いられる暗号化された信号又はデータにアクセスするための暗号の復号機能を有するもの(民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを受信するように設計したものを除く。)
ii. equipment designed or improved for the purpose of use by the military or a governmental institution, and that has a function for decoding codes for accessing encoded signals or data used in a satellite navigational system (excluding those designed to receive navigational data for private use or for ensuring the safety of human life and physical safety);
3 意図的な妨害を受ける環境のもとで機能することを目的として、ナルステアラブルアンテナ、電子的に走査が可能なアンテナその他妨害除去機能を有するように設計したもの(民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを受信するように設計したものを除く。)
iii. equipment designed such as to have a null-steerable antenna, an antenna capable of electronic scanning, or other functions of impedance elimination for the purpose of functioning in an environment where intentional impedance is received (excluding those designed so as to receive navigational data for private use or for ensuring the safety of human life and physical safety);
ニ ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用するように設計したアンビリカル電気コネクタ又は段間電気コネクタ(ペイロードとロケット間の電気コネクタを含む。)
(d) umbilical electrical connectors or staging electrical connectors (including electrical connectors between payloads and rockets) designed for use in rockets capable of transporting payloads for 300 kilometers or more;
十九の二 ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるように設計した熱電池であって、電解質として固体の非導電無機塩類を含むもの
(xix)-2 thermal batteries designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, and which contain solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte;
二十 航空機搭載用又は船舶搭載用の重力計であって、精度が〇・七ミリガル以下のもののうち、測定所要時間が二分以内のもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(xx) among gravity meters for aircraft or ship mounting with precision of 0.7 milligals or less, those the time required for measurement of which is within 2 minutes (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more) or components thereof;
二十の二 航空機搭載用若しくは船舶搭載用の重力勾配計(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分
(xx)-2 gravity gradiometers for aircraft or ship (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more) or components thereof;
二十一 ロケット又は無人航空機の発射台又は地上支援装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxi) launch pads or associated ground launch support equipment for rockets or unmanned aerial vehicles falling under any of the following:
イ ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の取扱い、制御、作動又は発射用に設計した装置
(a) equipment designed for handling, controlling, operating, or launching rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more;
ロ 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の輸送、取扱い、制御、作動又は発射用に設計した車両
(b) vehicles designed for transporting, handling, controlling, operating, or launching rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more;
二十二 ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した無線遠隔測定装置又は無線遠隔制御装置(地上装置を含む。)であって、次のいずれにも該当しないもの
(xxii) radio telemetry equipment or radio telecontrollers (including ground equipment) designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more and that does not fall under any of the following:
イ 有人航空機又は人工衛星に使用するように設計したもの
(a) equipment designed for use in manned aircraft or artificial satellites;
ロ 陸上又は海洋において用いられる移動体に使用するように設計したもの
(b) equipment designed for use in mobile bodies used on land or the sea;
ハ 民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを提供する衛星航法システムからの情報を受信するように設計したもの
(c) equipment designed to receive information from satellite navigational systems for providing navigational data for private use or for ensuring the safety of human life and physical safety;
二十二の二 ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができる追跡装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxii)-2 tracking devices usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, falling under any of the following:
イ ロケット又は無人航空機に搭載されたコード変換器を使用するものであって、地上、海上若しくは飛しょう体上の連携機器又は衛星航法システムとの相互連携の下で、即時に飛行位置及び速度のデータを計測することができるもの
(a) tracking devices using code converters mounted in rockets or unmanned aerial vehicles and capable of instantly measuring flight position and speed data in a mutual coordination with linked devices on ground, the sea or aircraft, or with a satellite navigational system;
ロ 距離測定用のレーダーであって、光を利用した追跡装置を有するもののうち、次の)(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(b) among radars for distance measurement having a tracking device utilizing light, those falling under all of the following 1. through 3.:
(一) 角度分解能が一・五ミリラジアン未満のもの
1. radars with angular resolution less than 1.5 milliradians;
(二) 距離分解能の二乗平均が一〇メートル未満で測定することができる距離が三〇キロメートル以上のもの
2. radars with the square mean value of distance resolution less than 10 meters and capable of measuring distances 30 kilometers or more;
(三) 速度分解能が一秒につき三メートル未満のもの
3. radars with speed resolution less than 3 meters per second;
二十三 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに搭載するように設計したアナログ電子計算機又はデジタル電子計算機であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiii) analog computers or digital computers designed for use in a rocket capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more falling under any of the following:
イ 零下四五度より低い温度から五五度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
(a) computers designed to be usable from below -45 degrees centigrade to over 55 degrees centigrade;
ロ 全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(b) computers designed to be able to withstand radiation irradiation total absorbed dose of which on a silicon conversion basis is 500,000 rads or more;
二十四 アナログデジタル変換用の集積回路又はアナログデジタル変換器(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiv) integrated circuits for analog-to-digital conversion or analog-to-digital converters (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more), and that fall under any of the following:
イ アナログデジタル変換用の集積回路であって、全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計したもの又は次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a) integrated circuits for analog-to-digital conversion designed to be able to withstand radiation exposure, the total absorbed dose of which is 500,000 rads or more on a silicon conversion basis or those falling under all of the following 1. through 3.:
(一) 分解能が八ビット以上のもの
1. integrated circuits with a resolution of 8 bits or more;
(二) 零下五四度より低い温度から一二五度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
2. integrated circuits designed to be usable from below -54 degrees centigrade to over 125 degrees centigrade;
(三) 気密封止したもの
3. integrated circuits that are sealed airtight;
ロ 電気入力型のアナログデジタル変換用の組立品又はモジュールであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(b) assemblies or modules for electronic input-type analog-to-digital conversion and that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 分解能が八ビット以上のもの
1. assemblies or modules with a resolution of 8 bits or more;
(二) 零下四五度より低い温度から五五度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
2. assemblies or modules designed to be usable from below -45 degrees centigrade to over 55 degrees centigrade;
(三) イに該当する集積回路を組み込んだもの
3. assemblies or modules that incorporate integrated circuit falling under (a);
二十五 振動試験装置若しくはその部分品、空気力学試験装置、燃焼試験装置、環境試験装置又は電子加速器若しくはこれを用いた装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxv) vibration test equipment or components thereof, aerodynamic test equipment, combustion test equipment, environmental test equipment, electron accelerators or equipment using those, and that fall under any of the following:
イ 振動試験装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(a) vibration test equipment or components thereof falling under any of the following (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii)):
(一) デジタル制御方式の振動試験装置であって、次の1及び2に該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
1. digitally controlled vibration test equipment falling under the following i and ii (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii)):
1 試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のものであって、二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下のいずれの周波数においても加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの
i. equipment with exciting force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present and capable of generating vibrations with effective rate of acceleration of 98 meters per second squared or more even at a frequency of 20 hertz or more and 2,000 hertz or less;
2 フィードバック制御技術又は閉ループ制御技術を用いたもの
ii. equipment using feedback control technology or closed loop control technology;
(二) 振動試験装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
2. components of vibration test equipment falling under any of the following (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii)):
1 (一)に該当する振動試験装置の制御に使用するように設計した部分品であって、振動試験用のプログラムを用いたものであり、かつ、五キロヘルツを超える帯域幅で実時間での振動試験をデジタル制御するもの
i. components designed for use in controlling the vibration test equipment falling under 1 and that use a program for vibration testing and digitally control vibration testing in real time in a bandwidth exceeding 5 kilohertz;
2 (一)に該当する振動試験装置に使用することができる振動発生機であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のもの
ii. vibration generators usable for vibration test equipment falling under 1., with exciting force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present;
3 (一)に該当する振動試験装置に使用することができる振動台又は振動発生装置の部分品であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上となる振動を発生させるために二台以上の振動発生機を接続して使用するように設計したもの
iii. parts of vibration tables or vibration generators usable for vibration test equipment falling under 1. and designed for use by connecting 2 or more vibration generators in order to generate vibrations with exciting force of 50 kilonewtons or more in a state with no test object present;
ロ マッハ数が〇・九以上の速度の状態を作ることができる空気力学試験装置(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。マッハ数が三以下で、かつ、測定部断面の長さが二五〇ミリメートル以下の風洞を除く。)
(b) aerodynamic test equipment for creating a state wherein the speed is Mach 0.9 or more (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii). Excluding wind tunnels with speed of Mach 3 or less and with a cross-section length of 250 millimeters or less at the measuring part);
ハ 燃焼試験装置であって、推力が六八キロニュートンを超える固体ロケット、液体ロケット若しくはロケット推進装置を試験することができるもの又は同時に三軸方向の推力成分を測定することができるもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(c) combustion test equipment capable of testing solid rockets, liquid rockets with thrust exceeding 68 kilonewtons or rocket propulsion units or capable of measuring the thrust components in the three axial directions simultaneously (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii));
ニ 飛行の状態をシミュレートすることができる環境試験装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(d) environmental test equipment capable of simulating flying state and that falls under the following 1. and 2. (limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii)):
(一) 高度が一五、〇〇〇メートル以上の状態又は零下五〇度以上一二五度以下のすべての温度範囲の状態をシミュレートすることができるもの
1. equipment capable of simulating states wherein the altitude is 15,000 meters or more or states with temperatures throughout the range of -50 degrees centigrade or more and 125 degrees centigrade or less;
(二) 周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、試験体がない状態における加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの(加振力が五キロニュートン以上のものに限る。)又は基準音圧が二〇マイクロパスカルの場合の音圧レベルが一四〇デシベル以上の音を発生させることができるもの若しくは定格の音響出力の合計が四キロワット以上のもの
2. equipment (limited to those with exciting force of 5 kilonewtons or more) capable of generating vibrations with frequency range between 20 hertz and 2,000 hertz and effective rate of acceleration of 98 meters per second squared or more in a state with no test object present, or those capable of generating sounds with sound pressure level of 140 decibels or more when the reference sound pressure is 20 micropascals, or those with total rated acoustic output of 4 kilowatts or more;
ホ 電子加速器であって、二メガエレクトロンボルト以上のエネルギーを有する加速された電子からの制動放射によって電磁波を放射することができるもの又はこれを用いた装置(医療用に設計したものを除き、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(e) electron accelerators capable of emitting electromagnetic waves by means of a bremsstrahlung from accelerated electrons having energy of 2 mega electron volts or more or equipment using those (excluding those designed for medical use and limited to those usable in the development or testing of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, or goods falling under item (ii));
二十五の二 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット、第二号イに該当する貨物(五〇〇キログラム以上のペイロードを運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)又は同号ロに該当する貨物を設計するためのハイブリッド電子計算機(第十六条第一項第十一号に該当するプログラムを有するものに限る。)
(xxv)-2 rockets capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more, goods (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more) falling under item (ii) (a), or hybrid computers (limited to those having programs falling under Article 16, paragraph (1), item (xi)) for the design of goods falling under item (ii) (b);
二十六 電波、音波(超音波を含む。)若しくは光(紫外線及び赤外線に限る。)の反射若しくは放射を減少させるステルス技術を用いた材料若しくは装置であって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機若しくは第二号に該当する貨物に使用することができるもの又はこれらの試験装置
(xxvi) materials or equipment using stealth technology for reducing the level of the reflection or emission of radio waves, acoustic waves (including ultrasound), or light (limited to ultraviolet and infrared light) usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more, unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii), or test equipment thereof;
二十七 集積回路、探知装置又はレードーム(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(xxvii) integrated circuits, detectors, or radomes (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads weighing 500 kilograms or more for 300 kilometers or more) that fall under any of the following:
イ 全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計した集積回路であって、ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために使用することができるもの
(a) integrated circuits designed to be able to withstand radiation exposure with total absorbed dose of 500,000 rads or more on a silicon conversion basis, and usable for protecting rockets or unmanned aerial vehicles from a nuclear impact;
ロ ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために設計した探知装置
(b) detectors designed to protect rockets or unmanned aerial vehicles from a nuclear impact;
ハ 五〇キロパスカルを超える圧力において一平方メートル当たり四、一八四キロジュールを超える熱衝撃に耐えることができるように設計したレードームであって、ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために使用することができるもの
(c) radomes designed to be able to withstand a thermal shock exceeding 4,184 kilojoules per square meter at a pressure exceeding 50 kilopascals and usable to protect rockets or unmanned aerial vehicles from a nuclear impact.
第四条 輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 4 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 5 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 ふっ素化合物の製品であって、次のいずれかに該当するもの
(i) fluorine compound products that fall under any of the following:
イ 航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体に使用するように設計したものであって、第十四号ロ又はハに該当するふっ素化合物の含有量が全重量の五〇パーセントを超えるシール、ガスケット、シーラント又は燃料貯蔵袋
(a) products designed for use in aircraft, satellites and other types of spacecraft for space development, and seals, gaskets, sealants or fuel storage bags with a content of fluorine compounds and that fall under item (xiv), (b) or (c) exceeding 50% of the total weight;
ロ 第十四号イに該当するビニリデンフルオリドの共重合体からなる圧電重合体又は圧電共重合体であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) piezoelectric polymers or piezoelectric copolymers made of vinylidene fluorides falling under item (xiv), (a) and that fall under following 1. or 2.:
(一) シート又はフィルム状のもの
1. polymers that are sheet or film shaped;
(二) 厚さが二〇〇マイクロメートルを超えるもの
2. polymers with a thickness exceeding 200 micrometers;
ハ ビニルエーテルのモノマーを含むゴム状のふっ素化合物からなるシール、ガスケット、バルブシート、貯蔵袋又はダイヤフラムであって、航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体に使用するように設計したもの
(c) seals, gaskets, valve seats, storage bags or diaphragms made of any rubbery fluorine compound that contains vinyl ether monomer, and those designed for use for aircraft, satellites and other types of spacecraft for space development;
二 繊維を使用した成型品(半製品を含む。以下この号において同じ。)であって、次のいずれかに該当するもの
(ii) molded products that use fibers (including semi-finished products; hereinafter the same applies in this item) that fall under any of the following:
イ 第十五号ホに該当するプリプレグ又はプリフォームを使用した成型品であって、有機物をマトリックスとするもの
(a) molded products that use prepregs or preforms and that fall under item (xv), (e) and whose matrix is an organic matter;
ロ 次のいずれかに該当する繊維を使用した成型品であって、金属又は炭素をマトリックスとするもの
(b) molded products that use fibers that fall under any of the following and whose matrix is a metal or carbon:
(一) 炭素繊維であって次の1及び2に該当するもの
1. carbon fibers that fall under any of i. or ii.:
1 比弾性率が一〇、一五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
i. carbon fibers with a specific elastic modulus exceeding 10,150,000 meters;
2 比強度が一七七、〇〇〇メートルを超えるもの
ii. carbon fibers with a specific strength exceeding 177,000 meters;
(二) 第十五号ハに該当するもの
2. those that fall under item (xv), (c);
三 芳香族ポリイミド(熱、放射線、触媒による作用その他外部からの作用による重合化が不可能であり、かつ、熱分解を経ずに溶融することのないものに限る。)の製品(フィルム、シート、テープ又はリボン状のものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの(銅で被覆若しくはラミネートされたものであって、電子回路のプリント基板用のものを除く。)
(iii) aromatic polyimide (limited to those for which polymerization by heat, radiation, catalysts, and other external action is impossible, and which do not melt without pyrolysis) products (limited to films, sheets, tapes or ribbon shaped ones) and that fall under any of the following (excluding those that are coated or laminated with copper and are for printed boards of electronic circuits):
イ 厚さが〇・二五四ミリメートルを超えるもの
(a) products with a thickness exceeding 0.254 millimeters;
ロ 炭素、黒鉛、金属又は磁性材料で被覆され、又はラミネートされたもの
(b) products coated or laminated with carbon, graphite, metals or magnetic materials;
四 第二号、第十五号又は第十四条第一号に該当するものの製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品(第三条第十一号に該当するものを除く。)
(iv) devices for the manufacture of items that fall under item (ii), item (xv), or Article 14, item (i) and that fall under any of the following, or components or accessories thereof (excluding those falling under Article 3, item (xi)):
イ フィラメントワインディング装置であって、繊維を位置決めし、包み作業及び巻き作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を三本以上有するもの
(a) among filament winding devices that perform fiber positioning or wrapping operations or winding operations, those that have 3 or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol) and are capable of controlling and correlating those operations;
ロ 繊維からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するためのものであって、テープを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を五本以上有するもの
(b) among devices for the manufacture of airframes of aircraft or the structure of rockets made of fibers that position tapes, and perform laminating operations, those that have 5 or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol) capable of controlling and correlating those operations;
ハ 三次元的に織ることができる織機又はインターレーシングマシンであって、繊維を成型品用に織り、編み若しくは組むために特に設計又は改造したもの
(c) looms or interlacing machines capable of weaving three dimensionally, and which have been specially designed or modified to weave, knit or braid fiber for molded goods;
ニ 繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
(d) fiber manufacturing devices that fall under any of the following:
(一) 重合体繊維から炭素繊維又は炭化けい素繊維を製造する装置
1. devices that manufacture carbon fibers or silicon carbide fibers from polymer fibers;
(二) 炭化けい素繊維の製造用の装置であって、熱したフィラメント状の基材に元素又は化合物を化学的に蒸着させるもの
2. devices that manufacture silicon carbide fibers and that chemically vapor deposit elements or compounds on heated filament-shaped substrates;
(三) 耐火セラミックの湿式紡糸装置
3. wet spinning equipment for fire resistant ceramics;
(四) 熱処理によって、アルミニウムを含有するプリカーサー繊維からアルミナ繊維を製造する装置
4. devices that manufacture alumina fibers from precursor fibers containing aluminum by heat treatment;
ホ ホットメルト方式を用いて第十五号ホに該当するプリプレグを製造する装置
(e) devices that manufacture prepregs that use a hot melt method and fall under item (xv), (e);
ヘ 非破壊検査装置であって、複合材料を検査するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(f) non-destructive inspection devices designed for inspecting composite materials, and that fall under any of the following:
(一) 三次元欠陥検査用のエックス線断層撮影装置
1. X-ray tomography systems for three-dimensional defect inspection;
(二) 数値制御を行うことができる超音波検査装置であって、位置送信機、位置受信機又は位置送受信機の動作が、同時制御され、かつ、検査時に対象物の三次元輪郭を軸数が四以上で測定するよう調整されているもの
2. numerically controlled ultrasonic testing machines of which the motions for positioning transmitters or receivers, or positioning transceivers are simultaneously controlled and programmed in four or more axes to follow the three dimensional contours of the component at the time of inspection;
ト 繊維からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するためのものであって、トウを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を二本以上有するもの
(g) among devices for the manufacture of airframes for aircrafts or the structure of rockets made of fibers that position tows and perform laminating operations, those that have two or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol) capable of controlling and correlating those operations;
五 合金又はその粉末の製造用の装置(コンタミネーション防止対策を講じてあるものに限る。)であって、第七号ハ(二)1から7までのいずれかに該当する方法において使用するように設計したもの
(v) devices for the manufacture of alloys or powders thereof (limited to those with contamination prevention measures taken) and designed for use in the methods that fall under any of item (vii), (c), 2., i through vii.;
六 チタン、アルミニウム又はこれらの合金を超塑性成形又は拡散接合するための工具(型を含む。)であって、次のいずれかに該当するものを製造するように設計したもの
(vi) tools (including molds) for super plastic forming or diffusion bonding of titanium, aluminum or alloys thereof and designed to manufacture things that fall under any of the following:
イ 航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体の構造体
(a) structures of aircraft, satellites and other types of spacecraft for space development;
ロ 航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体のエンジン
(b) engines for aircraft, satellites and other types of spacecraft for space development;
ハ イ又はロに該当するものの部分品
(c) components of those falling under (a) or (b);
七 合金又はその粉末であって、次のいずれかに該当するもの(基材の表面に定着させるコーティング用のものを除く。)
(vii) alloys or powders thereof that fall under any of the following (excluding those used for coating by fixing on the substrate surface):
イ アルミニウムの化合物となっている合金であって、次のいずれかに該当するもの
(a) alloys that have become aluminum compounds that fall under any of the following:
(一) アルミニウムの含有量が全重量の一五パーセント以上三八パーセント以下であって、アルミニウム又はニッケル以外の合金元素を含むニッケル合金
1. nickel alloys that contains alloy elements other than aluminum or nickel with a content of aluminum of 15% or more and 38% or less of the total weight;
(二) アルミニウムの含有量が全重量の一〇パーセント以上であって、アルミニウム又はチタン以外の合金元素を含むチタン合金
2. titanium alloys that contain alloy elements other than aluminum or titanium with a content of aluminum of 10% or more of the total weight;
ロ ハに該当するものからなる合金であって、次のいずれかに該当するもの
(b) alloys made of metals that fall under (c) and that fall under any of the following:
(一) ニッケル合金であって、次のいずれかに該当するもの
1. nickel alloys that fall under any of the following:
1 六五〇度の温度において六七六メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. nickel alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates 676 megapascals stress at a temperature of 650 degrees centigrade;
2 五五〇度の温度において一、〇九五メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. nickel alloys with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates 1,095 megapascals stress at a temperature of 550 degrees centigrade;
(二) ニオブ合金であって、次のいずれかに該当するもの
2. niobium alloys that fall under any of the following:
1 八〇〇度の温度において四〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. niobium alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates 400 megapascals stress at a temperature of 800 degrees centigrade;
2 七〇〇度の温度において七〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. niobium alloy with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates 700 megapascals stress at a temperature of 700 degrees centigrade;
(三) チタン合金であって、次のいずれかに該当するもの
3. titanium alloys that fall under any of the following:
1 四五〇度の温度において二〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. titanium alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates 200 megapascals stress at a temperature of 450 degrees centigrade;
2 四五〇度の温度において四〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. titanium alloys with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates 400 megapascals stress at a temperature of 450 degrees centigrade;
(四) アルミニウム合金であって、引張強さが次のいずれかに該当するもの
4. aluminum alloys with a tensile strength falling under any of the following:
1 二〇〇度の温度において二四〇メガパスカル以上のもの
i. aluminum alloys with a tensile strength of 240 megapascals or more at a temperature of 200 degrees centigrade;
2 二五度の温度において四一五メガパスカル以上のもの
ii. aluminum alloys with a tensile strength of 415 megapascals or more at a temperature of 25 degrees centigrade;
(五) マグネシウム合金であって、引張強さが三四五メガパスカル以上のもののうち、三パーセント食塩水中における腐食が一年につき一ミリメートル未満のもの
5. among magnesium alloys with a tensile strength of 345 megapascals or more, those that incur corrosion of less than 1 millimeter per year when immersed in 3% brine;
ハ 合金の粉末であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(c) alloy powders that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 次のいずれかに該当するものからなるもの
1. alloy powders made of materials that fall under any of the following:
1 製造工程中に混入する金属以外の粒子(径が一〇〇マイクロメートルを超えるものに限る。)の数が粒子一、〇〇〇、〇〇〇、〇〇〇個当たり三個未満のニッケル合金であって、アルミニウム及びニッケルを含む三種類以上の元素からなるもの
i. nickel alloys with a number of particles other than metals mixed during the manufacturing process of less than 3 per 1,000,000,000 particles (limited to those with a diameter exceeding 100 micrometers) and made of elements of 3 types or more including aluminum and nickel;
2 アルミニウム、けい素又はチタンのいずれかの元素及びニオブを含む三種類以上の元素からなるニオブ合金
ii. niobium alloys comprised of 3 types or more of elements including niobium and any of aluminum, silicon or titanium;
3 アルミニウム及びチタンを含む三種類以上の元素からなるチタン合金
iii. titanium alloys comprised of 3 or more types of elements including aluminum or titanium;
4 マグネシウム、亜鉛又は鉄のいずれかの元素及びアルミニウムを含む三種類以上の元素からなるアルミニウム合金
iv. aluminum alloys comprised of 3 types or more of elements including aluminum and any of the elements of magnesium, zinc or iron;
5 アルミニウム及びマグネシウムを含む三種類以上の元素からなるマグネシウム合金
v. magnesium alloys comprised of 3 or more types of elements including aluminum and magnesium;
(二) 次のいずれかの方法によって製造したもの
2. alloy powders manufactured by any of the following methods:
1 真空噴霧法
i. vacuum atomization method;
2 ガス噴霧法
ii. gas atomization method;
3 回転噴霧法
iii. rotary atomization method;
4 スプラットクェンチ法
iv. splat-quenching method;
5 メルトスピニング法及び粉化法
v. melt spinning method and pulverization method;
6 メルトエキストラクション法及び粉化法
vi. melt extraction method and pulverization method;
7 機械的合金法
vii. mechanical alloy method;
(三) イ又はロに該当するものを製造することができるもの
3. alloy powders that can manufacture the alloys that fall under (a) or (b);
ニ 次の(一)から(三)までのすべてに該当する合金材料
(d) alloy materials that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) ハ(一)1から5までのいずれかに該当するものからなるもの
1. alloy materials made of alloy powders that fall under any of (c) 1. i. through v.;
(二) 細かく砕かれていないフレーク状、リボン状又は細い棒状のもの
2. alloy materials that are not finely pulverized but flake shaped, ribbon shaped or thin rod shaped;
(三) 次のいずれかの方法によって製造されたもの
3. alloy materials manufactured by any of the following methods:
1 スプラットクェンチ法
i. splat-quenching method;
2 メルトスピニング法
ii. melt spinning method;
3 メルトエキストラクション法
iii. melt extraction method;
八 金属性磁性材料であって、次のいずれかに該当するもの
(viii) metallic magnetic materials that fall under any of the following:
イ 比初透磁率が一二〇、〇〇〇以上のものであって、厚さが〇・〇五ミリメートル以下のもの
(a) metallic magnetic materials with an initial relative permeability of 120,000 or more and with a thickness of 0.05 millimeters or less;
ロ 磁歪合金であって、次のいずれかに該当するもの
(b) magnetostrictive alloys that fall under any of the following:
(一) 飽和磁気歪が〇・〇〇〇五を超えるもの
1. those with a saturated magnetostriction exceeding 0.0005;
(二) 電気機械結合係数が〇・八を超えるもの
2. those with an electromechanical coupling coefficient exceeding 0.8;
ハ ストリップ状のアモルファス合金又はナノクリスタル合金であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c) strip-shaped amorphous alloys or nano crystal alloys that fall under the following 1. and 2.:
(一) 鉄、コバルト若しくはニッケルのいずれかの含有量又はこれらの含有量の合計が全重量の七五パーセント以上のもの
1. those with a content of any of iron, cobalt or nickel, or with a total content thereof, of 75% or more of the total weight;
(二) 飽和磁束密度が一・六テスラ以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those with a saturated magnetic flux density of 1.6 teslas or more that fall under any of the following:
1 厚さが〇・〇二ミリメートル以下のもの
i. those with a thickness of 0.02 millimeters or less;
2 電気抵抗率が二マイクロオームメートル以上のもの
ii. those with an electrical resistivity of 2 microohm-meters or more;
九 ウランチタン合金又はタングステン合金であって、そのマトリックスが鉄、ニッケル又は銅のもののうち、次のイからニまでのすべてに該当するもの
(ix) among uranium-titanium alloys or tungsten alloys whose matrix is of iron, nickel or copper, those that fall under all of the following (a) through (d):
イ 密度が一七・五グラム毎立方センチメートルを超えるもの
(a) those with a density exceeding 17.5 gram per cubic centimeter;
ロ 弾性限度が八八〇メガパスカルを超えるもの
(b) those with an elastic limit exceeding 880 megapascals;
ハ 引張強さが一、二七〇メガパスカルを超えるもの
(c) those with a tensile strength exceeding 1,270 megapascals;
ニ 伸び率が八パーセントを超えるもの
(d) those with a coefficient of extension exceeding 8 %;
十 超電導材料であって、次のいずれかに該当するもの(長さが一〇〇メートルを超えるもの又は全重量が一〇〇グラムを超えるものに限る。)
(x) superconductive materials that fall under any of the following (limited to those with a length exceeding 100 meters or with the total weight exceeding 100 grams):
イ フィラメントを有するものであって、ニオブチタンのフィラメントを含むもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) among superconductive materials that have multiple filaments including niobium titanium filaments, those that fall under the following 1. and 2.:
(一) フィラメントが銅又は銅合金以外のマトリックスに埋めこまれたもの
1. those the filaments of which are embedded in a matrix other than copper or copper alloy;
(二) フィラメントの断面積が一〇〇万分の二八平方ミリメートル未満のもの
2. those with a filament cross-section area less than 28/1,000,000 square millimeters;
ロ ニオブチタン以外の超電導フィラメントからなる超電導材料であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(b) superconductive materials comprised of superconductive filaments other than niobium titanium that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 磁界をかけない場合に臨界温度が零下二六三・三一度超のもの
1. those with a critical temperature exceeding -263.31 degrees centigrade and where a magnetic field is not applied;
(二) 削除
2. deleted;
(三) 超電導材料の縦軸に対してあらゆる方向から垂直に一二テスラの磁束密度の磁界をかけた場合に、零下二六八・九六度の温度で超電導状態を保つことができるものであって、臨界電流密度がすべての横断面で一、七五〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの
3. those that can hold a superconductive state at a temperature of -268.96 degrees centigrade, when exposed to a magnetic field oriented in any direction perpendicular to the longitudinal axis of the material and corresponding to a magnetic flux density of 12 tesla, with a critical current density exceeding 300 amperes per square millimeter on an overall cross-section of the material;
ハ 超電導フィラメントからなる超電導材料であって、零下一五八・一六度の温度を超えて超電導性を保つことができるもの
(c) superconductive materials comprised of superconductive filaments, which can hold a superconductive state at a temperature exceeding -158.16 degrees centigrade;
十一 作動油若しくは潤滑剤として使用することができる液体若しくは材料又は振動防止用若しくは冷媒用に使用することができる液体であって、次のいずれかに該当するもの
(xi) liquids or materials that can be used as hydraulic oil or lubricants or liquids that can be used for preventing vibration or as coolant that fall under any of the following:
イ 作動油として使用することができる液体であって、次のいずれかに該当するものを主成分とするもの
(a) liquids that can be used as hydraulic oil and the primary component of which fall under any of the following:
(一) シラハイドロカーボン油であって、次の1から4までのすべてに該当するもの
1. sila-hydrocarbon oils that fall under all of the following i. through iv.:
1 引火点が二〇四度を超えるもの
i. those with an ignition point exceeding 204 degrees centigrade;
2 流動点が零下三四度以下のもの
ii. those with a pour point of -34 degrees centigrade or less;
3 粘度指数が七五以上のもの
iii. those with a viscosity index of 75 or more;
4 三四三度の温度において安定性を有するもの
iv. those that are stable at a temperature of 343 degrees centigrade;
(二) クロロフルオロカーボンであって、次の1から5までのすべてに該当するもの
2. chlorofluorocarbons that fall under all of the following i. through v.:
1 引火点を有しないもの
i. those that do not have an ignition point;
2 自己発火温度が七〇四度を超えるもの
ii. those with a self-ignition temperature exceeding 704 degrees centigrade;
3 流動点が零下五四度以下のもの
iii. those with a pour point of -54 degrees centigrade or less;
4 粘度指数が八〇以上のもの
iv. those with a viscosity index of 80 or more;
5 沸点が二〇〇度以上のもの
v. those with a boiling point of 200 degrees centigrade or more;
ロ 潤滑剤として使用することができる材料であって、次のいずれかに該当する物質を主成分とするもの
(b) materials that can be used as a lubricant and the primary component of which falls under any of the following:
(一) フェニレンエーテル、アルキルフェニレンエーテル、フェニレンチオエーテル、アルキルフェニレンチオエーテル又はこれらの混合物であって、その有するエーテル基、チオエーテル基又はこれらの官能基の数の合計が三以上のもの
1. phenylene ether, alkylphenylene ether, phenylene thioether, alkyl phenylene thioether or mixtures thereof, in which the total number of ether groups, or thioether groups or of these functional groups together is 3 or more;
(二) ふっ化シリコーン油であって、二五度の温度において測定した動粘度が五、〇〇〇平方ミリメートル毎秒未満のもの
2. fluorinated silicone oils with dynamic viscosity measured at a temperature of 25 degrees centigrade less than 5,000 square millimeters per second;
ハ 振動防止用に使用することができる液体であって、純度が九九・八パーセントを超え、かつ、径が二〇〇マイクロメートル以上の粒状の不純物の数が一〇〇ミリリットル当たり二五個未満のもののうち、次のいずれかに該当する物質の重量が全重量の八五パーセント以上のもの
(c) among liquids usable for vibration prevention with a purity exceeding 99.8% and in which the number of particle impurities of diameter greater than 200 micrometers is less than 25 per 100 milliliters, those with a total content of substances that fall under any of the following that is 85% or more of the total weight:
(一) ジブロモテトラフルオロエタン
1. dibromo tetrafluoro ethane;
(二) ポリクロロトリフルオロエチレン
2. polychloro trifluoro ethylene;
(三) ポリブロモトリフルオロエチレン
3. polybromo trifluoro ethylene;
ニ 電子機器の冷媒用に使用することができる液体であって、フルオロカーボンからなるもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) among liquids usable for cooling electronic devices and made of fluorocarbons, those falling under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当する物質の含有量の合計が全重量の八五パーセント以上のもの
1. liquids with a total content of substances that fall under any of the following that is 85% or more of the total weight:
1 パーフルオロポリアルキルエーテルトリアジンのモノマー
i. monomers of perfluoro polyalkyl ether triazine;
2 パーフルオロアリファティックエーテルのモノマー
ii. monomers of perfluoro aliphatic ether;
3 パーフルオロアルキルアミン
iii. perfluoro alkylamine;
4 パーフルオロシクロアルカン
iv. perfluoro cycloalkane;
5 パーフルオロアルカン
v. perfluoro alkane;
(二) 次の1から3までのすべてに該当するもの
2. liquids that fall under all of the following i. through iii.:
1 二五度の温度における密度が、一ミリリットル当たり一・五グラム以上のもの
i. those with a density at a temperature of 25 degrees centigrade of 1.5 grams or more per 1 milliliter;
2 零度の温度において液体のもの
ii. those that are liquids at the temperature of 0 degrees centigrade;
3 ふっ素の含有量が全重量の六〇パーセント以上のもの
iii. those with a fluorine content of 60% or more of the total weight;
十二 セラミックの材料となる物質、セラミックの半製品若しくは一次製品又はセラミック複合材料であって、次のいずれかに該当するもの
(xii) semi-finished ceramic products, primary ceramic products, ceramic composite materials, or substances that become ceramic materials, and that fall under any of the following:
イ チタンのほう化物であって、金属不純物の含有量が全重量の〇・五パーセント未満のもののうち、粒子の径の平均値が五マイクロメートル以下であり、かつ、径が一〇マイクロメートルを超える粒子の重量の合計が全重量の一〇パーセント以下であるもの
(a) among titanium borides with a content of metallic impurities less than 0.5% of the total weight, those with an average value of particle diameter of 5 micrometers or less and with a total weight of the particles with diameters exceeding 10 micrometers of 10% or less of the total weight;
ロ チタンのほう化物からなるセラミックの半製品又は一次製品であって、理論密度比が九八パーセント以上のもの(研磨材を除く。)
(b) semi-finished or primary products of ceramics made of titanium boride with a theoretical density ratio of 98% or more (excluding grinding materials);
ハ セラミック複合材料であって、ガラス又は酸化物をマトリックスとするもののうち、次のいずれかに該当するもの
(c) among ceramic composite materials that have glasses or oxides as a matrix, those that fall under any of the following:
(一) 次の1及び2に該当する繊維により強化されたもの
1. those that are reinforced by fibers that fall under the following i. or ii.:
1 比強度が一二、七〇〇メートルを超えるもの
i. those with a specific strength exceeding 12,700 meters;
2 次の系のいずれかの元素の組合せからなるもの
ii. those comprised of the combination of elements in any of the following systems:
一 けい素及び窒素
a. silicon and nitrogen;
二 けい素及び炭素
b. silicon and carbon;
三 けい素、アルミニウム、酸素及び窒素
c. silicon, aluminum, oxygen and nitrogen;
四 けい素、酸素及び窒素
d. silicon, oxygen and nitrogen;
(二) 次の1又は2からなる連続した繊維(一、〇〇〇度の温度における引張強さが七〇〇メガパスカル未満のもの、又は一、〇〇〇度の温度において一〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を一〇〇時間にわたって加えたときに、クリープ歪みが一パーセントを超えるものを除く。)により強化されたもの
2. those reinforced by continuous fibers made of the following (1) or (2) (excluding those with a tensile strength at a temperature of 1,000 degrees centigrade less than 700 megapascals or those with a creep distortion exceeding 1% when a load that generates stress of 100 megapascals is added for 100 hours at a temperature of 1,000 degrees centigrade):
1 酸化アルミニウム
i. aluminum oxide;
2 けい素、炭素及び窒素
ii. silicon, carbon and nitrogen;
ニ セラミック複合材料であって、粒子、ウィスカー又は繊維により強化されたもののうち、けい素、ジルコニウム又はほう素の炭化物又は窒化物をマトリックスとするもの
(d) among ceramic composite materials reinforced by particles, whiskers or fibers, those having silicon, zirconium or boron carbide or nitride as a matrix;
ホ ポリジオルガノシラン、ポリシラザン又はポリカルボシラザン
(e) polydiorgano silane, polysilazane or polycarbo silazane;
十三 重合化することができる非ふっ素化化合物又は非ふっ素化重合体であって、次のいずれかに該当するもの
(xiii) non-fluorinated compounds for which polymerization is possible, or non-fluorinated polymers that fall under any of the following:
イ ビスマレイミド、ガラス転移点が二九〇度を超える芳香族ポリアミドイミド、ガラス転移点が二三二度を超える芳香族ポリイミド又はガラス転移点が二九〇度を超える芳香族ポリエーテルイミド
(a) bismaleimide, aromatic polyamideimide with a glass transition point exceeding 290 degrees centigrade, aromatic polyimide with a glass transition point exceeding 232 degrees centigrade, or aromatic polyetherimides with a glass transition point exceeding 290 degrees centigrade;
ロ 熱可塑性の液晶共重合体であって、一・八〇ニュートン毎平方ミリメートルの力を加えた場合における熱変形温度が二五〇度を超えるもののうち、次の(一)及び(二)からなるもの
(b) thermoplastic crystal liquid copolymers made of the following 1. and 2., among those with a thermo deformation temperature exceeding 250 degrees centigrade where a force of 1.80 newtons per square millimeter is applied:
(一) 次のいずれかに該当する物質
1. substances that fall under any of the following:
1 フェニレン、ビフェニレン又はナフタレン
i. phenylene, biphenylene or naphthalene;
2 メチル基、第三ブチル基又はフェニル基で置換されたフェニレン、ビフェニレン又はナフタレン
ii. phenylene, biphenylene or naphthalene substituted by methyl group, tertiary butyl group or phenyl group;
(二) 次のいずれかに該当する酸
2. acids that fall under any of the following:
1 テレフタル酸
i. terephthalic acid;
2 六ヒドロキシ二ナフトエ酸
ii. hexahydroxy dinaphthoic acid;
3 四ヒドロキシ安息香酸
iii. tetrahydroxy benzoate;
ハ 削除
(c) deleted;
ニ ポリアリーレンケトン
(d) polyallylene ketone;
ホ ビフェニレン、トリフェニレン又はこれらの組合せからなるアリーレン基を有するポリアリーレンスルフィド
(e) polyallylene sulfide having allylene groups comprised of biphenylene, tri phenylene or the combination thereof;
ヘ ガラス転移点が二九〇度を超えるポリビフェニレンエーテルスルホン
(f) polybiphenylene ether sulfone with a glass transition point exceeding 290 degrees centigrade;
十四 ふっ素化合物であって、次のいずれかに該当するもの
(xiv) fluorine compounds that fall under any of the following:
イ ビニリデンフルオリドの共重合体であって、延伸しない状態でベータ型結晶構造を有する部分の重量が全重量の七五パーセント以上のもの
(a) copolymers of vinylidene fluoride with a weight of the part having beta type crystal structure without being elongated of 75 % or more of the total weight;
ロ 結合ふっ素の含有量が全重量の一〇パーセント以上のふっ化ポリイミド
(b) fluorinated polyimides with a content of bonded fluorine of 10% or more of the total weight;
ハ 結合ふっ素の含有量が全重量の三〇パーセント以上のふっ化ホスファゼンの弾性体
(c) elastic bodies of fluorinated phosphazenes with a content of bonded fluorine of 30 % or more of the total weight;
十五 繊維又はこれを使用したプリプレグ若しくはプリフォームであって、次のいずれかに該当するもの
(xv) fibers or prepregs or preforms that use the fibers that fall under any of the following:
イ 有機繊維(ポリエチレン繊維を除く。)であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) organic fibers (excluding polyethylene fibers) that fall under any of the following 1. and 2.:
(一) 比弾性率が一二、七〇〇、〇〇〇メートルを超えるもの
1. those with a specific elastic modulus exceeding 12,700,000 meters;
(二) 比強度が二三五、〇〇〇メートルを超えるもの
2. those with a specific strength exceeding 235,000 meters;
ロ 炭素繊維であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) carbon fibers that fall under the following 1. and 2.:
(一) 比弾性率が一四、六五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
1. those with a specific elastic modulus exceeding 14,650,000 meters;
(二) 比強度が二六八、二〇〇メートルを超えるもの
2. those with a specific strength exceeding 268,200 meters;
ハ 無機繊維であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c) Inorganic fibers that fall under the following 1. and 2.:
(一) 比弾性率が二、五四〇、〇〇〇メートルを超えるもの
1. those with a specific elastic modulus exceeding 2,540,000 meters;
(二) 不活性の環境における融点、軟化点、分解点又は昇華温度が一、六四九度を超えるもの。ただし、次のいずれかに該当するものを除く。
2. those with melting points, softening points, decomposition points or sublimating temperature exceeding 1,649 degrees centigrade in an inactive environment, but excluding those that fall under any of the following:
1 比弾性率が一〇、〇〇〇、〇〇〇メートル未満のものであって、シリカの含有量が全重量の三パーセント以上の多相多結晶アルミナ繊維の短繊維であって、短く切断されたもの又はランダムマット形態のもの
i. those with a specific elastic modulus of less than 10,000,000 meters, and that are the short fibers of multiphase polycrystalline alumina fibers with a content of silica of 3% or more of the total weight and that are cut up in short pieces or are random mat shaped;
2 モリブデン繊維又はモリブデン合金繊維
ii. molybdenum fibers or molybdenum alloy fibers;
3 ボロン繊維
iii. boron fibers;
4 不活性の環境における融点、軟化点、分解点又は昇華温度が一、七七〇度未満のセラミック繊維の短繊維
iv. short fibers of ceramic fibers with melting points, softening points, decomposition points or sublimating temperature exceeding 1,770 degrees centigrade in an inactive environment;
ニ 次のいずれかに該当するものからなる繊維又は当該繊維とイからハまでのいずれかに該当する繊維とを混繊した繊維
(d) fibers made of those that fall under any of the following, or fibers woven by mixing those fibers and fibers that fall under any of (a) through (c) above:
(一) 第十三号イに該当する芳香族ポリエーテルイミド
1. aromatic polyetherimides that fall under item (xiii), (a);
(二) 第十三号ロからヘまでのいずれかに該当するもの
2. fibers that fall under any of item (xiii), (b) through (f);
ホ プリプレグ又はプリフォームであって、次の(一)及び(二)を使用したもの
(e) prepregs or preforms that use the following 1. or 2.:
(一) 次の1及び2に該当するもの
1. those that fall under the following i. and ii.:
1 ハに該当する無機繊維
i. inorganic fibers that fall under (c);
2 有機繊維又は炭素繊維であって、次の一及び二に該当するもの
ii. organic fibers or carbon fibers that fall under the following a. and b.:
一 比弾性率が一〇、一五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
a. those with a specific elastic modulus exceeding 10,150,000 meters;
二 比強度が一七七、〇〇〇メートルを超えるもの
b. those with a specific strength exceeding 177,000 meters;
(二) 次のいずれかに該当する樹脂
2. resins that fall under any of the following:
1 第十三号又は第十四号ロに該当するもの
i. those that fall under item (xiii) or item (xiv), (b) with a glass transition point exceeding 110 degrees centigrade;
2 フェノール樹脂であって、動的機械分析によって測定したガラス転移点が一八〇度以上のもの
ii. phenol resin with a glass transition point of 180 degrees centigrade or more when measured by dynamic mechanical analysis;
3 動的機械分析によって測定したガラス転移点が二三二度以上のもの(フェノール樹脂及び1に該当するものを除く。)
iii. those with a glass transition point of 232 degrees centigrade or more when measured by dynamic mechanical analysis (excluding phenol resin and those falling under i.);
十六 粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸グアニジン又はニトログアニジン
(xvi) boron with a particle diameter of 60 micrometers or less and with a weight-based purity level of boron of 85% or more, or a mixture thereof, boron alloy with a particle diameter of 60 micrometers or less and with a weight-based purity level of boron of 85% or more, or guanidine nitrate or nitro guanidine.
第五条 輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 5 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 6 of appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 軸受であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品(国際規格ISO三二九〇(転がり軸受―軸受の部分品―転がり軸受用の玉)で定める精度がグレード五以下の玉を除く。)
(i) bearings that fall under any of the following, or components thereof (excluding balls of precision grade 55 or less as specified by ISO3290 (roller bearings -bearing components- balls for roller bearing units)):
イ 玉軸受又はころ軸受(円すいころ軸受を除く。)であって、日本工業規格B一五一四-一号(転がり軸受-軸受の公差-第一部:ラジアル軸受)で定める精度が四級以上のもののうち、内外輪及び国際規格ISO五五九三で定める転動体がモネル製又はベリリウム製のもの
(a) among ball bearings or bearings (excluding tapered roller bearings) with a precision grade 4 or more as specified by Japanese Industrial Standards B 1514-1 (Rolling bearings - Tolerances - Part 1: Radial bearings), those with inner and outer rings and rolling elements specified by International Standard ISO 5593 that are made of monel or beryllium;
ロ 削除
(b) deleted;
ハ 能動型の磁気軸受システムであって、次のいずれかに該当するもの
(c) active magnetic bearing systems that fall under any of the following:
(一) 磁束密度が二テスラ以上で、かつ、降伏点が四一四メガパスカルを超える材料からなるもの
1. systems composed of materials with a magnetic flux density of 2 teslas or more and a yield point exceeding 414 megapascals;
(二) 全電磁式で、かつ、三次元ホモポーラバイアス励磁方式のアクチュエータを用いるもの
2. systems that are entirely electromagnetic and employ a three-dimensional homopolar bias excitation actuator;
(三) 温度が一七七度以上で用いることができる位置検出器を有するもの
3. systems having a position detector that can be used at temperatures of 177 degrees centigrade and higher;
二 工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、電子制御装置を取り付けることができるもののうち、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(ヘに該当するもの及び光学仕上げ工作機械を除く。)
(ii) among machine tools (limited to those that can process metals, ceramics or composite materials) to which an electronic controller can be attached, those that fall under any of the following (a) through (e) (excluding those that fall under (f) and optical finishing machine tools):
イ 旋削をすることができる工作機械であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) among machine tools capable of lathe turning, those that fall under the following 1. and 2.:
(一) 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル以下のもの
1. machine tools with a linear axis positioning precision of 0.003 millimeters or less in terms of any one or more of the axes when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006;
(二) 輪郭制御をすることができる軸数が二以上のもの
2. machine tools that have two or more axes capable of controlling contour;
ロ フライス削りをすることができる工作機械であって、次のいずれかに該当するもの
(b) machine tools capable of milling that fall under any of the following:
(一) 輪郭制御をすることができる直線軸の数が三で、かつ、輪郭制御をすることができる回転軸の数が一のものであって、国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル以下のもの
1. among machine tools with 3 linear axes that are capable of controlling contour and one rotational axis that is capable of controlling contour and that fall under any of the following, those with a linear axis positioning precision of 0.003 millimeters or less in terms of any one or more of the axes when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006;
(二) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. among machine tools with 5 or more axes capable of controlling contour, those which fall under any of the following:
1 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、移動量が一メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル以下のもの
i. machine tools with a linear axis positioning precision of 0.003 millimeters or less, when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006, in terms of any one or more of the linear axes exhibiting a range of motion of less than 1 meter;
2 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、移動量が一メートル以上二メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇四五ミリメートル以下のもの
ii. machine tools with a linear axis positioning precision of 0.0045 millimeters or less, when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006, in terms of any one or more of the linear axes exhibiting a range of motion of 1 meter or more and less than 2 meters;
3 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、移動量が二メートル以上の直線軸のうち、ミリメートルで表したいずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が、次の式により算出した数値以下のもの
iii. machine tools with a linear axis positioning precision of less than a value obtained by calculation using the following formula, when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006 and expressed in millimeters, in terms of any one or more of the linear axes exhibiting a range of motion exceeding 2 meters;
 〇・〇〇四五+〇・〇〇七×(L(メートルで表した直線軸の移動量)-二)
 0.0045 + 0.007 x (L(range of motion of the linear axis, represented in meters) -2)
4 パラレルメカニズムのもの
iv. parallel mechanism machine tools;
(三) ジグ中ぐり盤であって、国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル以下のもの
3. jig boring machines with a linear axis positioning precision of 0.003 millimeters or less in terms of any one or more of the axes when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006;
(四) フライカッティングを行うように専用設計された工作機械であって、次の1及び2に該当するもの
4. machine tools exclusively designed for fly cutting that fall under any of the following i. and ii.:
1 スピンドルを一回転させた場合におけるスピンドルの半径方向及び軸方向の振れがそれぞれ〇・〇〇〇四ミリメートル未満のもの
i. machine tools for which both the radial direction deflection and axial direction deflection are less than 0.0004 millimeters per single rotation of the spindle;
2 三〇〇ミリメートルを超える移動距離における真直度が二秒未満のもの
ii. machine tools with straightness of less than 2 seconds over a travel distance exceeding 300 millimeters;
ハ 研削をすることができる工作機械であって、次の(一)又は(二)に該当するもの(次の(三)から(五)までのいずれかに該当するものを除く。)
(c) machine tools capable of grinding that fall under any of the following 1. or 2. (excluding those that fall under any of the following 3. through 5.):
(一) 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定した場合に、いずれか一軸以上の直線軸の位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル以下のものであって、輪郭制御をすることができる軸数が三又は四のもの
1. machine tools with a linear axis positioning precision of 0.003 millimeters or less in terms of any one or more of the axes when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006, and with 3 or 4 axes capable of controlling contour;
(二) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のもの
2. machine tools with 5 or more axes capable of controlling contour;
(三) 円筒外面研削盤、円筒内面研削盤又は円筒内外面研削盤であって、円筒で外径又は長さが一五〇ミリメートル以内のものを研削するように設計したもの
3. external cylindrical grinders, internal cylindrical grinders or internal-external cylindrical grinders designed to grind a cylinder with an external diameter or length of less than 150 millimeters;
(四) ジグ研削盤として使用するように設計した工作機械であって、国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定したときの位置決め精度が〇・〇〇三ミリメートル未満のZ軸又はW軸を有しないもの
4. machine tools designed for use as jig grinders that do not have a Z axis or W axis with positioning precision of less than 0.003 millimeters when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006;
(五) 平面研削盤
5. flat surface grinders;
ニ 放電加工(ワイヤ放電加工を除く。)をすることができる工作機械であって、輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
(d) machine tools capable of electrical discharge machining (excluding wire electrical discharge machining) with 2 or more rotational axes capable of controlling contour;
ホ 液体ジェット加工をすることができる工作機械、電子ビーム加工機又はレーザー加工機であって、次の(一)及び(二)に該当する回転軸の数が少なくとも二以上のもの
(e) machine tools capable of liquid jet machining, electron beam machines or laser beam machines with two or more rotational axes that fall under any of the following categories 1. or 2.:
(一) 輪郭制御をすることができるもの
1. machine tools or machines capable of controlling contour;
(二) 国際規格ISO二三〇/二(二〇〇六)で定める測定方法により測定したときの回転軸の位置決め精度が〇・〇〇三度未満のもの
2. machine tools or machines with rotational axis positioning precision of less than 0.003 degrees when measured according to the method of measurement specified by International Standard ISO 230-2:2006;
ヘ 工作機械であって、次のいずれかを製造するためのみに使用するように設計したもの
(f) machine tools that were designed exclusively for the manufacture of any of the following:
(一) 歯車
1. gears;
(二) クランク軸又はカム軸
2. crank shafts or cam shafts;
(三) 工具又は刃物
3. tools or blades;
(四) 押出機のウォーム
4. extruder worms;
(五) 宝石
5. gemstones;
(六) 義歯
6. dentures;
三 工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、電子制御装置を取り付けることができるもののうち、深穴ボール盤若しくは旋削をすることができるもの(深穴あけをすることができるものに限る。)で、深さが五、〇〇〇ミリメートルを超える穴をあけることができるもの
(iii) among machine tools (limited to those that can process metals, ceramics or composite materials) to which an electronic controller can be attached and are capable of deep bore drilling or lathe turning (limited to those that are capable of deep bore drilling), those that can bore a hole to a depth exceeding 5,000 millimeters;
四 数値制御を行うことができる光学仕上げ工作機械であって、選択的に材料を除去することにより非球形な光学的表面に加工することができるもののうち、次のイからニまでのすべてに該当するもの
(iv) optical finishing machine tools capable of numerical control and of producing nonspherical optical surfaces by selectively removing materials, and that fall under all of the following (a) through (d):
イ 仕上がり形状寸法公差が一・〇マイクロメートル未満のもの
(a) those with a finishing shape and dimensional tolerance of 1.0 micrometers or less;
ロ 仕上げの表面粗さの二乗平均が一〇〇ナノメートル未満のもの
(b) those having a root mean square roughness of less than 100 nanometers when finished;
ハ 輪郭制御をすることができる軸数が四以上のもの
(c) those with four or more axes capable of controlling contour;
ニ 次のいずれかの方法を用いるもの
(d) those using any of the following methods:
(一) 磁性流体研磨法
1. magnetorheological finishing;
(二) 電気粘性流体研磨法
2. electrorheological finishing;
(三) エネルギー粒子ビーム研磨法
3. energy particle beam finishing;
(四) 膨張膜研磨法
4. inflatable membrane tool finishing;
(五) 流体ジェット研磨法
5. fluid jet finishing;
五 日本工業規格Z二二四五号(ロックウェル硬さ試験方法)で定める測定方法によりCスケールで測定したロックウェル硬さが四〇以上である歯車を仕上げ加工するよう設計した工作機械であって、ピッチ円直径が一、二五〇ミリメートルを超え、かつ、歯幅がピッチ円直径の一五パーセント以上の平歯車、はすば歯車若しくはやまば歯車のうち国際規格ISO一三二八(円筒歯車―ISO方式による精度)で定める精度が三級以上のものを仕上げ加工することができるもの又はその部分品、制御装置若しくは附属品
(v) machine tools designed for finish processing of gears with a Rockwell hardness of 40 or greater as measured by the C scale according to the measurement methods specified in Japanese Industrial Standard Z2245 (Rockwell hardness testing method), with pitch diameter exceeding 1,250 millimeters and face width with pitch diameter exceeding 15% of spur gears, helical gears, or double-helical gears, which are capable of finish processing with a precision grade of 3 or higher as specified by International Standard ISO 1328 (ISO system of precision for cylindrical gears) or the components, controllers, or accessories thereof;
六 アイソスタチックプレスであって、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品若しくは附属品
(vi) isostatic presses that fall under any of the following categories (a) and (b), or the components or accessories thereof:
イ 内径が四〇六ミリメートル以上の中空室を有するものであって、中空室内の温度制御ができるもの
(a) isostatic presses having hollow cavities with an internal diameter of 406 millimeters or more and capable of controlling temperature inside the hollow cavities;
ロ 次のいずれかに該当するもの
(b) isostatic presses that fall under any of the following:
(一) 最大圧力が二〇七メガパスカルを超えるもの
1. isostatic presses with a maximum pressure exceeding 207 megapascals;
(二) 中空室内の温度を一、五〇〇度を超える温度に制御することができるもの
2. isostatic presses capable of controlling temperatures exceeding 1,500 degrees centigrade in hollow cavities;
(三) 炭化水素の注入のための装置及びガス状分解生成物を除去するための装置を有するもの
3. isostatic presses that incorporate devices to inject hydrocarbons and devices to remove gaseous decomposition products;
七 別表第三の第二欄に掲げるコーティング方法を用いる非電子的基板用コーティング装置であって、同表の第三欄に掲げる基材に対して同表の第四欄に掲げるコーティングを行うもののうち、次のいずれかに該当するもの又はその自動操作のために特に設計した部分品
(vii) among coating devices for non-electronic substrates which utilize the coating method listed in column 2 of the appended table 3 and perform the coatings listed in column 4 of the same table on base materials listed in column 3 in the same table, those which fall under any of the following, or the components especially designed for the automatic operation thereof:
イ 原料ガスの化学反応により生成するコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a) coating devices that employ methods of fixing to the substrate surface coating materials that are produced by the chemical reaction of source gases, and that fall under any of the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかの方法を用いるもの
1. coating devices that employ any of the following methods:
1 パルス的方法
i. pulse method;
2 核生成制御熱化学的析出法
ii. controlled nucleation thermochemical deposition method;
3 プラズマ放電下においてコーティング材料を基材の表面に定着させる方法
iii. methods that fix coating materials to the substrate surface by plasma arc;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. coating devices that fall under any of the following:
1 一〇ミリパスカル以下で使用することができる回転軸シールを組み込んだもの
i. coating devices incorporating rotational axis seals that can be used at 10 millipascals or less;
2 膜厚制御機能を内部に有しているもの
ii. coating devices that have internal film thickness control functions;
ロ イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの
(b) coating devices that employ ion implantation method and with a beam current of 5 milliamperes or more;
ハ 電子ビームにより蒸発させたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、容量が八〇キロワットを超える電源装置を組み込んだもののうち、次のいずれかに該当する装置を有するもの
(c) among coating devices that employ methods of affixing to the substrate surface coating materials that have been vaporized by electron beams, and that incorporate power supply devices with a capacity exceeding 80 kilowatts, those that have the equipment falling under any of the following:
(一) インゴットの送りを制御するために、溶融液の液面制御をレーザー光を用いて行う装置
1. coating devices that effects molten liquid level control by employing laser light to control ingot feeding;
(二) コンピュータを用いて制御することができる溶着速度の監視装置であって、二以上の元素をコーティングする際の溶着速度を制御するために蒸気流中におけるイオン化原子のホトルミネセンスの原理を利用するもの
2. deposition rate monitoring devices capable of achieving control by employing computers and that utilize the principle of ionized atom photoluminescence of ionized atoms occurring in vapor flow to control the rate of deposition when coating with two or more elements;
ニ プラズマ溶射をするものであって、次のいずれかに該当するもの
(d) plasma spray coating devices that fall under the following:
(一) 溶射前に真空室を一〇ミリパスカルまで減圧することができるものであって、一〇キロパスカル以下の圧力(ノズル出口から三〇センチメートル以内において測定したものをいう。)で使用することができるもの
1. plasma spray coating devices that can reduce pressure in vacuum chambers prior to plasma spraying to 10 millipascals and that can be used at a pressure of 10 kilopascals or less (referring to plasma spraying within 30 centimeters measured from the mouth of the nozzle;
(二) 膜厚制御機能を内部に有しているもの
2. plasma spray coating devices with internal film thickness control function;
ホ スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの
(e) coating devices that use the sputtering method and has a current density of 10 milliamperes per square centimeter or more for hourly deposition rates of 15 micrometers or more;
ヘ アーク放電によりイオン化されたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、陰極上のアークスポットを制御するための磁界を有するもの
(f) coating devices that employ methods to fix coating materials ionized by arc discharge to the substrate surface and that have a magnetic field to control arc spots on the cathodes;
ト イオンプレーティング生産装置であって、コーティング中に次のいずれかを測定することができるもの
(g) ion plating production equipment that can measure the following characteristics of the coating:
(一) 基材の表面に定着したコーティング材料の厚さ及び成膜速度
1. thickness and deposition rate of coating materials fixed to the substrate surface;
(二) 基材の表面の光学的特性
2. the optical properties of the substrate surface;
八 測定装置(工作機械であって、測定装置として使用することができるものを含む。以下この条において同じ。)又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの(第二号又は第三号に該当するものを除く。)
(viii) measuring devices (including machine tools that can be used as measuring devices; hereinafter the same applies in this Article) or components thereof that fall under any of the following (excluding those falling under item (ii) or (iii)):
イ 電子計算機又は数値制御装置によって制御される座標測定機であって、国際規格で定める測定方法により空間の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一を乗じて得た数値に一・七を加えた数値以下となるもの
(a) coordinate measuring instruments that are controlled by computer or numerically- controlled coordinate measuring equipment and that, when the precision of measurement of intervals is measured according to the measurement method specified in International Standard ISO 10360-2:2001 for any of the points of measurement within the limits of operation, have a maximum permissible error of length measurement of the axis displayed in micrometers that is equal to or less than the value obtained by multiplying the length of the measured axis in millimeters by 0.001 and then adding 1.7;
ロ 第一条第十七号ロ(三)に該当するものの部分品であって、当該装置にフィードバック機能を付加するように設計したもの
(b) components of equipment falling under Article 1, item (xvii), (b), 3. designed for providing a feedback function to the relevant equipment;
ハ 光の散乱を角度の関数として処理することにより表面粗さを測定するものであって、〇・五ナノメートル以下の感度を有するもの
(c) measuring devices that measure surface roughness by treating the angles of the scattering of light as functions and that have a sensitivity of 0.5 nanometers or less;
九 ロボット(操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。)であって、次のいずれかに該当するもの又はその制御装置若しくはエンドエフェクター
(ix) robots (excluding operating robots and sequenced robots) that fall under any of the following, or the control equipment or end effectors thereof:
イ プログラム又はプログラムの数値データを作成又は書き換えるために、即時に完全三次元の画像処理又は完全三次元の情景解析ができるもの
(a) robots that are capable of conducting complete instant three-dimensional image processing or complete three-dimensional scene analysis in order to create or rewrite programs or the numeric data of programs;
ロ 日本工業規格C六〇〇七九―〇号で定める防爆構造のもの(塗装用のものを除く。)
(b) robots of explosion-proof construction as specified in Japanese Industrial Standard C60079-0 (excluding those used for painting);
ハ 全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(c) robots designed to withstand a total absorbed atomic radiation dose exceeding 5,000 grays on a silicon conversion basis;
ニ 三〇、〇〇〇メートルを超える高度で使用するように設計したもの
(d) devices designed for use at altitudes exceeding 30,000 meters;
十 フィードバック装置、複合回転テーブル又は加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、測定装置又は工作機械の部分品又は附属装置であるもののうち、次のいずれかに該当するもの
(x) among feedback devices, compound rotary tables or spindles that can change angles in relation to axes other than the center line axis during processing, which are components or auxiliaries for measuring devices of machine tools, those that fall under any of the following:
イ 直線上の位置のフィードバック装置であって、当該装置の精度がミリメートルで表した当該装置の有効測定長さの十万分の六パーセントに〇・〇〇〇八ミリメートルを加えて得た数値未満のもの
(a) feedback devices for positions on a straight line in which the precision of the devices possesses a value that is less than the value obtained by adding 0.0008 millimeters to 6% of one hundred thousandth (100,000th) of the effective measurement length of the devices in millimeters;
ロ 角度のフィードバック装置であって、当該装置の精度が〇・〇〇〇二五度未満のもの
(b) feedback devices for angles in which the precision of the devices is less than 0.00025 degrees;
ハ 複合回転テーブル又は加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、工作機械に取り付けることによって、その機械を第二号から第五号までのいずれかに規定する仕様にすることができるもの
(c) compound rotary tables or spindles that can change angles in relation to axes other than the center line axis during processing, and that by being fitted to machine tools make the machine tools fall under any of the specifications prescribed in item (ii) through item (v);
十一 絞りスピニング加工機であって、次のイ、ロ及びハの全てに該当するもの
(xi) spin-forming machines that fall under all of the following (a), (b), and (c):
イ 数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもの
(a) spin-forming machines or flow-forming machines that are capable of exerting control by numerically - controlled coordinate measuring equipment or computers;
ロ 輪郭制御をすることができる軸数が三以上のもの
(b) spin-forming machines or flow-forming machines with 3 or more axes capable of controlling contour;
ハ ローラの加圧力が六〇キロニュートンを超えるもの
(c) spin-forming machines or flow-forming machines with a roller welding force exceeding 60 kilonewtons.
第六条 輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 6 Goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 7 of appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
(i) integrated circuits that fall under any of the following:
イ 次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの
(a) integrated circuits designed to withstand any of the following categories of atomic radiation:
(一) 全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイ以上のもの
1. integrated circuits with a total absorbed dose of 5,000 grays or more on a silicon conversion basis;
(二) 吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイ以上のもの
2. integrated circuits with an absorbed dose of 5,000,000 grays or more in one second on a silicon conversion basis;
(三) 一メガ電子ボルト相当の中性子束(積算値)が一平方センチメートル当たり五〇兆個以上となるもの(MIS形のものは除く。)
3. integrated circuits with a neutron flux corresponding to 1 megaelectron volt (integrated value) of 50 trillion or more per square centimeter (excluding MIS type);
ロ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム(フラッシュメモリーを含む。)、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路(ハからチまでのいずれか、ル若しくはヲに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。)又はFFTプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの(民生用の自動車又は鉄道車両に使用する集積回路を除く。)
(b) microprocessors, microcomputers, microcontrollers, programmable ROM that can electronically delete programs (including flash memory), static RAM, and devices using storage elements that employ compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h), (k), or (l), or those for which it is possible to determine whether or not they are goods falling under any of the goods in the middle column of rows 5 through 15 of the appended table 1 of the Export Order; hereinafter the same applies in this Article) or FFT processors that fall under any of the following categories (excluding integrated circuits used for civil automobiles, or civil railway vehicles):
(一) 一二五度を超える温度で使用することができるように設計したもの
1. devices designed for use at temperatures exceeding 125 degrees centigrade;
(二) 零下五五度未満の温度で使用することができるように設計したもの
2. devices designed for use at temperatures of less than -55 degrees centigrade;
(三) 零下五五度以上一二五度以下のすべての温度範囲で使用することができるように設計したもの
3. devices designed for use at all temperatures in a range from -55 degrees centigrade or more to 125 degrees centigrade or less;
ハ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が四〇メガヘルツを超えるもの
(c) microprocessors, microcomputers or microcontrollers employing compound semiconductors with a maximum clock frequency exceeding 40 megahertz;
ニ 削除
(d) deleted;
ホ アナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
(e) devices used for analog-to-digital conversion or digital-to-analog conversion that fall under any of the following (excluding those designed for use in other goods):
(一) アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
1. devices used for analog-to-digital conversion that fall under any of the following:
1 分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、出力速度が一ギガサンプリング毎秒を超えるもの
i. devices with 8 bits to less than 10 bits resolution with an output rate exceeding 1 giga samples per second;
2 分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、出力速度が三〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
ii. devices with 10 bits or more to less than 12 bits resolution with an output rate exceeding 300 mega samples per second;
3 分解能が一二ビットのものであって、出力速度が二〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
iii. devices with 12 bits resolution with an output rate exceeding 200 mega samples per second;
4 分解能が一二ビット超一四ビット以下のものであって、出力速度が一二五メガサンプリング毎秒を超えるもの
iv. devices with resolution exceeding 12 bits and less than 14 bits, with an output rate exceeding 125 mega samples per second;
5 分解能が一四ビットを超えるものであって、出力速度が二〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
v. devices with resolution exceeding 14 bits, with an output rate exceeding 20 mega samples per second;
(二) デジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. devices used for digital-to-analogue conversion, which fall under any of the following:
1 分解能が一〇ビット以上のものであって、調整された更新速度が三、五〇〇メガサンプリング毎秒以上のもの
i. devices with a resolution of 10 bits or more with a coordinated update rate exceeding 3,500 mega samples per second;
2 分解能が一二ビット以上のものであって、調整された更新速度が一、二五〇メガサンプリング毎秒以上のもののうち、次のいずれかに該当するもの
ii. devices with a resolution of 12 bits or more with a coordinated update rate exceeding 1,250 mega or more samples per second, which fall under any of the following:
一 一二ビットの分解能で動作する場合のアナログ出力値が、フルスケールのレベルからフルスケールの〇・〇二四パーセントのレベルに変化するまでのセトリング時間が九ナノ秒未満のもの
a. those with an analog output whose settling time to change from full scale level to a level of 0.024 % of full scale is less than nine nanoseconds, where operated with a resolution of 12 bits;
二 一〇〇メガヘルツのデジタル入力信号でフルスケールを出力する場合又は一〇〇メガヘルツ未満のデジタル入力信号で最も高いフルスケールを出力する場合のスプリアス・フリー・ダイナミック・レンジが六八デシベルを超えるもの
b. those with a spurious free dynamic range exceeding 68 decibels in cases where a full scale output is made by digital input signals of 100 megahertz or where maximum full scale output is made by digital input signals of less than 100 megahertz;
ヘ 信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(f) electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) レーザー発振器を有するもの
1. integrated circuits possessing laser oscillators;
(二) 受光素子を有するもの
2. integrated circuits possessing photo-detectors;
(三) 光導波路を有するもの
3. integrated circuits possessing optical waveguides;
ト フィールドプログラマブルロジックデバイスであって、次のいずれかに該当するもの
(g) field programmable logic devices that fall under any of the following (excluding those designed for use in other goods):
(一) シングルエンド方式の最大デジタル入出力数が五〇〇以上のもの
1. devices with a maximum number of single-ended digital input and output at 500 or more;
(二) シリアルトランシーバーの最大データ速度の総計が一秒あたり二〇〇ギガビット以上のもの
2. devices with serial transceivers which have a total maximum data speed of 200 gigabits or more per second;
チ ニューラルネットワークを用いたもの
(h) devices employing neural networks;
リ カスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
(i) custom integrated circuits that fall under any of the following:
(一) 端子数が一、五〇〇を超えるもの
1. custom integrated circuits with terminals exceeding 1,500;
(二) 基本ゲート伝搬遅延時間が〇・〇二ナノ秒未満のもの
2. custom integrated circuits with a basic gate propagation delay time of less than 0.02 nanoseconds;
(三) 動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
3. custom integrated circuits with an operating frequency exceeding 3 gigahertz;
ヌ 化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの(ハ、ホからリまで及びルのいずれかに該当するものを除く。)
(j) digital devices employing compound semiconductors that fall under any of the following (excluding those which fall under any of (c), (e) through (i), and (k)):
(一) 等価ゲート数が二入力ゲート換算で三、〇〇〇を超えるもの
1. digital devices with a number of equivalent gates exceeding 3,000 on a dual-entry gate conversion basis;
(二) トグル周波数が一・二ギガヘルツを超えるもの
2. digital devices with a toggle frequency exceeding 1.2 gigahertz;
ル FFTプロセッサであって、高速フーリエ変換のミリ秒で表した定格実行時間が次に掲げる式により算出した値未満のもの
(k) FFT processors with a Fast Fourier Transformation rated execution time expressed in milliseconds that is less than the value calculated by the following formula;
ヲ ダイレクト・デジタル・シンセサイザ(DDS)集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
(l) direct digital synthesizer (DDS) integrated circuits that fall under any of the following:
(一) デジタルアナログ変換クロック周波数が三・五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のもの
1. direct digital synthesizer (DDS) integrated circuits with a digital-to-analogue conversion clock frequency of 3.5 gigahertz or more and with a digital-to-analogue conversion resolution of 10 bits or more and less than 12 bits;
(二) デジタルアナログ変換クロック周波数が一・二五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一二ビット以上のもの
2. direct digital synthesizer (DDS) integrated circuits with a digital-to-analogue conversion clock frequency of 1.25 gigahertz or more and with a digital-to-analogue conversion resolution of 12 bits or more;
二 マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii) components of devices using microwaves or millimeter waves that fall under any of the following:
イ 電子管であって、次の(一)又は(二)に該当するもの((三)に該当するものを除く。)
(a) electron tubes that fall under the following 1. or 2. (excluding those that fall under 3. following):
(一) 進行波管であって、次のいずれかに該当するもの
1. traveling wave tubes that fall under any of the following:
1 動作周波数が三一・八ギガヘルツを超えるもの
i. traveling wave tubes with an operating frequency exceeding 31.8 gigahertz;
2 フィラメントを加熱してから定格出力に達するまでの時間が三秒未満の熱陰極を有するもの
ii. traveling wave tubes having a hot cathode for which the time from the heating of the filament to attainment of the rated output is less than 3 seconds;
3 空胴結合形のものであって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が七パーセントを超えるもの又は最大出力が二・五キロワットを超えるもの
iii. traveling wave tubes with cavity coupling in which the value for the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 7% or a maximum output exceeding 2.5 kilowatts;
4 ヘリックス形のものであって、次のいずれかに該当するもの
iv. traveling wave tubes with helical form that fall under any of the following:
一 一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が〇・五を超えるもの
a. devices having an instantaneous bandwidth exceeding 1 octave, and for which the value obtained by multiplying the average output value expressed in kilowatts by the operating frequency value expressed in gigahertz exceeds 0.5;
二 一オクターブ以下の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が一を超えるもの
b. devices having an instantaneous bandwidth of 1 octave or less, and for which the value obtained by multiplying the average output value expressed in kilowatts by the operating frequency value expressed in gigahertz exceeds 1;
三 宇宙用に設計したもの
c. devices designed for space use;
(二) クロスフィールド増幅管であって、その利得が一七デシベルを超えるもの
2. crossfield amplifier tubes with a gain exceeding 17 decibels;
(三) 国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域(無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。)で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
3. devices designed to use frequency bands allotted for wireless transmission by the International Telecommunication Union (excluding frequency bands allotted for wireless radio determination) that fall under any of the following:
1 動作周波数が三一・八ギガヘルツ以下であるもの
i. devices with an operating frequency of 31.8 gigahertz or less;
2 専ら宇宙において使用するために設計したもの以外のものであって、平均出力値が五〇ワット以下及び動作周波数が三一・八ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下のもの
ii. devices other than those designed exclusively for use in space that have an average output of 50 watts or less and an operating frequency exceeding 31.8 gigahertz and 43.5 gigahertz or less;
ロ 電子管に使用するように設計した含浸形陰極であって、定格動作状態での連続放射電流密度が五アンペア毎平方センチメートルを超えるもの
(b) impregnated cathodes designed for use in electron tubes with continuous emission current density under rated operating conditions exceeding 5 amperes per square centimeter;
ハ マイクロ波用モノリシック集積回路を用いた電力増幅器であって、次のいずれかに該当するもの
(c) power amplifiers employing microwave monolithic integrated circuits, which fall under any of the following:
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. among devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 15%, those which that fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七五ワット(四八・七五ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 2.9 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 75 watts (48.75 dBm);
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五五ワット(四七・四ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 2.9 gigahertz and 3.2 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 55 watts (47.4 dBm);
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット(四六ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 3.2 gigahertz and 3.7 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 40 watts (46 dBm);
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット(四三ディービーエム)を超えるもの
iv. devices with an operating frequency exceeding 3.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 20 watts (43 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
2. among devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 16 gigahertz or less for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%, those which that fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ワット(四〇ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 8.5 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 10 watts (40 dBm);
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五ワット(三七ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 8.5 gigahertz and 16 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 5 watts (37 dBm);
(三) 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三ワット(三四・七七ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
3. among devices with an operating frequency exceeding 16 gigahertz and 31.8 gigahertz or less with a peak saturation output value exceeding 3 watts (34.77 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(四) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
4. devices with an operating frequency exceeding 31.8 gigahertz and 37 gigahertz or less, and a peak saturation output value exceeding 0.1 nanowatts (-70 dBm);
(五) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一・〇ワット(三〇ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
5. among devices with an operating frequency exceeding 37 gigahertz and 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 1.0 watts (30 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(六) 動作周波数が四三・五ギガヘルツを超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
6. devices with an operating frequency exceeding 43.5 gigahertz, and 75 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 31.62 milliwatts (15 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(七) 動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ミリワット(一〇ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
7. devices with an operating frequency exceeding 75 gigahertz and 90 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 10 milliwatts (10 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 5%;
(八) 動作周波数が九〇ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
8. devices with an operating frequency exceeding 90 gigahertz, and a peak saturation output value exceeding 0.1 nanowatts (-70 dBm);
ニ マイクロ波用ディスクリートトランジスタであって、次のいずれかに該当するもの
(d) microwave discrete transistors that fall under any of the following:
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
1. among devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less, those which fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇〇ワット(五六ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 2.9 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 400 watts (56 dBm);
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇五ワット(五三・一二ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 2.9 gigahertz and 3.2 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 205 watts (53.12 dBm);
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一一五ワット(五〇・六一ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 3.2 gigahertz and 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 115 watts (50.6 dBm);
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇ワット(四七・七八ディービーエム)を超えるもの
iv. devices with an operating frequency exceeding 3.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 60 watts (47.78 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
2. among devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 31. 8 gigahertz or less, those which fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット(四七ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 50 watts (47 dBm);
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一五ワット(四一・七六ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 8.5 gigahertz and 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 15 watts (41.76 dBm);
3 動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット(四六ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 12 gigahertz and 16 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 40 watts (46 dBm);
4 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七ワット(三八・四五ディービーエム)を超えるもの
iv. devices with an operating frequency exceeding 16 gigahertz and 31.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 7 watts (38.45 dBm);
(三) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ワット(二七ディービーエム)を超えるもの
3. devices with an operating frequency exceeding 31.8 gigahertz and 37 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 0.5 watts (27 dBm);
(四) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一ワット(三〇ディービーエム)を超えるもの
4. devices with an operating frequency exceeding 37 gigahertz and 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 1 watt (30 dBm);
(五) 動作周波数が四三・五ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
5. devices with an operating frequency exceeding 43.5 gigahertz, and a peak saturation output value exceeding 0.1 nanowatts (-70 dBm);
ホ マイクロ波用固体増幅器又はマイクロ波用固体増幅器を含む組立品若しくはモジュールであって、次のいずれかに該当するもの(マイクロ波用モノリシック集積回路を用いた電力増幅器を除く。)
(e) solid-state microwave amplifiers or assemblies or modules containing solid-state microwave amplifiers that fall under any of the following (excluding power amplifiers employing microwave monolithic integrated circuits):
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. among devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 15%, those which fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇〇ワット(五七ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz and 2.9 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 500 watts (57 dBm);
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二七〇ワット(五四・三ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 2.9 gigahertz and 3.2 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 270 watts (54.3 dBm);
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇〇ワット(五三ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 3.2 gigahertz and 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 200 watts (53 dBm);
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が九〇ワット(四九・五四ディービーエム)を超えるもの
iv. devices with an operating frequency exceeding 3.7 gigahertz and 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 90 watts (49.54 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
2. among devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 31.8 gigahertz or less for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%, those which fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七〇ワット(四八・五四ディービーエム)を超えるもの
i. devices with an operating frequency exceeding 6.8 gigahertz and 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 70 watts (48.54 dBm);
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット(四七ディービーエム)を超えるもの
ii. devices with an operating frequency exceeding 8.5 gigahertz and 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 50 watts (47 dBm);
3 動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三〇ワット(四四・七七ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 12 gigahertz and 16 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 30 watts (44.77 dBm);
4 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット(四三ディービーエム)を超えるもの
iv. devices with an operating frequency exceeding 16 gigahertz and 31.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 20 watts (43 dBm);
(三) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ナノワット(二七ディービーエム)を超えるもの
3. devices with an operating frequency exceeding 31.8 gigahertz and 37 gigahertz or less, and a peak saturation output value exceeding 0.5 nanowatts (27 dBm);
(四) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二ワット(三三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
4. among devices with an operating frequency exceeding 37 gigahertz and 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 2 watts (33 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(五) 動作周波数が四三・五ギガヘルツを超ええるものであって、次のいずれかに該当するもの
5. among devices with an operating frequency exceeding 43.5 gigahertz, those which fall under any of the following:
1 動作周波数が四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・二ワット(二三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
i. among devices with an operating frequency exceeding 43.5 gigahertz and 75 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 0.2 watts (23 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
2 動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ミリワット(一三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
ii. among devices with an operating frequency exceeding 75 gigahertz and 90 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 20 milliwatts (13 dBm), those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 5%;
3 動作周波数が九〇ギガヘルツ超であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
iii. devices with an operating frequency exceeding 90 gigahertz and with a peak saturation output value exceeding 0.1 nanowatts (-70 dBm);
(六) 動作周波数が二・七ギガヘルツを超えるものであって、次の1から3までの全てに該当するもの
6. devices with an operating frequency exceeding 2.7 gigahertz that fall under all of the following categories i. to iii.:
1 ワットで表したピーク飽和出力値にギガヘルツで表した最大動作周波数の二乗を乗じた値が四〇〇を超えるもの
i. devices for which the value of the peak saturation output value expressed in watts multiplied by the maximum operating frequency expressed in gigahertz squared exceeds 400;
2 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセント以上のもの
ii. devices for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency is 5% or more;
3 アレー状に配列された増幅器又は組立品、モジュールの垂直に隣り合った距離をセンチメートルで表した値にギガヘルツで表した最小動作周波数を乗じた値が一五以下のもの
iii. devices for which the value of the distance of vertically adjacent amplifiers or assemblies, or modules in array alignment expressed in centimeters multiplied by the minimum operating frequency expressed in gigahertz is 15 or less;
ヘ 電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過フィルターであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(f) electronically or magnetically tunable band-pass filters that fall under the following 1. and 2.:
(一) 半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
1. devices having 6 or more variable frequency resonators capable of tuning across a half-octave frequency band in less than 10 microseconds;
(二) 中心周波数の〇・五パーセントを超える帯域を通過することができるもの
2. devices capable of band-passing in excess of 0.5% of the center frequency;
ト 電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(g) electronically or magnetically tunable band-elimination filters that fall under the following 1. and 2.:
(一) 半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
1. devices having 6 or more variable frequency resonators capable of tuning across a half-octave frequency band in less than 10 microseconds;
(二) 中心周波数の〇・五パーセント未満の帯域を阻止することができるもの
2. devices capable of eliminating a band less than 0.5% of the center frequency;
チ 削除
(h) deleted;
リ ハーモニックミクサ又はコンバータであって、無線周波数分析器、周波数シンセサイザーを用いた信号発生器、ネットワークアナライザー又はマイクロ波用試験受信機の周波数帯域を拡張するように設計されており、これらの装置の周波数帯域が第十二号イ、ロ若しくはハ、第十三号イ、ロ若しくはホ、第十四号又は第十五号イのいずれかに該当するように設計したもの
(i) harmonic mixers or converters designed to expand the frequency bands of radio frequency analyzers, signal generators employing frequency synthesizers, network analyzers or microwave test receivers, and to have the frequency bands of such equipment fall under any of item (xii), (a), (b) or (c), item (xiii), (a), (b) or (e), item (xiv) or item (xv), (a);
ヌ イに該当する電子管を内蔵するマイクロ波用電力増幅器であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域(無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。)で使用するように設計したものを除く。)
(j) microwave power amplifiers equipped with electron tubes that fall under (a), and that fall under the following categories 1. and 2. (excluding equipment used on frequency bands allotted for wireless transmission by the International Telecommunication Union (excluding frequency bands allotted for wireless radio determination)):
(一) 動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
1. devices with an operating frequency exceeding 3 gigahertz;
(二) 平均出力電力の質量に対する比が八〇ワット毎キログラムを超えるものであって、体積が四〇〇立方センチメートル未満のもの
2. devices with a mass ratio of average output power exceeding 80 watts per kilogram and with a volume of less than 400 cubic centimeters;
ル マイクロ波用電力モジュールであって、進行波管、マイクロ波用モノリシック集積回路及び電源を有するもののうち、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(k) microwave power modules having traveling wave tubes, microwave monolithic integrated circuits and power conditioners, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 完全停止状態から完全作動状態までの時間が一〇秒未満のもの
1. those having a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
(二) 体積が、ワットで表した最高定格出力値に一〇立方センチメートル毎ワットを乗じて得た数値未満のもの
2. those of which the volume is less than the numerical value obtained by multiplying the maximum rated output expressed in watts by 10 cubic centimeters per watt;
(三) 一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those having an instantaneous bandwidth of 1 octave or more, which fall under any of the following:
1 周波数が一八ギガヘルツ以下のものにあっては、無線周波数の出力が一〇〇ワットを超えるもの
i. for those with a frequency of 18 gigahertz or less, those with a radio frequency output exceeding 100 watts;
2 周波数が一八ギガヘルツを超えるもの
ii. those with a frequency exceeding 18 gigahertz;
ヲ 発振器又は発振機能を有する組立品であって、次の(一)及び(二)に該当するように設計したもの
(l) oscillators or assemblies having oscillation function, which are designed to fall under the following 1. and 2.:
(一) 動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ超一〇キロヘルツ未満のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの
1. those for which the value of the single side band phase noise ratio per hertz relative to carrier signal is less than the value calculated according to the following method in any frequency band where the difference between the operating frequency and the offset frequency exceeds 10 hertz and less than 10 kilohertz:
 20log10(メガヘルツで表した動作周波数))-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-126
 20log10 (Operating frequency, expressed in megahertz) - 20log10 (Difference between the operating frequency and the offset frequency, expressed in hertz) -126
(二) 動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ以上五〇〇キロヘルツ未満のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの
2. those for which the value of the single side band phase noise ratio per hertz relative to carrier signal is less than the value calculated according to the following method in any frequency band where the difference between the operating frequency and the offset frequency is 10 kilohertz or more and less than 500 kilohertz:
 20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-114
 20log10(Difference between the operating frequency and the offset frequency, expressed in hertz) - 114
ワ 周波数シンセサイザーを用いた組立品のうち、次のいずれかに該当するもの
(m) among assemblies employing frequency synthesizers, those falling under any of the following:
(一) 周波数切換えの所要時間が一五六ピコ秒未満のもの
1. assemblies for which the required time for frequency change is less than 156 picoseconds;
(二) 四・八ギガヘルツ超一〇・六ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、一・六ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
2. within the range of a combined output frequency exceeding 4.8 gigahertz and 10.6 gigahertz or less, assemblies for which the required time for any frequency change exceeding 1.6 gigahertz is less than 100 microseconds;
(三) 一〇・六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が二五〇マイクロ秒未満のもの
3. within the range of a combined output frequency exceeding 10.6 gigahertz and 31.8 gigahertz or less, assemblies for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 250 microseconds;
(四) 三一・八ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
4. within the range of a combined output frequency exceeding 31.8 gigahertz and below 43.5 gigahertz, assemblies for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 500 microseconds;
(五) 四三・五ギガヘルツ超五六ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
5. within the range of a combined output frequency exceeding 43.5 gigahertz and 56 gigahertz or less, assemblies for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 1 microsecond;
(六) 五六ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
6. within the range of a combined output frequency exceeding 56 gigahertz and 75 gigahertz or less, assemblies for which the required time for any frequency change exceeding 2.2 gigahertz is less than 1 millisecond;
(七) 七五ギガヘルツを超える合成出力周波数範囲で、周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
7. within the range of a combined output frequency exceeding 75 gigahertz, assemblies for which the required time for frequency change is less than 1 millisecond;
三 弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの(特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。)又はその部分品
(iii) signal processing equipment utilizing elastic waves or acousto-optic effects that fall under any of the following (excluding those solely having any of the function of specific band-pass, low band pass, high band pass, band elimination, or resonance), or the components thereof:
イ 表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
(a) signal processing equipment using surface elastic waves or pseudo-surface elastic waves that fall under any of the following:
(一) 搬送周波数が六ギガヘルツを超えるもの
1. signal processing equipment with a carrier frequency exceeding 6 gigahertz;
(二) 搬送周波数が一ギガヘルツ超六ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. signal processing equipment with a carrier frequency exceeding 6 gigahertz and 2.5 gigahertz or less that falls under any of the following:
1 サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるもの
i. signal processing equipment with a main lobe to side lobe power ratio exceeding 65 decibels;
2 マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
ii. signal processing equipment for which the numeric value of the maximum delay time expressed in microseconds multiplied by the value of the bandwidth expressed in megahertz exceeds 100;
3 帯域幅が二五〇メガヘルツを超えるもの
iii. signal processing equipment with a bandwidth exceeding 250 megahertz;
4 分散型遅延時間(周波数に応じた遅延時間の最大の値と最小の値との差をいう。)が一〇マイクロ秒を超えるもの
iv. signal processing equipment for which the distributed delay time (this refers to the difference between the maximum and minimum delay time values for a frequency) exceeds 10 microseconds;
(三) 搬送周波数が一ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
3. signal processing equipment with a carrier frequency of 1 gigahertz or less that falls under any of the following:
1 マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
i. signal processing equipment for which the numeric value obtained by multiplying the maximum delay time expressed in microseconds by the value of the bandwidth expressed in megahertz exceeds 100;
2 分散型遅延時間が一〇マイクロ秒を超えるもの
ii. signal processing equipment for which the distributed delay time exceeds 10 microseconds;
3 サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デジベルを超えるものであって、帯域幅が一〇〇メガヘルツを超えるもの
iii. signal processing equipment with a main lobe to side lobe power ratio exceeding 65 decibels and with a bandwidth exceeding 100 megahertz;
ロ バルク弾性波を利用するものであって、六ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの
(b) signal processing equipment that utilizes bulk elastic waves and that is capable of performing direct signal processing at frequencies exceeding 6 gigahertz;
ハ 弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの
(c) signal processing that utilizes the interaction of elastic waves and light waves and that is capable of performing direct signal or image processing;
四 超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
(iv) among devices using superconductive material that are electron devices or electronic circuits with components using superconductive materials, those designed for use at temperatures lower than the critical temperature of the superconductive materials used and that fall under any of the following:
イ 超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が一、〇〇〇億分の一ミリジュール未満のもの
(a) devices possessing a current switching function for use in digital circuits with superconducting gates for which the value obtained by multiplying the delay time per gate by the power consumption per gate is less than 1/100 billion millijoules;
ロ 周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が一〇、〇〇〇を超える共振回路を有するもの
(b) devices having frequency separation function and having resonant circuits with a cue value exceeding 10,000;
五 セルであって、次のいずれかに該当するもの
(v) cells that fall under any of the following:
イ 一次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が五五〇ワット時毎キログラムを超えるもの
(a) primary cells with an energy density exceeding 550 watts hours per kilogram at a temperature of 20 degrees centigrade;
ロ 二次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が三〇〇ワット時毎キログラムを超えるもの
(b) secondary cells with an energy density exceeding 300 watts hours per kilogram at a temperature of 20 degrees centigrade;
六 高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
(vi) high voltage capacitors that fall under any of the following:
イ 反復サイクルが一〇ヘルツ未満のコンデンサであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a) capacitors with a repeated cycle of less than 10 hertz that fall under all of the following categories 1. to 3.:
(一) 定格電圧が五キロボルト以上のもの
1. capacitors with a rated voltage of 5 kilovolts or more;
(二) エネルギー密度が二五〇ジュール毎キログラム以上のもの
2. capacitors with an energy density of 250 joules per kilogram or more;
(三) 総エネルギーが二五キロジュール以上のもの
3. capacitors with a total energy of 25 kilojoules or more;
ロ 反復サイクルが一〇ヘルツ以上のコンデンサであって、次の(一)から(四)までのすべてに該当するもの
(b) capacitors with a repetitive cycle of 10 hertz or more and that fall under all of the following categories 1. to 4.:
(一) 定格電圧が五キロボルト以上のもの
1. capacitors with a rated voltage of 5 kilovolts or more;
(二) エネルギー密度が五〇ジュール毎キログラム以上のもの
2. capacitors with an energy density of 50 joules per kilogram or more;
(三) 総エネルギーが一〇〇ジュール以上のもの
3. capacitors with a total energy of 100 joules or more;
(四) 一〇、〇〇〇回以上充電及び放電の繰り返しをすることができるように設計したもの
4. capacitors designed for a charge/discharge cycle life equal to or more than 10,000 cycles;
七 一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石(ソレノイドコイル形のものを含む。)であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(vii) superconducting magnets (including solenoid coil types) designed to fully generate or dissipate a complete magnetic field in less than one second that fall under all of the following categories (a) to (c):
イ 減磁の際に最初の一秒間で放出するエネルギーが一〇キロジュールを超えるもの
(a) superconducting magnets that discharge energy exceeding 10 kilojoules in the first second of demagnetization;
ロ コイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
(b) superconducting magnets with a coil internal diameter exceeding 250 millimeters;
ハ 定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
(c) superconducting magnets with a rated maximum current density exceeding 300 amperes per square millimeter or with a rated magnetic flux density exceeding 8 teslas;
七の二 太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの
(vii)-2 among solar batteries, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels or solar arrays, which are designed for space use, those for which the minimum average conversion efficiency when irradiated by 1,367 watts per square meter under air mass zero, exceeds 20 % at an operating temperature of 28 degrees centigrade;
八 回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの
(viii) rotary input type absolute encoders of which the absolute value of the conversion error of the angles is 1 second or less;
八の二 パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの(民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。)
(viii)-2 among thyristor devices or thyristor modules switching pulse output, which employ a switching method controlled electronically or optically or a switching method with a controlled electron emission, those that fall under any of the following (excluding those incorporated into a device designed for use in civil railway vehicles or civil aircraft):
イ 最大立上がり電流が三〇、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が一、一〇〇ボルトを超えるもの
(a) those with a maximum turn-on current exceeding 30,000 amperes per microsecond, and off-state voltage exceeding 1,100 volts;
ロ 最大立上がり電流が二、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) those with a maximum turn-on current exceeding 2,000 amperes per microsecond, and that fall under the following 1. and 2.:
(一) 休止状態電圧が三、〇〇〇ボルト以上のもの
1. those with an off-state voltage of 3,000 volts or more;
(二) 最大電流が三、〇〇〇アンペア以上のもの
2. those with a maximum current of 3,000 amperes or more;
八の三 電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの(民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。)
(viii)-3 semiconductor devices or semiconductor modules that control electric power or rectify electric signals, and that fall under all of the following (a) through (c) (excluding those incorporated into a device designed for use in civil automobiles, civil railway vehicles, or civil aircraft):
イ 最大動作接合部温度が二一五度を超えるように設計したもの
(a) those designed for a maximum operating junction temperature to exceed 215 degrees centigrade;
ロ 繰返しピーク休止状態電圧が三〇〇ボルトを超えるもの
(b) those with a repetitive peak off-state voltage exceeding 300 volts;
ハ 継続電流が一アンペアを超えるもの
(c) those with a continuous current exceeding one ampere;
九 サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、いずれかのチャネルの入力三デシベル帯域幅が六〇ギガヘルツ以上の場合において、そのチャネルのノイズが最小となる縦軸レンジにおけるノイズ電圧の二乗平均平方根がフルスケールの二パーセント未満のもの
(ix) among sampling oscilloscopes utilizing the method of real-time sampling, those for which, where the input 3-decibel bandwidth of any channel is 60 gigahertz or more, the root-mean-square of noise voltage at the longitudinal axis range where noise of the channel is the smallest is less than 2% of the full scale;
十 波形記憶装置であって、次のイ及びロに該当するもの
(x) waveform digitizers and transient recorders that fall under the following categories (a) and (b):
イ サンプリング速度が一秒当たり二億サンプル以上で、かつ、分解能が一〇ビット以上のもの
(a) waveform digitizers and transient recorders with a sample rate of 200 million samples per second or more and with a resolution of 10 bits or more;
ロ 二ギガビット毎秒以上のデータを連続して出力することができるように設計したもの
(b) waveform digitizers and transient recorders designed to continuously output data at 2 gigabits per second or more;
十一 計測装置用として設計された磁気ディスク記録技術を用いたデジタル方式の計測用記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの
(xi) digital instrumentation recorders using magnetic disk storage technology and designed for use in instrumentation systems that fall under the following categories (a) and (b):
イ 計測するデータのサンプリング速度が一秒当たり一億サンプル以上で、かつ、分解能が八ビット以上のもの
(a) digital instrumentation recorders with a sampling rate, for data to be measured, of 100 million samples per second or more, and a resolution of 8 bits or more;
ロ 一ギガビット毎秒以上のサンプルデータを連続して記録する能力を有するように設計したもの
(b) digital instrumentation recorders designed to be capable of continuously recording sample data at 1 gigabit per second or more;
十二 無線周波数分析器であって、次のいずれかに該当するもの
(xii) wireless frequency analyzers that fall under any of the following:
イ 三一・八ギガヘルツ超三七・五ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、三デシベルの分解能帯域幅が一〇メガヘルツを超えるもの
(a) wireless frequency analyzers for which the resolution bandwidth for 3 decibels exceeds 10 megahertz in any frequency band exceeding 31.8 gigahertz and 37.5 gigahertz or less;
ロ 四十三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス一五〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
(b) wireless frequency analyzers of which the displayed average noise level is less than -150 dBm per hertz in any frequency band exceeding 43.5 gigahertz and 75 gigahertz or less;
ハ 七五ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの
(c) wireless frequency analyzers capable of analyzing frequencies exceeding 75 gigahertz;
ニ 次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) wireless frequency analyzers that fall under following 1. and 2.:
(一) 実時間帯域幅が八五メガヘルツを超えるもの
1. wireless frequency analyzers with real time bandwidth exceeding 85 megahertz;
(二) 一五マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの
2. wireless frequency analyzers that detect signals with a length of 15 microseconds or less with a probability of 100%, with a damping, due to gap or window effect, of less than 3 decibels from the total amplitude;
ホ 周波数マスクトリガー機能を有するものであって、一五マイクロ秒以下の長さの信号を一〇〇パーセントの確率で捉えることができるもの
(e) wireless frequency analyzers with frequency mask trigger function that are capable of detecting signals with a length of 15 microseconds or less with a probability of 100%;
十三 周波数シンセサイザーを用いた信号発生器のうち、合成出力周波数の精度及び安定度が入力周波数又は当該装置の基準参照発振器によって規定されるものであって、次のいずれかに該当するもの(周波数シンセサイザーを用いた信号発生器であって、二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。)
(xiii) among signal generators employing frequency synthesizers, those for which the precision and stability of combined output frequency devices are regulated by the input frequency or the devices' standard reference oscillator and that fall under any of the following (excluding signal generators employing frequency synthesizers designed for use in equipment and other goods that regulate the output frequency by the value obtained by adding or subtracting the frequencies of 2 or more quartz crystal oscillators or by the value obtained by multiplying these values):
イ 三一・八ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の(一)及び(二)に該当するパルス変調信号を発振するもの
(a) signal generators which generate, in any frequency band exceeding 31.8 gigahertz and 75 gigahertz or less, pulse modulated signals that fall under the following 1. and 2.:
(一) パルス幅が一〇〇ナノ秒未満のもの
1. pulse modulated signals with a pulse width of less than 100 nanoseconds;
(二) オン・オフ比が六五デシベル以上のもの
2. pulse modulated signals with an on/off ratio of 65 decibels or more;
ロ 四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリワット(二〇ディービーエム)を超えるもの
(b) signal generators with an output exceeding 100 milliwatts (20 dBm), in any frequency band exceeding 43.5 gigahertz and 75 gigahertz or less;
ハ 次のいずれかに該当するもの
(c) signal generators that fall under any of the following:
(一) 削除
1. deleted;
(二) 四・八ギガヘルツ超一〇・六ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、一・六ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
2. within the range of a combined output frequency exceeding 4.8 gigahertz and 10.6 gigahertz or less, signal generators for which the required time for any frequency change exceeding 1.6 gigahertz is less than 100 microseconds;
(三) 一〇・六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が二五〇マイクロ秒未満のもの
3. within the range of a combined output frequency exceeding 10.6 gigahertz and 31.8 gigahertz or less, signal generators for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 250 microseconds;
(四) 三一・八ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
4. within the range of a combined output frequency exceeding 31.8 gigahertz and 43.5 gigahertz or less, signal generators for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 500 microseconds;
(五) 四三・五ギガヘルツ超五六ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
5. within the range of a combined output frequency exceeding 43.5 gigahertz and 56 gigahertz or less, signal generators for which the required time for any frequency change exceeding 550 megahertz is less than 1 millisecond;
(六) 五六ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
6. within the range of a combined output frequency exceeding 56 gigahertz and 75 gigahertz or less, signal generators for which the required time for any frequency change exceeding 2.2 gigahertz is less than 1 millisecond;
ニ 搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次の(一)及び(二)に該当するもの
(d) signal generators for which the value of the single side band phase noise ratio per hertz relative to carrier signal falls under the following 1. and 2.:
(一) 三・二ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの合成出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ超一〇キロヘルツ未満のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
1. within any band of a combined output frequency exceeding 3.2 gigahertz and 75 gigahertz or less, signal generators for which the value of the single side band phase noise ratio per hertz relative to carrier signal is less than the value calculated according to the following method in any frequency band where the difference between the operating frequency and the offset frequency exceeds 10 hertz and less than 10 kilohertz:
 20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-126
 20log10 (Operating frequency, expressed in megahertz) - 20log10 (Difference between the operating frequency and the offset frequency, expressed in hertz) - 126
(二) 三・二ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの合成出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ以上五〇〇キロヘルツ未満のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
2. within any band of a combined output frequency exceeding 3.2 gigahertz and 75 gigahertz or less, signal generators for which the value of the single side band phase noise ratio per hertz relative to carrier signal is less than the value calculated according to the following method in any frequency band where the difference between the operating frequency and the offset frequency exceeds 10 hertz and less than 10 kilohertz:
 20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-114
 20log10 (Operating frequency, expressed in megahertz) - 20log10 (Difference between the operating frequency and the offset frequency, expressed in hertz) - 114
ホ 最大合成出力周波数が七五ギガヘルツを超えるもの
(e) signal generators with a maximum combined output frequency exceeding 75 gigahertz;
十四 ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
(xiv) Network analyzers that fall under any of the following:
イ 四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもの
(a) within any band of a combined output frequency exceeding 43.5 gigahertz and 75 gigahertz or less, network analyzers with an output exceeding 31.62 milliwatts (15dBm);
ロ 七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が一ミリワット(〇ディービーエム)を超えるもの
(b) within any band of a combined output frequency exceeding 75 gigahertz and 110 gigahertz or less, network analyzers with an output exceeding 1 milliwatt (0 dBm);
ハ 五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機能を有するもの(イ又はロに該当するものを除く。)
(c) within the frequency band exceeding 50 gigahertz and 110 gigahertz or less, network analyzers with a function of non-linear vector measurement (excluding those which fall under (a) or (b));
ニ 最大動作周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
(d) signal generators with a maximum combined output frequency exceeding 110 gigahertz;
十五 マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
(xv) microwave receivers that fall under the following (a) and (b):
イ 一一〇ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの
(a) devices designed for use at frequencies exceeding 110 gigahertz;
ロ 振幅及び位相を同時に測定できるもの
(b) devices that can simultaneously measure amplitude and phase;
十六 原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
(xvi) atomic frequency standards that fall under any of the following:
イ ルビジウムを用いていないものであって、三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
(a) atomic frequency standards not employing rubidium and for which stability when oscillated continuously for a 30 day period is less than 1/ 100 billion;
ロ 宇宙用に設計したもの
(b) atomic frequency standards designed for space use;
ハ 宇宙用に設計していないものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(c) atomic frequency standards not designed for space use and which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) ルビジウムを用いたもの
1. atomic frequency standards employing rubidium;
(二) 三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
2. atomic frequency standards with a stability of less than 1/ 100 billion when oscillated continuously for a 30 day period;
(三) 消費電力が一ワット未満のもの
3. atomic frequency standards with the power consumption of less than 1 watt;
十六の二 スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品
(xvi)-2 among spray cooling method temperature control devices that are capable of cyclic use of the cooling medium within a closed device, those having atomizing nozzles specifically designed to spray isolating cooling medium on electric components and bring the components' temperature to within a fixed range, or the components specifically designed for that purpose;
十七 半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置(ホにおいて「半導体製造装置」という。)若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品
(xvii) equipment for the manufacture or test of semiconductor devices, integrated circuits or semiconductor materials (referred to as "semiconductor manufacturing equipment" in (e)), or masks or reticles for the manufacture of integrated circuits, which fall under any of the following, or the components and accessories thereof:
イ 結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの
(a) crystal epitaxial growth systems that fall under any of the following:
(一) 七五ミリメートル以上の長さにわたり膜の厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満のシリコン以外の膜を形成できるもの
1. film of materials capable of generating films other than silicon of which the absolute value of the tolerance of the film thickness along a length of 75 millimeters or more is less than 2.5 %;
(二) 有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、砒素、燐、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタキシャル成長させるもの
2. metal-organic chemical vapor deposition reactors that epitaxially grow compound semiconductors containing any two or more of the elements among aluminum, gallium, indium, arsenic, phosphor, antimony, and nitrogen;
(三) ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置
3. molecular beam epitaxial growth systems employing gas sources or solid sources;
ロ イオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの
(b) ion implanters that fall under any of the following:
(一) 削除
1. deleted;
(二) 水素、重水素又はヘリウムを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
2. ion implanters designed and optimized to operate when implanting hydrogen, heavy hydrogen, or helium, at beam energies of 20 kiloelectron volts or more and a beam current of 10 milliamperes or more;
(三) 直接描画を行うことができるもの
3. ion implanters which are capable of direct writing;
(四) 加熱された半導体材料の基板へ酸素を注入する場合において、ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のもの
4. ion implanters implanting oxygen on a heated semiconductor material substrate at beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more;
(五) 六〇〇度以上の温度に加熱された半導体材料の基板へシリコンを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
5. ion implanters designed and optimized to operate, when implanting silicon on a semiconductor material substrate heated to a temperature of 600 degrees centigrade or more, at beam energies of 20 kiloelectron volts or more and a beam current of 10 milliamperes or more;
ハ 異方性プラズマドライエッチング装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c) among anisotropic plasma dry etching devices having cassette-to-cassette functions and load lock functions or devices designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that fall under the following 1. and 2.:
(一) パターンを形成する線の最小線幅が六五ナノメートル以下の回路を実現することができるもの
1. equipment that can achieve a circuit of which the minimum line width of a line producing a pattern is 65 nanometers or less;
(二) ウエハーの外縁から二ミリメート以下の範囲を除外したウエハーの表面におけるパターンを形成する線の最小線幅の不均一性が三シグマの分布において、一〇パーセント以下の範囲に収まるようにウエハーを加工することができるもの
2. equipment that can process a wafer to fit within the range of less than 10 % where the non-uniformity of the minimum line width of a line producing a pattern on the surface of the wafer, excluding the area 2 millimeters or less from the outside edge of the wafer, is 3 sigma distribution;
ニ 削除
(d) deleted;
ホ 自動的にウエハーの装填を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(e) automatic loading multi-chamber central wafer handling systems that fall under the following 1. and 2.:
(一) イ、ロ又はハのいずれかに該当する半導体製造装置であってそれぞれ異なるものを三台以上接続することができるように設計したウエハーの出し入れ用の接続部を有するもの(異なる機能を有するものを接続することができるものに限る。)
1. semiconductor manufacturing equipment that falls under any of (a), (b) and (c) with wafer input and output designed to be capable of connecting 3 or more different units of semiconductor manufacturing equipment (limited to those capable of connecting semiconductor manufacturing equipment with different functions);
(二) 複数のウエハーの処理を順次行うために真空状態で一体化された装置を構成するように設計したもの
2. equipment designed to form an integrated system in a vacuum environment for consecutive multiple wafer processing;
ヘ リソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
(f) lithography equipment that falls under any of the following:
(一) ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. step and repeat method or step and scan method align and expose equipment for wafer processing using photo-optical or x-ray methods, which falls under any of the following:
1 光源の波長が二四五ナノメートル未満のもの
i. equipment with a light source wavelength shorter than 245 nanometers;
2 ナノメートルで表した光源の波長に〇・三五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が九五以下のもの
ii. equipment for which the value obtained by multiplying the exposure light source wavelength expressed in nanometers by 0.35, then dividing that value by the numerical aperture is 95 or less;
(二) インプリントリソグラフィ装置であって、九五ナノメートル以下の線幅を実現することができるもの
2. imprint lithography equipment capable of producing a line width of 95 nanometers or less;
(三) マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した直接描画方式の装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
3. direct writing equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following:
1 照射面の直径が〇・二マイクロメートル未満のもの
i. equipment with an irradiated area having a diameter of less than 0.2 micrometers;
2 一マイクロメートル未満の線幅のパターンを焼き付けることができるもの
ii. equipment that can burn a pattern with a line width of less than 1 micrometer;
3 重ね合わせ精度の絶対値が〇・二マイクロメートル未満のもの
iii. equipment with an overlay precision absolute value of less than 0.2 micrometers;
ト マスク又はレチクルであって、第一号から第八号の三までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
(g) masks and reticles used to manufacture integrated circuits that fall under any of item (i) through item (viii)-3;
チ 位相シフト膜を有する多層マスクであって、次のいずれかに該当するもの(トに該当するもの及び第一号から第八号の三までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。)
(h) multilayer masks with a phase shift layer that fall under any of the following (excluding those which fall under (g) and those designed to manufacture storage elements that do not fall under any of item (i) through item (viii)-3):
(一) 複屈折率が七ナノメートル毎センチメートル未満のガラスを用いたマスク基板材料から製造されたもの
1. those manufactured from mask substrate materials using glass with a birefringence ratio of less than 7 nanometers per centimeter;
(二) 光源の波長が二四五ナノメートル未満のリソグラフィ装置に用いるために設計したもの
2. those designed to be used in lithography equipment with a light source wavelength shorter than 245 nanometers;
リ インプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の三までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
(i) imprint lithography templates for manufacturing integrated circuits that fall under any of items (i) through (viii)-3;
ヌ 試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
(j) among test equipment for testing semiconductor devices or integrated circuits or those semi-finished products, those that fall under any of the following:
(一) 三一・八ギガヘルツを超える周波数でトランジスタのエスパラメータを試験することができるように設計したもの
1. test equipment designed for testing S-parameters of transistors at frequencies exceeding 31.8 gigahertz;
(二) 削除
2. deleted;
(三) 第二号ハに該当するマイクロ波用集積回路の試験を行うことができるように設計したもの
3. test Equipment designed for testing microwave integrated circuits that fall under item (ii), (c);
十八 次のいずれかに該当するものの多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板
(xviii) substrates having multiple layers consisting of heteroepitaxial growth crystals that fall under any of the following:
イ シリコン
(a) silicon;
ロ ゲルマニウム
(b) germanium;
ハ 炭化けい素
(c) silicon carbide;
ニ III―V族化合物(ガリウム又はインジウムの化合物に限る。)
(d) III-V compounds (limited to gallium or indium compounds);
十九 レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
(xix) resists that fall under any of the following or the substrates to which they have been applied:
イ 半導体用のリソグラフィに使用するレジストであって、次のいずれかに該当するもの
(a) resists used in semiconductor lithography that fall under any of the following:
(一) 一五ナノメートル以上二四五ナノメートル未満の波長の光で使用することができるように設計したポジ型レジスト
1. positive resists that are designed for use at a light wavelength of 15 nanometers or more and less than 245 nanometers;
(二) 一ナノメートル超一五ナノメートル未満の波長の光で使用することができるように設計したレジスト
2. resists that are designed for use at a light wavelength of 1 nanometer or more and less than 15 nanometers;
ロ 電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの
(b) resists that are designed for use in electron beams or ion beams and have a sensitivity of 0.01 microcoloumbs per square millimeter or less;
ハ 削除
(c) deleted;
ニ 表面イメージ技術用に最適化したレジスト
(d) resists optimized for surface image technology;
ホ 第十七号ヘ(二)に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの
(e) resists designed or optimized for use in imprint lithography equipment falling under item (xvii), (f), 2, which are thermoplastic or photocrosslinkable;
二十 有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
(xx) organic metallic compounds or organic compounds that fall under any of the following:
イ アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
(a) aluminum, gallium or indium organic compounds with a purity exceeding 99.999%;
ロ 燐、砒素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
(b) phosphorus, arsenic or antimony organic compounds with a purity exceeding 99.999%;
二十一 燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの(二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。)
(xxi) phosphorus, arsenic or antimony hydrides with a purity exceeding 99.999% (excluding those that contain inert gasses of 20 mole percent or less, or hydrogen);
二十二 炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの半導体基板(炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの半導体基板であって、これらの物質のエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するものを含む。)又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの
(xxii) semiconductor substrates of silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride or aluminum gallium nitride (including semiconductor substrates of silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride or aluminum gallium nitride having at least more than one epitaxial layer of those substances), or ingots, boules or other preforms, with an electrical resistivity exceeding 10,000 ohm-centimeters at a temperature of 20 degrees centigrade.
第七条 輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 7 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 8 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 電子計算機若しくはその附属装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品
(i) computers or electronic assemblies thereof that fall under any of the following, or the components thereof:
イ 八五度を超える温度又は零下四五度より低い温度で使用することができるように設計したもの
(a) electronic computers or electronic assemblies thereof designed for use at temperatures exceeding 85 degrees centigrade or below -45 degrees centigrade;
ロ 放射線による影響を防止するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
(b) electronic computers or electronic assemblies thereof designed to prevent the impact of radiation and that fall under any of the following:
(一) 全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えられるように設計したもの
1. electronic computers or electronic assemblies thereof designed to withstand atomic radiation with a total absorbed dose exceeding 5,000 grays on a silicon conversion basis;
(二) 吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射により障害を発生しないように設計したもの
2. electronic computers or electronic assemblies thereof designed not to malfunction from an absorbed dose of atomic radiation exceeding 5 million grays per second on a silicon conversion basis;
(三) 単事象障害によるエラー率が一日当たり一億分の一毎ビット未満となるように設計したもの
3. electronic computers or electronic assemblies thereof designed for a rate of error of less than 1/100 million per 1 bit per day from a single event error;
二 削除
(ii) deleted;
三 デジタル電子計算機、その附属装置若しくはデジタル電子計算機の機能を向上するように設計した部分品であって、次のイからチまでのいずれかに該当するもの又はこれらの部分品(次のリからルまでのいずれかに該当するもの及びこれらの部分品を除く。)
(iii) digital computers, electronic assemblies thereof or components designed to improve the functions of digital electronic computers that fall under any of the following (a) to (h), or the component thereof (excluding those and components thereof that fall under any of the following (i) through (k)):
イ 削除
(a) deleted;
ロ 削除
(b) deleted;
ハ デジタル電子計算機であって、加重最高性能が八・〇実効テラ演算を超えるもの
(c) digital computers with Adjusted Peak Performance exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS;
ニ 削除
(d) deleted;
ホ デジタル電子計算機の機能を向上するように設計した部分品であって、計算要素を集合させることにより、加重最高性能が八・〇実効テラ演算を超えるもの
(e) components designed to improve digital computer functions with Adjusted Peak Performance exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS;
ヘ 削除
(f) deleted;
ト デジタル電子計算機の附属装置であって、前条第一号ホ(一)に規定する機能を有するもの
(g) digital computer assemblies with functions that fall under item (i), (e), 1. of the preceding Article;
チ デジタル電子計算機の演算処理の能力を向上させるために複数のデジタル計算機の間でデータを転送するように設計した、デジタル電子計算機の附属装置であって、転送されるデータの転送速度が二・〇ギガバイト毎秒を超えるもの
(h) digital computer assemblies designed to transfer data between two or more digital computers with the purpose of improving the arithmetic processing capacity of digital computers, with a transfer rate of the data to be transferred exceeding 2.0 gigabytes per second;
リ 他の装置に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもののうち、当該装置の主要な要素でないもの
(i) among devices that are embedded in other equipment and that are indispensable to the operation of the equipment, those that are not key elements of the equipment;
ヌ 他の装置に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもののうち、その機能が当該装置の信号処理又は画像強調に限定されているもの
(j) among devices that are embedded in other equipment and that are indispensable to the operation, those the functions of which are limited to signal processing or image enhancement of that equipment;
ル 輸出令別表第一の九の項(一)から(三)まで又は(五)から(五の五)までに掲げる貨物に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもの
(k) devices embedded in goods listed in row 9 (i) to (iii), or (v) to (v)-5 of the appended table 1 of the Export Order and that are indispensable to the operation of those devices;
四 電子計算機であって、次のいずれかに該当するもの又はその附属装置若しくは部分品
(iv) computers that fall under any of the following, or the electronic assemblies or components thereof:
イ シストリックアレイコンピュータ
(a) systolic array computers;
ロ ニューラルコンピュータ
(b) neural computers;
ハ 光コンピュータ
(c) optical computers;
五 電子計算機若しくはその附属装置又はこれらの部分品であって、侵入プログラムの作成、操作若しくは配信又は当該プログラムとの通信を行うように設計若しくは改造されたもの
(v) computers, or the electronic assemblies or components thereof, which are designed or modified to produce, operate, or distribute intrusion programs, or communicate with such programs.
第八条 輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 8 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 9 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 伝送通信装置、電子式交換装置、通信用の光ファイバー、フェーズドアレーアンテナ、監視用の方向探知機、無線通信傍受装置、通信妨害装置、無線通信傍受装置若しくは通信妨害装置の作動を監視する装置、電波その他の電磁波を発信することなく、電波その他の電磁波の干渉を観測することにより位置を探知することができる装置又はインターネットを利用する方法による通信の内容を監視するための装置であって、次のいずれかに該当するもの
(i) telecommunication transmission equipment, electronic changers, telecommunication optical fibers, phased array antennas, radio direction finding equipment for monitoring use, radio communication interception equipment, communication jamming equipment, equipment monitoring operation of radio communication interception equipment or communication jamming equipment, equipment capable of detecting the position of objects by observing the interference of radio waves or other electromagnetic waves, without transmitting radio waves or other electromagnetic waves, or equipment monitoring communication by the method of using the Internet, which fall under any of the following:
イ 核爆発による過渡的な電子的効果又はパルスによる影響を防止することができるように設計したもの
(a) equipment which is designed to be able to guard against transient electronic influence or pulses due to nuclear explosions;
ロ ガンマ線、中性子線又は重荷電粒子線による影響を防止することができるように設計したもの(人工衛星に搭載するように設計したものを除く。)
(b) equipment which is designed to prevent the effect of gamma rays, neutron beams or heavy electric particle rays (excluding equipment designed for mounting on satellites);
ハ 一二四度を超える温度又は零下五五度より低い温度で使用することができるように設計したものであって、電子回路を有するもの(人工衛星に搭載するように設計したものを除く。)
(c) equipment which is designed for use at temperatures exceeding 124 degrees centigrade or at temperatures lower than -55 degrees centigrade and having electronic circuits (excluding those designed for mounting on satellites);
二 伝送通信装置又はその部分品若しくは附属品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii) telecommunication transmission equipment, or components thereof or accessories that fall under any of the following:
イ 無線送信機又は無線受信機であって、次のいずれかに該当するもの
(a) radio transmitters or radio receivers that fall under any of the following:
(一) 一・五メガヘルツ以上八七・五メガヘルツ以下の周波数範囲で使用することができるものであって、次の1及び2に該当するもの
1. telecommunication transmission equipment which can be used within a frequency range of 1.5 megahertz or more and 87.5 megahertz or less that fall under the following i. and ii.:
1 最適送信周波数及び一チャネル当たりの最適総合伝送速度を自動的に予測及び選択することができるもの
i. telecommunication transmission equipment which is capable of automatically measuring and selecting the optimum transmission frequency and the optimum general transfer rate per channel;
2 次の一から四までのすべてに該当する線形増幅器を用いたもの
ii. telecommunication transmission equipment which uses linear amplifiers that falls under all of the following a. through d.:
一 二つ以上の信号を同時に増幅することができるもの
a. telecommunication transmission equipment which are capable of amplifying two or more signals simultaneously;
二 一・五メガヘルツ以上三〇メガヘルツ未満の周波数範囲においては一キロワット以上の出力、三〇メガヘルツ以上八七・五メガヘルツ以下の周波数範囲においては二五〇ワット以上の出力特性を有するもの
b. telecommunication transmission equipment having output characteristics of at least 1 kilowatts within a frequency range of 1.5 megahertz or more and less than 30 megahertz, and of at least 250 watts within a frequency range of 30 megahertz or more and 87.5 megahertz or less;
三 一オクターブ以上の瞬時帯域幅を有するもの
c. telecommunication transmission equipment having an instantaneous bandwidth of 1 octave or more;
四 信号波に対する高調波又は歪成分の比がマイナス八〇デシベル未満のもの
d. telecommunication transmission equipment for which the high frequency or distortion component ratio relative to signal waves is less than - 80 decibels;
(二) スペクトル拡散(周波数ホッピングを含む。)技術を用いたものであって、次のいずれかに該当するもの((三)に該当するもの又は出力が一・〇ワット以下のものを除く。)
2. telecommunication transmission equipment which uses spread spectrum (including frequency hopping) and which fall under any of the following (excluding those falling under 3. or with an output of 1.0 watts or less):
1 使用者によって拡散符号の書換えができるもの
i. telecommunication transmission equipment in which diffusion code is capable of being rewritten by the user;
2 送信帯域幅が情報チャネルの帯域幅の一〇〇倍以上であり、かつ、五〇キロヘルツを超えるもの(民生用のセルラー無線通信に使用するように設計したもの又は商用民生通信の固定若しくは移動の衛星通信地球局に使用するように設計したものを除く。)
ii. telecommunication transmission equipment having a transmission bandwidth of 100 times or more the bandwidth of the information channel and exceeding 50 kilohertz (excluding those designed to be used for public cellular radio communication, or fixed or mobile satellite communication earth stations for commercial public communication);
(三) ウルトラワイドバンド変調技術を用いたものであって、使用者によってチャンネル符号、スクランブル符号又はネットワーク認識符号の書換えができるもののうち、次のいずれかに該当するもの
3. telecommunication transmission equipment which uses ultra wideband modulation techniques having channelizing codes, scrambling codes or network identification codes that are capable of being rewritten by the user, and which falls under any of the following:
1 帯域幅が五〇〇メガヘルツを超えるもの
i. telecommunication transmission equipment with a bandwidth exceeding 500 megahertz;
2 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が二〇パーセント以上のもの
ii. telecommunication transmission equipment for which the value obtained by dividing the instantaneous bandwidth by the center frequency is 20 % or more;
ロ デジタル信号処理機能を有するものであって、音声帯域圧縮技術を用いたもののうち、符号化速度が二、四〇〇ビット毎秒未満のもの
(b) among telecommunication transmission equipment having a digital signal processing function that uses voice band compression technology, those with a coding speed of less than 2,400 bits per second;
ハ 水中で使用することができるように設計した通信装置であって、次のいずれかに該当するもの(有線で結ばれていないものに限る。)
(c) communication equipment designed for use under water that falls under any of the following (limited to those not wired):
(一) 音波(超音波を含む。)を利用したものであって、搬送周波数が二〇キロヘルツ未満又は六〇キロヘルツを超えるもの
1. communication equipment which utilizes acoustic waves (including ultrasound) having a carrier frequency of less than 20 kilohertz or exceeding 60 kilohertz;
(二) 電磁波を利用したものであって、搬送周波数が三〇キロヘルツ未満のもの
2. communication equipment which utilizes electromagnetic waves and has a carrier frequency of less than 30 kilohertz;
(三) 電子的にビームを走査する機能を有するもの
3. communication equipment having a function whereby beams are scanned electronically;
(四) レーザー発振器又は発光ダイオードを使用したものであって、これらの出力波長が四〇〇ナノメートル超七〇〇ナノメートル未満であり、かつ、ローカルエリアネットワークにおいて用いられるもの
4. communication equipment using laser oscillators or light emitted diode[s] of which the output wavelength is exceeding 400 nanometers and 700 nanometers or less, and which is used in local area networks;
三 削除
(iii) deleted;
四 通信用の光ファイバーであって、長さが五〇〇メートルを超えるもののうち、引張強さが二ギガニュートン毎平方メートル以上のもの
(iv) among Communication optical fibers with a length exceeding 500 meters, those that have a tensile strength of 2 giganewtons per square meter or more;
五 電子的に走査が可能なフェーズドアレーアンテナであって、三一・八ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの(国際民間航空機関の標準に準拠したマイクロ波着陸システム(MLS)用のものを除く。)
(v) phased array antennas which are capable of being scanned electronically and which are designed for use at frequencies exceeding 31.8 gigahertz (excluding those used for microwave land systems (MLS) based on international civil aviation standards);
五の二 動作周波数が三〇メガヘルツを超える監視用の方向探知機であって、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品
(v)-2 radio direction finding equipment for monitoring with an operating frequency exceeding 30 megahertz that falls under the following (a) and (b), or components thereof:
イ 一〇メガヘルツ以上の瞬時帯域幅を有するもの
(a) radio direction finding equipment having an instantaneous bandwidth of 10 megahertz or more;
ロ 一ミリ秒未満の信号時間で、連携していない無線送信機に対する方位線を見つけることができるもの
(b) radio direction finding equipment which is capable of finding a line of bearing to non-cooperating radio transmitters with a signal duration of less than 1 millisecond;
五の三 無線通信傍受装置若しくは通信妨害装置若しくはこれらの作動を監視する装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品
(v)-3 radio communication interception equipment or communication jamming equipment, or equipment monitoring operation of such equipment that falls under any of the following, or components thereof:
イ 無線通信により送信される音声又はデータを抽出するように設計された無線通信傍受装置
(a) radio communication interception equipment designed to extract voice or data transmitted through wireless communication;
ロ 無線通信により送信される移動体通信機器又は加入者を特定するために必要な識別情報、制御信号、他のメタデータを抽出するように設計された無線通信傍受装置
(b) radio communication interception equipment designed to extract identification information, control signals, or other metadata that are transmitted through wireless communication and needed to identify mobile communication devices or subscribers;
ハ 移動体通信に意図的かつ選択的に干渉し、若しくはこれを意図的かつ選択的に阻害し、途絶させ、減退させ、若しくは誘引するように設計した通信妨害装置のうち、次のいずれかに該当するもの
(c) communication jamming equipment designed to intentionally and selectively interfere with or intentionally or selectively inhibit, block, reduce, or induce mobile telecommunications that falls under any of the following:
(一) 無線アクセスネットワークの機能を装うもの
1. communication jamming equipment simulating the functions of radio access network equipment;
(二) 使用されている移動体通信プロトコルを探知し、かつ、これを利用するもの
2. communication jamming equipment detecting and exploiting the mobile telecommunications protocol employed;
(三) 使用されている移動体通信プロトコルを利用するもの((二)に該当するものを除く。)
3. communication jamming equipment exploiting the mobile telecommunications protocol employed (excluding that which falls under 2.);
ニ イからハまでのいずれかに該当する装置の作動を監視するために設計された装置
(d) equipment designed to monitor operation of equipment that falls under any of (a) through (c);
五の四 電波その他の電磁波を発信することなく、電波その他の電磁波の干渉を観測することにより位置を探知することができる装置であって、非レーダー発信機により周囲に発信された無線周波数放射の反射を測定することにより移動している目標物を探知し、及び追跡するように設計したもの
(v)-4 equipment capable of detecting the position of objects by observing the interference of radio waves or other electromagnetic waves, without transmitting radio waves or other electromagnetic waves, and which is designed to detect and track moving objects by measuring the reflections of ambient radio frequency emissions transmitted by non-radar transmitters;
五の五 インターネットを利用する方法による通信の内容を監視するための装置又はその部分品であって、次のイ及びロに該当するもの(マーケティング活動、ネットワークのサービス品質管理又は利用者の体感品質管理のために設計された装置を除く。)
(v)-5 equipment monitoring communication by the method of using the Internet or components thereof that fall under the following (a) and (b) (excluding equipment designed for marketing activity, quality management of network services, or quality management of user experience):
イ キャリアクラスのIPネットワーク上で次の(一)から(三)までの全ての機能を実現するもの
(a) equipment that realizes all functions from the following 1. through 3. on carrier-class IP networks:
(一) アプリケーション層の分析
1. analysis of the application layer;
(二) 選択されたメタデータ及びアプリケーションの内容の抽出
2. extraction of selected metadata and contents of applications;
(三) 抽出したデータの指標付け
3. indexing of extracted data;
ロ 次の(一)及び(二)を実行するために設計したもの
(b) equipment designed to execute the following 1. and 2.:
(一) ハードセレクターに基づく検索
1. retrieval based on hard selector;
(二) 特定の個人又は集団の関係の解析
2. analysis of relationship between specific individuals or groups;
六 第二号イ(二)、第十四条第五号若しくは第五号の二に該当する貨物の設計用の装置、製造用の装置、測定装置若しくは試験装置又はこれらの部分品若しくは附属品
(vi) equipment for the design, manufacture, measurement, or testing of goods that fall under item (ii), (a), 2., Article 14, item (v) or item (v)-2, or components or accessories thereof;
七 前号に掲げるもののほか、第一号、第二号、第四号若しくは第五号から第五号の五までのいずれかに該当する貨物の設計用の装置、製造用の装置、測定装置若しくは試験装置(光ファイバーの試験装置及び測定装置を除く。)又はこれらの部分品若しくは附属品
(vii) beyond what is listed in the preceding item, equipment for the design, manufacture, measurement, or testing of goods (excluding optical fiber testing equipment and measuring equipment) that fall under any of item (i), item (ii), item (iv), or item (v) through (v)-5, or components or accessories thereof;
八 削除
(viii) deleted;
八の二 次のいずれかに該当する伝送通信装置若しくは電子式交換装置の設計用の装置又はその部分品若しくは附属品(第六号に該当するものを除く。)
(viii)-2 equipment for the design of telecommunication transmission equipment or electronic changers that falls under any of the following, or components or accessories thereof (excluding those that fall under item (vi)):
イ レーザー発振器を用いたものであって、次のいずれかに該当するもの
(a) equipment using laser oscillators that falls under any of the following:
(一) 一、七五〇ナノメートルを超える波長のレーザー光を利用するもの
1. laser oscillators which utilize laser light having a wavelength of more than 1,750 nanometers;
(二) レーザー光を増幅する機能を有するものであって、プラセオジムを添加したふっ化物を用いた光ファイバーを用いたもの
2. laser oscillators having a function for amplifying laser light that use optical fibers of praseodymium-doped fluorides;
(三) コヒーレント伝送方式を用いたもの
3. laser oscillators which use a coherent transmission system;
(四) アナログ伝送方式を用いたものであって、帯域幅が二・五ギガヘルツを超えるもの(テレビジョン放送(有線テレビジョン放送を含む。)用の装置を除く。)
4. laser oscillators which use an analog transmission system with a bandwidth exceeding 2.5 gigahertz (excluding television broadcasts (including CATV broadcasts));
ロ 無線送信機又は無線受信機であって、二五六値を超える直交振幅変調技術を用いたもの
(b) radio transmitters or radio receivers which use quadrature amplitude modulation technology exceeding 256;
九 暗号装置又は暗号機能を有する電子組立品、モジュール若しくは集積回路であって、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(次のヘからレまでのいずれか又は第三条第十九号ハ(二)2又は第十条第五号イに該当するものを除く。)又はこれらの部分品(暗号機能を実現するために設計した部分品に限る。)
(ix) cryptographic equipment or electronic assemblies, modules or integrated circuits having cryptographic functionality, which fall under any of the following (a) through (e) (excluding those falling under the following (f) through (q), Article 3, item (xix), (c),2. ii. or Article 10, item (v), (a)) or components thereof (limited to components designed to realize cryptographic functions):
イ デジタル方式の暗号処理技術を用い、認証、デジタル署名又は複製することを防止されたプログラムの実行のため以外の暗号機能を有するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
(a) those which are designed to use cryptography employing digital techniques performing any cryptographic function other than authentication, digital signature, or execution of programs whose reproduction is prevented, and which fall under any of the following:
(一) 対称アルゴリズムを用いたものであって、アルゴリズムの鍵の長さが五六ビットを超えるもの(奇偶検査のため付加されるパリティビットを除く。)
1. those which use a symmetric algorithm employing a key-length in excess of 56 bits (excluding parity bits added for odd-even testing);
(二) 非対称アルゴリズムを用いたものであって、アルゴリズムの安全性が次のいずれかの有する困難性に基づくもの
2. those which use an asymmetric algorithm where the security of the algorithm is based on the difficulty of any of the following:
1 五一二ビットを超える整数の素因数分解
i. factorization of integers in excess of 512 bits;
2 有限体上の乗法群における五一二ビットを超える離散対数の計算
ii. computation of discrete logarithms in a multiplicative group of a finite field of size greater than 512 bits;
3 2に規定するもの以外の群における一一二ビットを超える離散対数の計算
iii. computation of discrete logarithms in a group other than those mentioned in ii. in excess of 112 bits;
ロ 暗号解析を行うように設計したもの
(b) those which are designed for performing cryptanalytic functions;
ハ スペクトル拡散のための拡散符号の生成(周波数ホッピングのためのホッピング符号の生成を含む。)に暗号処理技術を用いるように設計したもの(ニに該当するものを除く。)
(c) those which are designed to use cryptographic techniques to generate the spreading code for spread spectrum (including the generation of the hopping code for frequency hopping systems) (excluding those that fall under (d));
ニ 次のいずれかに該当するウルトラワイドバンド変調技術のためのチャンネル符号、スクランブル符号又はネットワーク認識符号の生成に暗号処理技術を用いるように設計したもの
(d) those which are designed to use cryptographic techniques to generate channelizing codes, scrambling codes or network identification codes for systems using ultra-wideband modulation techniques, which fall under any of the following:
(一) 帯域幅が五〇〇メガヘルツを超えるもの
1. those whose bandwidth exceeds 500 MHz;
(二) 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が二〇パーセント以上のもの
2. those for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency is 20% or more;
ホ 量子暗号を用いるように設計したもの
(e) those which are designed to use quantum cryptography;
ヘ 暗号機能を有するスマートカード又はそのリーダライタであって、次のいずれかに該当するもの
(f) smart cards or smart card readers/writers having a cryptographic functionality, and that fall under any of the following:
(一) スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの
1. smart cards that fall under any of the following:
1 トからカまで又はレのいずれかに該当する装置に限定されて使用するものであって、他の用途のためにプログラムの書き換えを行うことができないもの
i. smart cards which are restricted for use in any of the equipment that falls under the following (g) to (n), or (q), and whose programs cannot be rewritten for other usage;
2 個人情報(生存する個人に関する情報であって、当該情報に含まれる氏名、生年月日その他の記述等により特定個人を識別することができるもの(他の情報と容易に照合させることができ、それにより特定の個人を識別することができることとなるものを含む。)をいう。以下同じ。)に係る情報が記録され、又は記録されるように設計したものであって、次の一から三までのすべてに該当するもの
ii. smart cards recording or designed for recording information pertaining to personal information (meaning information about a living individual which can identify the specific individual by name, date of birth or other description contained in such information (including such information as will allow easy reference to other information and will thereby enable the identification of the specific individual); the same applies hereinafter)), and that falling under all of the following a. through c.:
一 暗号機能を専ら当該スマートカードに記録された個人情報の保護のためにのみ使用するもの
a. smart cards whose cryptographic functionality is exclusively used for the protection of personal information recorded in the relevant smart card;
二 専ら公共施設若しくは商業施設において使用し、又は当該スマートカードに記録された個人情報に係る情報の認証のために使用するもの
b. smart cards used exclusively at public facilities or commercial facilities, or for certification of information pertaining to the personal information recorded in the relevant smart card;
三 当該スマートカードを使用する者が当該スマートカードの有する暗号機能を変更することができないもの
c. smart cards whose cryptographic functionality cannot be changed by the user of the relevant equipment;
(二) リーダライタであって、専ら(一)に該当するスマートカードに記録された個人情報に係る情報を読み取り、又は当該スマートカードに個人情報に係る情報を記録するように設計したもの(電気通信回線を通じて読み取り、又は記録するものを含む。)
2. readers/ writers designed exclusively for reading the information pertaining to the personal information recorded in the smart card falling under 1., or for recording the information pertaining to the personal information on the relevant smart card (including those that read or record through a telecommunications line);
ト 削除
(g) deleted;
チ 削除
(h) deleted;
リ 暗号装置又は暗号機能を有する電子組立品、モジュール若しくは集積回路であって、銀行業務又は決済に使用するように設計したもの
(i) cryptographic equipment or electronic assemblies, modules or integrated circuits having a cryptographic functionality, which are designed for banking use or settlement transactions;
ヌ 民生用の携帯用電話機端末(携帯回線網用の電話その他の無線回線網用の電話をいう。以下ヲにおいて同じ。)又は移動用電話機端末(専ら自動車その他の移動体において使用するように設計したものをいう。以下ヲにおいて同じ。)であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(j) portable radiotelephones (meaning telephones for mobile phone networks and other phones for wireless networks; hereinafter the same applies in (l)) or mobile radiotelephones (those exclusively designed for use in automobiles and other mobile bodies; hereinafter the same applies in (l)) for civil use, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 他の電話機端末その他の装置(無線アクセスネットワーク装置を除く。)に暗号化されたデータを直接送信することができないもの
1. those which cannot directly transmit encrypted data to other radiotelephones or other equipment (excluding radio access network equipment);
(二) 無線ネットワーク制御装置、基地局制御装置その他の無線アクセスネットワーク装置を経由して暗号化されたデータを伝達することができないもの
2. those which cannot convey encrypted data through a radio network controller, base station controller or other radio access network equipment;
ル コードレス電話機端末間での暗号化機能を有しないコードレス電話装置であって、コードレス電話機端末と家庭内基地局の間に無線中継器がない場合の一無線区間での電波到達最長実効距離が四〇〇メートル未満のもの
(k) cordless telephone equipment not capable of end-to-end encryption where the maximum effective range of unboosted cordless operation is less than 400 meters in a single, unrelayed hop between terminal and home base station;
ヲ 民生用の携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線機端末であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもののうち、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもの(暗号機能を変更していないものに限る。)
(l) among portable or mobile radiotelephones for civil use or other radiotelephones equivalent thereto that fall under all of the following 1. through 3., those whose designs have been customized for a specific civil industry use (limited to those whose cryptographic functionality has not been customized):
(一) 既に公開又は市販されている暗号標準(無断の複製を防止するためのものであって、公開されていないものを含む。)に準拠したもの
1. those based on cryptographic standards (including those for the prevention of unauthorized reproduction and which have not been published) which have already been published or sold;
(二) 暗号機能が使用者によって変更できないもの
2. those whose cryptographic functionality cannot be changed by the user;
(三) 使用に際して供給者又は販売店の技術支援が不要であるように設計されているもの
3. those designed for use without technical support by the supplier or sales agency;
ワ 民生用に設計された移動体通信用の無線アクセスネットワーク装置であって、タ(一)2及び3に該当するもののうち、無線周波数の出力が〇・一ワット(二〇ディービーエム)以下で、かつ、同時に接続できるデバイスが十六以下のもの
(m) among radio access network equipment for mobile telecommunications designed for civil use which falls under (p), 1., ii. and iii., that with a radio frequency output of 0.1 watts (20 dBm) or less, and capable of being simultaneously connected with 16 devices or fewer;
カ 無線パーソナルエリアネットワークに用いられる装置であって、公開され、若しくは市販されている暗号標準を用いるもののうち、当該暗号標準に係る暗号機能を使用して通信を行うことができる範囲が三〇メートルを超えない範囲に限定されているもの又は八以上のデバイスに相互接続することができないものであって、当該暗号標準に係る暗号機能を使用して通信を行うことができる範囲が一〇〇メートルを超えない範囲に限定されているもの
(n) among wireless personal area network equipment that implements published or commercial cryptographic standards, that whose range in which communications using cryptographic functionality pertaining to the relevant cryptographic standards can be conducted is limited to a range not exceeding 30 meters, or that which is not capable of being mutually connected with 8 devices or more whose range in which communications using cryptographic functionality pertaining to the relevant cryptographic standards can be conducted is limited to a range not exceeding 100 meters;
ヨ 第九号ロ又は第十号から第十二号までのいずれかに該当する機能を有していない装置であって、第九号イ又はハからホまでのいずれかに該当する暗号機能全てについて、次のいずれかに該当するもの
(o) equipment which does not have the functions falling under any of item (ix), (b) or items (x) through (xii), and that falls under any of the following in regard to all of the cryptographic functionality falling under any of (a), or (c) through (e) of item (ix):
(一) 当該暗号機能を使用することができないもの
1. equipment which cannot use the relevant cryptographic functionality;
(二) 当該暗号機能が、暗号機能有効化の手段によってのみ使用可能となるもの(既に暗号機能有効化がなされたものを除く。)
2. equipment where the relevant cryptographic functionality becomes usable only by means of validation of the cryptographic functionality (excluding that for which the cryptographic functionality has already been validated);
タ 本号から第十二号までに掲げるものであって、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(該当することが貨物の製造者、販売者又は輸出者によって書面により確認できるものに限る。)(次号から第十二号までにおいて「市販暗号装置」という。)
(p) those listed in this item through item (xii) which fall under the following 1. or 2. (limited to those which can be confirmed as falling under by the manufacturer, seller, or exporter thereof in writing) (referred to as "commercial cryptographic equipment" in the next item through item (xii)):
(一) 次の1から3までの全てに該当するもの
1. those that fall under all of the following i. through iii.:
1 購入に際して何らの制限を受けず、店頭において又は郵便、民間事業者による信書の送達に関する法律(平成十四年法律第九十九号)第二条第六項に規定する一般信書便事業者若しくは同条第九項に規定する特定信書便事業者による同条第二項に規定する信書便若しくは公衆電気通信回線に接続した入出力装置(電話を含む。)による注文により、販売店の在庫から販売されるもの
i. those that can be purchased with no restrictions and are sold in stores, or from the inventory of stores by placing orders by mail, by letter prescribed in Article 2, paragraph (2) of the Act on the Service of Letters by Private Business Operators (Act No. 99 of 2002) by a general letter services operator prescribed in paragraph (6) of the same Article or a specified letter service operator prescribed in paragraph (9) of the same Article, or through input-output equipment connected to public telecommunication lines (including telephone);
2 当該貨物の有する暗号機能を当該貨物を使用する者によって変更できないもの
ii. those whose cryptographic functionality cannot be changed by the user of the goods;
3 当該貨物の有する暗号機能の使用に際して当該貨物の供給者又は販売店による技術支援の必要がないもの
iii. those whose cryptographic function can be used without technical support by the supplier or sales agency of the goods;
(二) (一)に該当する貨物のために設計された部分品であって、次の1から3までの全てに該当するもの
2. components designed for the goods that falls under 1. which fall under all of the following i. through iii.:
1 情報システムのセキュリティ管理が当該部分品の主たる機能ではないもの
i. components whose main function is not security management of information systems;
2 (一)に該当する貨物の有する暗号機能を変更できず、かつ、当該貨物に新しい暗号機能を追加できないもの
ii. components that are neither capable of changing any cryptographic functions that the goods that fall under 1. have, nor capable of adding any new cryptographic functions thereto;
3 当該部分品の機能が固定されており、特定の使用者のために設計又は改造されていないもの
iii. components whose functions are fixed, and are not designed or modified for specific users;
レ 電子計算機又はその部分品以外のものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの(該当することが貨物の製造者、販売者又は輸出者によって書面により確認できるものに限る。)(次号から第十二号までにおいて「副次的暗号装置」という。)
(q) equipment other than computers or components thereof that falls under the following 1. and 2. (limited to the equipment that can be confirmed as falling under by the manufacturer, seller, or exporter thereof in writing) (referred to as "ancillary cryptographic equipment" in the next item through item (xii)):
(一) 当該貨物の有する主たる機能が次のいずれにも該当しないもの
1. those whose main function falls under none of the following:
1 情報システムのセキュリティ管理
i. security management of information systems;
2 情報の送信、受信又は記録及び保存(娯楽施設又は装置の有する機能であるもの、商業放送、デジタル著作権管理又は医療用の記録管理のために行われるものを除く。)
ii. sending, receiving, or recording and storing of information (excluding functions amusement facilities or equipment have, and that performed for commercial broadcasting, digital copyright management, or management of medical records);
3 有線若しくは無線回線網による電気通信回線の構築、管理又は運用
iii. construction, administration, or operation of telecommunication lines through wired or wireless networks;
(二) 当該貨物の有する暗号機能が当該貨物の主たる機能の支援のためにのみ用いられているもの
2. those whose cryptographic functions are used solely for supporting main functions of the goods;
九の二 装置、電子組立品、モジュール又は集積回路であって、これらを用いることによってのみ、ある貨物又はあるプログラムが第九号若しくは第十号から第十二号までのいずれかに該当する貨物の有する機能に到達し、若しくはこれを超えることを可能にするように設計又は改造したもの(市販暗号装置又は副次的暗号装置を除く。)
(ix)-2 equipment, electronic assemblies, modules or integrated circuits, designed or modified to enable goods or programs to attain or exceed functions held by the goods that fall under any of item (ix), or items (x) through (xii), only through the use thereof (excluding commercial cryptographic equipment or ancillary cryptographic equipment);
十 情報を伝達する信号の漏えいを防止するように設計した装置(電磁波の放射による人体への危害若しくは他の装置の誤動作の誘発を防止することを目的として信号の漏えいを防止するように設計したもの、電磁波妨害防止標準に基づいて信号の漏えいを防止するように設計したもの、市販暗号装置又は副次的暗号装置を除く。)又はその部分品(情報を伝達する信号の漏えいを防止する機能を実現するために設計した部分品に限る。)
(x) equipment designed to prevent the leakage of information transmission signals (excluding equipment designed to prevent the leakage of signals to prevent bodily harm or malfunctions of other equipment caused by radiation of electromagnetic waves, equipment designed to prevent leakage of signals based on electromagnetic wave obstruction standards, commercial cryptographic equipment, or ancillary cryptographic equipment), or components thereof (limited to components designed to realize functions to prevent leakage of signals transmitting information);
十一 秘密保護機能(当該機能を実現するために暗号を使用したものを除く。)を有する情報通信システムであって、国際規格に照らして十分な情報の保護機能を有するもの(市販暗号装置又は副次的暗号装置を除く。)又はその部分品(秘密保護機能を実現するために設計した部分品に限る。)
(xi) information and communications systems with an information security function (excluding those using cryptography to realize such a function) that have a sufficient information security function in light of the international standard (excluding commercial cryptographic equipment or ancillary cryptographic equipment), or components thereof (limited to components designed to realize the information security function);
十二 盗聴の検知機能を有する通信ケーブルシステム(市販暗号装置又は副次的暗号装置を除く。)又はその部分品(盗聴の検知機能を実現するために設計した部分品に限る。)
(xii) communication cable systems capable of detecting surreptitious intrusion (excluding commercial cryptographic equipment or ancillary cryptographic equipment), or components thereof (limited to components designed to realize the intrusion detection function);
十三 第九号から前号までのいずれかに該当する貨物の設計用の装置若しくは製造用の装置又は第九号から前号までのいずれかに該当する貨物が有する秘密保護機能(第二十一条第一項第七号又は第八号の二から第十号までのいずれかのプログラムが有するものを含む。)を評価若しくは検証するための測定装置
(xiii) equipment for the design or manufacture of goods that fall under any of item (ix) through the preceding item, or measurement equipment to evaluate or observe the information security function of the goods that fall under any of item (ix) through the preceding item (including those having any of the programs set forth in Article 21, paragraph (1), item (vii) or items (viii)-2 through (x)).
第九条 輸出令別表第一の一〇の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 9 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 10 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 音波(超音波を含む。以下この条において同じ。)を利用した水中探知装置、船舶用の位置決定装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(i) underwater acoustic equipment utilizing acoustic waves (including ultrasound; hereinafter the same applies in this Article), positioning device for vessels or components thereof which fall under any of the following:
イ 送信機能を有するもの又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの(垂直方向にのみ使用することができるものであって、プラスマイナス二〇度を超える走査機能を有していないもののうち、水深の測定、水中にある物体若しくは水底に埋もれた物体までの距離の測定又は魚群探知のみを行うもの及び音響用のビーコンであって、緊急用のもの又は水中の任意の位置に設置することができるように設計したピンガーを除く。)
(a) those having a transmission function or components thereof which fall under any of the following (excluding those used solely for ocean depth measurement, for measuring underwater objects or the distance to objects buried under water or for finding schools of fish, as well as acoustic beacons, and emergency items and pingers designed to be installed at any position under water, among those used solely for vertical direction not having a scanning function exceeding plus/minus 20 degrees):
(一) 水音波を利用した海底測深機であって、次のいずれかに該当するもの
1. bathymetric survey systems for sea bed using water acoustic waves that fall under any of the following:
1 海底の地形図を作成するための船舶用測深機であって、次の一から四までの全てに該当するもの
i. bathymetric survey systems for vessels for sea bed topographic mapping that fall under all of the following a. through d.:
一 垂直方向から二〇度を超える角度での測定ができるように設計したもの
a. bathymetric survey systems designed for measurement at angles which exceed 20 degrees from the vertical direction;
二 水面下六〇〇メートルを超える海底の地形を測定することができるように設計したもの
b. bathymetric survey systems designed to enable the measurement of sea bed topography at depths exceeding 600 meters beneath the surface of the water;
三 走査を行うときの分解能が二未満のもの
c. bathymetric survey systems with a resolution at the time of scanning of less than 2;
四 次のイからハまでに掲げる全てについて自動的に補正を行い、測深の精度を向上させるもの
d. bathymetric survey systems that automatically compensate all of the following 1 through 3 and improve sounding precision:
イ センサーの動作
1 action of sensor;
ロ 走査に用いる音波の状態
2 state of the acoustic wave used in scanning;
ハ センサーが感知する音波の速度
3 speed of acoustic wave perceived by the sensor;
2 海底の地形図を作成するための水中測深機であって、次のいずれかに該当するもの
ii. bathymetric survey systems for underwater for sea bed topographic mapping that fall under any of the following:
一 三〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したものしたものであって、走査効率が三、八〇〇を超えるもの
a. those designed or modified to operate at depths exceeding 300 meters whose scanning efficiency exceeds 3,800;
二 次のイからニまでの全てに該当するもの(一に該当するものを除く。)
b. those which fall under all of the following 1 through 4 (excluding those which fall under a.):
イ 一〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したもの
1 those designed or modified to operate at depths exceeding 100 meters;
ロ 垂直方向から二〇度を超える角度での測定ができるように設計したもの
2 those designed for measurement at angles which exceed 20 degrees from the vertical direction;
ハ 動作周波数が三五〇キロヘルツ未満のもの又はセンサーから二〇〇メートルを超える海底の地形を測定することができるように設計したもの
3 those with an operating frequency less than 350 kilohertz, or those designed to enable the measurement of sea bed topography more than 200 meters away from the sensor;
ニ 次の(一)から(三)までの全てについて自動的に補正を行い、測深の精度を向上させるもの
4 those which automatically compensate all of the following i. through iii. and improve sounding precision:
(一) センサーの動作
i. action of sensor;
(二) 走査に用いる音波の状態
ii. state of the acoustic wave used in scanning;
(三) センサーが感知する音波の速度
iii. speed of acoustic wave perceived by the sensor;
3 海底の画像を作成するために設計したサイドスキャンソナー又は合成開口ソナーであって、次の一から三までの全てに該当するもの
iii. side scan sonar or synthetic aperture sonar designed to prepare an image of the sea bed that falls under all of the following a. through c.:
一 五〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したもの
a. those designed or modified to operate at depths exceeding 500 meters;
二 進行方向の分解能が一五センチメートル未満の状態で作動することができる最大レンジで作動しているときの走査範囲が一秒あたり五七〇平方メートルを超えるもの
b. those whose scanning field exceeds 570 square meters per second when operating at the maximum range and for which the resolution in the traveling direction can be less than 15 centimeters;
三 進行方向に直交する方向の分解能が一五センチメートル未満のもの
c. those with a resolution in the direction perpendicular to the traveling direction of less than 15 centimeters;
(二) 水中探知装置であって、次のいずれかに該当するもの
2. underwater acoustic equipment which falls under any of the following:
1 送信周波数が五キロヘルツ未満のもの又は動作周波数が五キロヘルツ以上一〇キロヘルツ未満であって、音圧レベル(音源から一メートルの距離で音圧が一マイクロパスカルである場合を〇デシベルとしたときのものをいう。以下同じ。)が二二四デシベルを超えるもの
i. underwater acoustic equipment in which the transmission frequency is less than 5 kilohertz or in which the operating frequency is 5 kilohertz or more and less than 10 kilohertz, and the acoustic compression level (0 decibels when the acoustic compression is 1 micropascal at a distance of 1 meter from the source of the sound; the same applies hereinafter) of which exceeds 224 decibels;
2 動作周波数が一〇キロヘルツ以上二四キロヘルツ以下であって、音圧レベルが二二四デシベルを超えるもの
ii. underwater acoustic equipment with an operating frequency of 10 kilohertz or more and 24 kilohertz or less and with an acoustic compression level exceeding 224 decibels;
3 動作周波数が二四キロヘルツ超三〇キロヘルツ未満であって、音圧レベルが二三五デシベルを超えるもの
iii. underwater acoustic equipment, the operating frequency of which exceeds 24 kilohertz and is less than 30 kilohertz and the acoustic compression level of which exceeds 235 decibels;
4 動作周波数が一〇〇キロヘルツ未満であって、ビーム幅が一度未満の音響ビームを成形することができるもの
iv. underwater acoustic equipment, the operating frequency of which is less than 100 kilohertz and the beam width of which is capable of forming acoustic beams of less than 1 degree;
5 一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
v. underwater acoustic equipment which is designed for use at depths exceeding 1,000 meters which falls under any of the following:
一 水圧を補正することができる送受波器を有するもの
a. underwater acoustic equipment having a transducer which is capable of compensating for water pressure;
二 チタン酸ジルコン酸鉛からなる送受信用素子以外の送受信用素子を組み込んだ送受波器を有するもの
b. underwater acoustic equipment having a transducer (an echo sender and receiver) with built-in transmitting and receiving element other than sending and receiving elements made of lead zirconate titanate;
6 計測距離が五、一二〇メートルを超えるように設計したもの
vi. underwater acoustic equipment designed so that the measuring distance exceeds 5,120 meters;
(三) 水中探知装置であって、送信周波数が一〇キロヘルツ未満のもの((二)に該当するものを除く。)
3. underwater acoustic equipment with a transmission frequency of less than 10 kilohertz (excluding those falling under 2.);
(四) 音響送波器(個々に動作する圧電性物質、磁歪性を有するもの、電歪性を有するもの又は電気力若しくは液圧力の要素を組み込んだ送受波器を含む。)であって、次のいずれかに該当するもの(音波の発生装置であって、電子式のもの(垂直方向にのみ使用することができるものに限る。)又は機械式若しくは化学式のものを除く。)
4. acoustic transmitters (including transducers that incorporate piezoelectric materials, those with magnetostriction, those with electrostriction, or electric force or liquid pressure elements which independently operate) which fall under any of the following (excluding sonic water generators which are electronic (limited to those which are capable of being used only in a vertical direction) or mechanical or chemical):
1 一〇キロヘルツ未満の周波数で使用することができるものであって、瞬間的に送信した場合の音響出力密度が〇・〇一ミリワット毎平方ミリメートル毎ヘルツを超えるもの
i. acoustic transmitters which are capable of being used at frequencies of less than 10 kilohertz and the acoustic output density of which when transmitting instantaneously exceeds 0.01 milliwatts per square millimeter per hertz;
2 一〇キロヘルツ未満の周波数で使用することができるものであって、持続波を送信した場合の音響出力密度が〇・〇〇一ミリワット毎平方ミリメートル毎ヘルツを超えるもの
ii. acoustic transmitters which are capable of being used at frequencies of less than 10 kilohertz and the acoustic output density of which when transmitting continuous waves exceeds 0.001 milliwatts per square millimeter per hertz;
3 サイドローブに対するメインローブの出力比が二二デシベルを超えるもの
iii. acoustic transmitters in which the main rope output ratio to that of the side rope exceeds 22 decibels;
(五) 船舶用の位置決定装置であって、次の1及び2に該当するもの又はその部分品
5. equipment for determining the position of vessels that falls under the following i. and ii. or components thereof:
1 船舶の位置を決定するために受信する信号を発信する装置(2において「応答機」という。)を探知することができる距離が一、〇〇〇メートルを超えるもの
i. those capable of detecting equipment transmitting signals to be received to determine the position of vessels (referred to as a "transponder" in ii. below), at a distance exceeding 1,000 meters;
2 応答機から一、〇〇〇メートルの距離において信号を受信したときの位置精度の二乗平均が一〇メートル未満のもの
ii. those whose root mean square for positioning accuracy when signals are received at a distance of 1,000 meters from a transponder, is less than 10 meters;
(六) 水中において活動する人の位置を自動的に探知するために設計したソナーであって、次の1から3までの全てに該当するもののうち、音響アレーの送受信のために設計されたもの
6. among sonars designed to automatically detect the position of the person active under water that fall under all of the following i. through iii., those designed for sending and receiving acoustic arrays:
1 対象を探知することができる距離が五三〇メートルを超えるもの
i. those capable of detecting the subject at a distance exceeding 530 meters;
2 当該装置から五三〇メートルの距離における位置精度の二乗平均が一五メートル未満のもの
ii. those whose root mean square for positioning accuracy at a distance of 530 meters from the relevant equipment is less than 15 meters;
3 送信パルスの帯域幅が三キロヘルツを超えるもの
iii. those whose bandwidth of transmitted pulse exceeds 3 kilohertz;
ロ 受信機能を有するもの又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) acoustic equipment possessing a receiving function or components thereof that fall under any of the following:
(一) ハイドロホンであって、加速度による影響を補正する機能を有していないもののうち、その音圧感度(一ボルト毎マイクロパスカルである場合を〇デシベルとしたときのものをいう。以下この号において同じ。)がマイナス一八〇デシベルを超えるもの
1. among hydrophones without a function which compensates for the effects of acceleration (0 decibels with 1 volt per micropascal; hereinafter the same applies in this item), those with an acoustic compression sensitivity which exceeds minus 180 decibels;
(二) えい航ハイドロホンアレー用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関(スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。)を行うことができるもの(実時間処理できるものを除く。)
2. among signal processing equipment designed for towed hydrophone arrays and the programs of which are capable of being rewritten by the user, those which can carry out processing or correlation of the time domain or frequency domain (including spectrum analysis, digital filtering or beam formation) (excluding those which can process in real-time);
(三) えい航ハイドロホンアレー用に設計したヘディングセンサーであって、精度の絶対値が〇・五度未満のもののうち、三五メートルを超える水深で使用することができるように設計したもの又は三五メートルを超える水深で使用することができるように調整若しくは取り外しをすることができる水深測定装置を有するもの
3. among heading sensors which are designed for use in towed hydrophone arrays and having an absolute precision value of less than 0.5 degrees, those which are designed for use at depths exceeding 35 meters or those having a depth sounding device which are capable of being coordinated or removed so that heading sensors can be used at depths exceeding 35 meters;
(四) 海底用又は港湾ケーブル用のハイドロホンアレーであって、(六)の水中音波センサーを組み込んだもの
4. hydrophone arrays for ocean bottom or harbor/port cable which incorporate underwater acoustic wave sensors in 6.;
(五) 海底用又は港湾用ケーブルシステム用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関(スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。)を行うことができるもの(実時間処理できるものを除く。)
5. among signal processing equipment which are designed for sea floor or harbor cable systems and the programs of which are capable of being rewritten by the user, those which carry out processing or correlation of the time domain or the frequency domain (spectrum analysis, digital filtering or beam formation), (excluding real-time processing);
(六) 加速度計を有する水中音波センサーであって、次の全てに該当するもの(粒子速度センサー又は地中聴音器を除く。)
6. underwater acoustic wave sensors with accelerometers which fall under all of the following (excluding grain velocity sensors or underground sound detectors):
1 三軸の加速度計により構成されるもの
i. those composed of three-axis accelerometers;
2 総加速度感度が四八デシベルを超えるもの
ii. those with a total acceleration sensitivity exceeding 48 decibels;
3 三五メートルを超える水深で動作するように設計されたもの
iii. those designed to operate at depths exceeding 35 meters;
4 操作周波数が二〇キロヘルツ未満のもの
iv. those with an operating frequency of less than 20 kilohertz;
二 船舶用の対地速力の測定装置(音波を利用したものに限る。)であって、次のイ又はロのいずれかに該当するもの(水上船に取り付けるように特に設計したもの又は次のハに掲げるものを除く。)
(ii) measuring equipment for the horizontal speed of the equipment carrier relative to the seabed at distances between the carrier and the seabed (limited to those utilizing acoustic waves) that fall under any of the following (a) or (b) (excluding those specially designed for installation on surface ships, or those set forth in the following (c)):
イ 相関速度ログを用いたものであって、次のいずれかに該当するもの
(a) those using a correlation-velocity log, which fall under any of the following:
(一) 水底から五〇〇メートルを超える位置で測定を行うことができるように設計したもの
1. those designed so that measurements are capable of being carried out at a position exceeding 500 meters from the bottom of the water;
(二) 速力の精度が速力の一パーセント未満のもの
2. those with a speed accuracy better than 1%;
ロ ドップラー速度ログを用いたものであって、速力の精度が速力の一パーセント未満のもの
(b) those using a Doppler-velocity log, with a speed accuracy better than 1%;
ハ 音響測深器であって、水深の測定、水底若しくは水中に存在する物体までの距離の測定又は魚群探知以外の用に供することができないもの
(c) echo sounding devices which cannot be used other than for ocean depth measurement, for measuring underwater objects or the distance to objects buried under water or for finding schools of fish;
三 光検出器又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(iii) optical detectors or components thereof that fall under any of the following:
イ 宇宙用に設計した固体の光検出器であって、次のいずれかに該当するもの
(a) solid optical detectors designed for space use that fall under any of the following:
(一) 一〇ナノメートル超三〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有し、かつ、四〇〇ナノメートルを超える波長における感度が最大感度の〇・一パーセント未満のもの
1. solid optical detectors having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 10 nanometers and 300 nanometers or less and the sensitivity at wavelengths exceeding 400 nanometers is less than 0.1% of a maximum sensitivity;
(二) 九〇〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有し、かつ、応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
2. solid optical detectors having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 900 nanometers and 1,200 nanometers or less, and with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
(三) フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二、〇四八を超え、かつ、三〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
3. focal plane arrays with elements exceeding 2,048, and a maximum sensitivity within the wavelength range exceeding 300 nanometers and 900 nanometers or less;
ロ イメージ増強管であって、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(イメージングを行わない光電子増倍管であって、真空中に、単一の金属陽極又は金属陽極であって隣接する2の陽極の中心間の距離が五〇〇マイクロメートルを超えるもののみからなる電子検出素子を有するものを除く。)
(b) image reinforcing tubes which fall under any of the following 1. and 2. (excluding non-imaging photomultiplier tubes having in the vacuum space an electron sensing device consisting solely of a single metal anode or metal anodes where the distance between the centers of two anodes is exceeding 500 micrometers):
(一) イメージ増強管であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. imaging reinforcing tubes that fall under all of the following i. through iii.:
1 四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. image reinforcing tubes having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 1,050 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. image reinforcing tubes having electron image amplification and using any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. microchannel plates where the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. among electron sensing devices which have been specially designed or modified to achieve charge multiplication other than by a microchannel plate, those where the distance between the center of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 次のいずれかに該当する光電陰極を有するもの
iii. image reinforcing tubes having a photocathode which falls under any of the following:
一 主材料にマルチアルカリを用いたものであって、ルーメン感度が七〇〇マイクロアンペア毎ルーメンを超えるもの
a. photocathodes which use a multi-alkali for the main material and in which lumen sensitivity exceeds 700 microamperes per lumen;
二 主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いたもの
b. photocathodes which use gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material;
三 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いたものであって最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
c. photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material with a maximum radiation sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
(二) イメージ増強管の部分品であって、次の1から3のすべてに該当するもの
2. components of image reinforcing tubes, which fall under all of the following i. through iii.:
1 一、〇五〇ナノメートル超一、八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. components of image reinforcing tubes having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,050 nanometers and 1,800 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. components of image reinforcing tubes having electron image amplification and using any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. microchannel plates where the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. among electron sensing devices which have been specially designed or modified to achieve charge multiplication other than by a microchannel plate, those where the distance between the center of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを含む。)を用いた光電陰極又は遷移電子光電陰極であって、最大放射感度が一五ミリアンペア毎ワットを超えるものを有するもの
iii. photocathodes or transferred electron photocathodes using a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material and having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 milliamperes per watt;
ハ イメージ増強管又はその部分品であって、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(イメージングを行わない光電子増倍管であって、真空中に、単一の金属陽極又は金属陽極であって隣接する二の陽極の中心間の距離が五〇〇マイクロメートルを超えるもののみからなる電子検出素子を有するものを除く。)
(c) image reinforcing tubes or components thereof which fall under any of the following 1. and 2. (excluding non-imaging photomultiplier tubes having in the vacuum space an electron sensing device consisting solely of a single metal anode or metal anodes where the distance between the centers of two anodes is exceeding 500 micrometers):
(一) イメージ増強管であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. image reinforcing tubes which fall under all of the following i. through iii.:
1 四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. image reinforcing tubes having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 1,050 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. image reinforcing tubes having electron image amplification and using any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. micro channel plates where the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. among electron sensing devices which have been specially designed or modified to achieve charge multiplication other than by a microchannel plate, those where the distance between the center of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にマルチアルカリを用いた光電陰極を有するものであって、当該光電陰極のルーメン感度が三五〇マイクロアンペア毎ルーメン超七〇〇マイクロアンペア毎ルーメン以下のもの
iii. image reinforcing tubes having a photocathode which uses a multi-alkali as the primary material and in which lumen sensitivity in the photocathode exceeds 350 microamperes per lumen and is 700 microamperes per lumen or less;
(二) イメージ増強管の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
2. Components of image reinforcing tubes which fall under any of the following:
1 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
i. micro channel plates wherein the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
2 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
ii. among electron sensing devices which have been specially designed or modified to achieve charge multiplication other than by a microchannel plate, those where the distance between the center of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを含む。)を用いた光電陰極(四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有する光電陰極であって最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のもの又は一、〇五〇ナノメートル超一、八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有する光電陰極であって最大放射感度が一五ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。)又は遷移電子光電陰極
iii. photocathodes using a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding photocathodes having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 1,050 nanometers or less with a maximum radiant sensitivity of 10 milliamperes per watt or less, or photocathodes having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,050 nanometers and 1,800 nanometers or less with a maximum radiant sensitivity of 15 milliamperes per watt or less) or transferred electron photocathodes;
ニ 宇宙用に設計していないフォーカルプレーンアレーであって、次の(一)及び(二)に該当するもの(要素素子の数が一六以下のカプセル封じをした光導電セルであって硫化鉛又はセレン化鉛を用いたもの及び焦電検出器であって硫酸三グリシン、チタン酸ジルコン酸鉛にランタンを添加したもの、タンタル酸リチウム、ポリふっ化ビニリデン又はニオブ酸ストロンチウムバリウムを用いたものを除く。)
(d) focal plane arrays not designed for space use that fall under the following 1. and 2. (excluding photoconduction cells with a sealed-in capsule having 16 or fewer factor elements; those using lead sulfide or lead selenide as well as pyroelectric detectors, those in which lanthanum has been added to 3 glycine sulfate and lead zirconate titanate, those to which lithium tartarate, vinylidene polyfluoride or strontium barium niobate has been added):
(一) 次のいずれかに該当するもの
1. focal plane arrays which fall under any of the following:
1 熱型でないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもの
i. focal plane arrays which are not heat-molded and which fall under any of the following:
一 要素素子が九〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
a. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 900 nanometers and 1,050 nanometers or less, and which fall under any of the following:
イ 応答時定数が〇・五ナノ秒未満のもの
1 focal plane arrays with a response time constant of less than 0.5 nanoseconds;
ロ 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
2 focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
二 要素素子が一、〇五〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
b. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,050 nanometers and 1,200 nanometers or less, and which fall under any of the following:
イ 応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
1 focal plane arrays with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
ロ 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
2 focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
三 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
c. focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,200 nanometers and 30,000 nanometers or less;
四 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次のいずれかに該当するもの(ゲルマニウムのみを用いた要素素子を有するものであって、要素素子の数が三二以下のものを除く。)
d. among focal plane arrays in which factor elements are arrayed one-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,200 nanometers and 3,000 nanometers or less, those which fall under any of the following (excluding those having factor elements limited solely to germanium material, with 32 factor elements or less);
イ 要素素子の配列方向を基準とする要素素子の縦横比が三・八未満のもの
1 focal plane arrays wherein the aspect ratio of the factor elements using the array direction of the factor elements is less than 3.8;
ロ 同一要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するもの
2 focal plane arrays having a time delay and integrating function inside the same factor element;
五 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が三、〇〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
e. focal plane arrays in which factor elements are arrayed one-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 2,500 nanometers and 30,000 nanometers or less;
六 要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のイ及びロに該当するもの
f. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 900 nanometers or less, and which fall under the following 1 and 2:
イ 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、七六〇ナノメートルを超える波長における最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
1 focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt at wavelengths exceeding 760 nanometers;
ロ 要素素子の数が三二を超えるもの
2 focal plane arrays with factor elements exceeding 32;
2 要素素子を二次元に配列した赤外線熱型フォーカルプレーンアレーであって、それぞれの要素素子がフィルターのない状態において八、〇〇〇ナノメートル以上一四、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で感度を有するもの
ii. infrared ray heat-molded focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a sensitivity within a wavelength range of 8,000 nanometers or more and 14,000 nanometers or less in an unfiltered state;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. focal plane arrays which fall under any of the following:
1 白金シリコンを用いたものであって、要素素子の数が一〇、〇〇〇未満のもの
i. focal plane arrays which use platinum silicon with less than 10,000 factor elements;
2 イリジウムシリコンを用いたもの
ii. focal plane arrays which use iridium silicon;
3 アンチモン化インジウム又はセレン化鉛を用いたものであって、要素素子の数が二五六未満のもの
iii. focal plane arrays which use indium antimonide or lead selenide with less than 256 factor elements;
4 砒化インジウムを用いたもの
iv. focal plane arrays which use indium arsenide;
5 硫化鉛を用いたもの
v. focal plane arrays which use lead sulfide;
6 砒化インジウムガリウムを用いたもの
vi. focal plane arrays which use indium gallium arsenide;
7 テルル化水銀カドミウムを用いたスキャニングアレーであって、次のいずれかに該当するもの
vii. scanning arrays which use mercury cadmium telluride and which fall under any of the following:
一 同一検出要素素子内に時間遅延及び積分機能を有していないものであって、要素素子の数が三〇以下のもの
a. scanning arrays which do not have a time delay and integrating function inside the same detection factor element with 30 or less factor elements;
二 同一検出要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するものであって、要素素子の数が二以下のもの
b. scanning arrays which have a time delay and integrating function inside the same detection factor element with 2 or less factor elements;
8 テルル化水銀カドミウムを用いたステアリングアレーであって、要素素子の数が二五六未満のもの
viii. steering arrays which use mercury cadmium telluride with less than 256 factor elements;
9 砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、要素素子の数が二五六未満のもの
ix. quantum well focal plane arrays which use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with less than 256 factor elements;
10 熱型フォーカルプレーンアレーであって、要素素子の数が八、〇〇〇未満のもの
x. heat-molded focal plane arrays with less than 8,000 factor elements;
11 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、要素素子の数が四、〇九六以下のもの
xi. among focal plane arrays in which factor elements are arrayed one-dimensionally, and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 900 nanometers or less, those with 4,096 factor elements or less;
12 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、一方向の最大の要素素子の数が四、〇九六以下であり、かつ、すべての要素素子の数が二五〇、〇〇〇以下のもの
xii. focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 900 nanometers or less, those whose maximum number of unidirectional factor elements are 4,096 or less and all of the factor elements are 250,000 or less;
ホ 宇宙用に設計していないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもの(要素素子の数が一六以下のカプセル封じをした光導電セルであって硫化鉛又はセレン化鉛を用いたもの及び焦電検出器であって硫酸三グリシン、チタン酸ジルコン酸鉛にランタンを添加したもの、タンタル酸リチウム、ポリふっ化ビニリデン又はニオブ酸ストロンチウムバリウムを用いたものを除く。)のうち、ニに該当するもの以外のもの
(e) among focal plane arrays which are not designed for space use that fall under any of the following (excluding photoconduction cells with a sealed-in capsule having 16 or fewer factor elements, using lead sulfide or lead selenide as well as pyroelectric detectors in which lanthanum has been added to 3 glycine sulfate and lead zirconate titanate, using lithium tartarate vinylidene polyfluoride or strontium barium niobate), those other than items that fall under (d):
(一) 熱型でないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもの
1. focal plane arrays which are not heat-molded which fall under any of the following:
1 要素素子が九〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 900 nanometers and 1,050 nanometers or less, and which fall under any of the following:
一 応答時定数が〇・五ナノ秒未満のもの
a. focal plane arrays with a response time constant of less than 0.5 nanoseconds;
二 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
b. focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
2 要素素子が一、〇五〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,050 nanometers and 1,200 nanometers or less, and which fall under any of the following:
一 応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
a. focal plane arrays with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
二 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
b. focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
3 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
iii. focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,200 nanometers and 30,000 nanometers or less;
4 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次のいずれかに該当するもの(ゲルマニウムのみを用いた要素素子のみを有するものであって、要素素子の数が三二以下のものを除く。)
iv. among focal plane arrays in which factor elements are arrayed one-dimensionally, and in which the respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 1,200 nanometers and 3,000 nanometers or less, those which fall under any of the following (excluding those having factor elements limited solely to germanium material, with 32 factor elements or less):
一 要素素子の配列方向を基準とする要素素子の縦横比が三・八未満のもの
a. focal plane arrays wherein the aspect ratio of the factor elements having a factor element array direction as a standard is less than 3.8;
二 同一要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するもの
b. focal plane arrays having a time delay and integrating function inside the same factor element;
5 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が三、〇〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
v. focal plane arrays in which factor elements are arrayed one-dimensionally and in which respective factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 2,500 nanometers and 30,000 nanometers or less;
6 要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次の一及び二に該当するもの
vi. focal plane arrays in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 900 nanometers or less, and which fall under the following a. and b.:
一 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、七六〇ナノメートルを超える波長における最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
a. focal plane arrays specially designed or modified to achieve charge multiplication, having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt at wavelengths exceeding 760 nanometers;
二 要素素子の数が三二を超えるもの
b. focal plane arrays with factor elements exceeding 32;
(二) 要素素子を二次元に配列した赤外線熱型フォーカルプレーンアレーであって、それぞれの要素素子がフィルターのない状態において八、〇〇〇ナノメートル以上一四、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で感度を有するもの
2. infrared heat-molded focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and in which the respective factor elements have a sensitivity within a wavelength range exceeding 8,000 nanometers and 14,000 nanometers or less in an unfiltered state;
四 リモートセンシング用に設計したモノスペクトルイメージセンサー又はマルチスペクトルイメージセンサーであって、次のいずれかに該当するもの
(iv) mono-spectrum image sensors or multi-spectrum image sensors designed for remote sensing which fall under any of the following:
イ 瞬時視野が二〇〇マイクロラジアン未満のもの
(a) mono-spectrum image sensors or multi-spectrum image sensors with an instant visual field of less than 200 microradians;
ロ 四〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、イメージデータをデジタル形式で出力するもののうち、次のいずれかに該当するもの
(b) among mono-spectrum image sensors or multi-spectrum image sensors designed for use within a wavelength range exceeding 400 nanometers and 30,000 nanometers or less, in which image data are output digitally, those which fall under any of the following:
(一) 宇宙用に設計したもの
1. mono-spectrum image sensors or multi-spectrum image sensors designed for space use;
(二) 航空機搭載用に設計したものであって、シリコンを用いた検出器以外の検出器を用いたもののうち、瞬時視野が二・五ミリラジアン未満のもの
2. among mono-spectrum image sensors or multi-spectrum image sensors designed for installation in aircraft using non-silicon detectors, those the instant field of vision of which is less than 2.5 milliradians;
五 光検出器を用いた装置であって、直視型のもののうち、次のいずれかに該当するもの(医療用装置であって、主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極を組み込んでいないものを除く。)
(v) among equipment which uses optical detectors having a direct field of vision, that which falls under any of the following (excluding medical equipment which do not have built-in photocathodes and which uses gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material):
イ 次のいずれかに該当する光検出器を組み込んだもの
(a) equipment that incorporates optical detectors that fall under any of the following:
(一) 第三号ロに該当するイメージ増強管
1. image reinforcing tubes that fall under item (iii), (b);
(二) 第三号ホに該当するフォーカルプレーンアレー
2. focal plane arrays that fall under item (iii), (e);
(三) 第三号イ又は第十四条第七号に該当する固体の光検出器
3. solid optical detectors falling under item (iii), (a) or Article 14, item (vii);
ロ 次のいずれかに該当する光検出器を組み込んだもの(イに該当するものを除く。)
(b) equipment with built-in optical detectors which fall under any of the following (excluding those that fall under (a)):
(一) 第三号ハ(一)に該当するイメージ増強管
1. image reinforcing tubes which fall under item (iii), (c), 1.;
(二) 第三号ニに該当するフォーカルプレーンアレー
2. focal plane arrays which fall under item (iii), (d);
六 光検出器用の冷却器であって、次のいずれかに該当するもの
(vi) coolers for optical detectors which fall under any of the following:
イ 宇宙用に設計したもの
(a) coolers for optical detectors designed for space use;
ロ 宇宙用に設計していないものであって、冷却のための接触面の温度が零下五五度未満のもののうち、次のいずれかに該当するもの
(b) among coolers for optical detectors which are not designed for space use, wherein the temperature of the contact surface used for cooling is less than -55 degrees centigrade, those which fall under any of the following:
(一) 循環式のものであって、平均故障寿命又は平均故障間隔が二、五〇〇時間を超えるもの
1. circulation type coolers, the average breakdown life or average breakdown interval of which exceeds 2,500 hours;
(二) ジュールトムソン自己制御冷却器であって、直径が八ミリメートル未満のもの
2. joule-Thompson self-regulating coolers having a diameter of less than 8 millimeters;
七 センサー用の光ファイバーであって、音響、温度、加速度、電磁気又は放射線の測定用のもの
(vii) optical fibers for use in sensors used to measure sound, temperature, acceleration, electromagnetism or radioactive rays;
八 高速度の撮影が可能な映画撮影機、機械式のカメラ若しくはストリークカメラ若しくは電子式のカメラ又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの(第十一条に該当するものを除く。)
(viii) high speed cinema recording cameras, mechanical cameras, streak cameras, electronic cameras, or components thereof that fall under any of the following (excluding those falling under Article 11):
イ 次のいずれかに該当するもの
(a) cameras which fall under any of the following:
(一) 第三号ロに該当するイメージ増強管を組み込んだものであって、次のいずれかに該当するもの
1. cameras with built-in image reinforcing tubes which fall under item (iii), (b), and that fall under any of the following:
1 水中用に設計していないもの
i. those not designed for underwater use;
2 水中用に設計したもの
ii. those designed for underwater use;
(二) 第三号ホに該当するフォーカルプレーンアレーを組み込んだものであって、次のいずれかに該当するもの
2. cameras with built-focal plane arrays which fall under item (iii), (e), and that fall under any of the following:
1 水中用に設計していないもの
i. those not designed for underwater use;
2 水中用に設計したもの
ii. those designed for underwater use;
(三) 第三号イ又は第十四条第七号に該当する固体の光検出器を組み込んだもの
3. those with built-in solid optical detectors which fall under item (iii), (a) or Article 14, item (vii);
ロ 次のいずれかに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b) cameras which fall under any of the following (excluding those which fall under (a)):
(一) 映画撮影機であって、幅が八ミリメートル以上一六ミリメートル以下のフィルムを用いるもののうち、撮影速度が一秒につき一三、一五〇こまを超えるもの
1. among cinema recording cameras which use film with a width of 8 millimeters or more and 16 millimeters or less, those with a photographing speed exceeding 13,150 frames per second;
(二) 機械式のものであって、画面の高さが三六ミリメートルのこまを撮影する場合の撮影速度が一秒につき一、〇〇〇、〇〇〇こまを超えるもの
2. mechanical cameras, the photographing speed of which, when photographing a frame with a screen height of 36 millimeters, exceeds 1,000,000 frames per second;
(三) ストリークカメラであって、撮影速度が一〇ミリメートル毎マイクロ秒を超えるもの
3. streak cameras, the photographing speed of which exceeds 10 millimeters per microsecond;
(四) 電子式のフレーミングカメラであって、撮影速度が一秒につき一、〇〇〇、〇〇〇こまを超えるもの
4. electronic framing cameras, the shutter speed of which exceeds 1 million frames per second;
(五) 電子式カメラであって、次の1及び2に該当するもの
5. electronic cameras which fall under the following i. and ii.:
1 シャッター速度が一マイクロ秒未満のもの
i. electronic cameras in which shutter speed is less than 1 microsecond;
2 信号の読出速度が一秒につき一二五こまを超えるもの
ii. electronic cameras in which signal read-out speed exceeds 125 frames per second;
(六) モジュール式の構造を有する映画撮影機、機械式のカメラ、ストリークカメラ、電子式のフレーミングカメラ又は電子式のカメラに使用することができるプラグインユニットであって、(三)から(五)までのいずれかに該当するものが有する機能に到達させることができるもの
6. plugging units which are capable of being used in cinema recording cameras having a module type structure, mechanical cameras, streak cameras, electronic framing cameras or electronic cameras which are capable of carrying out the functions which fall under any of 3. through 5.;
(七) 固体撮像素子を組み込んだビデオカメラであって、一〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次の1から3までのいずれかに該当し、かつ、4から6までのいずれかに該当するもの
7. among video cameras that incorporate solid-state image sensors having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 10 nanometer and 30,000 nanometers or less, those which fall under any of the following i. through iii. and also fall under any of the following iv. through vi.:
1 白黒撮影用のものであって、固体撮像素子の有効画素数が四、〇〇〇、〇〇〇を超えるもの
i. video cameras used for black and white photography in which solid-state image sensor have exceeding 4,000,000 effective pixels;
2 三の固体撮像素子を組み込んだカラー撮影用のものであって、それぞれの固体撮像素子の有効画素数が四、〇〇〇、〇〇〇を超えるもの
ii. video cameras used for color photography that incorporate three solid-state image sensors, in which the respective solid-state image sensor have exceeding 4,000,000 effective pixels;
3 一の固体撮像素子を組み込んだカラー撮影用のものであって、当該固体撮像素子の有効画素数が一二、〇〇〇、〇〇〇を超えるもの
iii. video cameras for color photography that incorporate one solid-state image sensor, in which the solid-state image sensor have exceeding 12, 000,000 effective pixels;
4 第九号イに該当する反射鏡を有するもの
iv. video cameras having a reflector that fall under item (ix), (a);
5 第九号ニに該当する光学器械又は光学部品の制御装置を有するもの
v. video cameras having a control device having an optical device or optical components which fall under item (ix), (d);
6 カメラの被写体追跡データを内部処理して画像情報に注記できる機能を有するもの
vi. video cameras having a function which enables them to internally process tracking data for the object to be photographed by the camera and to record these in the image information;
(八) スキャニングカメラ又はスキャニングカメラ装置であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
8. scanning cameras or scanning camera equipment that fall under all of the following i. through iii.:
1 一〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. scanning cameras or scanning camera equipment having a maximum sensitivity within a wavelength range exceeding 10 nanometers and 30,000 nanometers or less;
2 画素が線状に並んだ固体撮像素子を組み込んだものであって、当該画素の数が、八、一九二を超えるもの
ii. scanning cameras or scanning camera equipment that incorporates solid-state image sensor in which the pixels are arrayed in a linear fashion and the number of pixels is exceeding 8,192;
3 一方向に機械的に走査を行うもの
iii. scanning cameras or scanning camera equipment which scan mechanically in one direction;
(九) 第三号ハ(一)に該当するイメージ増強管を組み込んだもの
9. scanning cameras or scanning camera equipment with a built-in image reinforcing tube which fall under item (iii), (c), 1.;
(十) 第三号ニに該当するフォーカルプレーンアレーを組み込んだもの
10. scanning cameras or scanning camera equipment with a built-in focal plane array which falls under item (iii), (d);
九 光学器械又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ix) optical equipment or components thereof which fall under any of the following:
イ 反射鏡であって、次のいずれかに該当するもの
(a) reflectors which fall under any of the following:
(一) 一〇〇ヘルツを超える周波数で鏡面の形状を変化させることができるもの又はその部分品
1. reflectors which are capable of changing the shape of the mirror surface at frequencies exceeding 100 hertz, or components thereof;
(二) 複合材料又は発泡体の部分を有していないものであって、鏡面の一平方メートル当たりの質量が三〇キログラム未満のもののうち、全重量が一〇キログラムを超えるもの
2. among reflectors which do not have parts made of composite materials or foams, in which the mirror surface has a mass per square meter of less than 30 kilograms, those in which the total weight exceeds 10 kilograms;
(三) 複合材料又は発泡体の部分を有するものであって、鏡面の一平方メートル当たりの質量が三〇キログラム未満のもののうち、全重量が二キログラムを超えるもの
3. among reflectors which do have parts made of composite materials or foams, in which the mirror surface has a mass per square meter of less than 30 kilograms, those in which the total weight exceeds 2 kilograms;
(四) 光の方向を制御するためのものであって、平面度が三一六・五ナノメートル以下のもののうち、鏡面の直径又は長軸の長さが一〇〇ミリメートルを超え、かつ、制御の帯域幅が一〇〇ヘルツを超えるもの
4. among reflectors used to control the direction of light and with a flatness of 316.5 nanometers or less, those in which the diameter of the mirror surface of which or the length of the major axis of which exceeds 100 millimeters, and in which control bandwidth exceeds 100 hertz;
ロ セレン化亜鉛又は硫化亜鉛からなる光学部品であって、三、〇〇〇ナノメートル超二五、〇〇〇ナノメートル以下の波長の光を透過するもののうち、次のいずれかに該当するもの
(b) among optical components made up of zinc selenide or zinc sulfide, which are permeable to light with a wavelength exceeding 3,000 nanometers and 25,000 nanometers or less, those which fall under any of the following:
(一) 体積が一〇〇立方センチメートルを超えるもの
1. optical components with a volume exceeding 100 cubic centimeter;
(二) 直径又は長軸の長さが八〇ミリメートルを超え、かつ、厚さが二〇ミリメートルを超えるもの
2. optical components, the diameter or major axis length of which exceeds 80 millimeters and the thickness of which exceeds 20 millimeters;
ハ 宇宙用に設計した光学部品であって、次のいずれかに該当するもの
(c) optical components designed for space use which fall under any of the following:
(一) 全体が稠密な状態である場合に比し二〇パーセント未満の重量に軽量化したもの
1. optical components which have been made lighter for weights which are less than 20 % compared to the condition of full density of the body;
(二) 基板(コーティングしたもの又は保護膜を有するものを含む。)
2. substrates (including coating substrates or substrates having a protective film);
(三) 宇宙空間で組み立てるように設計した反射鏡であって、組み立てた場合の受光面積の和が口径一メートル以上の反射鏡と同等になるものの部分品
3. reflectors which are designed so that they are capable of being assembled during space flight and components which are equivalent to reflecting mirrors the sum of the light receiving surface areas when assembled of which is an aperture greater than 1 meter;
(四) すべての方向について線膨張係数が温度一度当たり一〇〇万分の五以下の複合材料からなるもの
4. optical components made of composite materials, the linear coefficient of expansion in all directions of which is not more than 5/1,000,000 per degree of temperature;
ニ 光学器械又は光学部品の制御装置であって、次のいずれかに該当するもの
(d) controllers of optical equipment or components that fall under any of the following:
(一) ハ(一)又は(三)に該当する宇宙用に設計した光学部品の表面形状又は方向を維持するように設計したもの
1. controllers which are designed to maintain the surface shape or direction of optical components which have been designed for space use which fall under (c), 1. or (c), 3.;
(二) 一〇〇ヘルツ以上の帯域幅で光の走査、追尾若しくは安定化又は光共振器の調整を行うものであって、その精度が一〇マイクロラジアン以下のもの
2. optical components which are used to scan, track or stabilize light at bandwidths of 100 hertz or more or coordinate optical resonators, and the precision of which is 10 microradians or less;
(三) 最大振れ角が五度を超え、かつ、一〇〇ヘルツ以上の帯域幅で使用することができるジンバルであって、次のいずれかに該当するもの
3. gimbals with a maximum deflection angle exceeding 5 degrees, which are capable of being used in bandwidths of 100 hertz or more which fall under any of the following:
1 直径又は長軸の長さが〇・一五メートル超一メートル以下のものであって、角加速度が二ラジアン毎秒毎秒を超え、かつ、精度が二〇〇マイクロラジアン以下のもの
i. gimbals with a length of diameter or major axis exceeding 0.15 meters and 1 meter or less, and with an angular acceleration exceeding 2 radians per second squared and with a precision of 200 microradians or less;
2 直径又は長軸の長さが一メートルを超えるものであって、角加速度が〇・五ラジアン毎秒毎秒を超え、かつ、精度が二〇〇マイクロラジアン以下のもの
ii. gimbals with a length of diameter or major axis exceeding 1 meter, and with an angular acceleration exceeding 0.5 radians per second squared and with a precision of 200 microradians or less;
(四) 直径又は長軸の長さが一メートル以上の反射鏡からなる光学系(反射光の位相を調整することができるものに限る。)の制御をするように設計したもの
4. controllers designed to control an optical system (limited to those which are capable of being used to adjust the phase of the reflecting mirror) made up of a reflector having a diameter or major axis length which is greater than 1 meter);
九の二 非球面光学素子であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(ix)-2 aspherical optical elements which fall under all of (a) through (c):
イ 光学的開口の最大寸法が四〇〇ミリメートルを超えるもの
(a) aspherical optical elements, the maximum measurement for the optical aperture of which exceeds 400 millimeters;
ロ 一ミリメートル以上のサンプリング長さにおける表面粗さの二乗平均が一ナノメートル未満のもの
(b) aspherical optical elements having a root mean square surface roughness of less than 1 nanometer at a sampling length of 1 millimeter or more;
ハ 摂氏二五度の温度における線膨張係数の絶対値が一〇〇万分の三未満のもの
(c) aspherical optical elements for which the absolute value of the linear coefficient of expansion at a temperature of 25 degrees centigrade is less than 3/1,000,000;
十 レーザー発振器又はその部分品、附属品若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの
(x) laser oscillators or components thereof, accessories or test equipment that fall under any of the following:
イ 波長可変レーザー発振器以外の持続波レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの(ニに該当するものを除く。)
(a) continuous wave laser oscillators other than variable wavelength laser oscillators, which fall under any of the following (excluding those falling under (d)):
(一) 一五〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、定格出力が一ワットを超えるもの
1. those designed for use within a wavelength range of less than 150 nanometers, with a rated output exceeding 1 watt;
(二) 一五〇ナノメートル以上五一〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、定格出力が三〇ワットを超えるもの(アルゴンレーザー発振器であって定格出力が五〇ワット以下のものを除く。)
2. those designed for use at a wavelength range of 150 nanometers or more and 510 nanometers or less, with a rated output exceeding 30 watts (excluding argon laser oscillators with a rated output of 50 watts or less);
(三) 五一〇ナノメートル超五四〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those designed for use within a wavelength range exceeding 510 nanometers and 540 nanometers or less and which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振するものであって、定格出力が五〇ワットを超えるもの
i. those that oscillate in a single transverse mode with a rated output exceeding 50 watts;
2 多重横モードで発振するものであって、定格出力が一五〇ワットを超えるもの
ii. those that oscillate in a multiple transverse mode with a rated output exceeding 150 watts;
(四) 五四〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、定格出力が三〇ワットを超えるもの
4. those designed for use within a wavelength range exceeding 540 nanometers and 800 nanometers or less, with a rated output exceeding 30 watts;
(五) 八〇〇ナノメートル超九七五ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
5. those designed for use within a wavelength range exceeding 800 nanometers and 975 nanometers or less and which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振するものであって、定格出力が五〇ワットを超えるもの
i. those that oscillate in a single transverse mode with a rated output exceeding 50 watts;
2 多重横モードで発振するものであって、定格出力が八〇ワットを超えるもの
ii. those that oscillate in a multiple transverse mode with a rated output exceeding 80 watts;
(六) 九七五ナノメートル超一、一五〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
6. those designed for use within a wavelength range exceeding 975 nanometers and 1,150 nanometers or less which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振するものであって、定格出力が二〇〇ワットを超えるもの
i. those that oscillate in a single transverse mode that fall under any of the following with a rated output exceeding 200 watts;
2 多重横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの(産業用レーザー発振器であって、定格出力が二キロワット超六キロワット以下のもののうち、総重量が一、二〇〇キログラムを超えるものを除く。)
ii. those that oscillate in a multiple transverse mode which fall under any of the following (excluding industrial laser oscillators with a rated output exceeding 2 kilowatts and 6 kilowatts or less with a total mass greater than 1,200 kilograms):
一 ウォールプラグ効率が一八パーセントを超えるものであって、定格出力が五〇〇キロワットを超えるもの
a. those with a wall-plug efficiency exceeding 18%, and a rated output exceeding 500 kilowatts;
二 平均出力が二キロワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 2 kilowatts;
(七) 一、一五〇ナノメートル超一、五五五ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
7. those designed for use within a wavelength range exceeding 1,150 nanometers and 1,555 nanometers or less, which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振するものであって、定格出力が五〇ワットを超えるもの
i. those that oscillate in a single transverse mode with a rated output exceeding 50 watts;
2 多重横モードで発振するものであって、定格出力が八〇ワットを超えるもの
ii. those that oscillate in a multiple transverse mode with a rated output exceeding 80 watts;
(八) 一、五五五ナノメートルを超える波長範囲で使用するように設計したものであって、定格出力が一ワットを超えるもの
8. those designed for use within a wavelength range exceeding 1,555 nanometers, with a rated output exceeding 1 watt;
ロ 波長可変レーザー発振器以外のパルスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの(ニに該当するものを除く。)
(b) continuous wave laser oscillators other than variable wavelength laser oscillators, which fall under any of the following (excluding those falling under (d)):
(一) 一五〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
1. those designed for use within a wavelength range of less than 150 nanometers, which fall under any of the following:
1 一パルス当たり五〇ミリジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が二〇ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 50 millijoules per pulse and with a peak output exceeding 20 watts;
2 平均出力が一ワットを超えるもの
ii. those with an average output exceeding 1 watt;
(二) 一五〇ナノメートル以上五一〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those designed for use within a wavelength range exceeding 150 nanometers and 510 nanometers or less and which fall under any of the following:
1 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が三〇ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 30 watts;
2 平均出力が三〇ワットを超えるもの(アルゴンレーザー発振器であって、平均出力が五〇ワット以下のものを除く。)
ii. those with an average output exceeding 30 watts (excluding argon laser oscillators with an average output of 50 watts or less);
(三) 五一〇ナノメートル超五四〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those which are designed for use within a wavelength range exceeding 510 nanometers and 540 nanometers or less and which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those that oscillate in a single transverse mode and fall under any of the following:
一 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 50 watts;
二 平均出力が五〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 50 watts;
2 多重横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those that oscillate in a multiple transverse mode and fall under any of the following:
一 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が一五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 150 watts;
二 平均出力が一五〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 150 watts;
(四) 五四〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
4. those designed for use within a wavelength range exceeding 540 nanometers and 800 nanometers or less, which fall under any of the following:
1 一ピコ秒未満のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those which generate pulses with a pulse width of less than 1 picosecond and fall under any of the following:
一 一パルス当たり〇・〇〇五ジュールを超えるパルスを発振するものであって、ピーク出力が五ギガワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 0.005 joules per pulse and with a peak output exceeding 5 gigawatts;
二 平均出力が二〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 20 watts;
2 一ピコ秒以上のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those that generate pulses with a pulse width of 1 picosecond or more and fall under any of the following:
一 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振するものであって、ピーク出力が三〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 30 watts;
二 平均出力が三〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 30 watts;
(五) 八〇〇ナノメートル超九七五ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
5. those designed for use within a wavelength range exceeding 800 nanometers and 975 nanometers or less that fall under any of the following:
1 一ピコ秒未満のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those that generate pulses with a pulse width of 1 picosecond or less and fall under any of the following:
一 一パルス当たり〇・〇〇五ジュールを超えるパルスを発振するものであって、ピーク出力が五ギガワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 0.005 joules per pulse and with a peak output exceeding 5 gigawatts;
二 単一横モードで発振するものであって、平均出力が二〇ワットを超えるもの
b. those that oscillate in a single transverse mode with an average output exceeding 20 watts;
2 一ピコ秒以上一マイクロ秒以下のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those which generate pulses with a pulse width of 1 picosecond or more and 1 microsecond or less and fall under any of the following:
一 一パルス当たり〇・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 0.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 50 watts;
二 単一横モードで発振するものであって、平均出力が二〇ワットを超えるもの
b. those that oscillate in a single transverse mode with an average output exceeding 20 watts;
三 多重横モードで発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
c. those that oscillate in a multiple transverse mode with an average output exceeding 50 watts;
3 一マイクロ秒を超えるパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
iii. those which generate pulses with a pulse width of more than 1 microsecond and fall under any of the following:
一 一パルス当たり二ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 2 joules per pulse and with a peak output exceeding 50 watts;
二 単一横モードで発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
b. those that oscillate in a single transverse mode with an average output exceeding 50 watts;
三 多重横モードで発振するものであって、平均出力が八〇ワットを超えるもの
c. those that oscillate in a multiple transverse mode with an average output exceeding 80 watts;
(六) 九七五ナノメートル超一、一五〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
6. those designed for use in a wavelength range exceeding 975 nanometers and 1,150 nanometers or less, which fall under any of the following:
1 一ピコ秒未満のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those which generate pulses with a pulse width of less than 1 picosecond and fall under any of the following:
一 ピーク出力が一パルス当たり二ギガワットを超えるもの
a. those with a peak output exceeding 2 gigawatts per pulse;
二 平均出力が一〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 10 watts;
三 一パルス当たり〇・〇〇二ジュールを超えるパルスを発振するもの
c. those which generate pulses exceeding 0.002 joules per pulse;
2 一ピコ秒以上一ナノ秒未満のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those which generate pulses with a pulse width of 1 picosecond or more and less than 1 nanosecond and fall under any of the following:
一 ピーク出力が一パルス当たり五ギガワットを超えるもの
a. those with a peak output exceeding 5 gigawatts per pulse;
二 平均出力が一〇ワットを超えるもの
b. those with an average output exceeding 10 watts;
三 一パルス当たり〇・一ジュールを超えるパルスを発振するもの
c. those which generate pulses exceeding 0.1 joules per pulse;
3 一ナノ秒以上一マイクロ秒以下のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
iii. those which generate pulses with a pulse width of 1 nanosecond or more and 1 microsecond or less and fall under any of the following:
一 単一横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
a. those that oscillate in a single transverse mode and fall under any of the following:
イ ピーク出力が一〇〇メガワットを超えるもの
1 those with a peak output exceeding 100 megawatts;
ロ 平均出力が二〇ワットを超えるものであって、最大パルス繰り返し周波数が一キロヘルツ以下になるように設計したもの
2 those with an average output exceeding 20 watts, of which the maximum pulse repetition frequency is designed to be 1 kilohertz or less;
ハ ウォールプラグ効率が一二パーセントを超えるものであって、平均出力が一〇〇ワットを超えるもののうち、パルス繰り返し周波数が一キロヘルツを超えて作動するもの
3 among those with a wall-plug efficiency exceeding 12% and an average output exceeding 100 watts, those operating at a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
ニ 平均出力が一五〇ワットを超えるものであって、パルス繰り返し周波数が一キロヘルツを超えて作動するもの
4 those with an average output exceeding 150 watts, which operate at a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
ホ 一パルス当たり二ジュールを超えるパルスを発振するもの
5 those which generate pulses exceeding 2 joules per pulse;
二 多重横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
b. those that oscillate in a multiple transverse mode and fall under any of the following:
イ ピーク出力が四〇〇メガワットを超えるもの
1 those with a peak output exceeding 400 megawatts;
ロ ウォールプラグ効率が一八パーセントを超えるものであって、平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2 those with a wall-plug efficiency exceeding 18% and an average output exceeding 500 watts;
ハ 平均出力が二キロワットを超えるもの
3 those with an average output exceeding 2 kilowatts;
ニ 一パルス当たり四ジュールを超えるパルスを発振するもの
4 those which generate pulses exceeding 4 joules per pulse;
4 一マイクロ秒を超えるパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
iv. those which generate pulses with a pulse width exceeding 1 microsecond and fall under any of the following:
一 単一横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
a. those that oscillate in a single transverse mode that fall under any of the following:
イ ピーク出力が五〇〇キロワットを超えるもの
1 those with a peak output exceeding 500 kilowatts;
ロ ウォールプラグ効率が一二パーセントを超えるものであって、平均出力が一〇〇ワットを超えるもの
2 those with a wall-plug efficiency exceeding 12% and an average output exceeding 100 watts;
ハ 平均出力が一五〇ワットを超えるもの
3 those with an average output exceeding 150 watts;
二 多重横モードで発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
b. those that oscillate in a multiple transverse mode and fall under any of the following:
イ ピーク出力が一メガワットを超えるもの
1 those with a peak output exceeding 1 megawatt;
ロ ウォールプラグ効率が一八パーセントを超えるものであって、平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2 those with a wall-plug efficiency exceeding 18% and an average output exceeding 500 watts;
ハ 平均出力が二キロワットを超えるもの
3 those with an average output exceeding 2 kilowatts;
(七) 一、一五〇ナノメートル超一、五五五ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
7. those designed for use within a wavelength range exceeding 1,150 nanometers and 1,555 nanometers or less, which fall under any of the following:
1 一マイクロ秒以下のパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those which generate pulses with a pulse width of 1 microsecond or less and fall under any of the following:
一 一パルス当たり〇・五ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 0.5 joules per pulse and with a peak output exceeding 50 watts;
二 単一横モードで発振するものであって、平均出力が二〇ワットを超えるもの
b. those that oscillate in a single transverse mode with an average output exceeding 20 watts;
三 多重横モードで発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
c. those that oscillate in a multiple transverse mode with an average output exceeding 50 watts;
2 一マイクロ秒を超えるパルス幅のパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those which generate pulses with a pulse width exceeding 1 microsecond and fall under any of the following:
一 一パルス当たり二ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五〇ワットを超えるもの
a. those which generate pulses exceeding 2 joules per pulse and with a peak output exceeding 50 watts;
二 単一横モードで発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
b. those that oscillate in a single transverse mode with an average output exceeding 50 watts;
三 多重横モードで発振するものであって、平均出力が八〇ワットを超えるもの
c. those that oscillate in a multiple transverse mode with an average output exceeding 80 watts;
(八) 一、五五五ナノメートルを超える波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
8. those designed for use in a wavelength range exceeding 1,555 nanometers which fall under any of the following:
1 一パルス当たり一〇〇ミリジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が一ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 100 millijoules per pulse and with a peak output exceeding 1 watt;
2 平均出力が一ワットを超えるもの
ii. those with an average output exceeding 1 watt;
ハ 波長可変レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの(ニに該当するものを除く。)
(c) variable wavelength laser oscillators that fall under any of the following (excluding those falling under (d)):
(一) 六〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
1. those designed for use in a wavelength range of less than 600 nanometers, which fall under any of the following:
1 一パルス当たり五〇ミリジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が一ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 50 joules per pulse and with a peak output exceeding 1 watt;
2 平均出力又は持続波の定格出力が一ワットを超えるもの
ii. those with an average output or continuous wave rated output exceeding 1 watt;
(二) 六〇〇ナノメートル以上一、四〇〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those designed for use within a wavelength range exceeding 600 nanometers and 1,400 nanometers or less which fall under any of the following:
1 一パルス当たり一ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が二〇ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 1 joules per pulse and with a peak output exceeding 20 watts;
2 平均出力又は持続波の定格出力が二〇ワットを超えるもの
ii. those with an average output or continuous wave rated output exceeding 20 watts;
(三) 一、四〇〇ナノメートルを超える波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those designed for use in a wavelength range exceeding 1,400 nanometers, which fall under any of the following:
1 一パルス当たり五〇ミリジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が一ワットを超えるもの
i. those which generate pulses exceeding 50 millijoules per pulse and with a peak output exceeding 1 watt;
2 平均出力又は持続波の定格出力が一ワットを超えるもの
ii. those with an average output or continuous wave rated output exceeding 1 watt;
ニ レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
(d) laser oscillators that fall under any of the following:
(一) 半導体レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
1. semiconductor laser oscillators which fall under any of the following:
1 単一横モードで発振する単一の半導体レーザーダイオードであって、次のいずれかに該当するもの
i. a single semiconductor laser diode that oscillates in a single transverse mode and falls under any of the following:
一 一、五一〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が一・五ワットを超えるもの
a. those which are designed for use within a wavelength range of 1,510 nanometers or less, those with an average output or continuous wave rated output exceeding 1.5 watts;
二 一、五一〇ナノメートルを超える波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が五〇〇ミリワットを超えるもの
b. those which are designed for use within a wavelength range exceeding 1,510 nanometers, those with an average output or continuous wave rated output exceeding 500 milliwatts;
2 多重横モードで発振する単一の半導体レーザーダイオードであって、次のいずれかに該当するもの
ii. a single semiconductor laser diode that oscillates in a multiple transverse mode and falls under any of the following:
一 一、四〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が一五ワットを超えるもの
a. among those which are designed for use within a wavelength range of less than 1,400 nanometers, those with an average output or continuous wave rated output exceeding 15 watts;
二 一、四〇〇ナノメートル以上一、九〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が二・五ワットを超えるもの
b. among those which are designed for use within a wavelength range of 1,400 nanometers or more and less than 1,900 nanometers, those with an average output or continuous wave rated output exceeding 2.5 watts;
三 一、九〇〇ナノメートル以上の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が一ワットを超えるもの
c. among those which are designed for use within a wavelength range of 1,900 nanometers or more, those with an average output or continuous wave rated output exceeding 1 watt;
3 単一の半導体レーザーバーであって、次のいずれかに該当するもの(4又は5の半導体レーザースタックアレーに組み込まれたものを除く。)
iii. a single semiconductor laser bar that falls under any of the following (excluding those incorporated into semiconductor laser stacked arrays referred to in iv. or v.):
一 一、四〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が一〇〇ワットを超えるもの
a. a single semiconductor laser bar designed for use within a wavelength range of less than 1,400 nanometers, with an average output or continuous wave rated output exceeding 100 watts;
二 一、四〇〇ナノメートル以上一、九〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が二五ワットを超えるもの
b. a single semiconductor laser bar designed for use within a wavelength range of 1,400 nanometers or more and less than 1,900 nanometer, with an average output or continuous wave rated output exceeding 25 watts;
三 一、九〇〇ナノメートル以上の波長範囲で使用するように設計したものであって、平均出力又は持続波の定格出力が一〇ワットを超えるもの
c. a single semiconductor laser bar designed for use within a wavelength range of 1,900 nanometers or more, with an average output or a continuous wave rated output exceeding 10 watts;
4 半導体レーザーアレースタックアレーであって、次のいずれかに該当するもの
iv. semiconductor laser stacked arrays falling under any of the following:
一 一、四〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
a. semiconductor laser stacked arrays designed for use in a wavelength range of less than 1,400 nanometers, which fall under any of the following:
イ 総平均出力又は持続波の総定格出力が三キロワット未満であって、平均出力密度又は持続波の定格出力密度が五〇〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
1 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or continuous wave rated output of less than 3 kilowatts, and an average output density or continuous wave rated output density exceeding 500 watts per square meter;
ロ 総平均出力又は持続波の総定格出力が三キロワット以上五キロワット以下であって、平均出力密度又は持続波の定格出力密度が三五〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
2 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or total continuous wave rated output of 3 kilowatts or more and 5 kilowatts or less, and an average output density or continuous wave rated output density exceeding 350 watts per square meter;
ハ 総平均出力又は持続波の総定格出力が五キロワットを超えるもの
3 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or total continuous wave rated output exceeding 5 kilowatts;
ニ ピークパルス出力密度が二、五〇〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
4 semiconductor laser stacked arrays with a peak pulsed output density exceeding 2,500 watts per square meter;
ホ 空間的に干渉し得る波の総平均出力又は持続波の総定格出力が一五〇ワットを超えるもの
5 semiconductor laser stacked arrays with a spatially coherent total average output or total continuous wave rated output exceeding 150 watts;
二 一、四〇〇ナノメートル以上一、九〇〇ナノメートル未満の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
b. semiconductor laser stacked arrays designed for use in a wavelength range of 1,400 nanometers or more and less than 1,900 nanometers, which fall under any of the following:
イ 総平均出力又は持続波の総定格出力が二五〇ワット未満であって、平均出力密度又は持続波の定格出力密度が一五〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
1 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or total continuous wave rated output of less than 250 watts, and an average output density or continuous wave rated output density exceeding 150 watts per square meter;
ロ 総平均出力又は持続波の総定格出力が二五〇ワット以上五〇〇ワット以下であって、平均出力密度又は持続波の定格出力密度が五〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
2 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or continuous wave rated output of 250 watts or more and 500 watts or less, and an average output density or continuous wave rated output density exceeding 50 watts per square meter;
ハ 総平均出力又は持続波の総定格出力が五〇〇ワットを超えるもの
3 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or continuous wave rated output exceeding 500 watts;
ニ ピークパルス出力密度が五〇〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
4 semiconductor laser stacked arrays with a peak pulsed output density exceeding 500 watts per square meter;
ホ 空間的に干渉し得る波の総平均出力又は持続波の総定格出力が一五ワットを超えるもの
5 semiconductor laser stacked arrays with a spatially coherent total average output or total continuous wave rated output exceeding 15 watts;
三 一、九〇〇ナノメートル以上の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
c. semiconductor laser stacked arrays designed for use in a wavelength range of 1,900 nanometers or more, which fall under any of the following:
イ 平均出力密度又は持続波の定格出力密度が五〇ワット毎平方センチメートルを超えるもの
1 semiconductor laser stacked arrays with an average output density or continuous wave rated output density exceeding 50 watts per square meter;
ロ 総平均出力又は持続波の総定格出力が十ワットを超えるもの
2 semiconductor laser stacked arrays with a total average output or total continuous wave rated output exceeding 10 watts;
ハ 空間的に干渉し得る波の総平均出力又は持続波の総定格出力が一・五ワットを超えるもの
3 semiconductor laser stacked arrays with a spatially coherent total average output or continuous wave rated output exceeding 1.5 watts;
四 3に該当する半導体レーザーバーを少なくとも一以上含むもの
d. semiconductor laser stacked arrays that contain at least one or more semiconductor laser bar that fall under iii.;
5 半導体レーザースタックアレーであって、他の半導体レーザースタックアレーと結合するように設計したもののうち、他の半導体レーザースタックアレーと電子回路及び冷却ユニットを共有するための接合部を有するもの(4に該当するものを除く。)
v. among semiconductor laser stacked arrays that are designed to be combined with other semiconductor laser stacked arrays, those having integrated connections to share electronic circuits and cooling units with other semiconductor laser stacked arrays (excluding those falling under iv.);
(二) 一酸化炭素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
2. carbon monoxide laser oscillators which fall under any of the following:
1 一パルス当たり二ジュールを超えるパルスを発振し、かつ、ピーク出力が五キロワットを超えるもの
i. carbon monoxide laser oscillators which generate pulses exceeding 2 joules per pulse, with a peak output exceeding 5 kilowatts;
2 平均出力又は持続波の定格出力が五キロワットを超えるもの
ii. carbon monoxide laser oscillators with an average output or continuous wave rated output exceeding 5 kilowatts;
(三) 二酸化炭素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
3. carbon dioxide laser oscillators which fall under any of the following:
1 持続波の定格出力が一五キロワットを超えるもの
i. carbon dioxide laser oscillators with a continuous wave rated output exceeding 15 kilowatts;
2 一〇マイクロ秒を超えるパルス幅でパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. carbon dioxide laser oscillators which generate pulses at a pulse width exceeding 10 microseconds and fall under any of the following:
一 平均出力が一〇キロワットを超えるもの
a. carbon dioxide laser oscillators with an average output exceeding 10 watts;
二 ピーク出力が一〇〇キロワットを超えるもの
b. carbon dioxide laser oscillators with a peak output exceeding 100 kilowatts;
3 一〇マイクロ秒以下のパルス幅でパルスを発振するものであって、次のいずれかに該当するもの
iii. carbon dioxide laser oscillators which generate pulses at a pulse width of 10 microseconds or less, and fall under any of the following:
一 一パルス当たり五ジュールを超えるパルスを発振するもの
a. carbon dioxide laser oscillators which generate pulses exceeding 5 joules per pulse;
二 平均出力が二・五キロワットを超えるもの
b. carbon dioxide laser oscillators with an average output exceeding 2.5 kilowatts;
(四) エキシマレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
4. excimer laser oscillators which fall under any of the following:
1 一五〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
i. excimer laser oscillators designed for use within a wavelength range of 150 nanometers or less that fall under any of the following:
一 一パルス当たり五〇ミリジュールを超えるパルスを発振するもの
a. excimer laser oscillators which generate pulses exceeding 50 millijoules per pulse;
二 平均出力が一ワットを超えるもの
b. excimer laser oscillators with an average output exceeding 1 watt;
2 一五〇ナノメートル超一九〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. excimer laser oscillators which are designed for use within a wavelength range exceeding 150 nanometers and 190 nanometers or less and which fall under any of the following:
一 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振するもの
a. excimer laser oscillators which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse;
二 平均出力が一二〇ワットを超えるもの
b. excimer laser oscillators with an average output exceeding 120 watts;
3 一九〇ナノメートル超三六〇ナノメートル以下の波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
iii. excimer laser oscillators which are designed for use within a wavelength range exceeding 190 nanometers and 360 nanometers or less and which fall under any of the following:
一 一パルス当たり一〇ジュールを超えるパルスを発振するもの
a. excimer laser oscillators which generate pulses exceeding 10 joules per pulse;
二 平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
b. excimer laser oscillators with an average output exceeding 500 watts;
4 三六〇ナノメートルを超える波長範囲で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
iv. excimer laser oscillators which are designed for use at a wavelength range exceeding 360 nanometers and which fall under any of the following:
一 一パルス当たり一・五ジュールを超えるパルスを発振するもの
a. excimer laser oscillators which generate pulses exceeding 1.5 joules per pulse;
二 平均出力が三〇ワットを超えるもの
b. excimer laser oscillators with an average output exceeding 30 watts;
(五) 化学レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
5. chemical laser oscillators which fall under any of the following:
1 ふっ化水素レーザー発振器
i. hydrogen fluoride laser oscillators;
2 ふっ化重水素レーザー発振器
ii. deuterium fluoride laser oscillators;
3 トランスファーレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
iii. transfer laser oscillators which fall under any of the following:
一 酸素からの励起移動によって励起するように設計したよう素レーザー発振器
a. iodine laser oscillators designed to be capable of being excited by excitation transfer from oxygen;
二 ふっ化重水素からの励起移動によって励起するように設計した二酸化炭素レーザー発振器
b. carbon dioxide laser oscillators designed to be capable of being excited by excitation transfer from deuterium fluoride;
(六) 非繰返しパルスを発振するネオジムガラスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
6. neodymium glass laser oscillators which generate non-repetitive pulses and fall under any of the following:
1 一マイクロ秒以下のパルス幅でパルスを発振し、かつ、一パルス当たり五〇ジュールを超えるパルスを発振するもの
i. neodymium glass laser oscillators which generate pulses at a pulse width of 1 microsecond or less, and pulses exceeding 50 joules per pulse;
2 一マイクロ秒を超えるパルス幅でパルスを発振し、かつ、一パルス当たり一〇〇ジュールを超えるパルスを発振するもの
ii. neodymium glass laser oscillators which generate pulses at a pulse width exceeding 1 microsecond and pulses exceeding 100 joules per pulse;
ホ レーザー発振器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(e) components for laser oscillators which fall under any of the following:
(一) 反射鏡であって、ヒートパイプを用いることにより又は鏡面下一ミリメートル未満の位置に流体を流すことにより冷却するように設計したもの
1. reflectors which are designed for cooling by using a heat pipe or by passing a fluid at a position which is less than 1 millimeter beneath the surface of the mirror;
(二) 反射鏡又は透過性を有する(部分的に透過する場合を含む。)光学部品若しくは電気光学部品であって、イからニまでのいずれかに該当するレーザー発振器に使用するように設計したもの
2. reflectors, or optical components or electro-optical components which are permeable (including partially permeable), and which are designed for use in laser oscillators which fall under any of (a) through (d);
ヘ レーザー発振器の試験装置又は附属品であって、次のいずれかに該当するもの
(f) test equipment or accessories for laser oscillators which fall under any of the following:
(一) 波面測定装置であって、レーザー光の波面の位相を五〇箇所以上測定することができるもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. among equipment for measuring wave surface which is capable of measuring the phase of a wave surface of laser light at 50 or more locations, those that fall under any of the following:
1 フレーム速度が一〇〇ヘルツ以上で、かつ、位相識別能がレーザー光の波長の五パーセント以下のもの
i. equipment for measuring wave surface with a frame speed of 100 hertz or more and with a phase identification capability of 5 % or less of the wavelength of the laser light;
2 フレーム速度が一、〇〇〇ヘルツ以上で、かつ、位相識別能がレーザー光の波長の二〇パーセント以下のもの
ii. equipment for measuring wave surface with a frame speed of 1,000 hertz or more and with a phase identification capability of 20 % or less of the wavelength of the laser light;
(二) レーザー発振器の試験装置であって、超高出力レーザー発振器(五〇ミリ秒間に一キロジュールを超えるエネルギーを出力できる又は平均出力若しくは持続波の定格出力が二〇キロワットを超えるレーザー発振器をいう。以下同じ。)のビームの振れ角の一〇マイクロラジアン以下の誤差を測定することができるもの
2. test equipment for laser oscillators which is capable of measuring errors in the beam deflection angle of an ultra-high output laser oscillator (laser oscillators which are capable of output energy exceeding 1 kilo-joule per 50 milliseconds or the average output or continuous wave rated output of which exceeds 20 kilowatts; the same applies hereinafter) of less than 10 microradians;
(三) フェーズドアレー型の超高出力レーザー発振器の附属品であって、使用する波長の一〇分の一又は〇・一マイクロメートル以下の精度でコヒーレント光を合成するためのもの
3. accessories for phased array type ultra-high output laser oscillators which synthesize coherent light at 1/10 of the wavelength used or at a precision of 0.1 micrometers or less;
(四) プロジェクションテレスコープであって、超高出力レーザー発振器と組み合わせて使用するように設計したもの
4. projection telescopes which are designed for use in combination with ultra-high output laser oscillators;
十の二 レーザー光を利用して音声を探知する装置であって、次のイからホまでの全てに該当するもの
(x)-2 equipment to detect sounds by using laser beams, which falls under all of the following (a) through (e):
イ レーザー発振器の持続波の定格出力が二〇ミリワット以上のもの
(a) those with a continuous wave rated output of the laser oscillator of 20 milliwatts or more;
ロ レーザー発振器の周波数の安定度が一〇メガヘルツ以下のもの
(b) those where frequency stability of the laser oscillator is 10 megahertz or less;
ハ レーザー発振器の波長範囲が一、〇〇〇ナノメートル以上二、〇〇〇ナノメートル以下のもの
(c) those for which the wavelength range of the laser oscillator is 1,000 nanometers or more and 2,000 nanometers or less;
ニ 光学系の分解能が一ナノメートル未満のもの
(d) those for which the resolution of the optical system is less than 1 nanometer;
ホ 信号対雑音比が一、〇〇〇以上のもの
(e) those for which the signal noise ratio is 1,000 or more;
十一 磁力計、磁場勾配計(医療用に設計したものを除く。)若しくは水中電場センサー(漁業用を除く。)若しくはこれらの校正装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xi) magnetometers, magnetic gradiometers (excluding those designed for medical use), or underwater electric field sensors (excluding those for fishery) or calibration equipment or components thereof which fall under any of the following (excluding those designed for medical purposes):
イ 超電導の技術を利用した磁力計であって、次のいずれかに該当するもの
(a) magnetometers which utilize superconducting technology which fall under any of the following:
(一) 静止状態で操作するように設計したものであって、運動中に生じるノイズを減少させるために設計した装置を有しないもののうち、一ヘルツの周波数における感度(帯域周波数の平方根当たりで表した実効値をいう。以下同じ。)が五〇フェムトテスラ以下のもの
1. among magnetometers which utilize superconducting technology designed so that they are capable of being operated in a stationary state, not having a device which is designed to reduce noise occurring during operations, those for which the sensitivity at a 1 hertz frequency (the effective value indicated per square root of the band frequency; the same applies hereinafter) is 50 femtoteslas or less;
(二) 運動中に生じるノイズを減少させるために設計した装置を有するものであって、一ヘルツの周波数における感度が二〇ピコテスラ未満のもの
2. magnetometers which utilize superconducting technology having a device designed to reduce noise occurring during operations, the sensitivity at a 1 hertz frequency of which is less than 20 picoteslas;
ロ 光ポンプ又は核磁気共鳴の技術を利用した磁力計であって、一ヘルツの周波数における感度が二ピコテスラ未満のもの
(b) magnetometers which utilize an optical pump or nuclear magnetic resonance technology, the sensitivity at a 1 hertz frequency of which is less than 2 picoteslas;
ハ 光ポンプ又は核磁気共鳴の技術を利用した磁力計であって、一ヘルツの周波数における感度が二ピコテスラ以上二〇ピコテスラ未満のもの
(c) magnetometers which utilize an optical pump or nuclear magnetic resonance technology, the sensitivity at a 1 hertz frequency of which is 2 picoteslas or more and less than 20 picoteslas;
ニ 三軸フラックスゲートの技術を利用した磁力計であって、一ヘルツの周波数における感度が一〇ピコテスラ以下のもの
(d) magnetometers which utilize triaxial flux gate technology, the sensitivity at a 1 hertz frequency of which is 10 picoteslas or less;
ホ 誘導コイルを用いた磁力計であって、次のいずれかに該当するもの
(e) magnetometers using an induction coil which fall under any of the following:
(一) 一ヘルツ未満の周波数における感度が〇・〇五ナノテスラ未満のもの
1. magnetometers which use an induction coil, the sensitivity at a frequency of less than 1 hertz of which is less than 0.05 nanoteslas;
(二) 一ヘルツ以上一〇ヘルツ以下の周波数における感度が〇・〇〇一ナノテスラ未満のもの
2. magnetometers which use an induction coil, the sensitivity at frequencies of 1 hertz or more and 10 hertz or less of which is less than 0.001 nanoteslas;
(三) 一〇ヘルツを超える周波数における感度が〇・〇〇〇一ナノテスラ未満のもの
3. magnetometers which use an induction coil, the sensitivity at frequencies exceeding 10 hertz of which is less than 0.0001 nanoteslas;
ヘ 光ファイバーを用いた磁力計であって、感度が一ナノテスラ未満のもの
(f) magnetometers which use optical fibers, the sensitivity of which is less than 1 nanotesla;
ト 水中電場センサーであって、一ヘルツの周波数で測定した場合の感度が八ナノボルト毎メートル未満のもの
(g) underwater electric field sensors, the sensitivity where measured at a frequency of 1 hertz is less than 8 nanovolts per meter;
チ 磁場勾配計であって、イからヘまでのいずれかに該当する磁力計を二以上用いたもの
(h) magnetic gradiometers using two or more magnetometers which fall under any of (a) through (f) above;
リ 光ファイバーを用いた磁場勾配計であって、イントリンシック型のもの(一軸当たりの検出素子の数が一のものをいう。以下この号において同じ。)のうち、感度が〇・三ナノテスラ毎メートル未満のもの
(i) among magnetic gradiometers which use optical fibers and intrinsic type gradiometers (those having a single detection element per axle; hereinafter the same applies in this item), those the sensitivity of which is less than 0.3 nanoteslas per meter;
ヌ 光ファイバーを用いていない磁場勾配計であって、イントリンシック型のもののうち、感度が〇・〇一五ナノテスラ毎メートル未満のもの
(j) among magnetic gradiometers which do not use optical fibers and which are intrinsic gradiometers, those the sensitivity of which is less than 0.015 nanoteslas per meter;
ル 磁力計、磁場勾配計又は水中電場センサーの校正装置であって、イからヌまでのいずれかに該当する貨物の有する機能と同等以上の機能を有する磁力計、磁場勾配計又は水中電場センサー用に設計したもの(ヲに該当するものを除く。)
(k) among calibration equipment for magnetometers, magnetic gradiometers or underwater electric field sensors, those designed for magnetometers, magnetic gradiometers or underwater electric field sensors having the functions equivalent or more to the functions held by the goods that fall under any of (a) through (j) (excluding goods falling under (l) below));
ヲ 磁力計、磁場勾配計又は水中電場センサーの校正装置であって、次のいずれかに該当する貨物用設計したもの
(l) calibration equipment for magnetometers or magnetic gradiometers or underwater electric field sensors which are designed for goods falling under any of the following:
(一) ハに該当する磁力計であって、感度が二ピコテスラ未満を実現する光ポンプ又は核磁気共鳴の技術を利用したもの
1. magnetometers which fall under (c) and utilize an optical pump or nuclear magnetic resonance technology to achieve a sensitivity of less than 2 picoteslas;
(二) トに該当する水中電場センサー
2. underwater electric field sensors which fall under (g);
(三) チからヌまでのいずれかに該当する磁場勾配計であって、感度が三ピコテスラ毎メートル未満を実現するもの
3. magnetic gradiometers which fall under any of (h) through (j), and which achieve a sensitivity of less than 3 picoteslas;
ワ 磁場勾配計であって、イ又はロに該当する磁力計を用いたもの
(m) magnetic gradiometers using magnetometers which fall under (a) or (b);
十一の二 水中において磁場又は電場を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xi)-2 equipment to detect magnetic fields or electric fields underwater, which falls under any of the following:
イ 第十一号イ又はロに該当する磁力計を組み込んだもの
(a) equipment that incorporates magnetometers that fall under (a) or (b) of item (xi);
ロ 第十一号ハからヘまでのいずれかに該当する磁力計又は同号トに該当する水中電場センサーを組み込んだもの
(b) equipment that incorporates magnetometers that fall under any of (c) through (f) of item (xi) or underwater electric field sensors that fall under (g) of the same item;
十二 重力計であって、次のいずれかに該当するもの又は重力勾配計
(xii) gravity meters that fall under any of the following or gravity gradiometers:
イ 地上用に設計した重力計であって、静止状態において重力を測定する場合の精度が一〇マイクロガル未満のもの(ウォルドン型のものを除く。)
(a) gravity meters designed for ground use with a precision of less than 10 microgals when gravity is measured in a stationary state (excluding Woldon types);
ロ 移動体搭載用に設計した重力計であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) gravity meters designed for mounting on movable bodies that fall under the following 1. and 2.:
(一) 静止状態において重力を測定する場合の精度が〇・七ミリガル未満のもの
1. gravity meters the precision of which when gravity is measured in a stationary state is less than 0.7 milligals;
(二) 変動状態において重力を測定する場合の精度が〇・七ミリガル未満で、かつ、測定所要時間が二分未満のもの
2. gravity meters the precision of which when gravity is measured in a fluctuating state is less than 0.7 milligals and for which required measuring time is less than 2 minutes;
十三 レーダーであって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品(二次監視レーダー、民生用自動車レーダー、気象レーダー、国際民間航空機関の定める標準に準拠した精測進入レーダー及びこれらの部分品(レーダーの部分品であって航空管制用の表示装置を含む。)を除く。)
(xiii) radar that falls under any of the following or components thereof (excluding secondary supervisory radars, civil automotive radars, meteorological radars, precision approach radars based on International Civil Aviation Organization standards and components thereof (including components for a radar that are display equipment for air traffic control):
イ 四〇ギガヘルツ以上二三〇ギガヘルツ以下の周波数範囲で使用することができるレーダーであって、次のいずれかに該当するものもの
(a) radar that can be used within a frequency range of 40 gigahertz or more and 230 gigahertz or less and fall under any of the following:
(一) 平均出力が一〇〇ミリワットを超えるもの
1. radar with an average output exceeding 100 milliwatts;
(二) 距離の位置精度が一メートル以下であって、方位角の位置精度が〇・二度以下のもの
2. radar with a locating accuracy of 1 meter or less in range, and a locating accuracy of 0.2 degrees or less in azimuth;
ロ 同調可能な帯域の幅が中心周波数の一二・五パーセントを超えるもの
(b) radar having a bandwidth capable of being tuned that exceeds the center frequency by 12.5 %;
ハ 三以上の搬送周波数を同時に使用することができるもの
(c) radar which is capable of using three or more carrier frequencies simultaneously;
ニ 合成開口レーダー、逆合成開口レーダー又は側方監視レーダーとして使用することができるもの
(d) radar which is capable of being used as synthetic aperture radar, reverse synthetic radar or supervisory radar;
ホ 電子的に走査が可能なアレーアンテナを組み込んだもの
(e) radar with built-in array antennas which are capable of electronic scanning;
ヘ 目標の高度を測定することができるもの
(f) radar which is capable of measuring a target altitude;
ト 気球又は航空機に搭載するように設計したものであって、移動する目標を検出するためにドップラー効果を利用するもの
(g) radar which is designed to be mounted on balloons or aircraft and which utilize the Doppler effect to detect a moving target;
チ 次のいずれかの技術を利用するもの
(h) radar which utilizes any of the following technologies:
(一) スペクトル拡散
1. spread spectrum;
(二) 周波数アジリティー
2. frequency agility;
リ 地上用のものであって、計測距離が一八五キロメートルを超えるもの(漁場監視レーダー、航空管制用に設計した地上レーダー及び気象用気球追尾レーダーを除く。)
(i) radar for ground use, the measured distance of which exceeds 185 km (excluding fishing ground supervisory radar and ground radar and meteorological balloon tracking radar designed for air traffic control);
ヌ レーザーレーダー(ライダーを含む。)であって、次のいずれかに該当するもの
(j) laser radar (including lidar) which falls under any of the following:
(一) 宇宙用に設計したもの
1. laser radar designed for space use;
(二) ヘテロダイン検波又はホモダイン検波の技術を利用し、かつ、角度分解能が二〇マイクロラジアン未満のもの
2. laser radar which utilizes heterodyne phase detection or homodyne phase detection technology and the angular resolution of which is less than 20 microradians;
(三) 航空機を使用して測深による沿岸測量を実施するように設計したものであって、国際水路機関が定める水路測量に係る基準に照らして十分な精度を有し、かつ、四〇〇ナノメートル超六〇〇ナノメートル以下の波長範囲で使用する一以上のレーザー発振器を用いるもの
3. laser radar designed for implementing bathymetric littoral surveys using aircraft, which has sufficient precision in light of the standard specified by the International Hydrographic Organization (IHO) for hydrographic surveys, and which uses one or more of the laser oscillators used within a wavelength exceeding 400 nanometers and 600 nanometers or less;
ル 次のいずれかに該当するパルス圧縮技術を利用するもの
(k) radar which utilizes pulse compression technology which fall under any of the following:
(一) パルス圧縮比が一五〇を超えるもの
1. radar with a pulse compression ratio exceeding 150;
(二) 圧縮パルス幅が二〇〇ナノ秒未満のもの(航海用二次元レーダー又は船舶航行サービス用二次元レーダーであって、次の1から5までの全てに該当するものを除く。)
2. radar with a compressed pulse width less than 200 nanoseconds (excluding two-dimensional marine radar or two-dimensional radar for ship navigation services which falls under all of the following i. through v.):
1 パルス圧縮比が一五〇未満のもの
i. radar with a pulse compression ratio of less than 150;
2 圧縮パルス幅が三〇ナノ秒を超えるもの
ii. radar with a compressed pulse width exceeding 30 nanoseconds;
3 単一の回転する機械式走査アンテナを有するもの
iii. radar with a single rotating mechanical scanning antenna;
4 ピーク出力が二五〇ワット未満のもの
iv. radar with a peak output of less than 250 watts;
5 周波数ホッピング能力を有していないもの
v. radar without the capability of frequency hopping;
ヲ 次のいずれかに該当するデータ処理技術を利用するもの(船舶航行サービスのために用いられる装置又はその部分品を除く。)
(l) radar which utilizes data processing technology which falls under any of the following (excluding equipment used for ship navigation services or components thereof):
(一) 自動目標追尾の技術であって、次回のアンテナビームが通過する時点より先の時点における目標の未来位置を予測することができるもの(航空管制用又は航海用レーダーの衝突防止機能を除く。)
1. automatic target tracking technology which is capable of estimating the future position of a target starting from the point where the next antenna beam passes (excluding collision prevention functions for air traffic control or marine radar);
(二) 削除
2. deleted;
(三) 第十三号ヘ又はリに該当する一のレーダーを単独で使用するときよりも性能が向上するよう、互いの距離が一、五〇〇メートル以上離れている二以上のレーダーから得られる目標データの重ね合わせ、相関又はデータフュージョンを六秒以内で行う技術
3. technology which carries out the superposition, correlation, or fusion of target data obtained from two or more radars with a mutual distance exceeding 1,500 meters within 6 seconds, for the purpose of improving the aggregate performance beyond that of any single radar falling under (f) or (i) of item (xiii);
(四) 第十三号ヘ又はリに該当する一のレーダーを単独で使用するときよりも性能が向上するよう、車両、船舶、航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体に搭載したレーダーを含む二以上のレーダーから得られる目標データの重ね合わせ、相関又はデータフュージョンを六秒以内で行う技術
4. technology which carries out the superposition, correlation, or fusion of target data obtained from two or more types of radar which include radar installed on airframes for vehicles, vessels, aircraft or satellites or other types of spacecraft for space development within 6 seconds, for the purpose of improving the aggregate performance beyond that of any single radar falling under (f) or (i) of item (xiii);
十四 光学の測定装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xiv) optical measuring equipment that falls under any of the following:
イ 光の反射率の測定装置(反射率の絶対値を測定するものに限る。)であって、その精度の絶対値が〇・一パーセント以下のもの
(a) equipment for measuring optical reflectance (limited to those which measure the absolute value of reflectance) the precision absolute value of which is 0.1 % or less;
ロ レンズ又は反射鏡の表面の形状の測定装置(非接触型のものに限る。)であって、光散乱の計測以外の方法を用いるもののうち、開口の直径が一〇センチメートルを超え、かつ、平面でない面形状を二ナノメートル以下の精度で測定するように設計したもの
(b) among equipment (limited to non-contact type) for measuring the surface shape of lenses or reflectors, which uses a method other than measurement of light scattering, that having an aperture diameter exceeding 10 centimeters and designed for measuring surface shapes which are not planar at a precision of 2 nanometers or less;
十五 地上用の重力計(静止状態において重力を測定する場合の精度が〇・一ミリガル未満のものに限る。)の製造用の装置又は校正装置
(xv) equipment for the manufacture or calibration equipment of gravity meters for ground use (limited to those the precision of which, when gravity is measured in a stationary state, is less than 0.1 milligals);
十六 光検出器その他の光学部品の材料となる物質又はレーザー発振器用の結晶であって、次のいずれかに該当するもの
(xvi) crystals for optical detectors and other material or laser oscillators made of a material for optical components that falls under any of the following:
イ テルルであって、純度が九九・九九九五パーセント以上のもの
(a) tellurium with a purity of 99.9995 % or more;
ロ 次のいずれかに該当するものの単結晶又はエピタキシャル成長結晶を有するウエハー
(b) wafers having a single crystal or epitaxial growth crystal which fall under any of the following:
(一) テルル化亜鉛のテルル化カドミウム及びテルル化亜鉛に対するモル比が六パーセント未満のテルル化亜鉛カドミウム
1. cadmium zinc telluride the mole ratio for zinc telluride relative to cadmium telluride and zinc telluride for which is less than 6 %;
(二) テルル化カドミウム
2. cadmium telluride;
(三) テルル化水銀カドミウム
3. cadmium mercury telluride;
ハ セレン化亜鉛又は硫化亜鉛からなる基板材料であって、化学的気相成長法により製造したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(c) among substrate materials made up of zinc selenide or zinc sulfide manufactured by the chemical vapor phase growth methods, those which fall under any of the following:
(一) 体積が一〇〇立方センチメートルを超えるもの
1. substrate materials, the volume of which exceeds 100 cubic centimeters;
(二) 直径が八〇ミリメートルを超え、かつ、厚さが二〇ミリメートル以上のもの
2. substrate materials, the diameter of which exceeds 80 millimeters and the thickness of which is 20 millimeters or more;
ニ 電気光学材料又は非線形光学材料であって、次のいずれかに該当するもの
(d) electro-chemical materials or non-linear optical materials which fall under any of the following:
(一) 砒素酸チタニルカリウム
1. potassium titanyl arsenate;
(二) セレン化ガリウム銀
2. silver gallium selenide;
(三) セレン化タリウム砒素
3. arsenic thallium selenide;
(四) リン化亜鉛ゲルマニウム
4. zinc germanium phosphide;
(五) セレン化ガリウム
5. gallium selenide;
ホ 非線形光学材料であって、次のいずれかに該当するもの(ニに該当するものを除く。)
(e) non-linear optical materials which fall under any of the following (excluding those which fall under (d)):
(一) 動的な三次の非線形感受率が一〇〇万分の一平方メートル毎ボルト毎ボルト以上であって、応答時間が一ミリ秒未満のもの
1. non-linear optical materials whose dynamic cubic non-linear susceptibility is greater than 1/1,000,000 per square meter per volt per volt and whose response time is less than 1 millisecond;
(二) メートル毎ボルトで表した二次の非線形感受率が一兆分の三三以上のもの
2. non-linear optical materials whose quadratic non-linear susceptibility is 33/1,000,000,000,000 or more, expressed in meter per volt;
ヘ ベリリウム上にベリリウムを堆積した材料又は炭化けい素からなる基板材料であって、直径又は長軸の長さが三〇〇ミリメートルを超えるもの
(f) substrate materials made up of materials having beryllium stacked on beryllium or substrate material made up of silicon carbide having a diameter or major axis length which exceeds 300 millimeters;
ト 光学ガラスであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(g) optical glass which falls under all of the following 1. through 3.:
(一) 水酸化物イオンの含有量が全重量の〇・〇〇〇五パーセント未満のもの
1. optical glass the hydroxide ion content of which is less than 0.0005 % of the total weight;
(二) 金属不純物の含有量が全重量の〇・〇〇〇一パーセント未満のもの
2. optical glass the metal impurities content of which is less than 0.0001 % of the total weight;
(三) 屈折率の変動が一〇〇万分の五未満のもの
3. optical glass the refractive index variation of which is less than 5/1,000,000;
チ 人工ダイヤモンドであって、二〇〇ナノメートル超一四、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲における吸収係数が一センチメートル当たり一〇万分の一未満のもの
(h) artificial diamonds the absorption coefficient of which is less than 1/100,000 per centimeter within a wavelength range exceeding 200 nanometers and 14,000 nanometers or less;
リ レーザー発振器用の人工の結晶であって、未完成のもののうち、チタンを添加したサファイア
(i) among artificial crystals for laser oscillators that are unfinished, sapphires with titanium added.
第十条 輸出令別表第一の一一の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 10 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 11 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 加速度計であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品
(i) accelerometers that fall under any of the following or components thereof:
イ 直線加速度計であって、次のいずれかに該当するもの
(a) linear accelerometers that fall under any of the following:
(一) 一四七・一五メートル毎秒毎秒以下の直線加速度で使用することができるように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
1. linear accelerometers designed to be capable of being used at a linear acceleration of 147.15 meters per second squared, which fall under any of the following:
1 バイアスの安定性(校正後のものをいう。以下この条において同じ。)が一年間につき〇・〇〇一二八メートル毎秒毎秒未満のもの
i. linear accelerometers with a bias stability (following calibration; hereinafter the same applies in this Article) of less than 0.00128 meters per second squared per year;
2 スケールファクターの安定性が一年間につき〇・〇一三パーセント未満のもの
ii. linear accelerometers with a scale factor stability of less than 0.013 % per year;
(二) 一四七・一五メートル毎秒毎秒超九八一メートル毎秒毎秒以下の直線加速度で使用することができるように設計したものであって、次の1及び2に該当するもの
2. linear accelerometers designed to be capable of being used at a linear acceleration exceeding 147.15 meters per second squared and 981 meters per second squared or less, and that fall under the following i. and ii.:
1 バイアスの再現性が一年間につき〇・〇一二二六二五メートル毎秒毎秒未満のもの
i. linear accelerometers with a bias reproducibility of less than 0.0122625 meters per second squared per year;
2 スケールファクターの再現性が一年間につき〇・一二五パーセント未満のもの
ii. linear accelerometers with a scale factor reproducibility of less than 0.125% per year;
(三) 慣性航法装置又は慣性誘導装置に使用するように設計したものであって、九八一メートル毎秒毎秒を超える直線加速度で使用することができるように設計したもの
3. linear accelerometers designed for use in inertial navigation systems or guidance systems, and designed to be capable of being used at a linear acceleration exceeding 981 meters per second squared;
ロ 角加速度計又は回転加速度計であって、九八一メートル毎秒毎秒を超える直線加速度で使用することができるように設計したもの
(b) angular accelerometers or rotary accelerometers designed to be capable of being used at a linear acceleration exceeding 981 meters per second squared;
二 ジャイロスコープ若しくは角加速度センサーであって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品
(ii) gyroscopes or angular accelerometers which fall under any of the following or components thereof:
イ 九八一メートル毎秒毎秒以下の直線加速度で使用することができるように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
(a) gyroscopes or angular accelerometers designed to be capable of being used at a linear acceleration of 981 meters per second squared or less, and that fall under any of the following:
(一) 測定範囲が一秒当たり五〇〇度未満のものであって、次のいずれかに該当するもの
1. gyroscopes or angular accelerometers with a rate range of less than 500 degrees per second, which fall under any of the following:
1 バイアスの安定性が、九・八一メートル毎秒毎秒の状態で一月間測定した場合に、一時間あたり〇・五度未満のもの
i. gyroscopes or angular accelerometers with a bias stability of less than 0.5 degrees per hour when measured in a 9.81 meters per second squared environment over a period of one month;
2 角度のランダムウォークを時間の平方根当たりで表した実効値が〇・〇〇三五度以下のもの(スピニングマスジャイロを除く。)
ii. gyroscopes or angular accelerometers the effective value of which indicates the angular random walk in degrees per square root of hours of 0.0035 degrees or less (excluding spinning mass gyro);
(二) 測定範囲が一秒当たり五〇〇度以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. gyroscopes or angular accelerometers with a rate range of 500 degrees per second or more, which fall under any of the following:
1 バイアスの安定性が、九・八一メートル毎秒毎秒の状態で三分間測定した場合に、一時間につき四度未満のもの
i. gyroscopes or angular accelerometers with a bias stability of less than 4 degrees per hour when measured in a 9.81 meters per second squared environment over three minutes;
2 角度のランダムウォークを時間の平方根当たりで表した実効値が〇・一度以下のもの(スピニングマスジャイロを除く。)
ii. gyroscopes or angular accelerometers the effective value of which indicates the angle random walk in degrees per square root of hours of 0.1 degrees or less (excluding spinning mass gyro);
ロ 九八一メートル毎秒毎秒を超える直線加速度で使用することができるように設計したもの
(b) gyroscopes, angular accelerometers or rotary accelerometer designed so that they are capable of being used at a linear acceleration which exceeds 981 meters per second squared;
三 慣性航法装置その他の慣性力を利用する装置であって、次のいずれかに該当するもの(本邦又は別表第二に掲げる地域のいずれかの政府機関が民間航空機用であることを証明したものを除く。)
(iii) inertial navigation systems and other systems utilizing inertia force which fall under any of the following (excluding those certified for civil aviation use by Japan or by any of the government organizations indicated in the regions listed in the appended table 2) or components thereof:
イ 航空機用、陸上車両用又は船舶用に設計されたものであって、位置参照情報によらずに位置情報を提供するもののうち、ノーマルアライメント後の精度が次のいずれかに該当するもの
(a) those designed for aircraft use, land vehicle use, or ship use that provide location information without relying on location reference information, and with an accuracy after normal alignment that falls under any of the following:
(一) 平均誤差半径が一時間につき〇・八海里以下のもの
1. those in which mean error radius is 0.8 nautical miles per hour or less;
(二) 平均誤差半径が移動距離の〇・五パーセント以下のもの
2. those in which mean error radius is 0.5% or less of a travel distance;
(三) 平均誤差半径が二四時間で総ドリフト一海里以下のもの
3 those in which mean error radius is 1 nautical mile or less in total drift per 24 hours;
ロ 航空機用、陸上車両用又は船舶用に設計され、位置参照情報を内蔵するものであって、全ての位置参照情報の喪失後四分以内に位置情報を提供し、平均誤差半径が一〇メートル未満のもの
(b) those designed for aircraft use, land vehicle use, or ship use which incorporate location reference information and provide location information within 4 minutes after the loss of all location reference information, and with a mean error radius of less than 10 meters;
ハ 航空機用、陸上車両用又は船舶用に設計され、真北方向を示すものであって、次のいずれかに該当するもの
(c) those designed for aircraft use, land vehicle use, or ship use which indicate the true north direction and fall under any of the following:
(一) 最大動作角速度が一秒当たり五〇〇度未満であって、位置参照情報を用いない機首方位精度が一秒当たり〇・〇七度を測定地点の緯度の余弦で除した値以下又は緯度四五度の地点において六分以下のもの
1. those with the maximum operating angular velocity of less than 500 degrees per second and in which the accuracy of nose direction without using location reference information is the value obtained by dividing 0.07 degrees by the cosine of latitude or less, or six minutes or less at 45 degrees latitude;
(二) 最大動作角速度が一秒当たり五〇〇度以上であって、位置参照情報を用いない機首方位精度が一秒当たり〇・二度を測定地点の緯度の余弦で除した値以下又は緯度四五度の地点において一七分以下のもの
2. those with the maximum operating angular velocity of 500 degrees or more per second and in which the accuracy of nose direction without using location reference information is the value obtained by dividing 0.2 degrees by the cosine of latitude or less, or 17 minutes or less at 45 degrees latitude;
ニ 二次元以上において、加速度測定値又は角速度測定値を提供するものであって、次のいずれかに該当するもの
(d) those which provide acceleration measurement values or angular velocity measurement values in two dimensions or more and fall under any of the following:
(一) 任意の軸に沿って、いかなる参照情報も使用することなく、第一号又は前号に規定する仕様のもの
1. those of specifications specified in item (i) or the preceding item along any axis, without using any reference information;
(二) 宇宙用に設計したものであって、任意の軸に沿った角度のランダムウォークを時間の平方根当たりで表した実効値が〇・一度以下で、かつ、角速度の測定値を与えるもの(スピニングマスジャイロのみを組み込んだ慣性航法装置その他の慣性力を利用する装置を除く。)
2. those designed for space use whose effective value indicates the angular random walk along any axis in degrees per square root of hours of 0.1 degrees or less, and which provide angular velocity measurement values (excluding inertial navigation systems and other systems utilizing inertia force that incorporate spinning mass gyros only);
四 ジャイロ天測航法装置、天体若しくは人工衛星の自動追跡により位置若しくは針路を測定することができる装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(iv) gyroscopes for celestial navigation, devices that derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites, or components thereof which fall under any of the following:
イ ジャイロ天測航法装置又は天体若しくは人工衛星の自動追跡により位置若しくは針路を測定することができる装置であって、方位精度が二〇秒以下のもの
(a) gyroscopes for celestial navigation or devices that derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites and which have a bearing accuracy of 20 seconds or less;
ロ イに該当するジャイロ天測航法装置又は天体若しくは人工衛星の自動追跡により位置若しくは針路を測定することができる装置のために設計した部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b) among components designed for gyroscopes for celestial navigation or devices that derive position or orientation by means of automatically tracking celestial bodies or satellites and which fall under (a), those which fall under any of the following:
(一) 光学ヘッド又はバッフル
1. optical heads or baffles;
(二) データ処理ユニット
2. data processing units;
五 衛星航法システムからの電波を受信する装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品
(v) devices which receive radio waves from global navigation satellite systems that fall under any of the following, or components thereof:
イ 位置及び時刻に関するレンジングコードにアクセスするための暗号の復号化アルゴリズムを有するもの(民生用に設計されたものを除く。)
(a) those having a decryption algorithm to access the ranging code for position and time (excluding those designed for civil use);
ロ アダプティブアンテナシステムを構成するもの
(b) those constituting an adaptive antenna system;
六 航空機用の高度計であって、四・四ギガヘルツを超える周波数又は四・二ギガヘルツより低い周波数で使用することができるように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(vi) among aircraft altimeters which are designed for use at frequencies greater than 4.4 gigahertz or at frequencies lower than 4.2 gigahertz, those which fall under any of the following:
イ 送信出力制御機能を有するもの
(a) aircraft altimeters having a transmission output control function;
ロ 位相偏移変調機能を有するもの
(b) aircraft altimeters having a phase deviation modulation function;
七 水中ソナー航法装置であって、船首センサーを組み込み、かつ、ドップラー速度ログ若しくは相関速度ログを用いるもののうち、位置精度が平均誤差半径で移動した距離の三パーセント以下のもの又はその部分品
(vii) among underwater sonar navigation systems integrating a heading sensor and using Doppler velocity or correlation velocity, those having a positioning accuracy of 3 % or less of distance travelled by circular error probability, or components thereof;
八 第一号から第七号までのいずれかに該当するものの試験装置、校正装置、心合わせ装置又は製造用の装置
(viii) test equipment, calibration equipment, alignment equipment or equipment for manufacture that fall under any of item (i) through item (vii);
九 リングレーザージャイロの鏡面の特性確認のために設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
(ix) devices which are designed to confirm the characteristics of the mirror surface of a ring laser gyro that fall under any of the following:
イ スキャッタロメータであって、測定精度が〇・〇〇一パーセント以下のもの
(a) scatterometers having a measuring precision of 0.001 % or less;
ロ プロフィロメータであって、測定精度が〇・五ナノメートル以下のもの
(b) profilometers having a measuring precision of 0.5 nanometers or less.
第十一条 輸出令別表第一の一二の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 11 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 12 of the appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 繋索式の潜水艇であって、一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(i) among small mooring-rope type submersible boats which are designed so that they are capable of being used at depths exceeding 1,000 meters, those which fall under any of the following:
イ 有人式の潜水艇
(a) manned submersible vessels;
ロ 無人式の潜水艇であって、次のいずれかに該当するもの
(b) unmanned submersible vessels which fall under any of the following:
(一) 直流の推進電動機又はスラスターを使用して、独力で潜航することができるように設計したもの
1. small unmanned submersible vessels which use direct current propulsion electric motors and which are designed so that they are capable of being used for navigation unaided;
(二) 光ファイバーによってデータを送受することができるもの
2. small unmanned submersible boats capable of transmitting and receiving data using optical fiber;
二 二五〇メートルを超える水深にある物体を回収するための装置であって、五メガニュートンを超える揚荷能力を有し、かつ、次のいずれかに該当するもの
(ii) equipment which is used to recover objects at depths exceeding 250 meters having a cargo unloading capability exceeding 5 meganewtons and which fall under any of the following:
イ 航法装置によって設定した点から二〇メートル以内の範囲に位置を保持することができる自動船位保持装置を有するもの
(a) equipment having an automatic ship position maintaining device which is capable of maintaining the position of the ship within a range of 20 meters from a point set by the navigation device;
ロ 一、〇〇〇メートルを超える水深において、あらかじめ定められた点から一〇メートルの範囲に位置を保持することができるもの
(b) equipment which is capable of maintaining a position within a range of 10 meters from a preset point at depths exceeding 1,000 meters;
三 水上船であって、次のいずれかに該当するもの
(iii) surface ships which fall under any of the following:
イ エアクッション船であって、次のいずれかに該当するもの
(a) air-cushion vehicles which fall under any the following:
(一) スカート型のもの(船体の全周にフレキシブルスカートを取り付けたものに限る。)であって、有義波高が一・二五メートル以上の場合における満載状態の速力の最大値が三〇ノットを超えるように設計したもののうち、クッションの圧力が三、八三〇パスカルを超え、かつ、満載排水量に対する軽荷排水量の比率が七〇パーセント未満のもの
1. among side wall type vehicles (limited to those with attached flexible skirts on the periphery of the ship's hull) designed so that the maximum value of the speed when full, and when the significant wave height is 1.25 meters or more, and the speed of which exceeds 30 knots, those for which the cushioning pressure exceeds 3,830 pascals and the ratio of light load displacement relative to full load displacement is less than 70 %;
(二) 側壁型のものであって、有義波高が三・二五メートル以上の場合における満載状態の速力の最大値が四〇ノットを超えるように設計したもの
2. side wall type vehicles which are designed so that the maximum value of the speed when full when the significant wave height is 3.25 meters or more, exceeds 40 knots;
ロ 水中翼船であって、有義波高が三・二五メートル以上の場合における満載状態の速力の最大値が四〇ノット以上になるように設計したもののうち、船体の揺れ、波の状態その他のデータを測定することによって水中翼を自動的に制御する装置を有するもの
(b) among hydrofoil ships which are designed so that the maximum value of the speed when full when significant wave height is 3.25 meters or more exceeds 40 knots, those which have a device to automatically control the hydrofoil by measuring the condition of the waves and other data;
ハ 水線面積を小さくすることによって造波抵抗を減少させるように設計した船舶であって、次のいずれかに該当するもの
(c) vessels which are designed so that they are capable of reducing wave creation resistance by reducing the area of the water line which falls under any of the following:
(一) 満載排水量が五〇〇トンを超えるものであって、有義波高が三・二五メートル以上の場合における満載状態の速力の最大値が三五ノットを超えるように設計したもの
1. vessels in which full load displacement exceeds 500 tons and which are designed so that the maximum value of the speed when full when the significant wave height is 3.25 meters or more exceeds 35 knots;
(二) 満載排水量が一、五〇〇トンを超えるものであって、有義波高が四メートル以上の場合における満載状態の速力の最大値が二五ノットを超えるように設計したもの
2. vessels for which full load displacement exceeds 1,500 tons and which are designed so that the maximum value of speed when full when the significant wave height is 4 meters or more exceeds 25 knots;
四 潜水艇の部分品又は附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(iv) components or auxiliaries for submersible vessels which fall under any of the following:
イ 一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計した潜水艇の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(a) components for submersible vessels which are designed so that they are capable of being used at depths exceeding 1,000 meters which fall under any of the following:
(一) 最大の内のり寸法が一・五メートルを超える耐圧容器又は耐圧殻
1. pressure-resistant containers or pressure-resistant shells in which maximum internal dimensions exceed 1.5 meters;
(二) 直流の推進電動機又はスラスター
2. direct current propulsion electric motors or thrusters;
(三) 光ファイバー及び合成材のテンションメンバを使用したアンビリカルケーブル又はそのコネクタ
3. umbilical cables or connectors which use tension members made of optical fiber and synthetic materials;
(四) 第十二号に該当する材料を用いた部分品
4. components using material that falls under item (xii);
ロ 潜水艇に使用することができるように設計した自動制御装置であって、航法データを使用し、かつ、サーボ制御方式であるもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b) among automatic control devices which are designed so that they are capable of being used in submersible vessels which use navigation data and which are servo control systems, those that fall under the following 1. and 2.:
(一) 第一号ロ又は第十四条第九号に該当する潜水艇に使用することができるもの
1. automatic control devices which are capable of being used for submersible vessels which fall under item (i), (b) or Article 14, item (ix);
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. automatic control devices which fall under any of the following:
1 水中のあらかじめ定められた点を中心とする半径一〇メートルの水柱内に潜水艇を移動することができるもの
i. automatic control devices which are capable of moving submersible vessels inside a water column having a radius of 10 meters having a preset center point in the water;
2 水中のあらかじめ定められた点を中心とする半径一〇メートルの水柱内に潜水艇を保持することができるもの
ii. automatic control devices which are capable of holding a submersible vessel inside a water column having a radius of 10 meters having a preset center point in the water;
3 海底又は海底下にあるケーブルに沿って移動する際に、ケーブルから一〇メートル以内に潜水艇を保持することができるもの
iii. automatic control devices which are capable of holding a small submersible vessel to within 10 meters of a cable when moving along a cable which is at the bottom of the sea or beneath the sea;
ハ 潜水艇に使用することができるように設計した自動制御装置であって、航法データを使用し、かつ、サーボ制御方式であるもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの(ロに該当するものを除く。)
(c) among automatic control devices which are designed so that they are capable of being used in submersible vessels, which use navigation data and which are servo control systems, those that fall under 1. and 2. (excluding those falling under (b)):
(一) 第一号イに該当する潜水艇に使用することができるように設計したもの
1. automatic control devices which are designed so that they are capable of being used in submersible vessels and which fall under item (i), (a);
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. automatic control devices that fall under any of the following:
1 水中のあらかじめ定められた点を中心とする半径一〇メートルの水柱内に潜水艇を移動することができるもの
i. automatic control devices which are capable of moving submersible vessels inside a water column having a radius of 10 meters having a preset center point in the water;
2 水中のあらかじめ定められた点を中心とする半径一〇メートルの水柱内に潜水艇を保持することができるもの
ii. automatic control devices which are capable of holding submersible vessels within a water column having a radius of 10 meters having a present center point in the water;
3 海底又は海底下にあるケーブルに沿って移動する際に、ケーブルから一〇メートル以内に潜水艇を保持することができるもの
iii. automatic control devices which are capable of holding submersible vessels inside a water column within 10 meters from the cable when moving along a cable which is on the sea floor or beneath the sea;
ニ 光ファイバーを船体内に引き込むための耐圧殻の貫通金物
(d) lead-through hardware of pressure-resistant shells used to draw optical fiber inside the hull of a ship;
ホ 水中用の観測装置であって、次のいずれかに該当するもの
(e) observation devices for underwater use that fall under any of the following:
(一) 潜水艇に搭載して遠隔操作することができるように設計した水中テレビジョン装置であって、空気中における解像度が八〇〇本を超えるもの
1. underwater television devices which are designed so that they are capable of being mounted onto submersible vessels for remote control and with a resolution in air exceeding 800;
(二) 潜水艇に搭載して遠隔操作することができるように設計したものであって、後方散乱による影響を減少させる機能を有するもの
2. observation devices for underwater use which are designed so that they are capable of being used in submersible vessels for remote control and having a function which reduces the effect of backscattering;
五 水中用のカメラ又はその附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(v) underwater cameras or auxiliaries thereof which fall under any of the following:
イ テレビカメラであって、次のいずれかに該当するもの
(a) television cameras that fall under any of the following:
(一) 空気中における解像度が一、一〇〇本を超えるもの
1. television cameras with a resolution in air exceeding 1,100;
(二) 第九条第三号ロ(一)に掲げるイメージ増強管を組み込み、かつ、固体撮像素子の有効画素数が一五〇、〇〇〇を超えるもの
2. television cameras with a built-in image reinforcing tube listed in Article 9, item (iii), (b), 1. having more than 150,000 effective pixels for its solid-state image sensors;
ロ 一五〇メートルを超える水深で使用できるように設計又は改造された写真機(幅が三五ミリメートル以上のフィルムを用いるものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(b) cameras which are designed or manufactured so that they are capable of being used at depths exceeding 150 meters (limited to those using film with a width of 35 millimeters or more) which fall under any of the following:
(一) 水深、位置その他の測定データをフィルムに記録することができるもの
1. cameras which are capable of recording the depth, position and other measurement data on film;
(二) バックフォーカルディスタンスを自動的に補正する機能を有するもの
2. cameras having a function which automatically compensates for the back focal distance;
(三) ハウジングが一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計した自動的な制御装置を有するもの
3. cameras having an automatic control device which is designed so that its housing is capable of being used at depths exceeding 1,000 meters;
ハ 照明装置であって、次のいずれかに該当するもの
(c) lighting systems which fall under any of the following:
(一) ストロボ法を用いたものであって、一回のフラッシュ当たりのエネルギーが三〇〇ジュールを超えるもののうち、一秒間に五回を超えて発光することができるもの
1. among lighting systems which use the stroboscopic method, in which energy per flash exceeds 300 joules, those that are capable of emitting light in excess of five times per second;
(二) アルゴンのアークを用いたものであって、一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したもの
2. lighting systems which use argon arcs which are designed so that they are capable of being used at depths exceeding 1,000 meters;
六 水中用のロボット(操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。)であって、次のいずれかに該当するもの
(vi) underwater robots (excluding maneuvering robots and sequence robots) which fall under any of the following:
イ 外部物体に加えた力若しくはトルク、外部物体までの距離又は触覚を測定するセンサーからの情報を用いて制御するもの
(a) underwater robots which control use of information from a sensor which measures the force or torque applied to an external object or the distance to tactual sense with the external object;
ロ 構造材にチタン合金又は繊維強化複合材料を用いたものであって、二五〇ニュートン以上の力又は二五〇ニュートンメートル以上のトルクで作業することができるもの
(b) underwater robots which use titanium alloy or fiber reinforced composite materials as structural materials and which are capable of being operated under a force of more than 250 newtons or at a torque greater than 250 newton meters;
七 潜水艇とともに使用することができるように設計した遠隔操作のマニピュレーター(関節を有するものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(vii) remote control manipulators (limited to those which are articulated) which are designed so that they can be used together with submersible vessels which fall under any of the following:
イ 外部物体に加えた力若しくはトルク又は外部物体との触覚を測定するセンサーからの情報を用いて制御するもの
(a) remote control manipulators which use information from a sensor which measures the force applied to an external object or the torque or the tactual sense upon the external object;
ロ マスタースレーブ方式によって制御するものものであって、動作自由度が五以上のもの
(b) remote control manipulators which control the use of a master-slave system with a degree of freedom of motion of 5 or more;
八 大気から遮断された状態で使用することができる動力装置であって、次のいずれかに該当するもの
(viii) power units which are capable of being used when they are cut off from the air that fall under any of the following:
イ ブレイトンサイクルエンジン又はランキンサイクルエンジンであって、次のいずれかに該当する装置を有するもの
(a) brayton cycle engines or Rankine cycle engines having a device that falls under any of the following:
(一) 循環する排気から一酸化炭素、二酸化炭素及び微粒子を除去することができるように設計した装置
1. equipment which is designed so that it is capable of removing carbon monoxide, carbon dioxide as well as particles from the exhaust air which is circulating;
(二) 単原子で構成される気体を利用することができるように設計した装置
2. equipment designed so that it is capable of utilizing monoatomic gases;
(三) 一〇キロヘルツ未満の周波数の水中ノイズを減少させることができるように設計した防音装置若しくはエンクロージャ又は衝撃を緩和することができるように設計した装置
3. soundproofing devices or enclosures designed so that they are capable of reducing underwater noise at frequencies of less than 10 kilohertz or equipment which is designed so that it is capable of mitigating; collisions;
(四) 反応生成物を圧縮又は燃料として再生することができ、反応生成物を貯蔵することができ、かつ、一〇〇キロパスカル以上の圧力下で反応生成物を排出することができるように設計した装置
4. equipment designed so that it is capable of compressing reaction products or recycling them as fuel, storing the reaction products and discharging the reaction products at pressures of more than 100 kilopascals;
ロ ディーゼルエンジンであって、次の(一)から(四)までのすべてに該当する装置を有するもの
(b) diesel engines having equipment that falls under all of the following 1. through 4.:
(一) 循環する排気から一酸化炭素、二酸化炭素及び微粒子を除去することができるように設計した装置
1. equipment designed so that it is capable of removing carbon monoxide, carbon dioxide and fine particles from exhaust air which is circulating;
(二) 単原子で構成される気体を利用することができるように設計した装置
2. equipment which is designed so that it is capable of utilizing monoatomic gases;
(三) 一〇キロヘルツ未満の周波数の水中ノイズを減少させることができるように設計した防音装置若しくはエンクロージャ又は衝撃を緩和することができるように設計した装置
3. soundproofing devices or enclosures which are designed so that they are capable of reducing underwater noise at frequencies of less than 10 kilohertz or equipment which is designed so that it is capable of mitigating collisions;
(四) 燃焼生成物を断続的に排出することができるように設計した装置
4. equipment which is designed so that it is capable of discharging combustion products intermittently;
ハ 出力が二キロワットを超える燃料電池であって、次のいずれかに該当する装置を有するもの
(c) fuel cells with an output exceeding 2 kilowatts and having a device that falls under any of the following:
(一) 一〇キロヘルツ未満の周波数の水中ノイズを減少させることができるように設計した防音装置若しくはエンクロージャ又は衝撃を緩和することができるように設計した装置
1. soundproofing devices or enclosures which are designed so that they are capable of reducing underwater noise at frequencies of less than 10 kilohertz or equipment designed so that it is capable of mitigating collisions;
(二) 反応生成物を圧縮又は燃料として再生することができ、反応生成物を貯蔵することができ、かつ、一〇〇キロパスカル以上の圧力下で反応生成物を排出することができるように設計した装置
2. equipment which is designed so that it is capable of compressing reaction products or recycling them as fuel, which are capable of storing the reaction products and discharging reaction products at pressures greater than 100 kilopascals;
ニ スターリングサイクルエンジンであって、次の(一)及び(二)に該当する装置を有するもの
(d) sterling cycle engines having equipment which falls under any of the following 1. and 2.:
(一) 一〇キロヘルツ未満の周波数の水中ノイズを減少させることができるように設計した防音装置若しくはエンクロージャ又は衝撃を緩和することができるように設計した装置
1. soundproofing devices or enclosures which are designed so that they are capable of reducing underwater noise at frequencies of less than 10 kilohertz or equipment which is designed so that it is capable of mitigating collisions;
(二) 一〇〇キロパスカル以上の圧力下で反応生成物を排出することができるように設計した装置
2. equipment which is designed so that it is capable of discharging reaction products at pressures greater than 100 kilopascals;
九 第三号に該当する水上船の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ix) components for surface ships which fall under item (iii), and which fall under any of the following:
イ フレキシブルスカート、シール又はフィンガーであって、次のいずれかに該当するもの
(a) flexible skirts, seals or fingers which fall under any of the following:
(一) 第三号イ(一)に該当するエアクッション船に使用することができるように設計したものであって、クッションの圧力が三、八三〇パスカル以上であるもののうち、有義波高が一・二五メートル以上の場合において使用することができるように設計したもの
1. among flexible skirts, seals or fingers which are designed so that they are capable of being used in air-cushion vehicles which fall under item (iii), (a), 1. in which cushioning pressure is 3,830 pascals or more, those which are capable of being used when the significant wave height is 1.25 meters or more;
(二) 第三号イ(二)に該当するエアクッション船に使用することができるように設計したものであって、クッションの圧力が六、二二四パスカル以上であるもののうち、有義波高が三・二五メートル以上の場合において使用することができるように設計したもの
2. among flexible skirts, seals or fingers which are designed so that they are capable of being used in air-cushion vehicles which fall under item (iii), (a), 2. and in which cushioning pressure is greater than 6,224 pascals, those which are designed so that they are capable of being used when the significant wave height is 3.25 meters or more;
ロ 第三号イに該当するエアクッション船に使用することができるように設計した浮上用ファンであって、定格入力が四〇〇キロワットを超えるもの
(b) levitation fans which are designed so that they are capable of being used on air-cushion vehicles which fall under item (iii), (a) in which rated output exceeds 400 kilowatts;
ハ 第三号ロに該当する水中翼船に使用することができるように設計した完全没水型の水中翼であって、キャビテーション損傷を減少させるように設計されたもの
(c) totally submersible hydrofoils which are designed so that they are capable of being used in hydrofoil ships which fall under item (iii), (b) which are designed to reduce capitation damage;
ニ 船体の揺れ、波の状態その他の測定データを利用する自動安定性制御装置
(d) automatic stabilizing control devices which utilize the shaking of the ship's hull, wave conditions and other measurement data;
ホ スーパーキャビテーションプロペラ、半没水型プロペラ又はサーフェスプロペラであって、定格入力が七・五メガワットを超えるもの
(e) super capitation propellers, semi-submersible propellers or surface propellers, the rated output of which exceeds 7.5 megawatts;
ヘ 二重反転プロペラ装置であって、定格入力が一五メガワットを超えるもの
(f) double reversing propeller devices, the rated output of which exceeds 15 megawatts;
ト プロペラへ向かう水流を整流する機能を有する装置
(g) equipment having a function which rectifies the stream which faces the propeller;
チ 減速装置であって、アメリカ歯車工業会の規格で定めるK値が三〇〇を超えるもの
(h) decelerators the K value of which is indicated in the standards of the American Gear Industry Association and exceeds 300;
リ 複合材料を用いた伝動軸装置であって、一メガワットを超える出力を伝達することができるもの
(i) transmission shaft equipment which uses composite materials which are capable of transmitting output greater than 1 megawatt;
十 船舶の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(x) vessel components which fall under any of the following:
イ 可変ピッチプロペラ又はそのハブであって、定格入力が三〇メガワットを超えるもの
(a) variable pitch propellers or hubs thereof with a rated output exceeding 30 megawatts;
ロ 内部液冷式の電気推進機関であって、出力が二・五メガワットを超えるもの
(b) internal liquid-cooling type electric propulsion engines in which output exceeds 2.5 megawatts;
ハ 超電導式推進機関又は永久磁石を用いた電気推進機関であって、出力が〇・一メガワットを超えるもの
(c) superconductive propulsion engines or electric propulsion engines using a permanent magnet having an output greater than 0.1 megawatts;
ニ 複合材料を用いた伝動軸装置であって、二メガワットを超える出力を伝達することができるもの
(d) power transmission shaft equipment using a composite material which is capable of transmitting output exceeding 2 megawatts;
ホ スクリュープロペラ装置であって、プロペラから空気を噴き出すように設計したもの又はプロペラに空気を供給するように設計したもののうち、定格入力が二・五メガワットを超えるもの
(e) among screw propeller devices which are designed so that air from the propeller is capable of being discharged or so that air is capable of being supplied to the propeller, those with a rated output exceeding 2.5 megawatts;
ヘ 排水量が一、〇〇〇トン以上の船舶に使用することができる防音装置であって、ディーゼルエンジン、ディーゼル発電機、ガスタービンエンジン、ガスタービン発電機、推進電動機又は減速装置から発生する五〇〇ヘルツ未満の周波数の音響又は振動を減少するもののうち、複合型の防音台からなり、かつ、中間のマスの重量がその上に設置される装置の重量の三〇パーセントを超えるもの
(f) among soundproofing devices which are capable of being used on vessels in which the displacement is greater than 1,000 tons which reduces sound or vibration at frequencies of less than 500 hertz generated from diesel engines, diesel generators, gas turbine engines, gas turbine generators, propulsion electric motors, reducers, those made of a composite sound insulating base the intermediate mass weight of which exceeds 30 % of the weight of the device installed on it;
ト スクリュープロペラの推進力の向上又はその水中ノイズの減少を図るために末広ノズル又は整流ベーンに関する技術を用いた装置であって、出力が二・五メガワットを超えるもの
(g) equipment which uses a divergent nozzle or which uses technology relating to a straightening vane to upgrade the driving force of the screw propeller or to reduce underwater noise in which the output exceeds 2.5 megawatts;
十一 推進器の模型の周辺の水流から生じるノイズを音場において計測するために設計した回流水槽であって、基準音圧が一マイクロパスカル及び周波数幅が一ヘルツの場合において、〇ヘルツ以上五〇〇ヘルツ以下の周波数範囲での暗騒音が一〇〇デシベル未満のもの
(xi) a rotation current water tank designed to measure noise coming from the stream around a model propeller in a sound field, with a background noise of less than 100 decibels within a frequency range of 0 hertz or more and 500 hertz or less when the standard sound pressure is 1 micropascal and the frequency width is 1 hertz;
十二 浮力材であって、次のイ及びロに該当するもの
(xii) buoyant materials which fall under the following (a) and (b):
イ 一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したもの
(a) buoyant materials designed so they are capable of being used at depths exceeding 1,000 meters;
ロ 密度が五六一キログラム毎立方メートル未満のもの
(b) buoyant materials the density of which is less than 561 kilograms per cubic meter;
十三 閉鎖回路式又は半閉鎖回路式の自給式潜水用具
(xiii) closed-circuit or semi-closed circuit self-contained diving equipment;
十四 音波を利用して人の水中における活動を妨害する装置であって、当該利用する音波が二〇〇ヘルツ以下の周波数において音圧レベルが一九〇デシベル以上となるように設計したもの
(xiv) equipment that disrupts a person's underwater activities by utilizing acoustic waves, and that is designed to have a sound pressure level of 190 decibels or more where frequencies of the acoustic wave used are 200 hertz or less.
第十二条 輸出令別表第一の一三の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 12 Goods with specifications prescribed by the Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 13 of appended table 1 of the Export Order fall under any of the following:
一 航空機用のガスタービンエンジンであって、次のいずれかに該当するもの
(i) gas turbine engines for aircraft which fall under any of the following:
イ 第二十五条第三項第二号イからトまで及びヌのいずれか、同項第三号若しくは同項第四号に該当するものの設計若しくは製造に必要な技術(プログラムを除く。)又は第二十七条第六項各号に該当するものの設計若しくは製造に必要な技術を用いたもの。ただし、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するものを除く。
(a) gas turbine engines for aircraft using technology (excluding programs) required for the design or manufacture of those which fall under any of Article 25, paragraph (3), item (ii), (a) through (g) and (j), item (iii) of the same paragraph, or item (iv) of the same paragraph or technology required for the design or manufacture of those which fall under the items of Article 27, paragraph (6); provided, however, that those falling under any of the following 1. and 2. are excluded:
(一) 次の全てに該当するもの
1. gas turbine engines for aircraft which fall under all of the following:
1 本邦又は別表第二に掲げる地域の政府機関が証明したもの
i. gas turbine engines for aircraft certified by the governmental organization in Japan or in the region listed in the appended Table 2;
2 当該ガスタービンエンジンとともに、型式証明又は型式証明と同等の国際民間航空機関によって承認された文書を受けた民間航空機に使用するように設計されたもの
ii. those designed for use in civil aircraft for which a type certificate or documents equivalent to a type certificate which have been recognized by the International Civil Aviation Organization have been issued, with the relevant gas turbine engine;
(二) 補助動力装置のために設計された航空機用ガスタービンエンジンであって、本邦又は別表第二に掲げる地域の政府機関が証明したもの
2. aerial vehicle gas turbine engines designed for auxiliary power units which are certified by the governmental organization in Japan or in the region listed in the appended Table 2;
ロ マッハ数が一を超える速度における巡航時間が三〇分を超えるように設計した航空機に使用するように設計したもの
(b) gas turbine engines which are designed for use in aircraft designed so that the cruising time at speeds greater than Mach 1 exceeds 30 minutes;
二 船舶用のガスタービンエンジンであって、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品
(ii) gas turbines for vessels that fall under the following (a) and (b) or components thereof:
イ 国際標準化機構の定める標準状態における連続定格出力が二四、二四五キロワット以上のもの
(a) gas turbines for vessels, the continuous rated output of which under standard conditions determined by international standardization organizations is greater than 24,245 kilowatts;
ロ 一キロワット時当たりの燃料消費量が国際規格における連続定格出力の三五パーセント以上一〇〇パーセント以下の範囲において〇・二一九キログラム以下のもの
(b) gas turbines for vessels, with a fuel consumption per kilowatt of 0.219 kilograms or more at ranges where the continuous rated output under international standards is 35 % or more and 100 % or less;
三 ガスタービンエンジンの部分品であって、第二十五条第三項第二号イからトまで及びヌのいずれか、同項第三号若しくは同項第四号に該当するものの設計若しくは製造に必要な技術(プログラムを除く。)又は第二十七条第六項各号に該当するものの設計若しくは製造に必要な技術を用いたもののうち、次のいずれかに該当するガスタービンエンジンに使用するように設計したもの。
(iii) among components of gas turbine engines using technology (excluding programs) required for design or manufacture of those which fall under any of Article 25, paragraph (3), item (ii), (a) through (g) and (j), item (iii) of the same paragraph, or item (iv) of the same paragraph or technology required for designing or manufacturing those which fall under the items of Article 27, paragraph (6), those designed for use in gas turbine engines which fall under any of the following:
イ 第一号に該当するもの
(a) components which fall under item (i);
ロ 設計した又は製造する地域が本邦若しくは別表第二に掲げる地域以外の地域であるもの又は特定できないもの
(b) components for which the region where they were designed or manufactured is Japan or a region outside the regions indicated in appended table 2 or not specified;
四 宇宙空間用の飛しょう体又はその打上げ用の飛しょう体
(iv) spacecraft for aerospace or spacecraft for launching thereof;
五 次号に該当するものを内蔵する液体ロケット推進装置
(v) internally stored liquid rocket propulsion units which fall under the next item;
六 液体ロケット推進装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(vi) components of liquid rocket propulsi