輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令(平成三年通商産業省令第四十九号)
Ministerial Order Specifying Goods and Technologies Pursuant to the Provisions of Appended Table 1 of the Cabinet Order on Export Trade Control and the Appended Table of the Foreign Exchange Order(Order of the Ministry of International Trade and Industry of No. 49 of 1991)
最終更新:令和二年経済産業省令第五号
Last Version: Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry No. 5 of 2020
目次
履歴

  • 令和5年7月21日
    • 最終更新:令和二年経済産業省令第五号
    • 翻訳日:令和4年2月28日
    • 辞書バージョン:14.0
  • 平成29年4月18日
    • 最終更新:平成二十六年経済産業省令第四十一号
    • 翻訳日:平成28年10月24日
    • 辞書バージョン:7.0
  • 平成25年5月14日
    • 最終更新:平成二十三年経済産業省令第二十六号
    • 翻訳日:平成24年4月19日
    • 辞書バージョン:7.0
  • 平成23年12月13日
    • 最終更新:平成十八年経済産業省令第九十七号
    • 翻訳日:平成21年10月30日
    • 辞書バージョン:3.0

輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令(第一編)
Ministerial Order Specifying Goods and Technologies Pursuant to the Provisions of Appended Table 1 of the Cabinet Order on Export Trade Control and the Appended Table of the Foreign Exchange Order (Part 1)
平成三年十一月十四日通商産業省令第四十九号
Order of the Ministry of International Trade and Industry of No. 49 of November 14, 1991
輸出貿易管理令(昭和二十四年政令第三百七十八号)別表第一及び外国為替管理令(昭和五十五年政令第二百六十号)別表の規定に基づき、輸出貿易管理令別表第一及び外国為替管理令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令を次のように制定する。
This Ministerial Order Specifying Goods and Technologies Pursuant to the Provisions of Appended Table 1 of the Cabinet Order on Export Trade Control and the Appended Table of the Foreign Exchange Control Order is enacted as follows, pursuant to the provisions of the Cabinet Order on Export Trade Control (Cabinet Order No. 378, 1949) and the Appended Table of the Foreign Exchange Control Order (Cabinet Order No. 260, 1980).
輸出貿易管理令別表第一関係)
(Re: Appended Table 1 of the Cabinet Order on Export Trade Control)
第一条輸出貿易管理令(以下「輸出令」という。)別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 1The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 2 of Appended Table 1 of the Cabinet Order on Export Trade Control (referred to hereinafter as "the Export Order") are goods falling under any of the following:
核燃料物質又は核原料物質であって、次のいずれかに該当するもの
(i)nuclear fuel materials or nuclear source materials falling under any of the following:
ウラン又はその化合物
(a)uranium or uranium compounds;
トリウム又はその化合物
(b)thorium or thorium compounds;
プルトニウム又はその化合物
(c)plutonium or plutonium compounds;
イからハまでの貨物の一又は二以上を含むもの
(d)those that include one, or more than one, of the goods referred to in (a) through (c);
原子炉若しくはその部分品若しくは附属装置又は車両、船舶、航空機若しくは宇宙空間用若しくは打ち上げ用の飛しょう体の原子炉用に設計した発電若しくは推進のための装置
(ii)nuclear reactors, their components, or auxiliary equipment; or power-generating or propulsion equipment specially designed for use in the nuclear reactors of vehicles, vessels, or aircraft, or in the nuclear reactors of flying objects used in outer space or in launches;
重水素又は重水素化合物であって、重水素の原子数の水素の原子数に対する比率が五、〇〇〇分の一を超えるもの
(iii)deuterium or deuterium compounds with a hydrogen to deuterium atom number ratio exceeding 1/5,000;
一キログラム以上の人造黒鉛であって、ほう素当量が全重量の一、〇〇〇、〇〇〇分の五未満で、かつ、二〇度の温度における見掛け比重が一・五〇を超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
(iv)artificial graphite weighing 1 kilogram or more with a boron content level of less than 5/1,000,000 of the total weight and apparent specific gravity exceeding 1.50 at a temperature of 20 ºC, which constitutes any of the following:
原子炉用のもの
(a)those for use in nuclear reactors;
原子炉用に用いることができるもの(イに該当するものを除く。)
(b)those that can be used in nuclear reactors (excluding those falling under (a));
放射線を照射した核燃料物質若しくは核原料物質の分離用若しくは再生用に設計した装置又はその部分品若しくは制御装置
(v)equipment kdesigned for separating or reprocessing irradiated nuclear fuel materials or nuclear source materials, or the components of such equipment or devices to control it;
リチウムの同位元素の分離用の装置又は核燃料物質の成型加工用の装置
(vi)equipment for separating lithium isotopes, or equipment for fabricating nuclear fuel materials;
ウラン若しくはプルトニウムの同位元素の分離用の装置であって、次のいずれかに該当するもの若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(vii)equipment for separating uranium or plutonium isotopes which falls under any of the following, or auxiliary equipment for, or components of, such equipment:
ガス拡散法を用いるもの
(a)equipment that uses gaseous diffusion;
遠心分離法を用いるもの
(b)equipment that uses centrifugation;
ノズル分離法を用いるもの
(c)equipment that uses nozzle separation;
ボルテックス法を用いるもの
(d)equipment that uses a vortex process;
化学交換法を用いるもの
(e)equipment that uses chemical exchange;
レーザー分離法を用いるもの
(f)equipment that uses laser separation;
プラズマ法を用いるもの
(g)equipment that uses a plasma method;
電磁分離法を用いるもの
(h)equipment that uses magnetic separation;
周波数変換器又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(viii)frequency changers, or their components, falling under any of the following:
ガス遠心分離機用の周波数変換器であって、次の(一)及び(二)に該当するもの又はその部分品
(a)frequency changers for gas centrifuges that fall under the following 1 and 2, or their components:
(一) 出力が三相以上のものであって、周波数が六〇〇ヘルツ以上のもの
1. frequency changers with an output of three or more phases and a frequency of 600 hertz or more;
(二) 出力周波数をプラスマイナス〇・二パーセント未満で制御できるもの
2. frequency changers that can control output frequency with an accuracy of within plus or minus 0.2%;
可変周波数又は固定周波数モーター駆動に用いることができる周波数変換器であって、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの(イに該当するもの及び産業機械又は消費財用の周波数変換器であって、当該機械等から取り外した場合には、ハードウェア及びソフトウェアの制限により次の(一)から(三)までのいずれかの特性を満たさなくなるものを除く。)
(b)frequency changers that can be used for variable or fixed frequency motor driving, and that fall under all of the following 1 through 3 (excluding those falling under (a), and excluding those that are used in industrial machinery or consumer goods and that, if removed from that machinery or those goods, come to no longer have the properties specified in the following 1 through 3 due to hardware or software restrictions):
(一) 出力が三相以上のものであって、四〇ボルトアンペア以上の出力を得ることができるもの
1. frequency changers with an output of three or more phases capable of yielding an output of 40 volt-amperes or more;
(二) 六〇〇ヘルツ以上の出力周波数で作動するもの
2. frequency changers operating with an output frequency of 600 hertz or more;
(三) 出力周波数をプラスマイナス〇・二パーセント未満で制御できるもの
3. frequency changers that can control output frequency with an accuracy of within plus or minus 0.2%;
ニッケルの粉であって、径の平均値が一〇マイクロメートル未満で、かつ、重量比による純度が九九パーセント以上のもの又はこれを用いて製造した多孔質金属
(ix)nickel powders with grain sizes whose average diameter is less than 10 micrometers and whose weight-based purity level is at least 99%, or porous metals produced using them;
重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(x)equipment used in the production of deuterium or deuterium compounds, its components, or auxiliary equipment, which fall under any of the following:
重水素若しくは重水素化合物の製造用の装置(濃縮用の装置を含む。)又はその部分品若しくは附属装置
(a)deuterium or deuterium compound production equipment (including concentration equipment), its components, or auxiliary equipment;
重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b)equipment used in the production of heavy water, its components, or auxiliary equipment, which fall under any of the following (excluding those falling under (a)):
(一) 削除
1. Deleted
(二) 低温で用いられる蒸留塔であって、次の1から4までのすべてに該当するもの
2. distillation columns that are used at low temperatures and that fall under all of the following i. through iv.:
1 細粒ステンレス綱であって、水素ぜい性のないものを用いたもの
i. those that use fine-grain stainless steel that is without hydrogen embrittlement;
2 内径が三〇センチメートル以上であり、かつ、有効長が四メートル以上のもの
ii. those with an internal diameter of 30 centimeters or more and an effective length of 4 meters or more;
3 温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したもの
iii. those designed to be usable at −238 ºC or less;
4 〇・五メガパスカル以上五メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができるように設計したもの
iv. those designed to be usable within a pressure range from 0.5 megapascals or more to 5 megapascals or less;
(三) 真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充てん物であって、化学的にぬれ性を改善する処理を行った燐青銅製のもののうち、メッシュ状のもの
3. filling materials that are designed to be usable in a vacuum distillation column, that are made of phosphor bronze which has been subjected to a process that chemically improves wettability, and that are mesh-shaped;
(四) 温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したターボエキスパンダであって、水素の排出量が一時間につき一、〇〇〇キログラム以上のもの
4. turboexpanders designed to be usable at −238ºC or less with a hydrogen emission level of 1,000 kilograms per hour or more;
(五) 削除
5. Deleted
(六) カリウムアミドを含む液化アンモニアを循環させることができるポンプであって、次の1から3までのすべてに該当するもの
6. pumps capable of circulating liquid ammonia containing potassium amide, which fall under all of the following i. through iii.:
1 気密な構造のもの
i. those with a sealed structure;
2 一・五メガパスカル以上六〇メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができるもの
ii. thoes usable within a pressure range from 1.5 megapascals or more to 60 megapascals or less;
3 吐出し量が一時間につき八・五立方メートルを超えるもの
iii. those with discharge amount exceeding 8.5 m³ per hour;
十の二三酸化ウラン、六ふっ化ウラン、二酸化ウラン、四ふっ化ウラン、金属ウラン若しくは四塩化ウランの製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(x)-2uranium trioxide, uranium hexafluoride, uranium dioxide, uranium tetrafluoride, metallic uranium, or uranium tetrachloride production equipment falling under any of the following; or its auxiliary equipment or components:
ウラン精鉱を原料とする三酸化ウランの製造用の装置
(a)equipment used to produce uranium trioxide that has uranium concentrate as a raw material;
三酸化ウラン又は四ふっ化ウランを原料とする六ふっ化ウランの製造用の装置
(b)equipment used to produce uranium hexafluoride that has uranium trioxide or uranium tetrafluoride as a raw material;
三酸化ウラン又は六ふっ化ウランを原料とする二酸化ウランの製造用の装置
(c)equipment used to produce uranium dioxide that has uranium trioxide or uranium hexafluoride as a raw material;
二酸化ウラン又は六ふっ化ウランを原料とする四ふっ化ウランの製造用の装置
(d)equipment used to produce uranium tetrafluoride that has uranium dioxide or uranium hexafluoride as a raw material;
四ふっ化ウランを原料とする金属ウランの製造用の装置
(e)equipment used to produce metallic uranium that has uranium tetrafluoride as a raw material;
二酸化ウランを原料とする四塩化ウランの製造用の装置
(f)equipment used to produce uranium tetrachloride that has uranium dioxide as a raw material;
十の三二酸化プルトニウム、しゅう酸プルトニウム、過酸化プルトニウム、三ふっ化プルトニウム、四ふっ化プルトニウム若しくは金属プルトニウムの製造用の装置若しくはその附属装置又はこれらの部分品
(x)-3plutonium dioxide, plutonium oxalate, plutonium peroxide, plutonium trifluoride, plutonium tetrafluoride, or metallic plutonium production equipment; or its auxiliary equipment or components;
十一しごきスピニング加工機又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xi)flow-forming machines, or their components, which fall under any of the following:
しごきスピニング加工機であって、数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもののうち、ローラの数が三以上のもの
(a)flow-forming machines that that can be controlled by numerical control device or computers and that have three or more rollers;
内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満の円筒形のロータを成形することができるように設計したマンドレル
(b)mandrels designed to be able to form cylindrical rotors with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
十二削除
(xii)Deleted
十三削除
(xiii)Deleted
十四工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、輪郭制御をすることができる軸数が二以上の電子制御装置を取り付けることができるもののうち、次のイからニまでのいずれかに該当するもの(ホに該当するものを除く。)
(xiv)machine tools (limited to those that can process metals, ceramics, and composite materials) to which it is possible to attach an electronic controller with two or more axes that can perform contour control, which fall under any of the following (a) through (d):
旋削をすることができる工作機械であって、次の(一)及び(二)に該当するもの((三)に該当するものを除く。)
(a)machine tools capable of lathe turning that fall under the following 1. and 2. (excluding those falling under 3.):
(一) 国際標準化機構が定めた規格(以下「国際規格」という。)ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇六ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the linear axis is 0.006 millimeters or less when the whole length of the linear axis is measured by the measurement method specified by the International Standards Organization (ISO) (hereinafter referred to as "International Standard") ISO 230-2:1988;
(二) 直径が三五ミリメートルを超えるものを加工することができるもの
2. machine tools capable of processing items with a diameter exceeding 35 millimeters;
(三) 棒材作業用の旋盤のうち、スピンドル貫通穴から材料を差し込み加工するものであって、次の1及び2に該当するもの
3. bar work lathes into which materials are inserted from a spindle hole for processing, which fall under the following i and ii:
1 加工できる材料の最大直径が四二ミリメートル以下のもの
i. bar work lathes that can process materials with a maximum diameter of 42 millimeters or less;
2 チャックを取り付けることができないもの
ii. bar work lathes to which a chuck cannot be attached;
フライス削りをすることができる工作機械であって、次の(一)から(三)までのいずれかに該当するもの((四)に該当するものを除く。)
(b)machine tools capable of milling and that fall under any of the following 1. through 3. (excluding those falling under 4.):
(一) 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇六ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the linear axis is 0.006 millimeters or less when the whole length of the linear axis is measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998
(二) 輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
2. machine tools with two or more rotational axes capable of controlling contour;
(三) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のもの
3. machine tools with five or more axes capable of controlling contour;
(四) フライス盤であって、次の1及び2に該当するもの
4. milling machines falling under the following i. and ii.:
1 国際規格ISO八四一(数値制御工作機械―座標軸及び運動の記号)で定めるX軸の方向の移動量が二メートルを超えるもの
i. milling machines exhibiting a range of motion in the X-axis direction exceeding 2 meters specified by International Standard ISO 841 (numerical control machine tools - axis and motion nomenclature);
2 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により国際規格ISO八四一で定めるX軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇三ミリメートルを超えるもの
ii. milling machines in which the precision of positioning of the X-axis specified by International Standard ISO 841 exceeds 0.03 millimeters when the whole length of the X-axis is measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
研削をすることができる工作機械であって、次の(一)から(三)までのいずれかに該当するもの(次の(四)又は(五)に該当するものを除く。)
(c)machine tools capable of grinding that fall under any of the following 1. through 3. (excluding those falling under 4. or 5.):
(一) 国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により直線軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
1. machine tools in which the precision of positioning of the linear axes is 0.004 millimeters or less when the whole length of the linear axis is measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2:1998;
(二) 輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
2. machine tools with two or more rotational axes capable of controlling contour;
(三) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のもの
3. machine tools with five or more axes capable of controlling contour;
(四) 円筒外面研削盤、円筒内面研削盤又は円筒内外面研削盤であって、次の1及び2に該当するもの
4. a cylindrical exterior grinding machine, a cylindrical interior grinding machine, or a cylindrical interior-exterior grinding machine that falls under the following i. and ii.:
1 外径又は長さが一五〇ミリメートル以内のものを研削するように設計したもの
i. a machine designed to grind objects with an external diameter or length of 150 millimeters or less;
2 国際規格ISO八四一で定めるX軸、Z軸及びC軸のみを有するもの
ii. a machine possessing only X-axis, Z-axis, and C-axis specified by International Standard ISO 841;
(五) ジグ研削盤であって、次の1及び2のいずれにも該当しないもの
5. jig grinding machines that do not fall under the following i. and ii.:
1 国際規格ISO八四一で定めるZ軸を有するもののうち、国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により当該Z軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
i. those possessing Z-axis specified by International Standard ISO 841 with the precision of positioning of the Z-axis that is less than 0.004 millimeters when the whole length of the Z-axis is measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2: 1998;
2 国際規格ISO八四一で定めるW軸を有するもののうち、国際規格ISO二三〇/二(一九八八)で定める測定方法により当該W軸の全長について測定したときの位置決め精度が〇・〇〇四ミリメートル未満のもの
ii. those possessing W-axis specified by International Standard ISO 841 with the precision of positioning of the W-axis that is less than 0.004 millimeters when the whole length of the W-axis is measured by the measurement method specified by International Standard ISO 230-2: 1998;
放電加工(ワイヤ放電加工を除く。)をすることができる工作機械であって、輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
(d)machine tools capable of performing electrical discharge machining (excluding wire electrical discharge machining), with two or more rotational axes capable of contour control;
工作機械であって、次のいずれかを製造するためのみに設計したもの
(e)machine tools designed only for the production of any of the following:
(一) 歯車
1. gears;
(二) クランク軸又はカム軸
2. crank shafts or cam shafts;
(三) 工具又は刃物
3. tools or blades;
(四) 押出機のウオーム
4. extruder worms;
十五削除
(xv)Deleted
十六削除
(xvi)Deleted
十七測定装置(工作機械であって、測定装置として使用することができるものを含む。)であって、次のいずれかに該当するもの(第十四号に該当するものを除く。)
(xvii)measuring device (including machine tools usable as a measuring device) that falls under any of the following (excluding those falling under item (xiv)):
電子計算機又は数値制御装置により制御される測定装置であって、次のいずれかに該当するもの
(a)measuring device controlled by computers or numerical control device, which falls under any of the following:
(一) 測定軸の数が二であって、国際規格で定める測定方法によりそれぞれの軸の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差の数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一を乗じて得た数値に一・二五を加えた数値以下となるもの
1. measuring device that has two or more measurement axes which, when the precision of measurement is measured using a method specified by International Standard, show a numerical value, expressed in micrometers, for the maximum permissible error for measuring length at any of the points of measurement within the limits of operation, that is less than the numerical value arrived at when the length of the measurement axis, expressed in millimeters, is multiplied by 0.001 and a value of 1.25 is added;
(二) 測定軸の数が三以上であって、国際規格で定める測定方法により空間の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差の数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一二五を乗じて得た数値に一・七を加えた数値以下となるもの
2. measuring device that has three or more measurement axes which, when the spatial measurement accuracy is measured using a method specified by International Standard, show a numerical value, expressed in micrometers, for the maximum permissible error for measuring length at any of the points of measurement within the limits of operation, that is less than what is arrived at when 1.7 is added to the numerical value arrived at when the length of that measurement axis expressed in millimeters is multiplied by 0.00125;
直線上の変位を測定するものであって、次のいずれかに該当するもの
(b)measuring device that measures displacement along a straight line, which falls under any of the following:
(一) 非接触型の測定装置であって、〇・二ミリメートルまでの測定レンジにおいて、分解能が〇・二マイクロメートル以下のもの
1. non-contact type measuring device with a resolution of 0.2 micrometers or less in a measurement range of up to 0.2 millimeters;
(二) 線形可変差動変圧器(LVDT)を用いた測定装置であって、次の1及び2に該当するもの
2. measuring device using linear variable differential transformers (LVDT) that falls under the following i and ii:
1 線形可変差動変圧器(LVDT)が次のいずれかに該当するもの
i. measuring device with a linear variable differential transformer (LVDT) that falls under any of the following:
一 最大の作動範囲がプラスマイナス五ミリメートル以下のものであって、〇から最大の作動範囲における直線性が〇・一パーセント以下のもの
a. an LVDT with the maximum operating range of plus or minus 5 millimeters or less and a linearity of 0.1% or less for the range of zero to the maximum operating range;
二 最大の作動範囲がプラスマイナス五ミリメートルを超えるものであって、〇からプラスマイナス五ミリメートルにおける直線性が〇・一パーセント以下のもの
b. an LVDT with the maximum operating range of more than plus or minus 5 millimeters and a linearity of 0.1% or less for the range of zero to plus or minus 5 millimeters;
2 一九度以上二一度以下の温度範囲において測定した場合に、ドリフトが二四時間当たり〇・一パーセント以下のもの
ii. measuring device that exhibits a drift of 0.1% or less per 24 hours when measured within a temperature range of 19 ºC or more to 21 ºC or less;
(三) 次の1及び2に該当するもの(フィードバック機能を有しない干渉計であって、レーザーを用いて工作機械、測定装置又はこれらに類するもののスライド運動誤差を測定するものを除く。)
3. measuring device falling under the following i. and ii. (excluding interferometers which have no feedback function and with which slide movement errors of machine tools, measurement equipment, or those similar to them are measured by using lasers):
1 レーザー光を用いて測定することができるもの
i. measuring device capable of measurement using a laser beam;
2 一九度以上二一度以下の温度範囲において、次の一及び二の特性を一二時間維持することができるもの
ii. measuring device capable of maintaining the properties in the following a. and b. for 12 hours within a temperature range of 19 ºC or more to 21 ºC or less:
一 測定できる最大の測定レンジにおいて、分解能が〇・一マイクロメートル以下のもの
a. measuring device with a resolution of 0.1 micrometers or less for the maximum measurable range;
二 測定範囲内のいずれか一の点において、空気屈折率で補正した場合に、測定軸のマイクロメートルで表した測定の不確かさの数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇〇五を乗じて得た数値に〇・二を加えた数値以下のもの
b. measuring device with the numerical value expressed in micrometers of measurement uncertainty for the measurement axis, when it is corrected by a refractive index of air at any one point in the measurement range, is less than the numerical value obtained by multiplying the length of the measurement axis expressed in millimeters by 0.0005, and then adding 0.2;
角度の変位を測定するものであって、角度位置の偏差の最大値が〇・〇〇〇二五度以下のもの(平行光線を用いて鏡の角度の変位を測定する光学的器械を除く。)
(c)measuring device that measures angular displacement, and has a maximum angular location deviation of 0.00025 degrees or less (excluding optical instruments that measure angular displacement using parallel light beams);
曲面形状を有するものの長さ及び角度を同時に測定することができる測定装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)measuring device that is capable of simultaneously measuring the length and angle of objects having curved shapes, and that falls under the following 1. and 2.:
(一) 測定軸の測定の不確かさの数値が測定距離五ミリメートル当たり三・五マイクロメートル以下のもの
1. measuring device with the numerical value for the measurement uncertainty for the measurement axis of 3.5 micrometers or less per 5 millimeters of measurement distance;
(二) 角度位置の偏差の最大値が〇・〇二度以下のもの
2. measuring device with a maximum angular position deviation of 0.02 degrees or less;
十八誘導炉、アーク炉若しくはプラズマ若しくは電子ビームを用いた溶解炉又はこれらの部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xviii)induction furnaces, arc furnaces, plasma melting furnaces, or electron-beam melting furnaces, or components or auxiliary equipment of these, which fall under any of the following:
真空誘導炉若しくは不活性ガスを用いる誘導炉(半導体ウエハーの加工用のものを除く。)であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの又はこれらの電源装置であって、出力が五キロワット以上のもの
(a)vacuum induction furnaces or induction furnaces that utilize non-volatile gases (excluding those used for process of semiconductor wafers) that fall under all of the following 1. through 3., or power units for these with output of 5 kilowatts or more:
(一) 炉の内部を八五〇度を超える温度にすることができるもの
1. furnaces whose interior can be heated to a temperature exceeding 850 ºC;
(二) 直径が六〇〇ミリメートル以下の誘導コイルを有するもの
2. furnaces having an induction coil with a diameter of 600 millimeters or less;
(三) 電源装置からの入力が五キロワット以上のもの
3. furnaces with input from the power units of 5 kilowatts or more;
アーク溶解炉、アーク再溶解炉又はアーク溶解鋳造炉であって、真空中若しくは不活性ガス中で金属を溶解して鋳造するもののうち、容量が一、〇〇〇立方センチメートル超二〇、〇〇〇立方センチメートル未満の消耗電極を有し、かつ、一、七〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの
(b)arc melting furnaces, arc re-melting furnaces, or arc melting casting furnaces that melt and cast metal in a vacuum or inert gas, which have consumable electrodes with a capacity of over 1,000 cm³ and less than 20,000 cm³, and which are capable of melting metal at temperatures exceeding 1,700 ºC;
電子ビーム溶解炉、プラズマアトマイズ炉又はプラズマ溶解炉であって、真空中若しくは不活性ガス中で金属を溶解して鋳造するもののうち、出力が五〇キロワット以上で、かつ、一、二〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの
(c)electron-beam melting furnaces, plasma atomization furnaces, or plasma melting furnaces that melt and cast metal in a vacuum or inert gas, whose output is 50 kilowatts or more, and which are capable of melting metal at a temperature exceeding 1,200 ºC;
ロ又はハに該当する炉用の電子計算機を用いた制御装置又は監視装置
(d)controllers or monitors using a computer for a furnace falling under (b) or (c);
ハに該当する炉用に特に設計されたプラズマトーチであって、出力が五〇キロワット以上のもののうち、一、二〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの
(e)plasma torches that are specially designed for furnaces falling under (c), whose output is 50 kilowatts or more, and that are capable of melting metal at a temperature exceeding 1,200 ºC; or
ハに該当する炉用に特に設計された電子ビーム銃であって、出力が五〇キロワット以上のもの
(f)electron beam guns specially designed for furnaces falling under (c), whose output is 50 kilowatts or more.
十九アイソスタチックプレスであって、次のイ及びロに該当するもの又はその制御装置若しくは当該アイソスタチックプレスに用いることができるように設計した型
(xix)isostatic presses falling under the following (a) and (b) or controllers for these, or molds designed to be capable of being used in isostatic presses:
最大圧力が六九メガパスカル以上のもの
(a)those with a maximum pressure of 69 megapascals or more;
中空室の内径が一五二ミリメートルを超えるもの
(b)those with hollow cavities possessing an internal diameter exceeding 152 millimeters;
二十ロボット(操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。)若しくはエンドエフェクターであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの制御装置
(xx)robots (excluding operating robots and sequence robots) or end effectors that fall under any of the following, or controllers for these:
産業標準化法(昭和二十四年法律第百八十五号)に基づく日本産業規格(以下単に「日本産業規格」という。)C六〇〇七九―〇号(爆発性雰囲気で使用する電気機械器具―第〇部:一般要件)で定める防爆構造のもの(塗装用のものを除く。)
(a)those with explosion-proof structure specified by Japan Industrial Standard based on the Industrial Standardization Act (Act No. 185, 1949) (hereinafter simply referred to as "Japan Industrial Standard") JIS C 60079-0 (Electrical apparatus for explosive gas atmospheres Part 0: General requirements) (excluding those used for painting);
全吸収線量がシリコン換算で五〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(b)those designed to be able to withstand radiation exposure exceeding 50,000 grays on a silicon conversion basis for the total absorption dose;
二十一振動試験装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xxi)vibration test equipment, or its components, which fall under any of the following:
デジタル制御方式であり、かつ、電動式の振動試験装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)vibration test equipment digitally controlled and electrically powered which fall under the following 1. and 2.:
(一) 試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のものであって、二〇ヘルツ超二、〇〇〇ヘルツ未満の周波数範囲で加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの
1. equipment with an excitation force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object, which is capable of generating vibrations with an effective value of acceleration exceeding 98 meters per second squared within a frequency range from 20 hertz to 2,000 hertz;
(二) フィードバック制御技術又は閉ループ制御技術を用いたもの
2. equipment utilizing feedback control technology or closed-loop control technology;
振動試験装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b)components of vibration test equipment, which fall under any of the following:
(一) イに該当する振動試験装置の制御に使用するように設計した部分品であって、振動試験用のプログラムを用いたものであり、かつ、五キロヘルツを超える帯域幅で実時間での振動試験をデジタル制御するもの
1. components designed to be used in controlling vibration test equipment falling under (a), which use programs for vibration tests, and perform digital control of vibration tests in real time in a bandwidth exceeding 5 kilohertz;
(二) イに該当する振動試験装置に使用することができる振動発生機であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のもの
2. vibration generators usable in vibration test equipment falling under (a), with an excitation force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object;
(三) イに該当する振動試験装置に使用することができる振動台又は振動発生装置の部分品であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上となる振動を発生させるために二台以上の振動発生機を接続して使用するように設計したもの
3. components of vibration tables or vibration generators that can be used in vibration test equipment falling under (a), which is designed to be used by connecting two or more vibration generators in order to generate vibrations with an exciting force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object;
二十二ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するもの
(xxii)structural materials used in gas centrifuge rotors that fall under any of the following:
アルミニウム合金(鍛造したものを含む。)であって、引張強さが二〇度の温度において四六〇メガパスカル以上となるもののうち、外径が七五ミリメートルを超える棒又は円筒形のもの
(a)aluminum alloys (including forged alloy) with a tensile strength of 460 megapascals or more at a temperature of 20 ºC, which are rod-shaped or have a cylindrical shape with an external diameter exceeding 75 millimeters;
炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれかに該当するもの
(b)carbon fibers, aramid fibers or glass fibers, or prepreg made from carbon fibers or glass fibers, or molded products made with carbon fibers or aramid fibers, which fall under any of the following:
(一) 炭素繊維又はアラミド繊維であって、次のいずれかに該当するもの
1. carbon fibers or aramid fibers that fall under any of the following:
1 比弾性率が一二、七〇〇、〇〇〇メートル以上のもの
i. fibers with a specific elastic modulus of 12,700,000 meters or more;
2 比強度が二三五、〇〇〇メートル以上のもの
ii. fibers with a specific strength of 235,000 meters or more;
(二) ガラス繊維であって、次の1及び2に該当するもの
2. glass fibers falling under the following i. and ii.:
1 比弾性率が三、一八〇、〇〇〇メートル以上のもの
i. glass fibers with a specific elastic modulus of 3,180,000 meters or more;
2 比強度が七六、二〇〇メートル以上のもの
ii. glass fibers with a specific strength of 76,200 meters or more;
(三) (一)又は(二)に該当する炭素繊維又はガラス繊維に熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグであって、次のいずれかに該当するもの
3. prepreg consisting of carbon fibers or glass fibers falling under 1. or 2., which is impregnated with thermosetting resin and falls under any of the following:
1 繊維状のもの
i. fibrous prepreg;
2 幅が一五ミリメートル以下のテープ状のもの
ii. tape-shaped prepreg with a width of 15 millimeters or less;
(四) (一)に該当する繊維又は(三)に該当するプリプレグ(炭素繊維を使用したものに限る。)を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満のもの
4. cylindrical formed molded products utilizing fibers falling under 1. or prepreg falling under 3. (limited to those utilizing carbon fiber) with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
マルエージング鋼であって、引張強さが二〇度の温度において一、九五〇メガパスカル以上となるもののうち、寸法の最大値が七五ミリメートルを超えるもの
(c)maraging steels with a tensile strength of 1,950 megapascals or more at a temperature of 20 ºC, with the largest dimension value exceeding 75 millimeters;
チタン合金(鍛造したものを含む。)であって、引張強さが二〇度の温度において九〇〇メガパスカル以上となるもののうち、外径が七五ミリメートルを超える棒又は円筒形のもの
(d)titanium alloys (including forged alloys) with a tensile strength of 900 megapascals or more at a temperature of 20 ºC with a shaft-like or cylindrical shape and an external diameter exceeding 75 millimeters;
二十三ベリリウム若しくはベリリウム合金(ベリリウムの含有量が全重量の五〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはベリリウム化合物又はこれらの半製品若しくは一次製品
(xxiii)metals, waste, or scrap of beryllium, and beryllium alloys (limited to those with a beryllium content exceeding 50% of the total weight) or beryllium compounds, or their primary or semi-finished products;
二十四核兵器の起爆用のアルファ線源に用いられる物質又はその原料となる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiv)substances used as alpha sources for the detonation of nuclear weapons, or their raw materials, which fall under any of the following:
重量比による純度が九九・九九パーセント以上のビスマスであって、銀の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
(a)bismuth with a weight-based purity level of 99.99% or more and a silver content of less than 0.001% of the total weight;
ラジウム二二六、ラジウム二二六合金、ラジウム二二六化合物若しくはラジウム二二六混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品(医療用装置に組み込まれたもの及び装置に内蔵されたものであって一装置当たりの放射能の総量が〇・三七ギガベクレル未満のものを除く。)
(b)radium 226, radium 226 alloys, radium 226 compounds, or radium 226 mixtures, or their primary or semi-finished products (excluding those incorporated into and installed in medical devices, for which the total radioactivity per device is less than 0.37 gigabecquerels);
アルファ中性子反応により中性子源を発生させるに適した放射性核種又はその化合物若しくは混合物(装置に内蔵された化合物又は混合物であって、一装置当たりの崩壊による放射能の総量が三・七ギガベクレル未満のものを除く。)であって、一キログラム当たりの崩壊による放射能の総量が三七ギガベクレル以上のもの
(c)radionuclide suitable for alpha-neutron reaction to generate neutron sources, or compounds or mixtures of these (excluding those installed in equipment, for which the total radiation per device due to decay is less than 3.7 gigabecquerels), and with a total radiation per kilogram due to decay of 37 gigabecquerels or more;
二十五ほう素、ほう素化合物若しくはほう素混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、ほう素一〇のほう素一〇及びほう素一一に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたほう素から構成されるもの又はそのほう素を含むもの
(xxv)boron, boron compounds, or boron mixtures, or their primary or semi-finished products, comprised of concentrated boron with a boron 10 to boron 10 and boron 11 ratio greater than the ratio in nature, or anything containing such boron;
二十六核燃料物質の製造用の還元剤又は酸化剤として用いられる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(xxvi)substances used as reducing or oxidizing agents for the production of nuclear fuel materials, which fall under any of the following:
カルシウムであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)calcium falling under the following 1. and 2.:
(一) カルシウム又はマグネシウム以外の金属の含有量が全重量の〇・一パーセント未満のもの
1. calcium with a content of metals other than calcium or magnesium of less than 0.1% of the total weight;
(二) ほう素の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
2. calcium with a boron content of less than 0.001% of the total weight;
三ふっ化塩素
(b)chlorotrifluorine;
マグネシウムであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c)magnesium falling under the following 1. and 2.:
(一) マグネシウム又はカルシウム以外の金属の含有量が全重量の〇・〇二パーセント未満のもの
1. magnesium with a content of metals other than magnesium or calcium of less than 0.02% of the total weight;
(二) ほう素の含有量が全重量の〇・〇〇一パーセント未満のもの
2. magnesium with a boron content of less than 0.001% of the total weight;
二十七アクチニドに対して耐食性のある材料を用いたるつぼであって、次のいずれかに該当するもの
(xxvii)crucibles made with materials corrosion resistant against actinide, which fall under any of the following:
容量が〇・一五リットル超八リットル未満のるつぼであって、次のいずれかに該当する材料若しくはこれらを組み合わせたもの(不純物の総重量の当該るつぼの総重量に対する割合が二パーセント以下のものに限る。)からなるもの又はその材料により被覆されたもの
(a)crucibles with a capacity exceeding 0.15 liters and less than 8 liters, made from the following materials or a combination of these (limited to those with a ratio of the total weight of impurities to the total weight of the relevant crucible of 2% or less), or coated with any of those materials:
(一) ふっ化カルシウム
1. calcium fluoride;
(二) メタジルコン酸カルシウム
2. calcium metazirconate;
(三) 硫化セリウム
3. cerium sulfide;
(四) 酸化エルビウム
4. erbium oxide;
(五) 酸化ハフニウム
5. hafnium oxide;
(六) 酸化マグネシウム
6. magnesium oxide;
(七) ニオブ、チタン及びタングステンからなる合金であって、窒化したもの
7. alloys containing niobium, titanium and tungsten, which are nitrided;
(八) 酸化イットリウム
8. yttrium oxide;
(九) 酸化ジルコニウム
9. zirconium oxide;
容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九九・九パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもの
(b)crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 99.9% or more;
容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九八パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもののうち、タンタルの炭化物、窒化物、ほう化物又はこれらのいずれかを組み合わせたもので被覆されたもの
(c)crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 98% or more, which are coated with tantalum carbide, tantalum nitride, tantalum boride, or a combination of these;
二十八ハフニウム若しくはハフニウム合金(ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはハフニウム化合物(ハフニウムの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)又はこれらの半製品若しくは一次製品
(xxviii)metals, waste, or scrap of hafnium and hafnium alloys (limited to those with a hafnium content exceeding 60% of the total weight) or hafnium compounds (limited to those with hafnium content level exceeding 60% of the total weight), or their primary or semi-finished products;
二十九リチウム若しくはリチウム合金の地金若しくはくず若しくはリチウム化合物若しくはリチウム混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、リチウム六のリチウム六及びリチウム七に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたリチウムから構成されるもの又はそのリチウムを含むもの(熱ルミネセンス線量計に組み込まれたリチウム化合物又はリチウム混合物を除く。)
(xxix)metals or waste of lithium or lithium alloys, or lithium compounds or mixtures, or their primary or semi-finished products, composed of concentrated lithium with a lithium 6 to lithium 6 and lithium 7 ratio that is greater than the ratio in nature, or containing the lithium (excluding lithium compounds or lithium mixtures incorporated into thermo-luminescence dosimeters);
三十タングステン、タングステンの炭化物又はタングステンの含有量が全重量の九〇パーセントを超える合金であって、質量が二〇キログラムを超え、かつ、内径が一〇〇ミリメートル超三〇〇ミリメートル未満の円筒形のもの若しくは中空の半球形のもの又はこれらを組み合わせたもの(おもり又はガンマ線のコリメータ用に設計されたものを除く。)
(xxx)tungsten, tungsten carbide, or alloys with a tungsten content exceeding 90% of the total weight, weighing more than 20 kilograms, with a cylindrical shape and internal diameter exceeding 100 millimeters and less than 300 millimeters, or with a hollow hemispherical shape, or combinations of those shapes (excluding those designed for weight or gamma ray collimators);
三十一ジルコニウム若しくはジルコニウム合金(ジルコニウムの含有量が全重量の五〇パーセントを超えるものに限る。)の地金若しくはくず若しくはジルコニウム化合物(ハフニウムの含有量がジルコニウムの含有量の五〇〇分の一未満のものに限る。)又はこれらの半製品若しくは一次製品(厚さが〇・一ミリメートル以下のはくを除く。)
(xxxi)metals or waste of zirconium or zirconium alloys (limited to alloys with a zirconium content exceeding 50% of the total weight), or zirconium compounds (limited to those with a hafnium content of less than 1/500 of the zirconium content), and their primary or semi-finished products (excluding leaf with a thickness of 0.1 millimeters or less);
三十二ふっ素製造用の電解槽であって、製造能力が一時間当たり二五〇グラムを超えるもの
(xxxii)electrolytic cells for fluorine production with a production capability exceeding 250 grams per hour;
三十三ガス遠心分離機のロータの製造用若しくは組立用の装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxiii)equipment for the production or assembly of gas centrifuge rotors, or its components, which fall under any of the following:
ガス遠心分離機のロータのチューブ、バッフル及びエンドキャップの組立用の装置
(a)equipment used for assembly of gas centrifuge rotor tubes, baffles, and end caps;
ガス遠心分離機のロータのチューブの中心軸を調整するための装置
(b)equipment used to adjust the center axis of gas centrifuge rotor tubes;
次の(一)から(三)までのすべてに該当するベローズ(アルミニウム合金、マルエージング鋼又は繊維で強化した複合材料からなるものに限る。)の製造用のマンドレル又は型
(c)mandrels or molds used for manufacturing bellows falling under all of the following 1. through 3. (limited to those made from aluminum alloys, maraging steel, or fiber-reinforced composite materials):
(一) 内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリメートル未満のもの
1. those with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 400 millimeters;
(二) 溝のピッチが一二・七ミリメートル以上のもの
2. those with a groove pitch of 12.7 millimeters or more;
(三) 溝の深さが二ミリメートルを超えるもの
3. those with a groove depth exceeding 2 millimeters;
三十四遠心力式釣合い試験機(一面釣合い試験機を除く。)であって、次のいずれかに該当するもの(第三条第十七号の三ロに該当するものを除く。)
(xxxiv)centrifugal balancing machines (excluding single-plane balancing machines) that fall under any of the following (excluding those falling under Article 3, item (xvii)-3, (b)):
長さが六〇〇ミリメートル以上の弾性ロータを試験することができるように設計したものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a)centrifugal balancing machines designed to be capable of testing elastic rotors with a length of 600 millimeters or more, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 外径が七五ミリメートルを超える弾性ロータを試験することができるもの又はジャーナルの径が七五ミリメートルを超えるもの
1. those capable of testing elastic rotors with an external diameter exceeding 75 millimeters or those with a journal diameter exceeding 75 millimeters;
(二) 重量が〇・九キログラム以上二三キログラム以下の弾性ロータを試験することができるもの
2. those capable of testing elastic rotors with a weight of 0.9 kilograms or more and 23 kilograms or less;
(三) 一分につき五、〇〇〇回転を超える回転数で試験することができるもの
3. those capable of testing elastic rotors with a speed exceeing 5,000 rotations per minute;
円筒形のロータを試験することができるように設計したものであって、次の(一)から(四)までの全てに該当するもの
(b)centrifugal balancing machines designed to be capable of testing cylindrical rotors, which fall under all of the following 1. through 4.:
(一) ジャナールの径が七五ミリメートルを超えるもの
1. those with a journal diameter exceeding 75 millimeters;
(二) 重量が〇・九キログラム以上二三キログラム以下のロータを試験することができるもの
2. those capable of testing rotors weighing 0.9 kilograms or more and 23 kilograms or less;
(三) 修正面上の到達最小比不釣合いが一キログラム当たり一〇グラムミリメートル以下のもの
3. those with a minimum achievable residual unbalance on the balancing plane of 10 gram millimeters or less per kilogram;
(四) ベルト駆動式のもの
4. those with a belt drive mechanism;
三十五フィラメントワインディング装置であって、次のイ及びロに該当するもの又はその制御装置若しくはマンドレル
(xxxv)filament winding machines falling under the following (a) and (b), or their controllers or mandrels:
繊維を位置決めし、包み及び巻く作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が二以上のもの
(a)those that perform positioning of filaments and carry out their wrapping and winding operations, with 2 or more axes capable of controlling those operations in coordination;
内径が七五ミリメートル超六五〇ミリメートル未満であって、かつ、長さが三〇〇ミリメートル以上の円筒形のチューブを製造することができるもの
(b)those capable of manufacturing cylindrical tubes with an internal diameter exceeding 75 millimeters and less than 650 millimeters and a length of 300 millimeters or more;
三十六ガスレーザー発振器、固体レーザー発振器又は色素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxvi)gas laser oscillators, solid-state laser oscillators, or dye laser oscillators that fall under any of the following:
五〇〇ナノメートル超六〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した金属蒸気レーザー発振器(銅レーザー発振器に限る。)であって、平均出力が三〇ワット以上のもの
(a)metal vapor laser oscillators (limited to copper laser oscillators) designed for use within a wavelength range that exceeds 500 nanometers but is less than 600 nanometers, with an average output of 30 watts or more;
四〇〇ナノメートル超五一五ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアルゴンイオンレーザー発振器であって、平均出力が四〇ワットを超えるもの
(b)argon ion laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is less than 515 nanometers, with an average output exceeding 40 watts;
九、〇〇〇ナノメートル超一一、〇〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した二酸化炭素レーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(c)carbon dioxide laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 9,000 nanometers but is less than 11,000 nanometers which are designed to generate a pulse, and which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. those with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2. those with an average output exceeding 500 watts;
(三) パルス幅が二〇〇ナノ秒未満のもの
3. those with a pulse width of 200 nanoseconds or less;
二四〇ナノメートル超三六〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したエキシマレーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)excimer laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 240 nanometers but is less than 360 nanometers which are designed to generate a pulse, and which fall under the following 1. and 2.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. those with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が五〇〇ワットを超えるもの
2. those with an average output exceeding 500 watts;
一六マイクロメートルの波長で用いるように設計したパラ水素を用いたラマンレーザー発振器であって、パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
(e)raman laser oscillators utilizing parahydrogen and designed for use in a wavelength of 16 micrometers, with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
七二〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアレキサンドライトレーザー発振器であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(f)alexandrite laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 720 nanometers but is less than 800 nanometers, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が一二五ヘルツを超えるもの
1. those with a pulse repetition frequency exceeding 125 hertz;
(二) 平均出力が三〇ワットを超えるもの
2. those with an average output exceeding 30 watts;
(三) レーザー光のスペクトル線幅が〇・〇〇五ナノメートル以下のもの
3. those with a laser beam spectral line width of 0.005 nanometers or less;
一、〇〇〇ナノメートル超一、一〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したネオジムを添加した固体レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの(ネオジムガラスレーザー発振器を除く。)
(g)fixed laser oscillators with neodymium added, designed for use within a wavelength range that exceeds 1,000 nanometers but is less than 1,100 nanometers, which fall under any of the following (excluding neodymium glass laser oscillators):
(一) パルス励起及びキュースイッチを用いたものであって、一ナノ秒以上のパルス幅のパルスを発振するもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. those utilizing pulse excitation and a Q-switch and emitting a pulse with a pulse width of 1 nanosecond or more, which fall under any of the following:
1 単一横モードのパルスを発振するものであって、平均出力が四〇ワットを超えるもの
i. those emitting a single transverse mode pulse, and with an average output exceeding 40 watts;
2 多重横モードのパルスを発振するものであって、平均出力が五〇ワットを超えるもの
ii. those emitting a multi transverse mode pulse, and with an average output exceeding 50 watts;
(二) 波長範囲が五〇〇ナノメートル超五五〇ナノメートル未満で、かつ、平均出力が四〇ワットを超える第二高調波を発生するように設計したもの
2. those designed to generate second harmonics within the frequency range exceeding 500 nanometers and less than 550 nanometers, and with an average output exceeding 40 watts;
三〇〇ナノメートル超八〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した色素レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
(h)dye laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 300 nanometers but is less than 800 nanometers, which fall under any of the following:
(一) 単一モードのパルスを発振する波長可変レーザー発振器(レーザー光の増幅のみを行う装置を除く。)であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. variable wavelength laser oscillators emitting a single-mode pulse (excluding equipment that only performs laser beam amplification), which fall under all of the following i. through iii.:
1 パルス繰返し周波数が一キロヘルツを超えるもの
i. those with a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
2 平均出力が一ワットを超えるもの
ii. those with an average output exceeding 1 watt;
3 パルス幅が一〇〇ナノ秒未満のもの
iii. those with a pulse width less than 100 nanoseconds;
(二) パルスを発振する波長可変レーザー発振器であって、次の1から3までのすべてに該当するもの((一)に該当するものを除く。)
2. variable wavelength oscillator emitting a pulse that fall under all of the following i. through iii. (excluding those falling under 1.):
1 パルス繰返し周波数が一キロヘルツを超えるもの
i. those with a pulse repetition frequency exceeding 1 kilohertz;
2 平均出力が三〇ワットを超えるもの
ii. those with an average output exceeding 30 watts;
3 パルス幅が一〇〇ナノ秒未満のもの
iii. those with a pulse width less than 100 nanoseconds;
五、〇〇〇ナノメートル超六、〇〇〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計した一酸化炭素レーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの
(i)carbon monoxide laser oscillators designed for use within a wavelength range that exceeds 5,000 nanometers but is less than 6,000 nanometers and designed to generate a pulse, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) パルス繰返し周波数が二五〇ヘルツを超えるもの
1. those with a pulse repetition frequency exceeding 250 hertz;
(二) 平均出力が二〇〇ワットを超えるもの
2. those with an average output exceeding 200 watts;
(三) パルス幅が二〇〇ナノ秒未満のもの
3. those with a pulse width of 200 nanoseconds or less;
三十七質量分析計であって、統一原子質量単位で表した質量が二三〇以上のイオンを測定することができ、かつ、二三〇における原子質量の差が二未満のイオンを区別することができる分解能のもののうち、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(ヘに該当するものを除く。)又は当該質量分析計に用いることができるイオン源
(xxxvii)mass spectrometers capable of measuring ions with a mass of 230 or more expressed in unified atomic mass units and having the resolution to distinguish ions with a mass of 230 when a difference of atomic mass between those ions is less than 2, which fall under any of the following (a) through (e) (excluding those falling under (f)) or ion sources usable for such mass spectrometers:
誘導結合プラズマを用いたもの
(a)those utilizing inductively-coupled plasma;
グロー放電を用いたもの
(b)those utilizing glow discharge;
熱電離を用いたもの
(c)those utilizing thermal ionization;
分析される物質に電子を衝突させてイオン化するイオン源を有するものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)those possessing an ion source that ionizes by bombarding the materials under analysis with electrons, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 電子ビームを用いて分子がイオン化されるイオン源領域に、分析される物質の分子の平行ビームを照射する装置を有するもの
1. those with equipment that delivers parallel beams of molecules of the materials under analysis to the area of an ion source where molecules are ionized using electron beams;
(二) 分析される物質の分子の平行ビーム中の電子ビームを用いてイオン化されない分子を捕捉するため、零下八〇度以下の温度となることができるコールドトラップを一以上有するもの
2. those with one or more cold traps capable of attaining temperatures at −80 ºC or less to capture molecules that are not ionized using electron beams in parallel beams of molecules of the materials under analysis;
アクチニド又はそのふっ化物のイオン化用に設計したイオン源を有するもの
(e)those possessing an ion source designed for ionization of actinides or their fluorides;
次の(一)から(五)までの全てに該当するもの
(f)those that fall under all of the following 1. through 5.:
(一) 原子質量単位で表した質量が三二〇以上のイオンを測定することができるものであって、原子質量単位での分解能が三二〇を超えるもの
1. those capable of measuring ions with a mass of 320 or more expressed in atomic weight units, which have a resolution of more than 320 expressed in atomic weight units;
(二) イオン源が、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセント以上のニッケル銅合金又はニッケルクロム合金で作られた又はこれらの材料で保護されたもの
2. those possessing an ion source made from, or protected with, nickel copper alloys or nickel chrome alloys with a nickel content of 60% or more of the total weight;
(三) 分析される物質に電子を衝突させてイオン化するイオン源を有するもの
3. those possessing an ion source that ionizes by bombarding the materials under analysis with electrons;
(四) 同位元素の分析に用いることができるコレクタを有するもの
4. those possessing a collector usable for isotope analysis;
(五) 六ふっ化ウランのガスの流れを止めずに試料を採取することができるように設計したもの
5. those designed to be capable of taking samples without stopping the flow of uranium hexafluoride gas;
三十八圧力計又はベローズ弁であって、次のいずれかに該当するもの
(xxxviii)pressure gauges or bellows valves that fall under any of the following:
絶対圧力を測定することができる圧力計であって、次の(一)から(三)まで(センサを密閉するためのシールを用いていないものについては、(二)を除く。)の全てに該当するもの
(a)pressure gauges capable of measuring absolute pressure that fall under all of the following 1. through 3. (excluding 2. for those not using a seal to tightly close the sensor):
(一) アルミニウム、アルミニウム合金、酸化アルミニウム、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるニッケル合金若しくはふっ素化炭化水素ポリマーで作られた又はこれらの材料で保護されたセンサを用いたもの
1. those utilizing a sensor made from, or protected with, aluminum, aluminum alloys, aluminum oxide, nickel, nickel alloys with a nickel content exceeding 60% of the total weight, or fluorinated hydrocarbon polymers;
(二) センサを密閉するために必要不可欠であり、内容物と直接接触し、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化アルミニウム、ニッケル、ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるニッケル合金若しくはふっ素化炭化水素ポリマーで作られた又はこれらの材料で保護されたシールを用いたもの
2. those indispensable to tightly close the sensor and which utilize a seal that come into direct contact with the contents, and made from, or protected with, aluminum, aluminum alloys, aluminum oxide, nickel, nickel alloys with a nickel content exceeding 60% of the total weight, or fluorinated hydrocarbon polymers;
(三) 次のいずれかに該当するもの
3. those that fall under any of the following:
1 フルスケールが一三キロパスカル未満であるとき、いずれかのフルスケールにおいて、精度がフルスケールのプラスマイナス一パーセント未満のもの
i. when the full scale is less than 13 kilopascals, those with a precision of less than plus or minus 1% of the full scale, in any full scale;
2 フルスケールが一三キロパスカル以上であるとき、一三キロパスカルにおいて、精度がプラスマイナス一三〇パスカル未満のもの
ii. when the full scale is 13 kilopascals or more, those with a precision of less than plus or minus 130 pascals at 13 kilopascals;
ベローズ弁であって、呼び径が五A以上のもののうち、内容物と接触する全ての部分がアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル又はニッケル合金(ニッケルの含有量が全重量の六〇パーセントを超えるものに限る。)で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(b)bellows valves with a nominal diameter of 5A or more, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with aluminum, aluminum alloys, nickel, or nickel alloys (limited to those with a nickel content exceeding 60% of the total weight);
三十九ソレノイドコイル形の超電導電磁石であって、次のイからニまでのすべてに該当するもの(医療用の磁気共鳴イメージング装置に用いるように設計したものを除く。)
(xxxix)superconducting solenoid electromagnets that fall under all of the following (a) through (d) (excluding those designed to be used in clinical magnetic resonance imaging apparatus):
磁束密度が二テスラを超えるもの
(a)those with magnetic flux density exceeding 2 teslas;
コイルの長さを内径で除した値が二を超えるもの
(b)those with a value obtained by dividing its coil length by the internal diameter exceeding 2;
コイルの内径が三〇〇ミリメートルを超えるもの
(c)those with a coil internal diameter exceeding 300 millimeters;
コイルの軸の中心部分を中心として内径の三五パーセントを半径とする円であって、コイルの軸に垂直なものの範囲において、磁界の均一性が一パーセント未満のもの
(d)those with a magnetic field homogeneity of less than 1% within the range of a circle with the radius of 35% of the internal diameter centered on the center of the coil axis and which is perpendicular to the coil axis;
四十真空ポンプであって、吸気口の内径が三八センチメートル以上のもののうち、排気速度が一秒当たり一五、〇〇〇リットル以上で、かつ、到達圧力が一三・三ミリパスカル未満のもの
(xl)vacuum pumps whose intake port has an internal diameter of 38 centimeters or more, with an exhaust speed of 15,000 liters or more per second and an ultimate pressure of less than 13.3 millipascals;
四十の二スクロール型圧縮機又はスクロール型真空ポンプであって、ベローズシールを用いたもののうち、次のイからハまでの全てに該当するもの
(xl)-2scroll-type compressors or vacuum pumps that use bellows seals, which fall under all of the following (a) through (c):
吸気量を一時間あたり五〇立方メートル以上とすることができるもの
(a)those that have an intake volume of 50 m³ or more per hour;
圧力比を二以上とすることができるもの
(b)those that have a pressure ratio of 2 or more;
プロセスガスに接触する全ての面が次のいずれかの材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(c)those in which all surfaces that come into contact with the process gas are composed of, lined with, or coated with any of the following materials:
(一) アルミニウム又はアルミニウム合金
1. aluminum or aluminum alloys;
(二) 酸化アルミニウム
2. aluminum oxide;
(三) ステンレス鋼
3. stainless steel;
(四) ニッケル又はニッケル合金
4. nickel or nickel alloys;
(五) 燐 青銅
5. phosphorus bronze;
(六) ふっ素重合体
6. fluoropolymers;
四十一直流の電源装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xli)direct current power supply devices falling under any of the following:
出力電流が五〇〇アンペア以上のもののうち、電流又は電圧の変動率が〇・一パーセント未満で、かつ、出力電圧が一〇〇ボルト以上の状態で連続八時間を超えて使用することができるもの
(a)those with an output current of 500 amperes or more, with a current or voltage fluctuation rate of less than 0.1%, and capable of being used continuously for more than 8 hours with an output voltage of 100 volts or more;
出力電圧が二〇、〇〇〇ボルト以上のもののうち、電流又は電圧の変動率が〇・一パーセント未満で、かつ、出力電流が一アンペア以上の状態で連続八時間を超えて使用することができるもの
(b)those with an output voltage of 20,000 volts or more, with a current or voltage fluctuation rate of less than 0.1%, and capable of being used continuously for more than 8 hours with an output current of 1 ampere or more;
四十二電子加速器又はフラッシュ放電型のエックス線装置であって、次のいずれかに該当するもの(電子顕微鏡の部分品又は医療用装置を除く。)
(xlii)electron accelerators or flash discharge X-ray equipment falling under any of the following (excluding electron microscope components or medical equipment):
電子の運動エネルギーのせん頭値が〇・五メガ電子ボルト以上二五メガ電子ボルト未満であって、次のいずれかに該当するもの
(a)those with a peak value for electron kinetic energy of 0.5 megaelectron volts or more and less than 25 megaelectron volts, which fall under any of the following:
(一) ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒以下であって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した加速された電子の全電荷量を乗じた値が〇・二五以上のもの
1. those with a beam pulse duration of 1 microsecond or less, and with a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the product of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts by 2.65 and further multiplied by the total charge quantity of accelerated electrons expressed in coulombs;
(二) ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒を超えるものであって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した一マイクロ秒の間に加速することができる電荷量の最大値を乗じた値が〇・二五以上のもの
2. those with a beam pulse duration exceeding 1 microsecond, and with a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the product of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts by 2.65 and further multiplied by the maximum charge quantity of electrons accelerated for 1 microsecond, expressed in coulombs;
電子の運動エネルギーのせん頭値が二五メガ電子ボルト以上であって、せん頭出力が五〇メガワットを超えるもの
(b)those with a peak electron kinetic energy of 25 megaelectron volts or more and a peak output exceeding 50 megawatts;
四十三発射体の速度の最大値を一秒につき一・五キロメートル以上にすることができる衝撃試験機
(xliii)impact testing machines capable of causing a projectile to move with a maximum velocity of 1.5 kilometers or more per second;
四十四高速度の撮影が可能なカメラ又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xliv)high speed cameras, or their components, which fall under any of the following:
ストリークカメラ又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(a)streak cameras, or their components, which fall under any of the following:
(一) ストリークカメラであって、撮影速度が一マイクロ秒につき〇・五ミリメートルを超えるもの
1. streak cameras with a photographing speed exceeding 0.5 millimeters per microsecond;
(二) 電子式のストリークカメラであって、時間分解能が五〇ナノ秒以下のもの
2. electronic streak cameras with a time resolution of 50 nanoseconds or less;
(三) (二)に該当するカメラ用のストリーク管
3. streak tubes for cameras that fall under 2.;
(四) モジュール式の構造を有するストリークカメラに用いるために設計したプラグインユニットであって、(一)又は(二)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plug-in units that are designed to be used in streak cameras with modular structures, and that are needed in order for those cameras to attain or exceed the function or characteristics of goods falling under 1. or 2.;
(五) (一)に該当するカメラ用に設計したタービン、反射鏡及び軸受で構成される回転反射鏡の組立品又は同期電子装置
5. assemblies of rotating reflectors composed of turbines, reflectors, and bearings, or synchronizing electronic equipment designed for cameras that fall under 1.;
フレーミングカメラ又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b)framing cameras, or their components, which fall under any of the following:
(一) フレーミングカメラであって、撮影速度が一秒につき二二五、〇〇〇こまを超えるもの
1. framing cameras with a photographing speed exceeding 225,000 frames per second;
(二) フレーミングカメラであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
2. framing cameras with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(三) (一)又は(二)に該当するカメラ用に設計したフレーミング管又は固体撮像素子であって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
3. framing tubes or solid-state image sensors designed for cameras falling under 1. or 2., with a shutter speed of less than 50 nanoseconds;
(四) モジュール式の構造を有するフレーミングカメラに用いるために設計したプラグインユニットであって、(一)又は(二)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plug-in units that are designed to be used in framing cameras with modular structures, and that are needed in order for those cameras to attain or exceed the function or characteristics of goods falling under 1. or 2.;
(五) (一)又は(二)に該当するカメラ用に設計したタービン、反射鏡及び軸受で構成される回転反射鏡の組立品又は同期電子装置
5. assemblies of rotating reflectors composed of turbines, reflectors, and bearings, or synchronizing electronic equipment designed for cameras that fall under 1. or 2.;
固体カメラ若しくは電子管カメラ又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの(イ又はロに該当するものを除く。)
(c)solid-state cameras or electron tube cameras, or their components, which fall under any of the following (excluding those falling under (a) or (b)):
(一) 固体カメラ又は電子管カメラであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
1. solid-state cameras or electron tube cameras with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(二) (一)に該当するカメラ用に設計した固体撮像素子又はイメージ増強管であって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
2. solid-state image sensors or image intensifier tubes designed for cameras falling under 1., with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(三) カーセル又はポッケルスセルを用いた電気制動シャッターであって、シャッター速度が五〇ナノ秒以下のもの
3. electrically triggered shutters utilizing Kerr cells or Pockel cells, with a shutter speed of 50 nanoseconds or less;
(四) モジュール式の構造を有するカメラに使用するために設計したプラグインユニットであって、(一)に該当する貨物の有する機能若しくは特性に到達し、又はこれらを超えるために必要なもの
4. plug-in units that are designed to be used in cameras with modular structures, and that are needed in order for those cameras to attain or exceed the function or characteristics of goods falling under 1.;
四十五流体の速度を測定するための干渉計又は流体の圧力を測定することができる圧力測定器若しくは水晶圧電型圧力センサを用いた圧力変換器であって、次のいずれかに該当するもの
(xlv)interferometers for measuring fluid velocity or pressure gauges capable of measuring fluid pressure, or pressure transducers that use quartz piezoelectric pressure sensor, which fall under any of the following:
流体の速度を測定するための干渉計であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)interferometers for measuring fluid velocity which fall under the following 1. and 2.:
(一) 一秒につき一キロメートルを超える速度を測定することができるもの
1. interferometers capable of measuring speeds exceeding 1 kilometer per second;
(二) 一〇マイクロ秒未満の間隔で速度を測定することができるもの
2. interferometers capable of measuring speeds at intervals less than 10 microseconds;
一〇ギガパスカルを超える圧力を測定することができる圧力測定器
(b)pressure gauges capable of measuring pressures exceeding 10 gigapascals;
一〇ギガパスカルを超える圧力を測定することができる水晶圧電型圧力センサを用いた圧力変換器
(c)pressure transducers that use quartz piezoelectric pressure sensors capable of measuring pressures exceeding 10 gigapascals;
四十六三個以上の電極を有する冷陰極管であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(xlvi)cold-cathode tubes having three or more electrodes, which fall under all of the following (a) through (c):
せん頭陽極電圧が二、五〇〇ボルト以上のもの
(a)those with a peak anode voltage of 2,500 volts or more;
せん頭陽極電流が一〇〇アンペア以上のもの
(b)those with a peak anode current of 100 amperes or more;
陽極遅延時間が一〇マイクロ秒以下のもの
(c)those with an anode delay time of 10 microseconds or less;
四十七トリガー火花間げきであって、陽極遅延時間が一五マイクロ秒以下のもののうち、せん頭電流が五〇〇アンペア以上のもの
(xlvii)trigger spark gaps with an anode delay time of 15 microseconds or less, with a peak current of 500 amperes or more;
四十八スイッチングを行う機能を有する組立品であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(xlviii)assemblies having switching capabilities, which fall under all of the following (a) through (c):
せん頭陽極電圧が二、〇〇〇ボルトを超えるもの
(a)those with a peak anode voltage exceeding 2,000 volts;
せん頭陽極電流が五〇〇アンペア以上のもの
(b)those with a peak anode current of 500 amperes or more;
ターンオン時間が一マイクロ秒以下のもの
(c)those with a turn-on time of 1 microsecond or less;
四十九パルス用コンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
(xlix)pulse capacitors falling under any of the following:
定格電圧が一、四〇〇ボルトを超えるものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a)pulse capacitors with a rated voltage exceeding 1,400 volts, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 総エネルギーが一〇ジュールを超えるもの
1. those with a total energy exceeding 10 joules;
(二) 公称静電容量が〇・五マイクロファラドを超えるもの
2. those with a nominal capacitance exceeding 0.5 microfarads;
(三) 直列インダクタンスが五〇ナノヘンリー未満のもの
3. those with series inductance of less than 50 nanohenries;
定格電圧が七五〇ボルトを超えるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b)pulse capacitors with a rated voltage exceeding 750 volts, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 公称静電容量が〇・二五マイクロファラドを超えるもの
1. those with a nominal capacitance exceeding 0.25 microfarads;
(二) 直列インダクタンスが一〇ナノヘンリー未満のもの
2. those with series inductance of less than 10 nanohenries;
五十パルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次のいずれかに該当するもの
(l)pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under any of the following:
モジュール方式のパルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次の全てに該当するもの
(a)modular pulse generators or light-emitting device for xenon flash lamps that fall under all of the following:
(一) 四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一五マイクロ秒未満の時間でパルスを供給することができるもの
1. those capable of supplying a pulse for less than 15 microseconds against a resistance load of less than 40 ohms;
(二) 出力が一〇〇アンペアを超えるもの
2. those with an output exceeding 100 amperes;
(三) 寸法の最大値が三〇センチメートル以下のもの
3.those having the largest dimension value of 30 centimeters or less;
(四) 重量が三〇キログラム未満のもの
4. those with a weight less than 30 kilograms;
(五) 零下五〇度より低い温度から一〇〇度を超える温度まで用いることができるように設計したもの又は宇宙で用いることができるように設計したもの
5. those designed to be usable in temperatures from below −50 ºC to over 100 ºC, or designed to be usable in space;
パルス発生器又はパルスヘッドであって、五五オーム未満の抵抗負荷に対して六ボルトを超える電圧のパルスを発生し、かつ、五〇〇ピコ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの(イに該当するものを除く。)
(b)pulse generators or pulse heads that generate pulses with a voltage exceeding 6 volts against a resistance load less than 55 ohms, and require a pulse rise time of less than 500 picoseconds (excluding those falling under (a));
五十一雷管の部分品であって、次の全てに該当するもの
(li)components of detonators that fall under all of the following:
電気信号により火薬類の起爆を制御することができるもの
(a)those capable of controlling the ignition of explosives through electric signals;
ストリップラインの構造を有するもの
(b)those that have stripline structure;
定格電圧が二キロボルトを超えるもの
(c)those with a rated voltage exceeding 2 kilovolts;
インダクタンスパスが二〇ナノヘンリー未満のもの
(d)those with an inductance path of less than 20 nanohenries;
五十二光電子増倍管であって、光電陰極の面積が二〇平方センチメートルを超えるもののうち、陽極パルス立上がり時間が一ナノ秒未満のもの
(lii)photomultiplier tubes with photocathode area exceeding 20 square centimeters, with an anode pulse rise time of less than 1 nanosecond;
五十三トリチウム又は重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、次のいずれかに該当するもの
(liii)neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium or deuterium-deuterium nuclear reaction, which fall under any of the following:
トリチウムと重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
(a)neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction designed to be capable of being operated without using a vacuum pump;
重水素と重水素との核反応による静電加速型の中性子発生装置であって、一秒につき三ギガ以上の中性子を生産できるもののうち、真空ポンプを使用しないで操作できるように設計したもの
(b)neutron generators utilizing electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction that are capable of producing 3 giga-neutrons or more per second, and that are designed to be capable of being operated without using a vacuum pump;
五十四放射線被ばくの防止のために用いられる遠隔操作のマニピュレーターであって、厚さ〇・六メートル以上の放射線を遮へいする壁を隔てて操作することができるもの
(liv)remote manipulators used for the prevention of radioactive exposure, and capable of being operated behind a radiation shielding wall with a thickness of 0.6 meters or more;
五十五放射線を遮へいするように設計した窓であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの又はその窓枠
(lv)windows designed to shield radiation which fall under all of the following (a) through (c), or their frames:
コールドエリア側に露出する面の面積が〇・〇九平方メートルを超えるもの
(a)those with an area exceeding 0.09 m² for the surface that protrudes into the cold area;
密度が一立方センチメートル当たり三グラムを超える材料を用いたもの
(b)those made from materials with a density exceeding 3 grams per cubic centimeters;
厚さが一〇〇ミリメートル以上のもの
(c)those with a thickness of 100 millimeters or more;
五十六放射線による影響を防止するように設計したテレビカメラ又はそのレンズであって、全吸収線量がシリコン換算で五〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるもの
(lvi)TV cameras or their lenses designed for protection from the impact of radiation, and are capable of withstanding radiation exposure exceeding 50,000 grays on a silicon conversion basis for the total aborbed dose;
五十七トリチウム、トリチウム化合物又はトリチウム混合物であって、トリチウムの原子数の水素の原子数に対する比率が一、〇〇〇分の一を超えるもの(装置に内蔵されたものであって、一装置当たりの放射能の総量が一、四八〇ギガベクレル未満のものを除く。)
(lvii)tritium, tritium compounds, or tritium mixtures, with a ratio of tritium atomicity to hydrogen atomicity exceeding 1/1,000 (excluding those installed in equipment for which the total radioactivity per piece of equipment is less than 1,480 gigabecquerels);
五十八トリチウムの製造、回収若しくは貯蔵に用いられる装置又はトリチウムの製造に用いられる装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(lviii)equipment used in the production, collection, or storage of tritium, or components of equipment used in the production of tritium, which fall under any of the following:
トリチウムの製造用(濃縮用を含む。)、回収用又は貯蔵用に設計した装置
(a)equipment designed for use in the production of tritium (including for use in its concentration) or for use in its collection or preservation;
トリチウムの製造(精製を含む。)、回収又は貯蔵に用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b)equipment used in the production (including purification), collection, or preservation of tritium, which falls under any of the following (excluding equipment falling under (a)):
(一) 水素又はヘリウムを零下二五〇度以下の温度に冷却することができる冷凍装置であって、冷凍能力が一五〇ワットを超えるもの
1. freezing equipment capable of cooling hydrogen or helium to a temperature of −250 ºC or less, with a freezing capacity exceeding 150 watts;
(二) 水素の同位元素の貯蔵用又は精製用の装置であって、金属水素化物を貯蔵又は精製のための媒体として用いるもの
2. equipment for the storage or purification of hydrogen isotopes that utilizes metal hydrides as a storage or purification catalyst;
トリチウムの製造に用いられる装置であって、照射(原子炉内における照射を含む。)によりトリチウムを製造するために特に設計したリチウム(リチウム六の同位体が濃縮されているものに限る。)を含有する標的となる組立品(イ及びロに該当するものを除く。)
(c)equipment used in the production of tritium which constitutes an assembly that becomes a target containing lithium (limited to those composed of enriched isotopes of lithium-6) that is specially designed to produce tritium by irradiation (including irradiation in a nuclear reactor) (excluding equipment falling under (a) and (b));
トリチウムの製造に用いられる装置の部分品であって、ハに該当する貨物のために特に設計した部分品
(d)components of equipment used in the production of tritium which is specially designed for goods falling under (c);
五十九重水からトリチウムを回収するため又は重水を製造するための白金を用いた触媒であって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するために設計したもの
(lix)platinized catalysts that are for collecting tritium from heavy water or for producing heavy water, and that are designed to promote hydrogen isotope exchange between hydrogen and water;
六十ヘリウム三の混合率が天然の混合率を超えるヘリウム(容器又は装置に密封されたヘリウム三であって、その重量が一グラム未満のものを除く。)
(lx)helium with a mixing ratio of helium-3 greater than the mixing ratio in nature (excluding helium-3 sealed in containers or equipment with a weight less than 1 gram);
六十一レニウム、レニウムの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金又はレニウム及びタングステンの含有量が全重量の九〇パーセント以上の合金であって、質量が二〇キログラムを超え、かつ、内径が一〇〇ミリメートル超三〇〇ミリメートル未満の円筒形のもの若しくは中空の半球形のもの又はこれらを組み合わせたもの
(lxi)rhenium, alloys with a rhenium content of 90% or more of the total weight, or alloys with a rhenium or tungsten content of 90% or more of the total weight, weighing more than 20 kilograms, with a cylindrical shape and internal diameter exceeding 100 millimeters and less than 300 millimeters, or with a hollow hemispherical shape, or combinations of these;
六十二防爆構造の容器であって、爆発物又は爆発装置の試験に用いるために設計されたもののうち、次のイ及びロに該当するもの
(lxii)explosion-proof containers designed to be used for the test of explosives or explosive devices, which fall under the following (a) and (b):
トリニトロトルエン二キログラム以上と同等の爆発を十分に封じ込めるように設計したもの
(a)explosion-proof containers designed to fully contain explosions equivalent to 2 kilograms or more of trinitrotoluene;
当該試験による分析情報又は測定情報を伝達することができる構造又は特性を有するもの
(b)explosion-proof containers that have a structure or properties that can transmit analysis data or measurement data obtained by the test.
第二条輸出令別表第一の三の項(一)の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 2(1)The goods specified by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 3 (i) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるもの
(i)substances for raw materials of chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing the substances, in which the content of any of the substances exceeds 30% of the total weight:
三―ヒドロキシ―一―メチルピペリジン
(a)3-hydroxy-1-methylpiperidine;
フッ化カリウム
(b)potassium fluoride;
エチレンクロロヒドリン
(c)ethylene chlorohydrin;
ジメチルアミン
(d)dimethylamine;
塩酸ジメチルアミン
(e)dimethylamine hydrochloride;
フッ化水素
(f)hydrogen fluoride;
ベンジル酸メチル
(g)methyl benzilate;
三―キヌクリジノン
(h)3-quinuclidinone;
ピナコロン
(i)pinacolone;
シアン化カリウム
(j)potassium cyanide;
一水素二フッ化カリウム
(k)potassium bifluoride;
一水素二フッ化アンモニウム
(l)ammonium bifluoride;
一水素二フッ化ナトリウム
(m)sodium bifluoride;
フッ化ナトリウム
(n)sodium fluoride;
シアン化ナトリウム
(o)sodium cyanide;
五硫化リン
(p)phosphorous pentasulfide;
ジイソプロピルアミン
(q)diisopropylamine;
二―ジエチルアミノエタノール
(r)2-diethylamino ethanol;
硫化ナトリウム
(s)sodium sulfide;
トリエタノールアミン塩酸塩
(t)triethanolamine hydrochloride;
亜リン酸トリイソプロピル
(u)phosphorous acid triisopropyl;
ジエチルチオリン酸
(v)diethyl thiophosphoric acid;
ジエチルジチオリン酸
(w)diethyl dithio phosphoric acid;
ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム
(x)sodium hexafluorosilicic acid;
ジエチルアミン
(y)diethylamine;
軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物(イからトまでに該当する物質を含む混合物にあっては、イからハまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一パーセントを超えるもの又はニからトまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。)
(ii)substances having equivalent toxicity as chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing the substances (for mixtures containing a substance falling under (a) through (g), limited to those for which the content of the substance falling under any of (a) through (c) exceeds 1% of the total weight, or those for which the content of the substance falling under any of (d) through (g) exceeds 30% of the total weight):
O・O―ジエチル=S―[二―(ジエチルアミノ)エチル]=ホスホロチオラート並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(a)O,O-diethyl = S-[2-(diethylamino)ethyl] = phosphorothiolate and alkylate salts and protonate salts of these;
一・一・三・三・三―ペンタフルオロ―二―(トリフルオロメチル)―一―プロペン
(b)1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluoromethyl)-1-propane;
三―キヌクリジニル=ベンジラート
(c)3-quinuclidinyl = benzilate;
二塩化カルボニル
(d)carbonyl dichloride;
塩化シアン
(e)cyanogen chloride;
シアン化水素
(f)hydrogen cyanide;
トリクロロニトロメタン
(g)trichloronitromethane;
軍用の化学製剤と同等の毒性を有する物質の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質を含む混合物(ヘからヤまでに該当する物質を含む混合物にあっては、ヘからタまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の一〇パーセントを超えるもの又はレからヤまでに該当するいずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものに限る。)
(iii)substances having equivalent toxicity as chemical warfare agents falling under any of the following or mixtures containing the substances (for mixtures containing substances falling under (f) through (cc), limited to those for which the content of any of the substances falling under (f) through (p) exceeds 10% of the total weight, or those for which the content of any of the substances falling under (f) through (cc) exceeds 30% of the total weight):
アルキルホスホニルジフルオリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(a)alkyl phosphonyl difluoride (limited to those having an alkyl group carbon number of three or less);
O―アルキル=O―二―ジアルキルアミノエチル=アルキルホスホニット(O―アルキルのアルキル基がシクロアルキル基であるものを含み、O―アルキルのアルキル基の炭素数が十以下であり、かつ、O―二―ジアルキルアミノエチル及びアルキルホスホニットのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(b)O-alkyl = O-2-dialkylaminoethyl = alkyl phosphonite (including those O-alkyl alkyl group of which is a cycloalkyl group, and limited to those whose O-alkyl alkyl group carbon number is ten or less and whose O-2-dialkylaminoethyl or alkyl phosphonite alkyl group carbon number is three or less) as well as alkylate salts and protonate salts of these;
O―二―ジアルキルアミノエチル=ヒドロゲン=アルキルホスホニット(O―二―ジアルキルアミノエチル及びアルキルホスホニットのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)並びにそのアルキル化塩類及びプロトン化塩類
(c)O-2-dialkylaminoethyl = hydrogen = alkyl phosphonite (limited to those whose O-2-dialkylaminoethyl or alkyl phosphonite alkyl group carbon number is three or less) as well as alkylate salts and protonate salts of these;
O―イソプロピル=メチルホスホノクロリダート
(d)O-isopropyl = methyl phosphonochloridate;
O―ピナコリル=メチルホスホノクロリダート
(e)O-pinacolyl = methyl phosphonochloridate;
炭素数が三以下である一のアルキル基との結合以外に炭素原子との結合のないりん原子を含む化合物
(f)compounds containing phosphorus atoms having no bond with a carbon atom other than a bond with one alkyl group carbon number of which is three or less;
N・N―ジアルキルホスホルアミジク=ジハリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(g)N,N-dialkyl phosphoramidic = dihalide (limited to those with alkyl group carbon number of three or less);
ジアルキル=N・N―ジアルキルホスホルアミダート(ジアルキル及びN・N―ジアルキルホスホルアミダートのアルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)
(h)dialkyl = N,N-dialkyl phosphoramidate (limited to those with dialkyl or N,N-dialkyl phosphoramidate alkyl group carbon number of three or less);
三塩化ヒ素
(i)arsenic trichloride;
二・二―ジフェニル―二―ヒドロキシ酢酸
(j)2,2-diphenyl-2-hydroxyacetic acid;
キヌクリジン―三―オール
(k)quinuclidine-3-ol;
N・N―ジアルキルアミノエチル―二―クロリド(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)及びそのプロトン化塩類
(l)N,N-dialkylaminoethyl-2-chloride (limited to those whose alkyl group carbon number is three or less) and protonate salts of these;
N・N―ジアルキルアミノエタン―二―オール(アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。)及びそのプロトン化塩類
(m)N,N-dialkyl aminoethane-2-ol (limited to those whose alkyl group carbon number is three or less) and protonate salts of these;
N・N―ジアルキルアミノエタン―二―チオール((アルキル基の炭素数が三以下であるものに限る。二―ジイソプロピルアミノエタンチオールを含む。)及びそのプロトン化塩類(二―ジイソプロピルアミノエタンチオール塩酸塩を含む。)
(n)N,N-dialkyl aminoethane-2-thiol (limited to those whose alkyl group carbon number is three or less and including 2-diisopropylamino ethanethiol) and its protonated salts (including 2-diisopropylamino ethanethiol hydrochloride);
ビス(二―ヒドロキシエチル)スルフィド
(o)bis(2-hydroxyethyl) sulfide;
三・三―ジメチルブタン―二―オール
(p)3,3-dimethylbutane-2-ol;
塩化ホスホリル
(q)phosphoryl chloride;
三塩化リン
(r)phosphorous trichloride;
五塩化リン
(s)phosphorous pentachloride;
亜リン酸トリメチル
(t)trimethyl phosphite;
亜リン酸トリエチル
(u)triethyl phosphite;
亜リン酸ジメチル
(v)dimethyl phosphite;
亜リン酸ジエチル
(w)diethyl phosphite;
一塩化硫黄
(x)sulfur monochloride;
二塩化硫黄
(y)sulfur bichloride;
塩化チオニル
(z)thionyl chloride;
エチルジエタノールアミン
(aa)ethyl diethanol amine;
メチルジエタノールアミン
(bb)methyl diethanol amine;
トリエタノールアミン
(cc)triethanolamine.
輸出令別表第一の三の項(二)の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
(2)The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 3 (ii) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
反応器であって、容量が〇・一立方メートル超二〇立方メートル未満のもののうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(i)reactors having a capacity exceeding 0.1 m³ and less than 20 m³ which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
タンタル又はタンタル合金
(e)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(f)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g)zirconium or zirconium alloys;
ニオブ又はニオブ合金
(h)niobium or niobium alloys;
貯蔵容器であって、容量が〇・一立方メートルを超えるもののうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(ii)storage containers having a capacity exceeding 0.1 m³, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
タンタル又はタンタル合金
(e)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(f)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g)zirconium or zirconium alloys;
ニオブ又はニオブ合金
(h)niobium or niobium alloys;
熱交換器若しくは凝縮器であって、伝熱面積が〇・一五平方メートル超二〇平方メートル未満のもの又はこれらの部分品として設計されたチューブ、プレート、コイル若しくはブロックのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(iii)heat exchangers or condensers having a heat transfer area exceeding 0.15 m² and less than 20 m², or tubes, plates, coils or blocks designed as components of these, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
黒鉛又はカーボングラファイト
(e)graphite or carbon graphite;
タンタル又はタンタル合金
(f)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(g)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h)zirconium or zirconium alloys;
炭化けい素
(i)silicon carbide;
炭化チタン
(j)titanium carbide;
ニオブ又はニオブ合金
(k)niobium or niobium alloys;
蒸留塔若しくは吸収塔であって、塔の内径が〇・一メートルを超えるもの又はこれらの部分品として設計された液体分配器、蒸気分配器若しくは液体収集器のうち、内容物と接触する全ての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(iv)distillation or absorption columns whose internal diameter exceeds 0.1 meter, or liquid dispensers, vapor dispensers, or liquid collectors designed as components of these, which have all parts that come into contact with the contents composed of or lined or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
黒鉛又はカーボングラファイト
(e)graphite or carbon graphite;
タンタル又はタンタル合金
(f)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(g)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h)zirconium or zirconium alloys;
ニオブ又はニオブ合金
(i)niobium or niobium alloys;
充てん用の機械であって、遠隔操作が可能であり、かつ、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(v)filling equipment capable of remote operation which has all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
かくはん機であって、第一号に該当するものに用いられるもの又はその部分品として設計されたインペラー、ブレード若しくはシャフトのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(vi)agitators used in the goods falling under item (i), or impellers, blades, or shafts designed as components of these, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
タンタル又はタンタル合金
(e)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(f)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(g)zirconium or zirconium alloys;
ニオブ又はニオブ合金
(h)niobium or niobium alloys;
弁又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(vii)valves, or their components, which fall under any of the following:
呼び径が一〇A超の弁であって、内容物と接触する全ての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(a)valves whose nominal diameter is over 10 A, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
(一) ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
1. nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
(二) ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
2. alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
(三) ふっ素重合体
3. fluoropolymers;
(四) ガラス
4. glass;
(五) タンタル又はタンタル合金
5. tantalum or tantalum alloys;
(六) チタン又はチタン合金
6. titanium or titanium alloys;
(七) ジルコニウム又はジルコニウム合金
7. zirconium or zirconium alloys;
(八) ニオブ又はニオブ合金
8. niobium or niobium alloys; or
(九) セラミックであって、次のいずれかに該当するもの
9. ceramics that fall under any of the following:
1 炭化けい素の含有量が全重量の八〇パーセント以上のもの
i. ceramics with a silicon carbide content of 80% or more of the total weight;
2 酸化アルミニウムの含有量が全重量の九九・九パーセント以上のもの
ii. ceramics with an aluminum oxide content of 99.9% or more of the total weight; or
3 酸化ジルコニウム
iii. zirconium oxide;
呼び径が二五A以上一〇〇A以下の弁であって、次の全てに該当するもの(イに該当するものを除く。)
(b)valves whose nominal diameter is 25 A or more and 100 A or less, which fall under all of the following (excluding those falling under (a)):
(一) 閉止部分以外のケーシング又はケーシングライナーのうち、内容物と接触する全ての部分がイ(一)から(九)までで定めたいずれかの材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
1. casings or casing liners other than for shut-off parts, which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with any of the materials specified in (a), 1 through 9; and
(二) 閉止部分が交換可能なように設計されたもの
2. those whose shut-off parts are designed to be exchangeable;
イ又はロに該当する弁の部分品として設計されたケーシング又はケーシングライナーであって、内容物と接触する全ての部分がイ(一)から(九)までで定めたいずれかの材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(c)casings or casing liners designed as components of valves that fall under (a) or (b), which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with any of the materials specified in (a), 1. through 9.;
内容物の漏れを検知する装置の取付口が設けられている多重管であって、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(viii)multi-walled piping outfitted with a port for equipment for detecting content leaks, which has all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
黒鉛又はカーボングラファイト
(e)graphite or carbon graphite;
タンタル又はタンタル合金
(f)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(g)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h)zirconium or zirconium alloys;
ニオブ又はニオブ合金
(i)niobium or niobium alloys;
二重以上のシールで軸封をしたポンプ若しくはシールレスポンプであって最高規定吐出し量が一時間につき〇・六立方メートルを超えるもの若しくは真空ポンプであって最高規定吐出し量が一時間につき五立方メートルを超えるもの又はこれらの部分品として設計されたケーシング、ケーシングライナー、インペラー、ローター若しくはジェットポンプノズルのうち、内容物と接触するすべての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、裏打ちされ、又は被覆されたもの
(ix)pumps with axes that are sealed by two or more layers, or seal-less pumps, with a maximum specified discharge volume exceeding 0.6 m³ per hour; vacuum pumps with a maximum specified discharge volume exceeding 5 m³ per hour; or casings, casing liners, impellers, rotors, or jet pump nozzles designed as components of these; which have all parts that come into contact with the contents composed of, lined with, or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
ふっ素重合体
(c)fluoropolymers;
ガラス
(d)glass;
黒鉛又はカーボングラファイト
(e)graphite or carbon graphite;
タンタル又はタンタル合金
(f)tantalum or tantalum alloys;
チタン又はチタン合金
(g)titanium or titanium alloys;
ジルコニウム又はジルコニウム合金
(h)zirconium or zirconium alloys;
セラミック
(i)ceramics;
フェロシリコン
(j)ferrosilicon;
ニオブ又はニオブ合金
(k)niobium or niobium alloys;
焼却装置であって、使用中における燃焼室の平均温度が一、〇〇〇度を超えるもののうち、焼却する物質を供給する部分について内容物と接触する全ての部分が次のいずれかに該当する材料で構成され、又は被覆されたもの
(x)incinerators for which the average temperature of the incineration chamber during use exceeds 1,000 ºC, which have all parts that supply the substance to be incinerated that come into contact with the contents composed of or coated with materials falling under any of the following:
ニッケル又はニッケルの含有量が全重量の四〇パーセントを超える合金
(a)nickel or alloys with a nickel content exceeding 40% of the total weight;
ニッケルの含有量が全重量の二五パーセントを超え、かつ、クロムの含有量が全重量の二〇パーセントを超える合金
(b)alloys with a nickel content exceeding 25% of the total weight and a chrome content exceeding 20% of the total weight;
セラミック
(c)ceramics;
十一空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xi)gas monitoring systems that fall under any of the following:
前項に掲げるものについて空気中における濃度が一立方メートル当たり〇・三ミリグラム未満であっても検知することができるものであり、かつ、連続して使用するように設計したもの
(a)systems capable of detecting substances set forth in the preceding paragraph even when the concentration in the air is less than 0.3 milligrams per cubic meter, and designed for continuous use;
アンチコリンエステラーゼ作用を有する化合物を検知するように設計したもの
(b)systems designed for detecting compounds having an anticholinesterase effect;
十二前号に掲げるものの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xii)components of substances set forth in the preceding item, which fall under any of the following:
検出器
(a)detectors;
センサーデバイス
(b)sensor devices;
センサーカートリッジ
(c)sensor cartridges.
輸出令別表第一の三の項(三)の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
(3)The goods with the specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row (3), (iii) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
前項第一号に該当する反応器のうち、内容物と接触する全ての部分がガラスで裏打ちされ、又は被覆されたものの修理に用いられる組立品又はそのために特に設計した部分品であって、内容物と接触する金属部分がタンタル又はタンタル合金で構成されたもの
(i)reactors falling under item (i) of the preceding paragraph, which are assemblies used to repair reactors for which all parts that come into contact with the contents lined or coated with glass, or components specially designed for those assemblies, whose metal parts that come into contact with the contents are composed of tantalum or tantalum alloys; or
前項第二号に該当する貯蔵容器のうち、内容物と接触する全ての部分がガラスで裏打ちされ、又は被覆されたものの修理に用いられる組立品又はそのために特に設計した部分品であって、内容物と接触する金属部分がタンタル又はタンタル合金で構成されたもの
(ii)storage containers falling under item (ii) of the preceding paragraph, which are assemblies used to repair storage containers for which all parts that come into contact with the contents lined or coated with glass, or components specially designed for those assemblies whose metal parts that come into contact with the contents are composed of tantalum or tantalum alloys.
第二条の二輸出令別表第一の三の二の項(一)の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 2-2(1)The goods specified by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 3-2 (i) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
ウイルス(ワクチンを除く。)であって、アフリカ馬疫ウイルス、アフリカ豚熱ウイルス、アンデアン・ポテト・ラテント・ウイルス、アンデスウイルス、エボラウイルス属の全てのウイルス、黄熱ウイルス、オムスク出血熱ウイルス、オロポーチウイルス、ガナリトウイルス、キャサヌール森林病ウイルス、牛疫ウイルス、クリミア・コンゴ出血熱ウイルス、口蹄疫ウイルス、高病原性鳥インフルエンザウイルス(H五又はH七のH抗原を有するものに限る。)、SARSコロナウイルス、再構成一九一八年インフルエンザウイルス、サビアウイルス、サル痘ウイルス、小反芻獣疫ウイルス、シンノンブレウイルス、水胞性口炎ウイルス、西部ウマ脳炎ウイルス、セントルイス脳炎ウイルス、ソウルウイルス、ダニ媒介脳炎ウイルス(極東型に限る。)、チクングニアウイルス、チャパレウイルス、跳躍病ウイルス、テュクロウイルス、痘瘡ウイルス、東部ウマ脳炎ウイルス、ドブラバーベルグレドウイルス、ニパウイルス、日本脳炎ウイルス、ニューカッスル病ウイルス、ハンタンウイルス、豚熱ウイルス、豚水胞病ウイルス、豚テシオウイルス、豚ヘルペスウイルス―1、フニンウイルス、ブルータングウイルス、ベネズエラウマ脳炎ウイルス、ヘンドラウイルス、ポテト・スピンドル・チュバー・ウィロイド、ポワッサンウイルス、マチュポウイルス、マールブルグウイルス属の全てのウイルス、マレー渓谷脳炎ウイルス、ヤギ痘ウイルス、羊痘ウイルス、ラグナネグラウイルス、ラッサウイルス、ランピースキン病ウイルス、リッサウイルス属のウイルス(狂犬病ウイルスを含む。)、リフトバレー熱ウイルス、リンパ球性脈絡髄膜炎ウイルス、ルヨウイルス又はロシオウイルス
(i)viruses (excluding vaccines): the African horse sickness virus, the African swine fever virus, the Andean potato latent virus, the Andes virus, all viruses of the genus Ebola virus, the yellow fever virus, the Omsk hemorrhagic fever virus, the Oropouche virus, the Guanarito virus, the Kyasanur Forest disease virus, the cattle plague virus, the Crimean-Congo hemorrhagic fever virus, the foot-and-mouth disease virus, the highly pathogenic avian influenza virus (limited to those having an H antigen of H5 or H7), the SARS coronavirus, the reconstructed 1918 influenza virus, the Sabia virus, the monkeypox virus, the peste des petits ruminants virus, the Sin Nombre virus, the vesicular stomatitis virus, the western equine encephalitis virus, the Saint Louis encephalitis virus, the Seoul virus, the tick-borne encephalitis virus (limited to the Far Eastern type), the Chikungunya virus, the Chapare virus, the louping ill virus, the Choclo virus, the smallpox virus, the eastern equine encephalitis virus, the Dobrava-Belgrade virus, the Nipah virus, the Japanese encephalitis virus, the Newcastle disease virus, the Hantan virus, the swine fever virus, the swine vesicular virus, the porcine teschovirus, the Suid herpesvirus 1, the Junin virus, the blue tongue virus, the Venezuelan equine encephalitis virus, the Hendra virus, the potato spindle tuber viroid, the Powassan virus, the Machupo virus, all viruses of the genus Marburg virus, the Murray Valley encephalitis virus, the goat pox virus, the sheep pox virus, the Laguna Negra virus, the Lassa virus, the lumpy skin disease virus, viruses of the genus Lyssavirus (including the rabies virus), the Rift Valley fever virus, the lymphocytic choriomeningitis virus, the Lujo virus, or the Rocio virus;
細菌(ワクチンを除く。)であって、アルゲンチネンス菌(ボツリヌス神経毒素産生株に限る。)、ウェルシュ菌(イプシロン毒素産生型のものに限る。)、ウシ流産菌、オウム病クラミジア、牛肺疫菌(小コロニー型)、コクシエラ属バーネッティイ、コレラ菌、志賀赤痢菌、炭疽菌、チフス菌、腸管出血性大腸菌(血清型O二六、O四五、O一〇三、O一〇四、O一一一、O一二一、O一四五及びO一五七)、発疹チフスリケッチア、バラチ菌(ボツリヌス神経毒素産生株に限る。)、鼻疽菌、ブタ流産菌、ブチリカム菌(ボツリヌス神経毒素産生株に限る。)、ペスト菌、ボツリヌス菌、マルタ熱菌、山羊伝染性胸膜肺炎菌F三八株、野兎病菌又は類鼻疽菌
(ii)bacteria (excluding vaccines): Clostridium argentinense (limited to botulinum neurotoxin producing strains), Clostridium perfringens (limited to types producing epsilon toxins), Brucella abortus, Chlamydia psittaci, Mycoplasma mycoides (small colony), Coxiella burnetii, the cholera bacillus, Shigella dysenteriae, Bacillus anthracis, the typhoid bacillus, enterohemorrhagic Escherichia coli (serotype O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, and O157), Rickettsia prowazekii, Clostridium baratii (limited to botulinum neurotoxin producing strains), Actinobacillus mallei, Brucella suis, Clostridium butyricum (limited to botulinum neurotoxin producing strains), Bacillus pestis, Bacillus botulinus, Brucella melitensis, Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae (strain F38), Bacillus tularensis, or Pseudomonas pseudomallei;
毒素(免疫毒素を除く。)であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素(アルファ、ベータ1、ベータ2、イプシロン又はイオタの毒素に限る。)、HT―2トキシン、黄色ブドウ球菌毒素(腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素)、コノトキシン、コレラ毒素、志賀毒素、ジアセトキシスシルペノール、T―2トキシン、テトロドトキシン、ビスカミン、ボツリヌス毒素、ボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシン
(iii)toxins (excluding immunotoxins): aflatoxin, abrin, clostridium welchii toxin (limited to alpha, beta 1, beta 2, epsilon, or iota toxins), HT-2 toxin, staphylococcal enterotoxin (enterotoxin, alpha-toxin, and toxic shock syndrome toxin), conotoxin, cholera toxin, Shiga toxin, diacetoxyscirpenol, T-2 toxin, tetrodotoxin, viscumin, botulin toxin, Volkensin, microcystin, or modeccin;
前号に該当するもののサブユニット
(iv)subunits of those falling under the preceding item;
細菌又は菌類であって、クラビバクター・ミシガネンシス亜種セペドニカス、コクシジオイデス・イミチス、コクシジオイデス・ポサダシ、コクリオボールス・ミヤベアヌス、コレトトリクム・カーハワイ、ザントモナス・アクソノポディス・パソバー・シトリ、ザントモナス・アルビリネアンス、ザントモナス・オリゼ・パソバー・オリゼ、シンキトリウム・エンドビオチクム、スクレロフトラ・ライシアエ・バラエティー・ゼアエ、セカフォラ・ソラニ、チレチア・インディカ、プクシニア・グラミニス種グラミニス・バラエティー・グラミニス、プクシニア・ストリイフォルミス、ペロノスクレロスポラ・フィリピネンシス、マグナポルテ・オリゼ、ミクロシクルス・ウレイ又はラルストニア・ソラナセアルム・レース三及び次亜種二
(v)bacteria or fungi: Clavibacter michiganensis subspecies sepedonicus, Coccidioides immitis, Coccidioides posadasii, Cochliobolus miyabeanus, Colletotrichum kahawae, Xanthomonas axonopodis pv. citri, Xanthomonas albilineans, Xanthomonas oryzae pv. oryzae, Synchytrium endobioticum, Sclerophthorarayssiae var. zeae, Thecaphora solani, Tilletia indica, Puccinia graminis var. graminis, Puccinia striiformis, Peronosclerospora philippinensis, Magnaporthe oryzae, Microcyclus ulei, or Ralstonia solanacearum race 3, and biovar 2;
遺伝子を改変した生物(意図的な分子操作によって核酸の塩基配列を生成し、又は改変されたものを含む。)であって次のいずれかを有するもの又は遺伝要素(染色体、ゲノム、プラスミド、トランスポゾン、ベクター及び復元可能な核酸断片を含む不活性化された組織体を含む。)であって次のいずれかの塩基配列を有するもの
(vi)genetically-modified organisms (including those with nucleic acid whose base sequence has been formed or modified by intentional molecular manipulation) which have any of the following or genetic elements (including chromosomes, genomes, plasmids, transposons, vectors, and inactivated organisms, including restorable nucleic acid fragments) which have any of the following base sequences:
第一号に該当する遺伝子
(a)genes falling under item (i);
第二号又は前号に該当する遺伝子のうち、人、動物若しくは植物の健康に重大な危害を与えるもの(転写又は翻訳した生産物を通じて危害を与えるものを含む。)又は病原性を付与若しくは増強することができるもの(血清型O二六、O四五、O一〇三、O一〇四、O一一一、O一二一、O一四五、O一五七その他の志賀毒素を産生する血清型をもつ大腸菌の核酸の塩基配列(志賀毒素又はそのサブユニットの遺伝要素を持つものに限る。)を有するもの以外のものを除く。)
(b)genes falling under item (ii) or the preceding item which cause serious harm to the health of humans, animals, or plants (including those which cause harm through transcribed or translated products) or those capable of giving or increasing pathogenicity (excluding genes other than those which have the base sequence of the nucleic acid of a colon bacillus with a serotype to produce Shiga toxins, such as those with serotype O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 and O157 (limited to those which have genetic elements of Shiga toxins or their subunits)); or
第三号又は第四号に該当するもの
(c)those which fall under item (iii) or (iv).
輸出令別表第一の三の二の項(二)の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
(2)The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 3-2 (ii) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
物理的封じ込めに用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの
(i)equipment used for physical containment falling under any of the following:
物理的封じ込めのレベルがP三又はP四の装置
(a)equipment with a physical containment level of P3 or P4
物理的封じ込めのレベルがP三又はP四である施設に設置するよう設計された装置であって、次のいずれかに該当するもの
(b)equipment that is designed to be installed in a facility with a physical containment level of P3 or P4 and that falls under any of the following:
(一) 両面扉式の高圧蒸気滅菌装置
1. high-pressure steam sterilizers with doors on both sides;
(二) 防護服の汚染除去用のシャワー装置
2. shower device for decontaminating protective suits; or
(三) 機械的シール又は膨張式圧力シールを有する気密扉
3. airtight doors with a mechanical seal or inflatable pressure seal;
発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii)fermenters, or their components, which fall under any of the following:
使い捨て式以外の発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(a)non-disposable fermenters, or their components, which fall under any of the following:
(一) 内容積が二〇リットル以上の密閉式の発酵槽であって、定置した状態で内部の滅菌又は殺菌ができるもの
1. hermetically sealed fermenters with an internal cubic volume of 20 liters or more, which are capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
(二) (一)に該当する発酵槽に用いるように設計された培養容器であって、定置した状態で内部の滅菌又は殺菌ができるもの
2. culture vessels designed to be used for fermenters falling under 1., which are capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state; or
(三) (一)に該当する発酵槽に用いるように設計された制御装置であって、発酵装置を制御するための二以上のパラメーターを同時に監視及び制御をすることができるもの
3. controllers designed to be used for fermenters falling under 1., which are capable of simultaneously monitoring and controlling two or more parameters for controlling fermentation equipment;
使い捨て式の発酵槽又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b)disposable fermenters, or their components, which fall under any of the following:
(一) 内容積が二〇リットル以上の密閉式の発酵槽
1. hermetically sealed fermenters with an internal cubic volume of 20 liters or more;
(二) (一)に該当する発酵槽に用いるように設計された使い捨て培養容器の収容装置
2. containers for disposable culture vessels designed to be used for fermenters that fall under 1.;
(三) (一)に該当する発酵槽に用いるように設計された制御装置であって、発酵装置を制御するための二以上のパラメーターを同時に監視及び制御をすることができるもの
3. controllers which are designed to be used for fermenters that fall under 1. and capable of simultaneously monitoring and controlling two or more parameters for controlling fermentation equipment;
連続式の遠心分離機であって、次のイからニまでのすべてに該当するもの
(iii)continuous centrifuges falling under all of the following (a) through (d):
流量が一時間につき一〇〇リットルを超えるもの
(a)those with a flow volume exceeding 100 liters per hour;
研磨したステンレス鋼又はチタンで構成されたもの
(b)those comprised of polished stainless steel or titanium;
メカニカルシールで軸封をしているもの
(c)those whose shaft is sealed by a mechanical seal; and
定置し、かつ、閉じた状態で蒸気により内部の滅菌をすることができるもの
(d)those capable of internal sterilization using vapor when they are in a fixed state and in a closed state;
クロスフローろ過用の装置であって、次のイ及びロに該当するもの(逆浸透膜を用いたもの及び血液の浄化を行うために設計したものを除く。)
(iv)cross-flow filtration equipment falling under the following (a) and (b) (excluding those using a reverse penetration membrane and those designed to purify blood):
有効ろ過面積の合計が一平方メートル以上のもの
(a)equipment with a total effective filtering area of 1 m² or more; and
次の(一)又は(二)に該当するもの
(b)equipment that falls under the following 1. or 2.:
(一) 定置した状態で内部の滅菌又は殺菌をすることができるもの
1. equipment capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state; or
(二) 使い捨ての部分品を使用するもの
2. equipment that use disposable components;
四の二前号に掲げるものに使用するように設計した部分品であって、有効ろ過面積が〇・二平方メートル以上のもの
(iv)-2components designed to be used in equipment set forth in the preceding item with an effective filtering area of 0.2 m² or more;
凍結乾燥器であって、次のイ及びロに該当するもの
(v)freeze-drying equipment falling under the following (a) and (b):
二四時間につき一〇キログラム以上一、〇〇〇キログラム未満の氷を作る能力を有するもの
(a)equipment having the capacity to create 10 kilogram or more and less than 1,000 kilograms of ice per 24 hours; and
蒸気又はガスにより内部の滅菌をすることができるもの
(b)equipment capable of internal sterilization using vapor or gas;
五の二噴霧乾燥器であって、次のイからハまでの全てに該当するもの
(v)-2spray-drying equipment that falls under all of the following (a) through (c):
水分蒸発量が一時間あたり〇・四キログラム以上四〇〇キログラム以下のもの
(a)equipment with a moisture evaporation of 0.4 kilograms or more and 400 kilograms or less per hour;
平均粒子径一〇マイクロメートル以下の製品を製造することが可能なもの又は噴霧乾燥器の最小の部分品の変更で平均粒子径一〇マイクロメートル以下の製品を製造することが可能なもの
(b)equipment capable of manufacturing products with an average particle diameter of 10 micrometers or less, or equipment, by replacing its smallest components, capable of producing products with an average particle diameter of 10 micrometers or less; and
定置した状態で内部の滅菌又は殺菌をすることができるもの
(c)equipment capable of internal sterilization or disinfection in a fixed state;
物理的封じ込め施設において用いられる防護のための装置又は物理的封じ込めに用いられる装置であって、次のいずれかに該当するもの
(vi)protective equipment used in physical containment facilities or equipment used for physical containment, which falls under any of the following:
エアライン方式の換気用の装置を有する全身の若しくは半身の衣服又はフードであるもののうち、その内部を陽圧に維持することができるもの
(a)whole or half body clothing or hoods with airline-type ventilation equipment, which are capable of maintaining a positive internal pressure; or
物理的封じ込めチャンバー、アイソレータ又は安全キャビネットであって、次の全てに該当するもの(クラス―Ⅲ安全キャビネットを含み、感染患者の看護又は運搬のために特に設計されたものを除く。)
(b)physical containment chambers, isolators, or safety cabinets which fall under all of the following 1. through 4. (including Class III safety cabinets and excluding those specially designed for caring for or carrying infected patients):
(一) 操作する者が物理的な防壁によって完全に隔離された作業空間を有するもの
1. those which have a working space in which the operator is completely isolated by physical barriers;
(二) 陰圧状態で操作することが可能なもの
2. those capable of being operated in a negative pressure state;
(三) 作業空間内で対象物を安全に操作するための手段を備えているもの
3. those equipped with means of operating an object safely in a working space; and
(四) 作業空間の給気及び排気にHEPAフィルターを用いるもの
4. those which use a HEPA filter in the working space's air supply and exhaust;
粒子状物質の吸入の試験に用いるように設計された装置であって、次のいずれかに該当するもの
(vii)equipment that is designed to be used for testing the inhalation of particulate matter and that falls under any of the following:
動物の全身を暴露することができる吸入室を有するものであって、吸入室の容積が一立方メートル以上のもの
(a)equipment with an inhalation chamber that is capable of exposing the whole body of an animal to the particulate matter and that has a capacity of 1 m³or more; or
一二以上のげっ歯類の動物又は二以上のげっ歯類以外の動物の鼻部を直接エアゾールを流動させて暴露することができるものであって、これに用いるように設計した動物を保定する密閉型のホルダーを有するもの
(b)equipment that allows the noses of 12 or more rodents, or two or more animals other than rodents, to be exposed to the particulate matter by directly flowing aerosol, and that has sealed holders to bind the animals which are designed for use in this; or
噴霧器若しくは煙霧機又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(viii)spraying or fogging machines, or their components, which fall under any of the following:
航空機、飛行船、気球又は無人航空機に搭載するように設計した噴霧器又は煙霧機であって、初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できるもの
(a)spraying or fogging machines designed to be mounted in aircraft, airship, balloon, or unmanned aerial vehicles capable of dispersing droplets whose initial particles have a volume medium diameter of less than 50 microns from a liquid device on board at a rate exceeding 2 liters per minute;
航空機、飛行船、気球又は無人航空機に搭載するように設計したエアゾール発生装置のスプレーブーム又はノズルであって、初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できるもの
(b)a spray boom or nozzle for an aerosol generator designed to be mounted in aircraft, airship, balloon, or unmanned aerial vehicles capable of dispersing droplets whose initial particles have a volume medium diameter of less than 50 microns from a liquid device on board at a rate exceeding 2 liters per minute;
初期粒径が体積メディアン径で五〇ミクロン未満の飛沫を液体搭載装置から二リットル毎分超の割合で散布できる装置に使用するように設計したエアゾール発生装置
(c)aerosol generators designed to be used in a device capable of dispersing droplets whose initial particles have a volume medium diameter of less than 50 microns from a liquid device on board at a rate exceeding 2 liters per minute.
核酸の合成又は核酸と核酸との結合を行うための装置であって、一部又は全部が自動化されたもののうち、一回の稼働で、連続した長さが一・五キロベースを超える核酸を五パーセント未満のエラー率で生成するように設計したもの
(ix)equipment that is for synthesizing nucleic acid or combining nucleic acids, that is fully or partially automatized, and that is designed to form nucleic acid with a continuous length exceeding 1.5 kilobases at an error rate of less than five percent in one operation.
第三条輸出令別表第一の四の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 3The goods with the specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 4 of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
ロケット又はペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットの製造用の装置若しくは工具(型を含む。以下この条において同じ。)若しくは試験装置若しくはこれらの部分品
(i)rockets or equipment or tools (including molds; hereinafter the same applies in this Article) or test equipment for manufacturing rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or their components;
一の二ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機又はその製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置若しくはこれらの部分品
(i)-2unmanned aircraft capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, equipment or tools for manufacturing it, equipment for testing it, or its components;
一の三エアゾールを噴霧するように設計した無人航空機であって、燃料の他に粒子又は液体状で二〇リットルを超えるペイロードを運搬するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの(前号に該当するもの又は娯楽若しくはスポーツの用に供する模型航空機を除く。)
(i)-3unmanned aircraft that is designed to spray aerosol, that is designed to be capable of transporting a payload exceeding 20 liters in a particulate or liquid form in addition to fuel, and that falls under any of the following (excluding those falling under the preceding item or model aircraft used for entertainment or sports):
自律的な飛行制御及び航行能力を有するもの
(a)vehicles having an autonomous flight control and navigation capability; or
視認できる範囲を超えて人が飛行制御できる機能を有するもの
(b)vehicles having a function enabling flight control by a person exceeding the visible range;
次のいずれかに該当する貨物又はその製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置若しくはこれらの部分品
(ii)goods falling under any of the following; or equipment or tools for manufacturing them, equipment for testing them, or components of these:
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができる貨物であって、次のいずれかに該当するもの
(a)goods that can be used in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, and falling under any of the following:
(一) 多段ロケットの各段
1. individual stages of multiple-stage rockets;
(二) 固体ロケット推進装置又はハイブリッドロケット推進装置であって、全力積が八四一、〇〇〇ニュートン秒以上のもの
2. solid rocket propulsion units or hybrid rocket propulsion units with a total impulse of 841,000 newton-seconds or more; or
(三) 液体ロケット推進装置若しくはゲル状燃料ロケット推進装置であって、全力積が八四一、〇〇〇ニュートン秒以上のもの又はこれに組み込まれるように設計した液体ロケットエンジン若しくはゲル状燃料ロケットモータ
3. liquid rocket propulsion units or gelatinous fuel rocket propulsion units with a total impulse of 841,000 newton-seconds or more; or liquid rocket engines or gelatinous fuel rocket motors designed to be integrated into these units;
五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができる貨物であって、次のいずれかに該当するもの
(b)goods that can be used in rockets or unmanned aircraft capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more, falling under any of the following:
(一) 再突入機
1. reentry vehicles;
(二) 再突入機の熱遮へい体(セラミック又はアブレーション材料を用いたものに限る。)又はその部分品
2. thermal shields (limited to those using ceramic or abrasion materials) for reentry vehicles, or their components;
(三) 再突入機のヒートシンク又はその部分品
3. heat sinks for reentry vehicles, or their components;
(四) 再突入機に使用するように設計した電子機器
4. electronic parts designed for use in reentry vehicles;
(五) 誘導装置であって、飛行距離に対する平均誤差半径の比率が三・三三パーセント以下のもの
5. guidance equipment with a ratio of circular error probability to flight distance of 3.33% or less; or
(六) 推力の方向を制御する装置
6. thrust vector controllers;
推進装置若しくはその部分品、モータケースのライニング若しくは断熱材であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置若しくはこれらの部分品
(iii)propulsion units or components, motor case linings, or insulation materials for these which fall under any of the following, equipment or tools or test equipment for their manufacture, or the components of these:
ターボジェットエンジン又はターボファンエンジンであって、次のいずれかに該当するもの
(a)turbojet engines or turbo fan engines falling under any of the following:
(一) 次の1から4までの全てに該当するもの
1. those which fall under all of the following i. through iv.:
1 最大推力が四〇〇ニュートンを超えるもの(最大推力が八、八九〇ニュートンを超えるものであって、本邦の政府機関が民間航空機に使用することを認定したものを除く。)
i. engines whose maximum thrust exceeds 400 newtons (excluding those whose maximum thrust exceeds 8,890 newtons and whose use in civilian aircraft has been authorized by a Japanese governmental organization);
2 燃料消費率が一時間につき推力一ニュートン当たり〇・一五キログラム以下のもの
ii. engines whose fuel consumption rate is 0.15 kilograms or less per newton of thrust per hour;
3 乾燥重量が七五〇キログラム未満のもの
iii. engines which are less than 750 kilograms in dry weight; and
4 一段目のローターの直径が一メートル未満のもの
iv. engines with a rotor for the first stage of less than 1 meter in diameter;
(二) 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又はペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用するように設計し、又は改造したもの((一)に該当するものを除く。)
2. those designed or altered to be used for rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aircraft capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more (excluding those falling under 1);
ラムジェットエンジン、スクラムジェットエンジン、パルスジェットエンジン、デトネーションエンジン若しくは複合サイクルエンジン(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又はペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(b)ramjet engines, scramjet engines, pulse jet engines, detonation engines, or combined cycle engines (limited to those usable in rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more) or their components;
固体ロケット用のモータケースであって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるもの
(c)motor cases for solid rockets usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more;
固体ロケット用のモータケースのライニング(推進薬とモータケース又は断熱材を結合することができるものに限る。)であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用することができるもの又は五〇〇キログラム未満のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用するように設計したもの
(d)motor case linings for solid rockets (limited to those in which the propellant and motor case or insulation can be combined) usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more or designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of less than 500 kilograms over a distance of 300 kilometers or more;
固体ロケット用のモータケースの断熱材であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用することができるもの又は五〇〇キログラム未満のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機に使用するように設計したもの
(e)motor case insulation for solid rockets, usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more or designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of less than 500 kilograms over a distance of 300 kilometers or more;
固体ロケット用のモータケースのノズルであって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるもの
(f)motor case nozzles for solid rockets usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads for 300 kilometers or more;
液体状、スラリー状又はゲル状の推進薬の制御装置であって、周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はその部分品(サーボ弁、ポンプ及びガスタービンを除く。)
(g)controllers for propellants in a liquid, slurry, or gel state, whose frequency range is 20 hertz or more and 2,000 hertz or less and designed to be capable of withstanding vibrations with an effective acceleration rate exceeding 98 meters per second squared (limited to controllers which can be used in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more) and their components (excluding servo valves, pumps, and gas turbines);
前号イ(二)に該当するハイブリッドロケット推進装置の部分品
(h)components of hybrid rocket propulsion units that fall under (a), 2 of the preceding item;
液体状又はゲル状の推進薬用のタンクであって、次のいずれかに該当するものに使用するように設計したもの
(i)tanks for liquid or gelatinous propellants which are designed to be used in propellants falling under any of the following:
(一) 第七号に該当する推進薬又はその原料となる物質
1. propellants falling under item (vii) or their raw materials;
(二) 液体状又はゲル状の推進薬((一)に該当するものを除く。)であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用するもの
2. liquid or gelatinous propellants (excluding those falling under 1.) used in rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more;
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用するように設計したターボプロップエンジンであって、海面上における国際民間航空機関が定める標準大気状態での最大出力が一〇キロワット以上のもの(本邦の政府機関が民間航空機に使用することを認定したものを除く。)又はその部分品
(j)turboprop engines designed for use in unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, whose maximum output is 10 kilowatts or more in standard atmospheric conditions above the sea specified by the International Civil Aviation Organization (excluding those certified for use in civilian aircraft by a Japanese governmental organization) or their components;
液体ロケット推進装置又はゲル状燃料ロケット推進装置の燃焼室又はノズルであって、前号イ(三)に該当する貨物に使用することができるもの
(k)combustion chambers or nozzles for liquid rocket propulsion units or gelatinous fuel rocket propulsion units which are usable for goods falling under (a), 3 of the preceding item;
多段ロケットの切離し装置又は段間継手(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)又はこれらの製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置若しくはこれらの部分品
(iv)separation mechanisms or staging mechanisms for multiple-stage rockets (limited to those usable for a rocket capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more), equipment or tools for their manufacture, test equipment, or their components;
しごきスピニング加工機であって、五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に用いられる推進装置又はその部分品を製造することができるもののうち、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品
(v)flow forming machines that are capable of manufacturing propulsion units used for rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more, and that fall under the following (a) and (b) or components of such flow forming machines:
数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもの
(a)those which can be controlled by a numerical control device or computer; and
輪郭制御をすることができる軸数が二を超えるもの
(b)those which have more than two axes capable of controlling contour;
推進薬の制御装置に用いられるサーボ弁、ポンプ又はガスタービンであって、次のイ及びロに該当するもののうち、ハ、ニ又はホのいずれかに該当するもの
(vi)servo valves, pumps, or gas turbines used for controllers for propellants that fall under the following (a) and (b), and which fall under any of (c), (d), or (e):
液体状、スラリー状又はゲル状の推進薬の制御装置に使用するように設計したもの
(a)pumps designed for use in controllers for propellants in liquid, slurry, or gel state; and
周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの
(b)pumps whose frequency range is 20 hertz or more and 2,000 hertz or less and designed to be able to withstand vibrations with an effective acceleration rate exceeding 98 meters per second squared;
絶対圧力が七、〇〇〇キロパスカル以上の状態において一分につき〇・〇二四立方メートル以上流すことができるように設計したサーボ弁であって、アクチュエータの応答時間が一〇〇ミリ秒未満のもの
(c)servo valves designed to allow a flow of 0.024 m³ or more per minute in a state in which the absolute pressure is 7,000 kilopascals or more and the actuator response time is less than 100 milliseconds;
液体推進薬用のポンプであって、最大動作時の軸の回転数が一分につき八、〇〇〇回転以上のもの又は吐出し圧力が七、〇〇〇キロパスカル以上のもの
(d)pumps for liquid propellant with an axis that rotates 8,000 times or more per minute or whose discharge pressure is 7,000 kilopascals or more, at the maximum operating time; or
液体推進薬のターボポンプ用のガスタービンであって、最大動作時の軸の回転数が一分につき八、〇〇〇回転以上のもの
(e)gas turbines for turbo pumps for liquid propellant with an axis that rotates 8,000 times or more per minute at the maximum operating time;
六の二推進薬の制御装置に用いられるポンプに使用することができるラジアル玉軸受であって、日本産業規格B一五一四―一号で定める精度が二級以上のもののうち、次のイからハまでの全てに該当するもの
(vi)-2radial ball bearings usable for pumps used for controllers for propellants whose precision is class 2 or higher specified in Japanese Industrial Standard (JIS) B1514-1, which fall under all of the following (a) through (c):
内輪内径が一二ミリメートル以上五〇ミリメートル以下のもの
(a)those with an internal diameter of the inner wheel of 12 millimeters or more and 50 millimeters or less;
外輪外径が二五ミリメートル以上一〇〇ミリメートル以下のもの
(b)those with an external diameter of the outer wheel of 25 millimeters or more and 100 millimeters or less;
幅が一〇ミリメートル以上二〇ミリメートル以下のもの
(c)those with a width of 10 millimeters or more and 20 millimeters or less;
推進薬又はその原料となる物質であって、次のいずれかに該当するもの
(vii)propellants, or their raw materials, which fall under any of the following:
濃度が七〇パーセントを超えるヒドラジン
(a)hydrazine with concentration exceeding 70%;
ヒドラジンの誘導体
(b)a derivative of hydrazine;
過塩素酸アンモニウム
(c)ammonium perchlorate;
アンモニウムジニトラミド
(d)ammonium dinitramide;
粒子が球形又は回転楕円体で、その径が二〇〇マイクロメートル未満のアルミニウムの粉であって、重量比による純度が九七パーセント以上のもののうち、国際規格ISO二五九一(一九八八)又はこれと同等の規格で定める測定方法により測定した径が六三マイクロメートル未満のものの含有量が全重量の一〇パーセント以上のもの
(e)aluminum powder whose particles are globular or spheroidal and have a diameter of less than 200 micrometers, which has a weight-based purity level of 97% or more, and which has particles with a diameter of less than 63 micrometers, as measured by measurement method specified in International Standard ISO 2591: 1988 or equivalent standards, accounting for 10% or more of the total weight;
重量比による純度が九七パーセント以上のジルコニウム(天然の比率でジルコニウムに含まれるハフニウムを含む。)、ベリリウム、マグネシウム又はこれらの合金の粉末状のものであって、篩、レーザー回折、光学式走査等を用いて測定した粒子の径が六〇マイクロメートル未満のものの含有量が全体積又は全重量の九〇パーセント以上のもの
(f)zirconium (including hafnium contained in the zirconium at a natural ratio), beryllium, or magnesium with a weight-based purity level of 97% or more, or its powdered alloys, which has particles with a diameter of less than 60 micrometers as measured using a sieve, laser diffraction, optical scanning, or other means accounting for 90% or more of the total volume or total weight;
重量比による純度が八五パーセント以上のほう素又はその合金の粉末状のものであって、篩、レーザー回折、光学式走査等を用いて測定した粒子の径が六〇マイクロメートル未満のものの含有量が全体積又は全重量の九〇パーセント以上のもの
(g)boron with a weight-based purity level of 85% or more or its powdered alloys, which has particles with a diameter of less than 60 micrometers as measured using a sieve, laser diffraction, optical scanning or other means accounting for 90% or more of the total volume or total weight;
燃料又は酸化剤であって、次のいずれかに該当するもの
(h)fuel or oxidizer falling under any of the following:
(一) 過塩素酸塩、塩素酸塩又はクロム酸塩であって、粉末状の金属又は燃料成分が混合されたもの
1. perchlorate, chlorate, or chromate in which powdered metal or fuel constituent is mixed;
(二) 硝酸ヒドロキシルアンモニウム
2. hydroxylammonium nitrate;
カルボラン、デカボラン、ペンタボラン又はこれらの誘導体
(i)carborane, decaborane, or pentaborane, or a derivative of these;
液体酸化剤であって、次のいずれかに該当するもの
(j)a liquid oxidizer falling under any of the following:
(一) 三酸化二窒素
1. dinitrogen trioxide;
(二) 二酸化窒素又は四酸化二窒素
2. nitrogen dioxide or dinitrogen tetraoxide;
(三) 五酸化二窒素
3. dinitrogen pentoxide;
(四) 窒素酸化物の混合物
4. a mixture of nitrogen oxide;
(五) 耐腐食性を有する赤煙硝酸
5. red fuming nitric acid having resistance to corrosion;
(六) ふっ素及びその他のハロゲン、酸素又は窒素からなる化合物(気体の三ふっ化窒素を除く。)
6. a compound made from fluorine or other halogens, oxygen, or nitrogen (excluding nitrogen trifluoride gas);
末端にカルボキシル基を有するポリブタジエン
(k)polybutadiene having a carboxyl group at its terminal;
末端に水酸基を有するポリブタジエン
(l)polybutadiene having a hydroxyl group at its terminal;
グリシジルアジドの重合体(末端に水酸基を有するものを含む。)
(m)a glycidyl azide polymer (including those which have a hydroxyl group at its terminal);
ブタジエンとアクリル酸との重合体
(n)a polymer of butadiene and acrylic acid;
ブタジエンとアクリロニトリルとアクリル酸との重合体
(o)a polymer of butadiene, acrylonitrile, and acrylic acid;
次のいずれかに該当する推進薬
(p)a propellant falling under any of the following:
(一) 一キログラム当たりの発熱量が四〇、〇〇〇、〇〇〇ジュール以上の固体及び液体の混合燃料
1. solid and liquid blended fuel with heating value of 40,000,000 per kilogram;
(二) 二〇度の温度かつ一気圧において計測した一立方メートル当たりの発熱量が三七、五〇〇、〇〇〇、〇〇〇ジュール以上の燃料及び燃料添加剤(化石燃料又は植物に由来する有機物を原材料として製造される燃料を用いて製造したものを除く。)
2. fuel or fuel additives (excluding those produced by using fuels manufactured by using fossil fuels or organic substances derived from plants as raw materials) with a heating value of 37,500,000,000 joules per cubic meter when measured at a temperature of 20 ºC and 1 atmosphere of pressure;
トリス―一―(二―メチル)アジリジニルホスフィンオキシド
(q)tris-1- (2-methyl) aziridinyl phosphine oxide;
テトラエチレンペンタミン、アクリロニトリル及びグリシドールの反応生成物
(r)a reaction product of tetraethylenepentamine, acrylonitrile, and glycidol;
テトラエチレンペンタミン及びアクリロニトリルの反応生成物
(s)a reaction product of tetraethylenepentamine and acrylonitrile;
イソフタル、トリメシン、イソシアヌル又はトリメチルアジピンの骨格を有する多官能性アジリジンアミドであって、二―メチルアジリジン基又は二―エチルアジリジン基を有するもの
(t)a multi-functional aziridineamide having an isophthal-, trimesin-, isocyanur-, or trimethyladipin- skeleton having a 2-methylaziridine group or a 2-ethylaziridine group;
トリフェニルビスマス
(u)triphenylbismuth;
フェロセン誘導体
(v)a ferrocene derivative;
トリエチレングリコールジナイトレート
(w)triethylene glycol dinitrate;
トリメチロールエタントリナイトレート
(x)trimethylolethane trinitrate;
一・二・四―ブタントリオールトリナイトレート
(y)1,2,4-butanetrioltrinitrate;
ジエチレングリコールジナイトレート
(z)diethylene glycol dinitrate;
ポリテトラハイドロフランポリエチレングリコール
(aa)polytetrahydrofuran polyethlene glycol;
四・五―ジアジドメチル―二―メチル―一・二・三―トリアゾール
(bb)4,5-diazidomethyl-2-methyl--,2,3-triazole;
メチル―ニトラトエチルニトラミン
(cc)methyl-nitrate ethyl nitramine;
エチル―ニトラトエチルニトラミン
(dd)ethyl-nitrate ethyl nitramine;
ブチル―ニトラトエチルニトラミン
(ee)butyl-nitrate ethyl nitramine;
ビス(二・二―ジニトロプロピル)アセタール
(ff)bis (2,2-dinitropropyl) acetal;
ビス(二・二―ジニトロプロピル)フォルマール
(gg)bis (2,2-dinitropropyl) formal;
アジ化ジメチルアミノエチル
(hh)dimethylaminoethyl azide;
ポリグリシジルニトレート
(ii)polyglycidyl nitrate;
ゲル状の推進薬であって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように特に調合したもの
(jj)gelatinous propellant specially prepared in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more;
次のいずれかに該当する推進薬若しくはその原料となる物質の製造用の装置若しくは工具若しくは試験装置又はこれらの部分品(次号から第十号の二までのいずれかに該当するものを除く。)
(viii)equipment or tools to produce propellants or their raw materials, or test equipment or their components which fall under any of the following (excluding those falling under any of the following item through item (x)-2):
前号に該当する貨物
(a)goods falling under the preceding item;
オクトーゲン又はヘキソーゲン
(b)octogen or hexagen;
コンポジット推進薬
(c)a composite propellant;
二―ニトロジフェニルアミン又はN―メチル―p―ニトロアニリン
(d)2-nitrodiphenylamine or N-methyl-p-nitroaniline;
ヒドラジンニトロホルメート
(e)hydrazine nitroformate;
ヘキサニトロヘキサアザイソウルチタン
(f)hexanitrohexaazaisowurtzitane;
バッチ式の混合機(液体用のものを除く。)であって、次のイからニまでの全てに該当するもの又はその部分品
(ix)batch mixers (excluding those for liquid) that fall under all of the following (a) through (d) or their components:
〇以上一三・三二六キロパスカル以下の絶対圧力で混合するように設計し、又は改造したもの
(a)those designed or altered for mixing at an absolute pressure of not less than 0 kilopascals and not more than 13.326 kilopascals;
混合容器内の温度を制御することができるもの
(b)those capable of controlling the temperature in their mixing containers;
全容量が一一〇リットル以上のもの
(c)those with a total volume of 110 liters or more; and
混合機の中心軸から離れた混和軸又は捏和軸を少なくとも一本有するもの
(d)those having at least one mixing axis or a kneading axis separated from the center axis;
九の二連続式の混合機(液体用のものを除く。)であって、次のイからハまでの全てに該当するもの又はその部分品
(ix)-2continuous mixers (excluding those for liquid) that fall under all of the following (a) through (c), or their components:
〇以上一三・三二六キロパスカル以下の絶対圧力で混合するように設計し、又は改造したもの
(a)those designed or altered for mixing at an absolute pressure of 0 kilopascals or more and 13.326 kilopascals or less;
混合容器内の温度を制御することができるもの
(b)those capable of controlling the temperature in their mixing containers;
次のいずれかに該当するもの
(c)those which fall under any of the following:
(一) 二本以上の混和軸又は捏和軸を有するもの
1. those having two or more mixing axes or kneading axes; or
(二) 次の1及び2に該当するもの
2. those falling under the following i. and ii.:
1 振動機能を備えた一本の回転軸を有するもの
i. those having one rotation axis with vibration function; and
2 混合容器内及び回転軸上に捏和のための突起を有するもの
ii. those having projections for kneading in their mixing containers and on the rotation axis;
第七号若しくは第八号ロからヘまでのいずれかに該当する推進薬若しくはその原料となる物質を粉砕することができるジェットミル又はその部分品
(x)jet mills capable of pulverizing propellants falling under any of item (vii) or item (viii), (b) through (f) or their raw materials, or their components;
十の二第七号ホからトまでのいずれかに該当する金属の粉末(噴霧粉、球形粉又は回転楕円体粉に限る。)の製造用の装置又はその部分品
(x)-2equipment for producing powder (limited to atomized powders, globular powders, or spheroidal powders) of metals falling under any of item (vii), (e) through (g), or their components;
十一複合材料、繊維、プリプレグ又はプリフォーム(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品
(xi)equipment for producing composites, fibers, prepregs, or preforms (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more) and that falls under any of the following, or their components or accessories:
フィラメントワインディング装置、ファイバープレイスメント装置又はトウプレイスメント装置であって、繊維を位置決めし、包み作業及び巻き作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が三以上のもの又はその制御装置
(a)filament winding machines, fiber placement machines, or tow placement machines that are for positioning fibers and carrying out wrapping operations and winding operations, and that have three or more axes capable of controlling those operations in a correlated manner, or their controllers;
テープレイング装置であって、複合材料からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するために、テープを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる軸数が二以上のもの
(b)tape-laying machines that are for carrying out operations of positioning and laminating tape to manufacture airframes of aircrafts or structures of rockets that are composed of composites, and that have two or more shafts capable of controlling those operations in a correlated manner;
三次元的に織ることができる織機又はインターレーシングマシン
(c)weaving machines or interlacing machines capable of three-dimensional weaving;
繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
(d)equipment for producing fibers that falls under any of the following:
(一) 重合体繊維から他の繊維を製造する装置
1. equipment for producing other fibers from polymer fibers;
(二) 熱したフィラメント状の基材に元素又は化合物を蒸着させるための装置
2. equipment for vapor depositing elements or compounds on base materials in a heated filament form;
(三) 耐火セラミックの湿式紡糸装置
3. wet spinning apparatus for fire-resistant ceramics;
繊維の表面処理又はプリプレグ若しくはプリフォームの製造を行うように設計したもの
(e)equipment designed for surface treating of fibers or the production of prepregs or preforms;
十二ノズルであって、原料ガスの熱分解(一、三〇〇度以上二、九〇〇度以下の温度範囲において、かつ、一三〇パスカル以上二〇、〇〇〇パスカル以下の絶対圧力の範囲において行うものに限る。)により生成する物質を基材に定着させるためのもの
(xii)nozzles used in fixing substances generated from the thermal decomposition of source gas onto base materials (limited to that carried out in the range of temperature between 1,300 ºC or more and 2,900 ºC or less and the absolute pressure range from 130 pascals or more to 20,000 pascals or less);
十三ロケット推進装置のノズル若しくは再突入機の先端部の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその制御装置
(xiii)equipment that is for producing nozzle of rocket propulsion systems or reentry vehicle nose tips, and that falls under any of the following, or controllers for this:
構造材料の炭素の密度を増加させるためのもの
(a)equipment for the densification of carbon of structural materials;
原料ガスの熱分解により生成する炭素を基材に定着させるためのもの
(b)equipment for fixing carbon generated from the thermal decomposition of source gas onto base materials;
十四アイソスタチックプレスであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの又はその制御装置
(xiv)isostatic presses falling under all of the following (a) through (c), or controllers for these:
最大圧力が六九メガパスカル以上のもの
(a)those with a maximum pressure of 69 megapascals or more;
中空室内の温度制御ができるもの(中空室内の温度が六〇〇度以上の場合に限る。)
(b)those capable of temperature control in hollow cavities (limited to the case in which the temperature of hollow cavities is 600 ºC or more);
中空室の内径が二五四ミリメートル以上のもの
(c)those with an internal diameter of hollow cavities of 254 millimeters or more;
十五炭素及び炭素繊維を用いた複合材料の炭素の密度を増加させるために設計した炉であって、化学的気相成長用のもの又はその制御装置
(xv)furnaces designed for the densification of carbon of composites using carbon or carbon fibers, which are for chemical vapor deposition, or controllers for these;
十六構造材料であって、次のいずれかに該当するもの
(xvi)structural materials falling under any of the following:
比強度が七六、二〇〇メートルを超え、かつ、比弾性率が三、一八〇、〇〇〇メートルを超える繊維で補強した有機物若しくは金属をマトリックスとするものからなる複合材料(プリプレグであって、ガラス転移点が一四五度以下のものを除く。)又はその成型品(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット、無人航空機又は第二号イ若しくはロに該当する貨物に使用するように設計したものに限る。)
(a)composites (excluding prepregs with glass transition points of 145 ºC or less) made from organic substances reinforced with fibers with a specific strength exceeding 76,200 meters and specific elastic modulus exceeding 3,180,000 meters or those with metal in the matrix phase, or molded products made from these (limited to those designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or for goods falling under item (ii), (a) or (b));
ロケット用に設計した炭素及び炭素繊維を用いた複合材料又はその成型品(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)
(b)composites using carbon and carbon fibers designed for use in rockets or molded products made from these (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more);
人造黒鉛であって、次のいずれかに該当するもの(ロケットのノズル又は再突入機の先端部に使用することができるものに限る。)
(c)artificial graphite falling under any of the following (limited to artificial graphite usable for rocket nozzles or reentry vehicle's nose tips):
(一) 一五度の温度で測定したときのかさ密度が一立方センチメートル当たり一・七二グラム以上、かつ、粒子の径が一〇〇マイクロメートル以下の人造黒鉛であって、次のいずれかに加工することができるもの
1. artificial graphite whose bulk density measured at 15 ºC is 1.72 grams per cubic centimeter or more and the particle diameter is 100 micrometers or less, which is capable of being processed into any of the following:
1 円筒であって、直径が一二〇ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの又は管であって、内径が六五ミリメートル以上、厚さが二五ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの
i. cylinders with a diameter of 120 millimeters or more and a height of 50 millimeters or more, or tubes with an inner diameter of 65 millimeters or more, a thickness of 25 millimeters or more, and a height of 50 millimeters or more;
2 直方体であって、各辺の長さがそれぞれ一二〇ミリメートル以上、一二〇ミリメートル以上及び五〇ミリメートル以上のもの
ii. a rectangular parallelepiped, each of the dimensions of which is 120 millimeters or more, 120 millimeters or more, and 50 millimeters or more, respectively;
(二) 熱分解黒鉛(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
2. pyrolytic graphite (limited to that usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more);
(三) 繊維で強化した黒鉛(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
3. graphite strengthened with fibers (limited to that usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more);
ロケット又は無人航空機のレードーム(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)に使用するためのセラミックの複合材料(一〇〇メガヘルツ以上一〇〇ギガヘルツ以下の範囲のいずれかの周波数における比誘電率が六未満のものに限る。)
(d)composites of ceramics (limited to those with relative permittivity of less than 6 in frequencies within the range of 100 megahertz or more to 100 gigahertz or less) for use in radomes (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more) of rockets or unmanned aerial vehicles;
ロケット若しくは無人航空機の先端部、再突入機又はノズルフラップ(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)に使用することができる炭化けい素で強化された未焼成セラミック又は強化された炭化けい素セラミック複合材料
(e)unfired ceramics reinforced by silicon carbide or reinforced silicon carbide ceramic composites usable for nose tips of rockets or unmanned aerial vehicles, reentry vehicles, or nozzle flaps (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more);
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機の部分品(先端部、再突入機、翼の前縁部、推力偏向板、操縦翼面又はロケットモータのノズルスロート部を含む。)に使用することができるセラミック複合材料であって、融点が三、〇〇〇度以上の超高温セラミック(二ほう化チタン、二ほう化ジルコニウム、二ほう化ニオブ、二ほう化ハフニウム、二ほう化タンタル、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ニオブ、炭化ハフニウム及び炭化タンタルを含む。)のマトリックスを繊維又はフィラメントで強化したものからなるもの
(f)ceramic composites that can be used in the components (including the nose tips, reentry vehicles, the leading edges of wings, thrust deflectors, control surfaces, or the nozzle throats of rocket motors) of rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, and that are composed of a matrix of ultra-high temperature ceramics (including titanium diboride, zirconium diboride, niobium diboride, hafnium diboride, tantalum diboride, titanium carbide, zirconium carbide, niobium carbide, hafnium carbide, and tantalum carbide) that is reinforced with fibers or filaments;
次のいずれかに該当するタングステン、モリブデン若しくはこれらの合金を主たる構成物質とする粉又はその粉を固めたもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の構造材料として用いることができるものに限る。)
(g)powder whose main constituents are tungsten, molybdenum, or their alloys which fall under any of the following, or lumps of the powder (limited to those usable as structural materials for rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more):
(一) タングステン又はタングステンの含有量が合金の全重量の九七パーセント以上の粉であって、その粒子の径が五〇マイクロメートル以下のもの
1. tungsten or powder with a tungsten content of 97% or more of the total weight of alloys, with a particle diameter of 50 micrometers or less;
(二) モリブデン又はモリブデンの含有量が合金の全重量の九七パーセント以上の粉であって、その粒子の径が五〇マイクロメートル以下のもの
2. molybdenum or powder with a molybdenum content of 97% or more of the total weight of alloys, with a particle diameter of 50 micrometers or less;
(三) タングステン又はタングステンの含有量がその合金の全重量の九七パーセント以上(銅又は銀を含浸させたものである場合にあっては、タングステンの含有量が合金の全重量の八〇パーセント以上。)の粉を固めたものであって、次のいずれかに該当するものに加工することができるもの
3. tungsten or lumps of powder with a tungsten content of 97% or more of the total weight of the alloys (for those impregnated with copper or silver, with a tungsten content of 80% or more of the total weight of the alloys), and which are capable of being processed into any of the following:
1 円筒であって、直径が一二〇ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの又は管であって、内径が六五ミリメートル以上、厚さが二五ミリメートル以上、かつ、高さが五〇ミリメートル以上のもの
i. cylinders with a diameter of 120 millimeters or more and a height of 50 millimeters or more, or tubes with an inner diameter of 65 millimeters or more, a thickness of 25 millimeters or more, and a height of 50 millimeters or more;
2 直方体であって、各辺の長さがそれぞれ一二〇ミリメートル以上、一二〇ミリメートル以上及び五〇ミリメートル以上のもの
ii. a rectangular parallelepiped, each of the dimensions of which is 120 millimeters or more, 120 millimeters or more, and 50 millimeters or more, respectively;
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるマルエージング鋼であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(h)maraging steels usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当するもの
1. maraging steels falling under any of the following:
1 固溶化熱処理段階で二〇度の温度において測定した最大引張強さが九〇〇、〇〇〇、〇〇〇パスカル以上のもの
i. those that have a maximum tensile strength of of 900,000,000 pascals or more measured at the solution heat treatment stage at a temperature of 20 ºC;
2 析出硬化熱処理段階で二〇度の温度において測定した最大引張強さが一、五〇〇、〇〇〇、〇〇〇パスカル以上のもの
ii. those that have a maximum tensile strength of 1,500,000,000 pascals or more measured at the precipitation hardening heat treatment stage at a termperature of 20 ºC;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. maraging steels falling under any of the following:
1 厚さが五ミリメートル以下の板又は管
i. those that are plates or tubes with a thickness of 5 mm or less;
2 厚さが五〇ミリメートル以下の管であって、かつ、内径が二七〇ミリメートル以上のもの
ii. those that are tubes with a thickness of 50 mm or less and with an internal diameter of 270 millimeters or more;
チタンにより安定化されたオーステナイト・フェライト系ステンレス鋼であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができる無人航空機に使用することができるものに限る。)
(i)austenitic-ferritic stainless steels stabilized by titanium, which fall under the following 1. and 2. (limited to those usable in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more):
(一) 次の1から3までのすべてに該当するもの
1. those falling under all of the following i. through iii.:
1 クロムの含有量が全重量の一七パーセント以上二三パーセント以下で、かつ、ニッケルの含有量が全重量の四・五パーセント以上七パーセント以下のもの
i. those with a chrome content of 17% or more and 23% or less of the total weight and a nickel content of 4.5% or more and 7% or less of the total weight;
2 チタンの含有量が全重量の〇・一パーセントを超えるもの
ii. those with a titanium content exceeding 0.1% of the total weight;
3 オーステナイト組織を示す部分が全体積の一〇パーセント以上のもの
iii. steels with parts indicating an austenite structure of 10% or more of the total volume;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. austenitic-ferritic stainless steels falling under any of the following:
1 塊又は棒であって、寸法の最小値が一〇〇ミリメートル以上のもの
i. those that are ingots or rods with the smallest dimension value of 100 millimeters or more;
2 シートであって、幅が六〇〇ミリメートル以上で、かつ、厚さが三ミリメートル以下のもの
ii. those that are sheets with a width of 600 millimeters or more and a thickness of 3 millimeters or less;
3 管であって、外径が六〇〇ミリメートル以上で、かつ、厚さが三ミリメートル以下のもの
iii. those that are tubes with an external diameter of 600 millimeters or more and a thickness of 3 millimeters or less;
十七加速度計若しくはジャイロスコープ若しくはこれらを用いた装置、航法装置若しくは磁気方位センサーであって、次のいずれかに該当するもの(ロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(xvii)accelerometers or gyroscopes, or equipment, navigation equipment, or magnetic director sensors using them, which fall under any of the following (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles), or their components:
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した航法装置であって、ジャイロスタビライザー又は自動操縦装置とともに使用するように設計したもの
(a)navigation equipment designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more and designed to be used together with a gyrostabilizer or automated flight controller;
ジャイロ天測航法装置又は天体若しくは人工衛星の自動追跡により位置若しくは針路を測定することができる装置
(b)gyro-astro compasses, or devices that derive the position or course by means of automatically tracking celestial bodies or artificial satellites;
直線加速度計であって、慣性航法装置用又は誘導装置用に使用するように設計したもののうち、スケールファクターの再現性が一年間につき〇・一二五パーセント未満であって、バイアスの再現性が一年間につき〇・〇一二二六三メートル毎秒毎秒未満のもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)
(c)linear accelerometers designed for use in inertial navigation systems or guidance systems with scale factor reproducibility of less than 0.125% per year and bias reproducibility of less than 0.012263 meters per second squared per year (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more);
ジャイロスコープであって、九・八一メートル毎秒毎秒の直線加速度の状態におけるドリフトレートの安定性が一時間につき〇・五度未満のもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)
(d)gyroscopes with a drift rate stability of less than 0.5 degrees per hour in a state of linear acceleration of 9.81 meters per second squared (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more);
加速度計又はジャイロスコープであって、慣性航法装置又は誘導装置に使用するように設計したもののうち、九八一メートル毎秒毎秒を超える直線加速度で使用することができるように設計したもの
(e)accelerators or gyroscopes designed for use in inertial navigation systems or guidance systems, which are designed to be capable of being used at a linear acceleration exceeding 981 meters per second squared;
ハ若しくはホに該当する加速度計又はニ若しくはホに該当するジャイロスコープを用いた装置(姿勢方位基準装置、ジャイロコンパス、慣性計測装置、慣性航法装置及び慣性基準装置を含む。)
(f)equipment using an accelerometer falling under (c) or (e), or a gyroscope falling under (d) or (e) (including attitude and heading reference system, gyrocompasses, inertial measurement units, inertial navigation systems, and inertial reference systems);
磁気方位センサーであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもののうち、軸数が三のもの
(g)magnetic director sensors that fall under all of the following 1. through 3., with three or more axes:
(一) ピッチ角(プラスマイナス九〇度)及びロール角(プラスマイナス一八〇度)の内部傾き補正を有するもの
1. magnetic director sensors with an internal tilt compensation in pitch angle (plus or minus 90 degrees) and roll angle (plus or minus 180 degrees);
(二) 緯度プラスマイナス八〇度の地点における方位角精度の実効値が局所磁場に対して〇・五度未満のもの
2. magnetic director sensors for which the effective value of the azimuthal precision at the point of plus or minus 80 degrees latitude is less than 0.5 degrees, relative to the local magnetic field;
(三) 飛行制御又は航法システムと統合するように設計したもの
3. magnetic director sensors designed for integration with flight control or navigation systems;
十七の二ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した統合された航法システムであって、平均誤差半径が二〇〇メートル以下の精度のもの
(xvii)-2integrated navigation systems designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, and with precision of circular error probability of 200 meters or less;
十七の三加速度計若しくはジャイロスコープ若しくはこれらを用いた装置、航法装置、磁気方位センサー又は統合された航法システムの製造用の装置若しくは工具、試験装置、校正装置若しくは心合わせ装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(xvii)-3equipment or tools for the production of accelerometers or gyroscopes, of equipment, navigation equipment, or magnetic director sensors using these, or of navigation systems; test equipment, calibration equipment, or alignment equipment; or components of these, which fall under any of the following:
前二号に該当するものの製造用の装置若しくは工具、試験装置、校正装置若しくは心合わせ装置(ロからヘまでのいずれかに該当するものを除く。)又はこれらの部分品
(a)production equipment or tools for those falling under preceding two items, or test equipment, calibration equipment, or alignment equipment (excluding those falling under any of the following (b) through (f)), or their components;
遠心力式釣合い試験機(歯科用装置又は医療用装置を試験するように設計したものを除く。)であって、次の(一)から(四)までのすべてに該当するもの
(b)centrifugal balancing machines (excluding those designed for testing dental equipment or medical equipment) falling under all of the following 1. through 4.:
(一) 重量が三キログラムを超えるロータを試験することができないもの
1. those that are not capable of testing rotors exceeding 3 kilograms in weight;
(二) 一分につき一二、五〇〇回転を超える回転数でロータを試験することができるもの
2. those capable of testing rotors with speed exceeding 12,500 rotations per minute;
(三) 二面以上での不釣合いを試験できるもの
3. those capable of testing unbalance on two or more planes;
(四) ロータの重量に対する残留不釣合いが一キログラムにつき〇・二グラムミリメートル以下のもの
4. those with residual unbalance with respect to the rotor weight of 0.2 gram-millimeters or less per kilogram;
表示装置であって、ロに該当するものに使用することができるように設計したもの
(c)display equipment designed to be capable of being used in machines falling under (b);
モーションシミュレーター又はレートテーブルであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの(工作機械又は医療用装置に使用するように設計したものを除く。)
(d)motion simulators or rate tables falling under all of the following 1. through 3. (excluding those designed to be usable for machine tools or medical devices):
(一) 軸数が二以上のもの
1. motion simulators or rate tables with two or more axes;
(二) スリップリング又は電力の供給若しくは信号情報の伝達を行うことができる非接触型の装置を用いるもの
2. motion simulators or rate tables that use a slip ring or non-contact type equipment capable of supplying electric power or transmitting signal information;
(三) 次のいずれかに該当するもの
3. motion simulators or rate tables falling under any of the following:
1 いずれかの軸における角速度が一秒につき四〇〇度以上又は三〇度以下のものであって、当該角速度の分解能が一秒につき六度以下のもののうち、当該角速度の精度が一秒につき〇・六度以下のもの
i. those that have one of the axis with an angular velocity of 400 degrees or more or 30 degrees or less per second and the resolution of the angular velocity is 6 degrees or less per second, with the precision of the angular velocity of 0.6 degrees or less per second;
2 いずれかの軸が一〇度以上回転する場合における角速度が、〇・〇五パーセント以下の精度で安定するもの
ii. those that have one of the axis with an angular velocity that is stabilized at the precision of 0.05 % or less when its rotation is 10 degrees or more;
3 角度の位置決め精度が五秒以下のもの
iii. those with an angular positioning precision of 5 seconds or less;
ポジショニングテーブルであって、次の(一)及び(二)に該当するもの(工作機械又は医療用装置に使用するように設計したものを除く。)
(e)positioning tables falling under the following 1. and 2. (excluding those designed for use in machine tools or medical devices):
(一) 軸数が二以上のもの
1. those with two or more axes;
(二) 角度の位置決め精度が五秒以下のもの
2. those with an angular positioning precision of 5 seconds or less;
遠心加速度試験機であって、九八〇メートル毎秒毎秒を超える加速度を与えることができ、スリップリング又は電力の供給若しくは信号情報の伝達を行うことができる非接触型の装置を用いるもの
(f)centrifugal accelerator testing machines capable of applying an acceleration rate exceeding 980 meters per second squared and that uses a slip ring or non-contact-type equipment capable of supplying electricity and transmitting signal information;
十八五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した飛行制御装置又は姿勢制御装置
(xviii)flight controllers or attitude controllers designed for use in a rocket or unmanned aerial vehicle capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more;
十八の二前号に掲げるものに使用するように設計したサーボ弁であって、周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下の全域において加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒を超える振動に耐えることができるように設計したもの
(xviii)-2servo valves designed for use for those set forth in the preceding item, and designed to be able to withstand vibrations with the effective rate of acceleration exceeding 98 meters per second squared within the frequency range from 20 hertz to 2,000 hertz;
十八の三前二号に掲げるものの試験装置、校正装置又は心合わせ装置
(xviii)-3test equipment, calibration equipment, or alignment equipment for those set forth in preceding two items;
十九アビオニクス装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xix)avionics equipment falling under any of the following:
レーダー(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したものに限る。)
(a)radars (limited to those usable for rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more);
パッシブセンサーであって、特定の電磁波源の方向又は地形の特性を探知するもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したものに限る。)
(b)passive sensors for detecting the direction of a specific electromagnetic wave source or landform characteristics (limited to those designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more);
衛星航法システム(全地球航法衛星システム及び地域航法衛星システムを含む。)からの電波を受信する装置であって、次の(一)若しくは(二)に該当するもの又はそのために特に設計した部分品
(c)equipment for receiving radio waves from a satellite navigation system (including a global navigation satellite system and an area navigation satellite system) which falls under the following 1. or 2., or components specially designed for such equipment:
(一) 五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計したもの
1. equipment designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more;
(二) 航行又は飛しょうする移動体に使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
2. equipment designed for use in mobile objects that navigate or fly, which falls under any of the following:
1 毎秒六〇〇メートルを超える速度のもとで、航法に係る情報を提供することができるもの
i. equipment capable of providing information related to navigation while flying at a speed exceeding 600 meters per second;
2 軍隊又は政府機関による使用を目的として設計若しくは改良され、かつ、衛星航法システム(全地球航法衛星システム及び地域航法衛星システムを含む。)で用いられる暗号化された信号又はデータにアクセスするための暗号の復号機能を有するもの(民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを受信するように設計したものを除く。)
ii. equipment designed or improved for the purpose of use by the military forces or a governmental organization, and which has a function for decoding codes for accessing encoded signals or data used in a satellite navigation system (including a global navigation satellite system and an area navigation satellite system) (excluding those designed to receive navigational data for civilian use or for ensuring the safety of human life and physical safety);
3 意図的な妨害を受ける環境のもとで機能することを目的として、ナルステアラブルアンテナ、電子的に走査が可能なアンテナその他妨害除去機能を有するように設計したもの(民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを受信するように設計したものを除く。)
iii. equipment designed to have a null-steerable antenna, an antenna capable of electronic scanning, or other interference elimination function for the purpose of functioning in an environment in which there is intentional interference (excluding those designed to receive navigational data for civilian use or for ensuring the safety of human life and physical safety);
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに使用するように設計したアンビリカル電気コネクタ又は段間電気コネクタ(ペイロードとロケットの間の電気コネクタを含む。)
(d)umbilical electrical connectors or interstage electrical connectors (including electrical connectors between payloads and rockets) designed for use in rockets capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more;
十九の二ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるように設計した熱電池であって、電解質として固体の非導電無機塩類を含むもの
(xix)-2thermal batteries designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, which contain solid non-conducting inorganic salt as electrolyte;
二十航空機搭載用又は船舶搭載用の重力計であって、精度が〇・七ミリガル以下のもののうち、測定所要時間が二分以内のもの(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(xx)gravimeters for mounting on aircraft or ships that are precise to within 0.7 milligals or less and that have a time required for measurement of within 2 minutes (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more), or their components;
二十の二航空機搭載用若しくは船舶搭載用の重力勾配計(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)又はこれらの部分品
(xx)-2gravity gradiometers for mounting on aircraft or ships (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more), or their components;
二十一ロケット又は無人航空機の発射台又は地上支援装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxi)launch pads or ground launch support equipment for rockets or unmanned aerial vehicles falling under any of the following:
ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の取扱い、制御、作動又は発射用に設計した装置
(a)equipment designed for handling, controlling, operating, or launching rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more;
五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機の輸送、取扱い、制御、作動又は発射用に設計した車両
(b)vehicles designed for transporting, handling, controlling, operating, or launching rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more;
二十二ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用するように設計した無線遠隔測定装置又は無線遠隔制御装置(地上装置を含む。)であって、次のいずれにも該当しないもの
(xxii)radio telemetry equipment or radio remote controllers (including ground equipment) designed for use in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, which do not fall under any of the following:
有人航空機又は人工衛星に使用するように設計したもの
(a)equipment designed for use in manned aircraft or artificial satellites;
陸上又は海洋において用いられる移動体に使用するように設計したもの
(b)equipment designed for use in mobile objects used on land or sea;
民生用途又は生命若しくは身体の安全を確保するための航法データを提供する衛星航法システムからの情報を受信するように設計したもの
(c)equipment designed to receive information from satellite navigational systems that provide navigational data for civilian use or for ensuring the safety of human life and physical safety;
二十二の二ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができる追跡装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxii)-2tracking devices usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, which fall under any of the following:
ロケット又は無人航空機に搭載されたコード変換器を使用するものであって、地上、海上若しくは飛しょう体上の連携機器又は衛星航法システムとの相互連携の下で、即時に飛行位置及び速度のデータを計測することができるもの
(a)tracking devices using code converters mounted in rockets or unmanned aerial vehicles and capable of instantly measuring flight position and speed data in mutual coordination with linked devices on ground, the sea, or flying objects, or with a satellite navigational system;
距離測定用のレーダーであって、光を利用した追跡装置を有するもののうち、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(b)radar for distance measurement having a tracking device using light, which falls under all of the following 1. through 3.:
(一) 角度分解能が一・五ミリラジアン未満のもの
1. radar with angular resolution of less than 1.5 milliradians;
(二) 距離分解能の二乗平均が一〇メートル未満で測定することができる距離が三〇キロメートル以上のもの
2. radar with the mean square of distance resolution of less than 10 meters, which is capable of measuring a distance of 30 kilometers or more;
(三) 速度分解能が一秒につき三メートル未満のもの
3. radar with speed resolution of less than 3 meters per second;
二十三五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケットに搭載するように設計したアナログ電子計算機又はデジタル電子計算機であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiii)analog computers or digital computers designed for use in rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more, which fall under any of the following:
零下四五度より低い温度から五五度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
(a)those designed to be usable at temperatures from below −45 ºC to over 55 ºC;
全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(b)those designed to be able to withstand radiation exposure exceeding 500,000 rads or more on a silicon conversion basis for the total absorbed dose;
二十四アナログデジタル変換用の集積回路又はアナログデジタル変換器(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(xxiv)integrated circuits for analog-to-digital conversion or analog-to-digital converters (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more), which fall under any of the following:
アナログデジタル変換用の集積回路であって、全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計したもの又は次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)integrated circuits for analog-to-digital conversion which are designed to be able to withstand radiation exposure exceeding 500,000 rads on a silicon conversion basis for the total absorbed dose, or which fall under the following 1. and 2.:
(一) 零下五四度より低い温度から一二五度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
1. those designed to be usable in a temperature from below −54 ºC to a temperature exceeding 125 ºC;
(二) 気密封止したもの
2. those that are sealed airtight;
電気入力型のアナログデジタル変換用の組立品又はモジュールであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b)assemblies or modules for electric input-type analog-to-digital conversion which fall under the following 1. and 2.;
(一) 零下四五度より低い温度から八〇度を超える温度まで使用することができるように設計したもの
1. those designed to be usable in a temperature from below −45 ºC to a temperature exceeding 80 ºC; and
(二) イに該当する集積回路を組み込んだもの
2. those that incorporates integrated circuits falling under (a);
二十五振動試験装置若しくはその部分品、空気力学試験装置、燃焼試験装置、環境試験装置又は電子加速器若しくはこれを用いた装置であって、次のいずれかに該当するもの
(xxv)vibration test equipment or their components, aerodynamic test equipment, combustion test equipment, environmental test equipment, electron accelerators, or equipment using them, which fall under any of the following:
振動試験装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(a)vibration test equipment or their components, which fall under any of the following (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of goods falling under item (ii)):
(一) デジタル制御方式の振動試験装置であって、次の1及び2に該当するもの
1. digitally controlled vibration test equipment that falls under the following i. and ii.:
1 試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のものであって、二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下のいずれの周波数においても加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの
i. equipment with exciting force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object and capable of generating vibrations with an effective rate of acceleration of 98 meters or more per second squared at any frequency of 20 hertz or more and 2,000 hertz or less;
2 フィードバック制御技術又は閉ループ制御技術を用いたもの
ii. equipment using feedback control technology or closed-loop control technology;
(二) 振動試験装置の部分品であって、次のいずれかに該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
2. components of vibration test equipment, which fall under any of the following (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 300 kilometers or more, or in the development or testing of goods falling under item (ii)):
1 (一)に該当する振動試験装置の制御に使用するように設計した部分品であって、振動試験用のプログラムを用いたものであり、かつ、五キロヘルツを超える帯域幅で実時間での振動試験をデジタル制御するもの
i. components designed for use in controlling the vibration test equipment falling under 1. and use a program for vibration testing, and which digitally control vibration testing in real time in a bandwidth exceeding 5 kilohertz;
2 (一)に該当する振動試験装置に使用することができる振動発生機であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上のもの
ii. vibration generators usable for vibration test equipment falling under 1., with an exciting force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object;
3 (一)に該当する振動試験装置に使用することができる振動台又は振動発生装置の部分品であって、試験体がない状態における加振力が五〇キロニュートン以上となる振動を発生させるために二台以上の振動発生機を接続して使用するように設計したもの
iii. components of vibration tables or vibration generators usable for vibration test equipment falling under 1. and designed for use by connecting two or more vibration generators in order to generate vibrations with an exciting force of 50 kilonewtons or more in the absence of a test object;
マッハ数が〇・九以上の速度の状態を作ることができる空気力学試験装置(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。マッハ数が三以下で、かつ、測定部断面の長さが二五〇ミリメートル以下の風洞及びヘに該当するものを除く。)
(b)aerodynamic test equipment for creating a state in which the speed is Mach 0.9 or more (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii); excluding wind tunnels with a speed of Mach 3 or less and the length for the cross section of the measuring part is not more than 250 millimeters, and those falling under (f));
燃焼試験装置であって、推力が六八キロニュートンを超える固体ロケット、液体ロケット若しくはロケット推進装置を試験することができるもの又は同時に三軸方向の推力成分を測定することができるもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(c)combustion test equipment capable of testing solid rockets, liquid rockets with thrust exceeding 68 kilonewtons, or rocket propulsion units, or one capable of measuring the thrust components in three axial directions simultaneously (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of goods falling under item (ii));
飛行の状態をシミュレートすることができる環境試験装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(d)environmental test equipment capable of simulating the flying state, which falls under the following 1. and 2. (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii)):
(一) 高度が一五、〇〇〇メートル以上の状態又は零下五〇度以上一二五度以下のすべての温度範囲の状態をシミュレートすることができるもの
1. equipment capable of simulating the condition in which the altitude is 15,000 meters or more or all the conditions in the temperature range of −50 ºC to 125 ºC;
(二) 周波数範囲が二〇ヘルツ以上二、〇〇〇ヘルツ以下で、かつ、試験体がない状態における加速度の実効値が九八メートル毎秒毎秒以上の振動を発生させることができるもの(加振力が五キロニュートン以上のものに限る。)又は基準音圧が二〇マイクロパスカルの場合の音圧レベルが一四〇デシベル以上の音を発生させることができるもの若しくは定格の音響出力の合計が四キロワット以上のもの
2. equipment capable of generating vibrations in the condition in which the frequency range is 20 hertz to 2,000 hertz and the effective rate of acceleration is 98 meters or more per second squared in the absence of a test object (limited to those with an exciting force of 5 kilonewtons or more), those capable of generating sounds with the sound pressure level of 140 decibels or more when the reference sound pressure is 20 micropascals, or those with the total rated sound output of 4 kilowatts or more;
電子加速器であって、二メガエレクトロンボルト以上のエネルギーを有する加速された電子からの制動放射によって電磁波を放射することができるもの又はこれを用いた装置(医療用に設計したものを除き、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機又は第二号に該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(e)electron accelerators capable of emitting electromagnetic waves by means of a breaking radiation from accelerated electrons having an energy of 2 mega electron volts or more or equipment using these (excluding those designed for medical use and limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of goods falling under item (ii));
熱空気力学試験装置(物体の周辺の気流による熱的及び機械的影響を調査するためのプラズマアークジェット装置及びプラズマ風洞を含む。)であって、次のいずれかに該当するもの(ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機若しくは第二号イ若しくはロに該当する貨物の開発又は試験に用いることができるものに限る。)
(f)aerothermodynamic test equipment (including plasma arcjet equipment and plasma wind tunnels for investigating the thermal and mechanical effects of airflow around an object) that falls under any of the following (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, or in the development or testing of goods falling under item (ii), (a) or (b)):
(一) 五メガワット以上の電力を供給することができるもの
1. those capable of supplying electricity of 5 megawatts or more;
(二) 三メガパスカル以上の圧力のガスを供給することができるもの
2. those capable of supplying gas with a pressure of 3 megapascals or more;
二十五の二五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット、第二号イに該当する貨物(五〇〇キログラム以上のペイロードを運搬することができるロケットに使用することができるものに限る。)又は同号ロに該当する貨物を設計するためのハイブリッド電子計算機(第十六条第一項第十一号に該当するプログラムを有するものに限る。)
(xxv)-2hybrid computers for designing rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more, goods falling under item (ii), (a) (limited to those usable in rockets capable of transporting a payload of 500 kilograms or more) or goods falling under item (ii), (b) (limited to those that have programs falling under Article 16, paragraph (1), item (xi));
二十六電波、音波(超音波を含む。)若しくは光(紫外線及び赤外線に限る。)の反射若しくは放射を減少させるステルス技術を用いた材料若しくは装置であって、ペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット若しくは無人航空機、第一号の三に該当する無人航空機若しくは第二号に該当する貨物に使用することができるもの又はこれらの試験装置
(xxvi)material or equipment using stealth technology that reduce the level of the reflection or emission of radio waves, sound waves (including ultrasonic waves), or light (limited to ultraviolet rays and infrared rays), which is usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting payloads over a distance of 300 kilometers or more, unmanned aerial vehicles falling under item (i)-3, or goods falling under item (ii), or test equipment for these;
二十七集積回路、探知装置又はレードーム(五〇〇キログラム以上のペイロードを三〇〇キロメートル以上運搬することができるロケット又は無人航空機に使用することができるものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの
(xxvii)integrated circuits, detectors, or radomes (limited to those usable in rockets or unmanned aerial vehicles capable of transporting a payload of 500 kilograms or more over a distance of 300 kilometers or more), which fall under any of the following:
全吸収線量がシリコン換算で五〇万ラド以上となる放射線照射に耐えることができるように設計した集積回路であって、ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために使用することができるもの
(a)integrated circuits designed to be able to withstand radiation exposure exceeding 500,000 rads on a silicon conversion basis for the total absorbed dose, and usable for protecting rockets or unmanned aerial vehicles from nuclear impact;
ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために設計した探知装置
(b)detectors designed to protect rockets or unmanned aerial vehicles from nuclear impact;
五〇キロパスカルを超える圧力において一平方メートル当たり四、一八四キロジュールを超える熱衝撃に耐えることができるように設計したレードームであって、ロケット又は無人航空機を核の影響から防護するために使用することができるもの
(c)radomes designed to be able to withstand a thermal shock exceeding 4,184 kilojoules per square meter at a pressure exceeding 50 kilopascals and usable for protecting rockets or unmanned aerial vehicles from nuclear impact.
第四条輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 4The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row (5) of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
ふっ素化合物の製品であって、航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体に使用するように設計したもののうち、第十四号ロ又はハに該当するふっ素化合物の含有量が全重量の五〇パーセントを超えるシール、ガスケット、シーラント又は燃料貯蔵袋
(i)fluorine compound products designed to be used in aircraft or artificial satellites, or other flying objects for use in space pioneering, which are seals, gaskets, sealants, or fuel storage bags with a content of fluorine compounds falling under item (xiv), (b) or (c) exceeding 50% of the total weight;
繊維を使用した成型品(半製品を含む。以下この号において同じ。)であって、次のいずれかに該当するもの
(ii)molded products that use fibers (including semi-finished products; hereinafter the same applies in this item) that fall under any of the following:
第十五号ホに該当するプリプレグ又はプリフォームを用いて製造した成型品
(a)molded products manufactured using prepreg or preform falling under item (xv), (e);
次のいずれかに該当する繊維を用いて製造した成型品であって、金属又は炭素をマトリックスとするもの
(b)molded products manufactured using fibers that fall under any of the following and whose matrix is metal or carbon:
(一) 炭素繊維であって次の1及び2に該当するもの
1. carbon fibers that fall under any of the following i. or ii.:
1 比弾性率が一〇、一五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
i. those with a specific elastic modulus exceeding 10,150,000 meters;
2 比強度が一七七、〇〇〇メートルを超えるもの
ii. those with a specific strength exceeding 177,000 meters;
(二) 第十五号ハに該当するもの
2. carbon fobers that fall under item (xv), (c);
芳香族ポリイミド(熱、放射線若しくは触媒による作用その他外部からの作用による重合化又は架橋が不可能であり、かつ、熱分解を経ずに溶融することのないものに限る。)の製品(フィルム、シート、テープ又はリボン状のものに限る。)であって、次のいずれかに該当するもの(銅で被覆又はラミネートされたものであって、電子回路のプリント基板用のものを除く。)
(iii)products of aromatic polyimide (limited to those for which polymerization or cross-linking by action through heat, radiation, or catalysts or other external action is impossible and which do not melt without pyrolysis) (limited to films, sheets, tapes, or ribbon shaped products), which fall under any of the following (excluding those which are coated or laminated with copper and are for printed boards of electronic circuits):
厚さが〇・二五四ミリメートルを超えるもの
(a)those with a thickness exceeding 0.254 millimeters;
炭素、黒鉛、金属又は磁性材料で被覆され、又はラミネートされたもの
(b)those coated or laminated with carbon, graphite, metal, or magnetic materials;
第二号、第十五号又は第十四条第一号に該当するものの製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品(第三条第十一号に該当するものを除く。)
(iv)devices for manufacturing objects that fall under item (ii), item (xv), or Article 14, item (i), which fall under any of the following, or their components or accessories (excluding those falling under Article 3, item (xi)):
フィラメントワインディング装置であって、繊維を位置決めし、包み作業及び巻き作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を三本以上有するもの
(a)filament winding devices that perform fiber positioning, wrapping operations, or winding operations, which have three or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol), and are capable of controlling those operations in a correlated manner;
繊維からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するためのものであって、テープを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を五本以上有するもの
(b)devices for manufacturing the airframes of aircraft or the structure of rockets made of fibers, which position tapes and perform laminating operations, and have five or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol) capable of controlling those operations in a correlated manner;
三次元的に織ることができる織機又はインターレーシングマシンであって、繊維を成型品用に織り、編み若しくは組むために特に設計又は改造したもの
(c)looms or interlacing machines capable of three-dimensional weaving, which are specially designed or altered to weave, knit, or braid fiber for molded products;
繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの
(d)fiber manufacturing devices that fall under any of the following:
(一) 重合体繊維から炭素繊維又は炭化けい素繊維を製造する装置
1. devices that manufacture carbon fibers or silicon carbide fibers from polymer fibers;
(二) 炭化けい素繊維の製造用の装置であって、熱したフィラメント状の基材に元素又は化合物を化学的に蒸着させるもの
2. devices that manufacture silicon carbide fibers and that chemically vapor deposit elements or compounds on heated filament-shaped base materials;
(三) 耐火セラミックの湿式紡糸装置
3. wet spinning equipment for fire resistant ceramics;
(四) 熱処理によって、アルミニウムを含有するプリカーサー繊維からアルミナ繊維を製造する装置
4. devices that manufacture alumina fibers from precursor fibers containing aluminum by heat treatment;
ホットメルト方式を用いて第十五号ホに該当するプリプレグを製造する装置
(e)devices that manufacture prepregs that fall under item (xv), (e) by using a hot melt method;
非破壊検査装置であって、複合材料を検査するように設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(f)non-destructive inspection devices designed for inspecting composite materials, which fall under any of the following:
(一) 三次元欠陥検査用のエックス線断層撮影装置
1. X-ray tomography system for three-dimensional defect inspections;
(二) 数値制御を行うことができる超音波検査装置であって、位置送信機、位置受信機又は位置送受信機の動作が、同時制御され、かつ、検査時に対象物の三次元輪郭を軸数が四以上で測定するよう調整されているもの
2. ultrasonic testing machines capable of numerical control in which the motions for positioning transmitters or receivers, or positioning transceivers are simultaneously controlled and which are programmed to measure the three-dimensional contours of objects by four or more axes during inspections;
繊維からなる航空機の機体又はロケットの構造体を製造するためのものであって、トウを位置決めし、及びラミネートする作業を行うもののうち、それらの作業を相関して制御することができる基本軸(サーボ制御によって動作するものに限る。)を二本以上有するもの
(g)devices that are for manufacturing airframes for aircrafts or the structure of rockets made of fibers that position tows and perform laminating operations, and that have two or more primary axes (limited to those that operate by servocontrol) capable of controlling those operations in a correlated manner;
合金の粉末又は合金の粒子状物質の製造用に設計した装置であって、次のイ及びロに該当するもの
(v)devices designed for the manufacture of alloy powders or alloy particulate matter, which fall under (a) and (b);
コンタミネーションを防止するように特に設計したもの
(a)those specially designed to prevent contamination;
第七号ハ(二)1から8までのいずれかに該当する方法において使用するように特に設計したもの
(b)those designed specifically for use in the methods that fall under any of items (vii), (c) 2., i. through viii.;
チタン、アルミニウム又はこれらの合金を超塑性成形又は拡散接合するための工具(型を含む。)であって、次のいずれかに該当するものを製造するように設計したもの
(vi)tools (including molds) for super plastic forming or diffusion bonding of titanium, aluminum, or their alloys, which are designed to manufacture things that fall under any of the following:
航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体の構造体
(a)structures of aircraft, artificial satellites, and other types of flying objects for use in space pioneering;
航空機又は人工衛星その他の宇宙開発用の飛しょう体のエンジン
(b)engines for aircraft, artificial satellites and other types of flying objects for use in space pioneering;
イ又はロに該当するものの部分品
(c)components of those falling under (a) or (b);
合金又はその粉末であって、次のいずれかに該当するもの(コーティングに使用するために特に調合したものを除く。)
(vii)alloys, or their powders, which fall under any of the following (excluding those specially prepared to be used for coating):
アルミニウムの化合物となっている合金であって、次のいずれかに該当するもの
(a)alloys that have become aluminum compounds and that fall under any of the following:
(一) アルミニウムの含有量が全重量の一五パーセント以上三八パーセント以下であって、アルミニウム又はニッケル以外の合金元素を含むニッケル合金
1. nickel alloys with a content of aluminum of 15% or more and 38% or less of the total weight, which contain alloy elements other than aluminum or nickel;
(二) アルミニウムの含有量が全重量の一〇パーセント以上であって、アルミニウム又はチタン以外の合金元素を含むチタン合金
2. titanium alloys with a content of aluminum of 10% or more of the total weight, which contain alloy elements other than aluminum or titanium;
ハに該当するものからなる合金であって、次のいずれかに該当するもの
(b)alloys made of alloy powders that fall under (c), which fall under any of the following:
(一) ニッケル合金であって、次のいずれかに該当するもの
1. nickel alloys that fall under any of the following:
1 六五〇度の温度において六七六メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. nickel alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates a stress of 676 megapascals at a temperature of 650 ºC;
2 五五〇度の温度において一、〇九五メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. nickel alloys with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates a stress of 1,095 megapascals at a temperature of 550 ºC;
(二) ニオブ合金であって、次のいずれかに該当するもの
2. niobium alloys that fall under any of the following:
1 八〇〇度の温度において四〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. niobium alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates a stress of 400 megapascals at a temperature of 800 ºC;
2 七〇〇度の温度において七〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. niobium alloy with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates a stress of 700 megapascals at a temperature of 700 ºC;
(三) チタン合金であって、次のいずれかに該当するもの
3. titanium alloys that fall under any of the following:
1 四五〇度の温度において二〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの応力破断時間が一〇、〇〇〇時間以上のもの
i. titanium alloys with a stress breakage time of 10,000 hours or more when a load is added that generates a stress of 200 megapascals at a temperature of 450 ºC;
2 四五〇度の温度において四〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を加えたときの低サイクル疲労寿命が一〇、〇〇〇サイクル以上のもの
ii. titanium alloys with a low cycle fatigue life of 10,000 cycles or more when a load is added that generates a stress of 400 megapascals at a temperature of 450 ºC;
(四) アルミニウム合金であって、引張強さが次のいずれかに該当するもの
4. aluminum alloys with a tensile strength falling under any of the following:
1 二〇〇度の温度において二四〇メガパスカル以上のもの
i. aluminum alloys with a tensile strength of 240 megapascals or more at a temperature of 200 ºC;
2 二五度の温度において四一五メガパスカル以上のもの
ii. aluminum alloys with a tensile strength of 415 megapascals or more at a temperature of 25 ºC;
(五) マグネシウム合金であって、引張強さが三四五メガパスカル以上のもののうち、三パーセント食塩水中における腐食が一年につき一ミリメートル未満のもの
5. magnesium alloys with a tensile strength of 345 megapascals or more, which has a corrosion rate of less than 1 millimeter per year when immersed in 3 percent saline water;
合金の粉末であって、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの
(c)alloy powders that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 次のいずれかに該当するものからなるもの
1. alloy powders made of materials that fall under any of the following:
1 製造工程中に混入する金属以外の粒子(径が一〇〇マイクロメートルを超えるものに限る。)の数が粒子一、〇〇〇、〇〇〇、〇〇〇個当たり三個未満のニッケル合金であって、アルミニウム及びニッケルを含む三種類以上の元素からなるもの
i. nickel alloys with a number of particles other than metals that become mixed during the manufacturing process is less than three per 1,000,000,000 particles (limited to those with a diameter exceeding 100 micrometers), which are made of three or more types of elements including aluminum and nickel;
2 アルミニウム、けい素又はチタンのいずれかの元素及びニオブを含む三種類以上の元素からなるニオブ合金
ii. niobium alloys composed of three or more types of elements which include niobium and any of the elements of aluminum, silicon or titanium;
3 アルミニウム及びチタンを含む三種類以上の元素からなるチタン合金
iii. titanium alloys composed of three or more types of elements including aluminum or titanium;
4 マグネシウム、亜鉛又は鉄のいずれかの元素及びアルミニウムを含む三種類以上の元素からなるアルミニウム合金
iv. aluminum alloys composed of three or more types of elements that include aluminum and any of the elements of magnesium, zinc or iron;
5 アルミニウム及びマグネシウムを含む三種類以上の元素からなるマグネシウム合金
v. magnesium alloys composed of three or more types of elements including aluminum and magnesium;
(二) 次のいずれかの方法によって製造したもの
2. alloy powders manufactured by any of the following methods:
1 真空噴霧法
i. vacuum atomization method;
2 ガス噴霧法
ii. gas atomization method;
3 回転噴霧法
iii. rotary atomization method;
4 スプラットクェンチ法
iv. splat-quenching method;
5 メルトスピニング法及び粉化法
v. melt spinning method and pulverization method;
6 メルトエキストラクション法及び粉化法
vi. melt extraction method and pulverization method;
7 機械的合金法
vii. mechanical alloying method;
8 プラズマ噴霧法
viii. plasma atomization method;
(三) イ又はロに該当するものを製造することができるもの
3. alloy powders that can manufacture those that fall under (a) or (b);
次の(一)から(三)までのすべてに該当する合金材料
(d)alloy materials that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) ハ(一)1から5までのいずれかに該当するものからなるもの
1. those made of alloy powders that fall under any of (c) 1., i. through v.;
(二) 細かく砕かれていないフレーク状、リボン状又は細い棒状のもの
2. those that are not finely pulverized but flake shaped, ribbon shaped, or in a shape of a thin rod;
(三) 次のいずれかの方法によって製造されたもの
3. those manufactured by any of the following methods:
1 スプラットクェンチ法
i. splat-quenching method;
2 メルトスピニング法
ii. melt spinning method;
3 メルトエキストラクション法
iii. melt extraction method;
金属性磁性材料であって、次のいずれかに該当するもの
(viii)metallic magnetic materials that fall under any of the following:
比初透磁率が一二〇、〇〇〇以上のものであって、厚さが〇・〇五ミリメートル以下のもの
(a)those with an initial relative permeability of 120,000 or more and with a thickness of 0.05 millimeters or less;
磁歪合金であって、次のいずれかに該当するもの
(b)magnetostrictive alloys that fall under any of the following:
(一) 飽和磁気歪が〇・〇〇〇五を超えるもの
1. those with a saturated magnetostriction exceeding 0.0005;
(二) 電気機械結合係数が〇・八を超えるもの
2. those with an electromechanical coupling coefficient exceeding 0.8;
ストリップ状のアモルファス合金又はナノクリスタル合金であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c)strip-shaped amorphous alloys or nano crystal alloys that fall under the following 1. and 2.:
(一) 鉄、コバルト若しくはニッケルのいずれかの含有量又はこれらの含有量の合計が全重量の七五パーセント以上のもの
1. those whose iron, cobalt, or nickel content, individually or combined, is 75% or more of the total weight;
(二) 飽和磁束密度が一・六テスラ以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those with a saturated magnetic flux density of 1.6 teslas or more that fall under any of the following:
1 厚さが〇・〇二ミリメートル以下のもの
i. those with a thickness of 0.02 millimeters or less;
2 電気抵抗率が二マイクロオームメートル以上のもの
ii. those with an electrical resistivity of 2 microohm-meters or more;
ウランチタン合金又はタングステン合金であって、そのマトリックスが鉄、ニッケル又は銅のもののうち、次のイからニまでのすべてに該当するもの
(ix)uranium-titanium alloys or tungsten alloys whose matrix is of iron, nickel or copper, which fall under all of the following (a) through (d):
密度が一七・五グラム毎立方センチメートルを超えるもの
(a)those with a density exceeding 17.5 gram per cubic centimeter;
弾性限度が八八〇メガパスカルを超えるもの
(b)those with an elastic limit exceeding 880 megapascals;
引張強さが一、二七〇メガパスカルを超えるもの
(c)those with a tensile strength exceeding 1,270 megapascals;
伸び率が八パーセントを超えるもの
(d)those with an elongation percentage exceeding 8%;
超電導材料であって、次のいずれかに該当するもの(長さが一〇〇メートルを超えるもの又は全重量が一〇〇グラムを超えるものに限る。)
(x)superconductive materials that fall under any of the following (limited to those with a length exceeding 100 meters or with the total weight exceeding 100 grams):
フィラメントを有するものであって、ニオブチタンのフィラメントを含むもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)superconductive materials which have multiple filaments that include niobium titanium filaments, which fall under the following 1. and 2.:
(一) フィラメントが銅又は銅合金以外のマトリックスに埋めこまれたもの
1. those whose filaments are embedded in a matrix other than copper or copper alloy;
(二) フィラメントの断面積が一〇〇万分の二八平方ミリメートル未満のもの
2. those with a filament cross-section area of less than 28/1,000,000 square millimeters;
ニオブチタン以外の超電導フィラメントからなる超電導材料であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(b)superconductive materials composed of superconductive filaments other than niobium titanium, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 磁界をかけない場合に臨界温度が零下二六三・三一度超のもの
1. those with a critical temperature exceeding −263.31 ºC when a magnetic field is not applied;
(二) 削除
2. Deleted
(三) 超電導材料の縦軸に対してあらゆる方向から垂直に一二テスラの磁束密度の磁界をかけた場合に、零下二六八・九六度の温度で超電導状態を保つことができるものであって、臨界電流密度がすべての横断面で一、七五〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの
3. those that can maintain a superconductive state at a temperature of −268.96 ºC when exposed to a magnetic field oriented in any direction perpendicular to the vertical axis of the material and of a magnetic flux density of 12 tesla, with a critical current density exceeding 300 amperes per square millimeter in all cross sections;
超電導フィラメントからなる超電導材料であって、零下一五八・一六度の温度を超えて超電導性を保つことができるもの
(c)superconductive materials composed of superconductive filaments, which can maintain a superconductive state at a temperature exceeding −158.16 ºC;
十一潤滑剤として使用することができる材料、振動防止用に使用することができる液体又は冷媒用の液体であって、次のいずれかに該当するもの
(xi)materials that can be used as lubricant, liquids that can be used for vibration prevention, or liquids for refrigerants, which fall under any of the following:
削除
(a)deleted;
潤滑剤として使用することができる材料であって、次のいずれかに該当する物質を主成分とするもの
(b)materials that can be used as lubricant that has substances falling under any of the following as its primary component:
(一) フェニレンエーテル、アルキルフェニレンエーテル、フェニレンチオエーテル、アルキルフェニレンチオエーテル又はこれらの混合物であって、その有するエーテル基、チオエーテル基又はこれらの官能基の数の合計が三以上のもの
1. phenylene ether, alkylphenylene ether, phenylene thioether, alkyl phenylene thioether or mixtures of these, in which the total number of ether groups, or thioether groups, or of their functional groups is three or more;
(二) ふっ化シリコーン油であって、二五度の温度において測定した動粘度が五、〇〇〇平方ミリメートル毎秒未満のもの
2. fluorinated silicone oils with dynamic viscosity measured at a temperature of 25 ºC of less than 5,000 square millimeters per second;
振動防止用に使用することができる液体であって、純度が九九・八パーセントを超え、かつ、径が二〇〇マイクロメートル以上の粒状の不純物の数が一〇〇ミリリットル当たり二五個未満のもののうち、次のいずれかに該当する物質の重量が全重量の八五パーセント以上のもの
(c)liquids that can be used for vibration prevention with a purity exceeding 99.8% and in which the number of particle impurities that have a diameter larger than 200 micrometers is less than 25 per 100 milliliters, with a total content of substances that fall under any of the following that is 85% or more of the total weight:
(一) ジブロモテトラフルオロエタン
1. dibromo tetrafluoro ethane;
(二) ポリクロロトリフルオロエチレン
2. polychloro trifluoro ethylene;
(三) ポリブロモトリフルオロエチレン
3. polybromo trifluoro ethylene;
電子機器の冷媒用に設計した液体であって、フルオロカーボンからなるもののうち、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)liquids designed to be used as refrigerants for electronic devices and made of fluorocarbons, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当する物質の含有量の合計が全重量の八五パーセント以上のもの
1. liquids that include substances that fall under any of the following, whose total content is 85% or more of the total weight:
1 パーフルオロポリアルキルエーテルトリアジンのモノマー
i. monomers of perfluoro polyalkyl ether triazine;
2 パーフルオロアリファティックエーテルのモノマー
ii. monomers of perfluoro aliphatic ether;
3 パーフルオロアルキルアミン
iii. perfluoro alkylamine;
4 パーフルオロシクロアルカン
iv. perfluoro cycloalkane;
5 パーフルオロアルカン
v. perfluoro alkane;
(二) 次の1から3までのすべてに該当するもの
2. liquids that fall under all of the following i through iii:
1 二五度の温度における密度が、一ミリリットル当たり一・五グラム以上のもの
i. those with a density at a temperature of 25 ºC of 1.5 grams or more per milliliter;
2 零度の温度において液体のもの
ii. those that are liquids at the temperature of 0 ºC;
3 ふっ素の含有量が全重量の六〇パーセント以上のもの
iii. those that have a fluorine content of 60% or more of the total weight;
十二セラミック粉末、セラミック複合材料又はセラミックの材料となる前駆物質であって、次のいずれかに該当するもの
(xii)ceramic powder, ceramic composite materials, or precursor substance of materials for ceramics that fall under any of the following:
二ほう化チタンを用いて製造したセラミック粉末であって、金属不純物の含有量が全重量の〇・五パーセント未満のもののうち、粒子の径の平均値が五マイクロメートル以下であり、かつ、径が一〇マイクロメートルを超える粒子の重量の合計が全重量の一〇パーセント以下であるもの
(a)ceramic powder manufactured using titanium diboride with a content of metallic impurities less than 0.5% of the total weight, with an average diameter of particles of 5 micrometers or less and a total weight of the particles with diameters exceeding 10 micrometers are 10% or less of the total weight;
削除
(b)Deleted
セラミック複合材料であって、ガラス又は酸化物をマトリックスとするもののうち、次のいずれかに該当するもの
(c)ceramic composite materials that have glass or oxides as a matrix, which fall under any of the following:
(一) 次のいずれかからなる連続した繊維(一、〇〇〇度の温度における引張強さが七〇〇メガパスカル未満のもの、又は一、〇〇〇度の温度において一〇〇メガパスカルの応力が発生する荷重を一〇〇時間にわたって加えたときに、クリープ歪みが一パーセントを超えるものを除く。)により強化されたもの
1. those reinforced with continuous fiber composed of any of the following (excluding those with a tensile strength less than 700 megapascals at a temperature of 1,000 ºC or those with a creep distortion exceeding 1% when a load that generates a stress of 100 megapascals is added for 100 hours at a temperature of 1,000 ºC):
1 酸化アルミニウム
i. aluminum oxide; or
2 けい素、炭素及び窒素
ii. silicon, carbon, and nitrogen;
(二) 次の1及び2に該当する繊維により強化されたもの
2. those reinforced with fiber falling under the following i. and ii.:
1 次のいずれかの元素の組合せからなるもの
i. those composed of any of the following combinations of elements:
一 けい素及び窒素
a. silicon and nitrogen;
二 けい素及び炭素
b. silicon and carbon;
三 けい素、アルミニウム、酸素及び窒素
c. silicon, aluminum, oxygen, and nitrogen; or
四 けい素、酸素及び窒素
d. silicon, oxygen, and nitrogen;
2 比強度が一二、七〇〇メートルを超えるもの
ii. those with a specific strength exceeding 12,700 meters;
セラミック複合材料であって、けい素、ジルコニウム又はほう素の炭化物又は窒化物をマトリックスとするもの
(d)ceramic composite materials whose matrix is silicon, zirconium, or boron carbide or nitride;
ハ又はニのいずれかのものの製造に用いられるセラミックの材料となる前駆物質であって、次のいずれかに該当するもの
(e)precursor substance that will become materials for ceramics used to manufacture any of the substances referred to in (c) or (d), which fall under any of the following:
(一) ポリジオルガノシラン
1. polydiorgano silane;
(二) ポリシラザン
2. polysilazane; or
(三) ポリカルボシラザン
3. polycarbo silazane;
十三重合化することができる非ふっ素化化合物又は非ふっ素化重合体であって、次のいずれかに該当するもの
(xiii)non-fluorinated compounds or non-fluorinated polymers for which polymerization is possible, which fall under any of the following:
ビスマレイミド、ガラス転移点が二九〇度を超える芳香族ポリアミドイミド、ガラス転移点が二三二度を超える芳香族ポリイミド又はガラス転移点が二九〇度を超える芳香族ポリエーテルイミド
(a)bismaleimide, aromatic polyamideimide with a glass transition point exceeding 290 ºC, aromatic polyimide with a glass transition point exceeding 232 ºC, or aromatic polyetherimides with a glass transition point exceeding 290 ºC;
削除
(b)Deleted
削除
(c)Deleted
ポリアリーレンケトン
(d)polyallylene ketone;
ビフェニレン、トリフェニレン又はこれらの組合せからなるアリーレン基を有するポリアリーレンスルフィド
(e)polyallylene sulfide having allylene groups comprised of biphenylene, tri phenylene or a combination of these;
ガラス転移点が二九〇度を超えるポリビフェニレンエーテルスルホン
(f)polybiphenylene ether sulfone with a glass transition point exceeding 290 ºC;
十四ふっ素化合物であって、次のいずれかに該当するもの
(xiv)fluorine compounds that fall under any of the following:
削除
(a)Deleted
結合ふっ素の含有量が全重量の一〇パーセント以上のふっ化ポリイミド
(b)fluorinated polyimides with a content of bonded fluorine of 10% or more of the total weight;
結合ふっ素の含有量が全重量の三〇パーセント以上のふっ化ホスファゼンの弾性体
(c)elastic bodies of fluorinated phosphazenes with a content of bonded fluorine of 30% or more of the total weight;
十五繊維又はこれを使用したプリプレグ若しくはプリフォームであって、次のいずれかに該当するもの
(xv)fibers or prepregs or preforms that use the fibers, which fall under any of the following:
有機繊維(ポリエチレン繊維を除く。)であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)organic fibers (excluding polyethylene fibers) that fall under any of the following 1. and 2.:
(一) 比弾性率が一二、七〇〇、〇〇〇メートルを超えるもの
1. those with a specific elastic modulus exceeding 12,700,000 meters;
(二) 比強度が二三五、〇〇〇メートルを超えるもの
2. those with a specific strength exceeding 235,000 meters;
炭素繊維であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b)carbon fibers that fall under the following 1. and 2.:
(一) 比弾性率が一四、六五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
1. those with a specific elastic modulus exceeding 14,650,000 meters;
(二) 比強度が二六八、二〇〇メートルを超えるもの
2. those with a specific strength exceeding 268,200 meters;
無機繊維であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c)inorganic fibers that fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当するもの
1. those falling under either of the following:
1 二酸化けい素の含有量が全重量の五〇パーセント以上であって、比弾性率が二、五四〇、〇〇〇メートルを超えるもの
i. those with a silicon dioxide content that is 50% or more of the total weight and with a specific elastic modulus exceeding 2,540,000 meters; or
2 比弾性率が五、六〇〇、〇〇〇メートルを超えるもの(1に該当するものを除く。)
ii. those with a specific elastic modulus exceeding 600,000 meters (excluding those falling under i.).
(二) 不活性の環境における融点、軟化点、分解点又は昇華温度が一、六四九度を超えるもの。ただし、次のいずれかに該当するものを除く。
2. those with melting points, softening points, decomposition points, or sublimating temperature exceeding 1,649 ºC in an inert environment; provided, however, that those falling under any of the following are excluded:
1 比弾性率が一〇、〇〇〇、〇〇〇メートル未満のものであって、シリカの含有量が全重量の三パーセント以上の多相多結晶アルミナ繊維の短繊維であって、短く切断されたもの又はランダムマット形態のもの
i. those with a specific elastic modulus of less than 10,000,000 meters which are the short fibers of multiphase polycrystalline alumina fibers with a content of silica of 3% or more of the total weight, and which are cut up in short pieces or in random mat form;
2 モリブデン繊維又はモリブデン合金繊維
ii. molybdenum fibers or molybdenum alloy fibers;
3 ボロン繊維
iii. boron fibers;
4 不活性の環境における融点、軟化点、分解点又は昇華温度が一、七七〇度未満のセラミック繊維の短繊維
iv. short fibers of ceramic fibers with melting points, softening points, decomposition points, or sublimating temperature exceeding 1,770 ºC in an inert environment;
次のいずれかに該当するものからなる繊維又は当該繊維とイからハまでのいずれかに該当する繊維とを混繊した繊維
(d)fibers made of those that fall under any of the following, or fibers woven by mixing those fibers and fibers that fall under any of (a) through (c):
(一) 第十三号イに該当する芳香族ポリエーテルイミド
1. aromatic polyetherimides that fall under item (xiii), (a);
(二) 第十三号ニからヘまでのいずれかに該当するもの
2. fibers that fall under any of item (xiii), (d) through (f);
プリプレグ又はプリフォームであって、次の(一)及び(二)を使用したもの
(e)prepregs or preforms that use the following 1. and 2.:
(一) 次の1又は2に該当するもの
1. those which fall under the following i. or ii.:
1 ハに該当する無機繊維
i. inorganic fibers that fall under (c);
2 有機繊維又は炭素繊維であって、次の一及び二に該当するもの
ii. organic fibers or carbon fibers that fall under the following a. and b.:
一 比弾性率が一〇、一五〇、〇〇〇メートルを超えるもの
a. those with a specific elastic modulus exceeding 10,150,000 meters;
二 比強度が一七七、〇〇〇メートルを超えるもの
b. those with a specific strength exceeding 177,000 meters;
(二) 次のいずれかに該当する樹脂
2. resins that fall under any of the following:
1 第十三号又は第十四号ロに該当するもの
i. those that fall under item (xiii) or item (xiv), (b);
2 フェノール樹脂であって、動的機械分析によって測定したガラス転移点が一八〇度以上のもの
ii. phenol resin with a glass transition point of 180 ºC or more when measured by dynamic mechanical analysis;
3 動的機械分析によって測定したガラス転移点が二三二度以上のもの(フェノール樹脂及び1に該当するものを除く。)
iii. those with a glass transition point of 232 ºC or more when measured by dynamic mechanical analysis (excluding phenol resin and those falling under i.);
十六粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸グアニジン又はニトログアニジン
(xvi)boron with a particle diameter of 60 micrometers or less and with a weight-based purity level of 85% or more boron, or a mixture of these, boron alloy with a particle diameter of 60 micrometers or less and with a weight-based purity level of 85% or more boron, or guanidine nitrate or nitro guanidine.
第五条輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 5The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 6 of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
軸受又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(i)bearings or their components that fall under any of the following:
玉軸受又はころ軸受(円すいころ軸受を除く。)であって、内輪、外輪及び転動体の全てがモネル製又はベリリウム製のもののうち、日本産業規格B一五一四―一号で定める精度の等級が二級又は四級以上のもの
(a)ball bearings or roller bearings (excluding tapered roller bearings) whose inner rings, outer rings, and rolling elements are all made of monel or beryllium and whose precision grade specified by Japanese Industrial Standard (JIS) B1514-1 is Class 2 or Class 4 or higher;
削除
(b)Deleted
能動型の磁気軸受システムであって、次のいずれかに該当するもの又はそのために特に設計した部分品
(c)active magnetic bearing systems that fall under any of the following or components that were specially designed for that purpose:
(一) 磁束密度が二テスラ以上で、かつ、降伏点が四一四メガパスカルを超える材料からなるもの
1. those composed of materials with a magnetic flux density of 2 teslas or more and a yield point exceeding 414 megapascals;
(二) 全電磁式で、かつ、三次元ホモポーラバイアス励磁方式のアクチュエータを用いるもの
2. those that are entirely electromagnetic and use a three-dimensional homopolar bias excitation actuator;
(三) 温度が一七七度以上で用いることができる位置検出器を有するもの
3. those that have a position detector that can be used at temperatures of 177 ºC and higher;
工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、電子制御装置を取り付けることができるもののうち、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(ヘに該当するもの及び光学仕上げ工作機械を除く。)
(ii)machine tools (limited to those that can process metals, ceramics, or composite materials) to which an electronic controller can be attached, which fall under any of the following (a) through (e) (excluding those that fall under (f) and optical finishing machine tools):
旋削をすることができる工作機械であって、輪郭制御をすることができる軸数が二以上のもののうち、次のいずれかに該当するもの((三)に該当するものを除く。)
(a)machine tools that are capable of lathe turning and that have two or more axes capable of contouring control, which fall under any of the following (excluding those falling under 3.):
(一) 移動量が一メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇〇九ミリメートル以下のもの
1. machine tools that have straight axes whose movement is less than 1 meter, at least one of which has 0.0009 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(二) 移動量が一メートル以上の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル以下のもの
2. machine tools that have straight axes whose movement is 1 meter or more, at least one of which has 0.0011 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(三) 棒材作業用の旋盤のうち、スピンドル貫通穴から材料を差し込み加工するものであって、次の1及び2に該当するもの
3. lathes used to work on bars in which materials are inserted into a spindle hole for processing, which fall under the following i and ii:
1 加工できる材料の最大直径が四二ミリメートル以下のもの
i. those capable of processing materials with a maximum diameter of 42 millimeters;
2 チャックを取り付けることができないもの
ii. those to which a chuck cannot be attached;
フライス削りをすることができる工作機械であって、次のいずれかに該当するもの
(b)machine tools capable of milling, which fall under any of the following:
(一) 輪郭制御をすることができる直線軸の数が三で、かつ、輪郭制御をすることができる回転軸の数が一のものであって、次のいずれかに該当するもの
1. machine tools that have three straight axes capable of contouring control and one rotating axis capable of contouring control, which fall under any of the following:
1 移動量が一メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇〇九ミリメートル以下のもの
i. machine tools that have straight axes whose movement is less than 1 meter, at least one of which has 0.0009 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning; or
2 移動量が一メートル以上の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル以下のもの
ii. machine tools that have straight axes whose movement is 1 meter or more, at least one of which has 0.0011 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(二) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2 machine tools that have five or more axes capable of controlling contour, which fall under any of the following:
1 移動量が一メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇〇九ミリメートル以下のもの
i. machine tools that have straight axes whose movement is less than 1 meter, at least one of which has 0.0009 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
2 移動量が一メートル以上四メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一四ミリメートル以下のもの
ii. machine tools that have straight axes whose movement is 1 meter or more but less than 4 meters, at least one of which has 0.0014 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning; or
3 移動量が四メートル以上の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇六ミリメートル以下のもの
iii. machine tools that have straight axes whose movement is 4 meters or more, at least one of which has 0.006 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(三) ジグ中ぐり盤であって、いずれか一軸以上の直線軸の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル以下のもの
3. jig boring machines with at least one straight axis that has 0.0011 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(四) フライカッティングを行うように専用設計された工作機械であって、次の1及び2に該当するもの
4. machine tools exclusively designed for fly cutting, which fall under any of the following i. and ii.:
1 スピンドルを一回転させた場合におけるスピンドルの半径方向及び軸方向の振れがそれぞれ〇・〇〇〇四ミリメートル未満のもの
i. those for which both the radial direction deflection and axial direction deflection are less than 0.0004 millimeters per single rotation of the spindle;
2 三〇〇ミリメートルを超える移動距離における真直度が二秒未満のもの
ii. those with straightness of less than 2 seconds over a moving distance exceeding 300 millimeters;
研削をすることができる工作機械であって、次のいずれかに該当するもの(次の(三)から(五)までのいずれかに該当するものを除く。)
(c)machine tools capable of grinding, which fall under any of the following (excluding those which fall under any of the following 3. through 5.):
(一) いずれか一軸以上の直線軸の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル以下のものであって、輪郭制御をすることができる軸数が三又は四のもの
1. those that have one or more straight axes with 0.0011 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning, which have three or four axes capable of contouring control;
(二) 輪郭制御をすることができる軸数が五以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those that have five or more axes capable of controlling contour, which fall under any of the following:
1 移動量が一メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル以下のもの
i. machine tools that have straight axes whose movement is less than 1 meter, at least one of which has 0.0011 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
2 移動量が一メートル以上四メートル未満の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一四ミリメートル以下のもの
ii. machine tools that have straight axes whose movement is 1 meter or more but less than 4 meters, any one of which has 0.0014 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning; or
3 移動量が四メートル以上の直線軸のうち、いずれか一軸以上の一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇六ミリメートル以下のもの
iii. machine tools that have straight axes whose movement is 4 meters or more, any one of which has 0.006 millimeters or less of repeatability in its unidirectional positioning;
(三) 円筒外面研削盤、円筒内面研削盤又は円筒内外面研削盤であって、円筒で外径又は長さが一五〇ミリメートル以内のものを研削するように設計したもの
3. external cylindrical grinders, internal cylindrical grinders, or internal-external cylindrical grinders designed to grind a cylinder with an external diameter or length of less than 150 millimeters;
(四) ジグ研削盤として使用するように設計した工作機械であって、一方向位置決めの繰返し性が〇・〇〇一一ミリメートル未満のZ軸又はW軸を有しないもの
4. machine tools that are designed to be used as jig grinding machines and that do not have a Z axis or W axis with less than 0.0011 millimeters of repeatability in its unidirectional positioning;
(五) 平面研削盤
5. flat surface grinders;
放電加工(ワイヤ放電加工を除く。)をすることができる工作機械であって、輪郭制御をすることができる回転軸の数が二以上のもの
(d)machine tools capable of electrical discharge machining (excluding wire electrical discharge machining) with two or more rotational axes capable of controlling contour;
液体ジェット加工をすることができる工作機械、電子ビーム加工機又はレーザー加工機であって、次の(一)及び(二)に該当する回転軸の数が少なくとも二以上のもの
(e)machine tools, electron beam machines, or laser beam machines capable of liquid jet processing, with two or more rotational axes that fall under the following 1. and 2.:
(一) 輪郭制御をすることができるもの
1. those capable of controlling contour;
(二) 回転軸の位置決め精度が〇・〇〇三度未満のもの
2. those whose rotating axis has a positioning precision of less than 0.003 degrees;
工作機械であって、次のいずれかを製造するためのみに使用するように設計したもの
(f)machine tools that are designed exclusively for manufacturing any of the following:
(一) 歯車
1. gears;
(二) クランク軸又はカム軸
2. crankshafts or camshafts;
(三) 工具又は刃物
3. tools or blades;
(四) 押出機のウォーム
4. extruder worms;
(五) 宝石
5. gemstones;
(六) 義歯
6. dentures;
工作機械(金属、セラミック又は複合材料を加工することができるものに限る。)であって、電子制御装置を取り付けることができるもののうち、深穴ボール盤若しくは旋削をすることができるもの(深穴あけをすることができるものに限る。)で、深さが五、〇〇〇ミリメートルを超える穴をあけることができるもの
(iii)machine tools (limited to those that can process metals, ceramics, or composite materials) to which an electronic controller can be attached, which are capable of deep bore drilling or lathe turning (limited to those that are capable of deep hole drilling), and can bore a hole to a depth exceeding 5,000 millimeters;
数値制御を行うことができる光学仕上げ工作機械であって、選択的に材料を除去することにより非球形な光学的表面に加工することができるもののうち、次のイからニまでの全てに該当するもの
(iv)optical finishing machine tools capable of numerical control and capable of processing nonspherical optical surfaces by selectively removing materials, which fall under all of the following (a) through (d):
仕上がり形状寸法公差が一・〇マイクロメートル未満のもの
(a)those with a finishing shape and dimensional tolerances of less than 1.0 micrometers;
仕上げの表面粗さの二乗平均平方根が一〇〇ナノメートル未満のもの
(b)those that produce a finished surface roughness whose root mean square is less than 100 nanometers;
輪郭制御をすることができる軸数が四以上のもの
(c)those with four or more axes capable of controlling contour;
次のいずれかの方法を用いるもの
(d)those that use any of the following methods:
(一) 磁性流体研磨法
1. magnetorheological finishing;
(二) 電気粘性流体研磨法
2. electrorheological finishing;
(三) エネルギー粒子ビーム研磨法
3. energetic particle beam finishing;
(四) 膨張膜研磨法
4. inflatable membrane tool finishing;
(五) 流体ジェット研磨法
5. fluid jet finishing;
日本産業規格Z二二四五号(ロックウェル硬さ試験方法)で定める測定方法によりCスケールで測定したロックウェル硬さが四〇以上である平歯車、はすば歯車又はやまば歯車を仕上げ加工するよう設計した数値制御を行うことができる工作機械であって、次のイからハまでの全てに該当するものを加工することができるもの
(v)machine tools capable of numerical control that are designed for performing finishing processing of spur gears, helical gears, or double-helical gears with a Rockwell hardness of 40 or greater as measured by the C scale according to the measurement methods specified in Japanese Industrial Standard (JIS) Z2245 (Rockwell hardness test method), which are capable of processing those falling under all of the following (a) through (c):
ピッチ円直径が一、二五〇ミリメートルを超えるもの
(a)those with a pitch diameter exceeding 1,250 millimeters;
歯幅がピッチ円直径の一五パーセント以上のもの
(b)those with a face width that is 15% or more of the pitch diameter;
国際規格ISO一三二八(円筒歯車―ISO方式による精度)で定める精度が三級以上のもの
(c)those with a precision grade specified by International Standard ISO 1328 (Cylindrical Gears - ISO System of Accuracy) of Class 3 or higher;
アイソスタチックプレスであって、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品若しくは附属品
(vi)isostatic presses that fall under any of the following (a) and (b), or their components or accessories:
内径が四〇六ミリメートル以上の中空室を有するものであって、中空室内の温度制御ができるもの
(a)isostatic presses that have hollow cavities with an internal diameter of 406 millimeters or more and capable of controlling temperature inside the hollow cavities;
次のいずれかに該当するもの
(b)isostatic presses that fall under any of the following:
(一) 最大圧力が二〇七メガパスカルを超えるもの
1. those with a maximum pressure exceeding 207 megapascals;
(二) 中空室内の温度を一、五〇〇度を超える温度に制御することができるもの
2. those capable of controlling temperatures exceeding 1,500 ºC in hollow cavities;
(三) 炭化水素の注入のための装置及びガス状分解生成物を除去するための装置を有するもの
3. those that have devices to inject hydrocarbons and devices to remove gaseous decomposition products;
別表第三の第二欄に掲げるコーティング方法を用いる非電子的基板用コーティング装置であって、同表の第三欄に掲げる基材に対して同表の第四欄に掲げるコーティングを行うもののうち、次のいずれかに該当するもの又はその自動操作のために特に設計した部分品
(vii)coating devices for non-electronic substrates which utilize the coating method set forth in column 2 of Appended Table 3, which perform the coating set forth in column 4 of that table on base materials set forth in column 3 of that table, and which fall under any of the following, or components specially designed for their automatic operation:
原料ガスの化学反応により生成するコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(a)coating devices that employ the method of fixing coating materials that are produced by the chemical reaction of source gases to the surface of base materials, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかの方法を用いるもの
1. those that use any of the following methods:
1 パルス的方法
i. pulse method;
2 核生成制御熱化学的析出法
ii. controlled nucleation thermochemical deposition method;
3 プラズマ放電下においてコーティング材料を基材の表面に定着させる方法
iii. methods that fix coating materials to the surface of base materials under plasma discharge;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. those that fall under any of the following:
1 一〇ミリパスカル以下で使用することができる回転軸シールを組み込んだもの
i. those incorporating rotational axis seals that can be used at 10 millipascals or less;
2 膜厚制御機能を内部に有しているもの
ii. those that have internal film thickness control functions;
イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの
(b)those that employ ion implantation method, with a beam current of 5 milliamperes or more;
電子ビームにより蒸発させたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、容量が八〇キロワットを超える電源装置を組み込んだもののうち、次のいずれかに該当する装置を有するもの
(c)coating devices that employ methods of fixing coating materials that have been vaporized by electron beams to the surface of base materials and incorporate power supply devices with a capacity exceeding 80 kilowatts, which have the equipment falling under any of the following:
(一) インゴットの送りを制御するために、溶融液の液面制御をレーザー光を用いて行う装置
1. devices that implement the level control of molten liquid by using laser light, to control ingot feeding;
(二) コンピュータを用いて制御することができる溶着速度の監視装置であって、二以上の元素をコーティングする際の溶着速度を制御するために蒸気流中におけるイオン化原子のホトルミネセンスの原理を利用するもの
2. deposition rate monitoring devices capable of achieving control by using computers, which utilize the principle of photo-luminescence of ionized atoms in the evaporant stream to control the deposition rate in coating two or more elements;
プラズマ溶射をするものであって、次のいずれかに該当するもの
(d)plasma spray coating devices that fall under any of the following:
(一) 溶射前に真空室を一〇ミリパスカルまで減圧することができるものであって、一〇キロパスカル以下の圧力(ノズル出口から三〇センチメートル以内において測定したものをいう。)で使用することができるもの
1. those that can reduce pressure in vacuum chambers to 10 millipascals prior to plasma spraying, which can be used at a pressure of 10 kilopascals or less (meaning plasma spraying measured within 30 centimeters from the mouth of the nozzle);
(二) 膜厚制御機能を内部に有しているもの
2. those with internal film thickness control function;
スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの
(e)coating devices that use the sputtering method, which have a current density of 10 milliamperes or more per square centimeter for deposition rate of 15 micrometers or more per hour;
アーク放電によりイオン化されたコーティング材料を基材の表面に定着させる方法を用いるものであって、陰極上のアークスポットを制御するための磁界を有するもの
(f)coating devices that use methods to fix coating materials ionized by arc discharge to the surface of base materials, which have a magnetic field to control arc spots on the cathodes;
イオンプレーティング生産装置であって、コーティング中に次のいずれかを測定することができるもの
(g)ion plating production equipment that can measure any of the following during coating process:
(一) 基材の表面に定着したコーティング材料の厚さ及び成膜速度
1. thickness and deposition rate of coating materials fixed to the surface of base materials;
(二) 基材の表面の光学的特性
2. optical characteristics of the surface of base materials;
測定装置(工作機械であって、測定装置として使用することができるものを含む。以下この条において同じ。)、位置のフィードバック装置又は測定装置の組立品であって、次のいずれかに該当するもの(第二号又は第三号に該当するものを除く。)
(viii)measuring devices (including machine tools that can be used as measuring devices; hereinafter the same applies in this Article) or feedback devices for positions, or assemblies of measuring devices, which fall under any of the following (excluding those falling under item (ii) or item (iii)):
電子計算機又は数値制御装置によって制御される座標測定機であって、国際規格で定める測定方法により空間の測定精度を測定した場合に、操作範囲内のいずれかの測定点において、測定軸のマイクロメートルで表した最大許容長さ測定誤差がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇一を乗じて得た数値に一・七を加えた数値以下となるもの
(a)coordinate measuring machines that are controlled by computer or numerical control device and which, when the spatial measurement accuracy is measured according to the measurement method specified by the International Standard, at any of the point of measurement within the operation scope, have a maximum permissible error of length measurement of the axis expressed in micrometers that is equal to or less than the numerical value obtained by multiplying the length of the measured axis expressed in millimeters by 0.001 and then adding 1.7;
直線上の変位を測定する装置、直線上の位置のフィードバック装置又は測定装置の組立品であって、次のいずれかに該当するもの((一)及び(二)にあっては、レーザー干渉計及びレーザーを用いた光学エンコーダを除く。)
(b)devices for measuring linear displacement, feedback devices for positions on a straight line, or assemblies of measuring devices, which fall under any of the following (excluding laser interferometers and optical encoders that use a laser in the cases of 1. and 2.):
(一) 非接触型の測定装置であって、〇・二ミリメートルまでの測定レンジにおいて、分解能が〇・二マイクロメートル以下のもの
1. non-contact type measurement devices with a resolution of 0.2 micrometers or less in a measurement range of up to 0.2 millimeters;
(二) 工作機械用に特に設計した直線上の位置のフィードバック装置であって、当該装置の精度がミリメートルで表した当該装置の有効測定長さの十万分の六パーセントに〇・〇〇〇八ミリメートルを加えて得た数値未満のもの
2. feedback devices for positions on a straight line which are specifically designed for machine tools and whose precision is less than a numerical value obtained by adding 0.0008 millimeters to 6/100,000 percent of the effective measurement length of those devices expressed in millimeters;
(三) 次の全てに該当するもの
3. devices falling under all of the following:
1 レーザー光を用いて測定することができるもの
i. those capable of measurement using a laser beam;
2 測定できる最大の測定レンジにおいて、分解能が〇・二ナノメートル以下のもの
ii. those with a resolution of 0.2 nanometers or less in the maximum measurable range;
3 測定範囲内のいずれか一の点において、空気屈折率で補正した場合に、測定軸のナノメートルで表した測定の不確かさの数値がミリメートルで表した当該測定軸の長さに〇・〇〇〇五を乗じて得た数値に一・六を加えた数値以下のものであって、一九・九九度以上二〇・〇一度以下の温度範囲において三〇秒を超えて測定できるもの
iii. those for which the numerical value, expressed in nanometers, representing the inaccuracy of the measurement axis' measurement at any one point in the measurement range, when corrected by the refractive index of air, is not more than the numerical value arrived at when the length of that measurement axis, in millimeters, is multiplied by 0.0005 and 1.6 is added to the product; and which are capable of taking measurements for over 30 seconds at a temperature range of between 19.99 ºC and 20.01 ºC;
(四) (三)に該当する測定装置の組立品であって、当該装置にフィードバック機能を付加するように設計したもの
4. assemblies of measuring devices falling under 3., which are designed to add a feedback function to the device;
工作機械用に特に設計した回転位置フィードバック装置又は角度の変位を測定する装置であって、角度の精度が〇・九角度秒以下のもの(平行光線を用いて鏡の角度の変位を測定する光学的器械を除く。)
(c)rotational displacement feedback devices or devices for measuring angle displacement which are specially designed for machine tools whose angle precision is 0.9 arc seconds or less (excluding optical instruments for measuring the displacement of the angle of a mirror using parallel rays);
光の散乱を角度の関数として処理することにより表面粗さを測定するものであって、〇・五ナノメートル以下の感度を有するもの
(d)measuring devices that measure surface roughness by treating the scattering of light as function of angles, which have a sensitivity of 0.5 nanometers or less;
ロボット(操縦ロボット及びシーケンスロボットを除く。)であって、次のいずれかに該当するもの又はその制御装置若しくはエンドエフェクター
(ix)robots (excluding operating robots and sequence robots) that fall under any of the following, or control equipment or end effectors for these:
日本産業規格C六〇〇七九―〇号で定める防爆構造のもの(塗装用のものを除く。)
(a)those with explosion-proof construction specified in Japanese Industrial Standard (JIS) C60079-0 (excluding those used for painting);
全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えることができるように設計したもの
(b)those designed to withstand radiation exposure exceeding 5,000 grays on a silicon conversion basis for the total absorbed dose;
三〇、〇〇〇メートルを超える高度で使用するように設計したもの
(c)those designed for use at altitudes exceeding 30,000 meters;
複合回転テーブル又は加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、工作機械用に設計したもののうち、次のいずれかに該当するもの
(x)compound rotary tables or spindles that can change angles of centerline to other axes during processing, which are designed for machine tools, and which fall under any of the following:
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(a)Deleted
削除
(b)Deleted
複合回転テーブルであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(c)compound rotary tables that fall under the following 1. and 2.:
(一) 旋削、フライス削り又は研削をすることができる工作機械用に設計したもの
1. those designed for machine tools capable of lathe turning, milling, or grinding; and
(二) 輪郭制御のために同時に制御することができるように設計した二つの回転軸を有するもの
2. those which have two rotating axes designed to be capable of simultaneous control for contouring control;
加工中に中心線の他の軸に対する角度を変更することができるスピンドルであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)spindles that can change angles of centerline to other axes during processing, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 旋削、フライス削り又は研削をすることができる工作機械用に設計したもの
1. those designed for machine tools capable of lathe turning, milling, or grinding;
(二) 輪郭制御のために同時に制御することができるように設計したもの
2.those designed to be capable of simultaneous control for contouring control;
十一絞りスピニング加工機であって、次のイ、ロ及びハの全てに該当するもの
(xi)spin-forming machines that fall under all of the following (a), (b), and (c):
数値制御装置又は電子計算機によって制御することができるもの
(a)those that can be controlled by numerical control device or computers;
輪郭制御をすることができる軸数が三以上のもの
(b)those with three or more axes capable of controlling contour;
ローラの加圧力が六〇キロニュートンを超えるもの
(c)those with a roller welding force exceeding 60 kilonewtons.
第六条輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 6The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry in row 7 of Appended Table 1 of the Export Order are goods that fall under any of the following:
集積回路(モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路(シリコンオンサファイア集積回路を含む。)、光集積回路、三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。)であって、次のいずれかに該当するもの
(i)integrated circuits (including monolithic integrated circuits, hybrid integrated circuits, multichip integrated circuits, film integrated circuits (including silicon-on-sapphire integrated circuits), optical integrated circuits, three-dimensional integrated circuits, and monolithic microwave integrated circuits) that fall under any of the following:
次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの
(a)integrated circuits designed to withstand any of the following radiation exposure:
(一) 全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイ以上のもの
1. radiation exposure of 5,000 grays or more on a silicon conversion basis for the total absorbed dose;
(二) 吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイ以上のもの
2. radiation exposure of 5,000,000 grays or more on a silicon conversion basis per second for the absorbed dose;
(三) 一メガ電子ボルト相当の中性子束(積算値)が一平方センチメートル当たり五〇兆個以上となるもの(MIS形のものは除く。)
3. a neutron flux corresponding to 1 megaelectron volt (integrated value) of 50 trillion or more per square centimeter (excluding MIS type);
マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路(ハからチまで若しくはルからワまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。)、FFTプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかに該当するもの(民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。)
(b)microprocessors, microcomputers, microcontrollers, integrated circuits for storage elements using compound semiconductors, integrated circuits for analog-to-digital conversion, integrated circuits having an analog-to-digital conversion function that are capable of recording or processing digitized data, integrated circuits for digital-to-analog conversion, electrooptical integrated circuits or optical integrated circuits for signal processing, field programmable logic devices, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h) or (k) through (m), or those for which it is possible to determine whether they are designed to be used for goods falling under any of the middle column of rows (5) through (15) of Appended Table 1 of the Export Order; hereinafter the same applies in this Article), FFT processors, static RAM or nonvolatile memories, which fall under any of the following (excluding integrated circuits designed for civilian automobiles or civilian railway vehicles):
(一) 一二五度を超える温度で使用することができるように設計したもの
1. those designed for use at temperatures exceeding 125 ºC;
(二) 零下五五度未満の温度で使用することができるように設計したもの
2. those designed for use at temperatures of lower than −55 ºC;
(三) 零下五五度以上一二五度以下のすべての温度範囲で使用することができるように設計したもの
3. those designed for use at all temperatures ranging from −55 ºC or more to 125 ºC or less;
マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が四〇メガヘルツを超えるもの
(c)microprocessors, microcomputers or microcontrollers employing compound semiconductors with a maximum clock frequency that exceeds 40 megahertz;
削除
(d)Deleted
アナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの(ワに該当するものを除く。)
(e)integrated circuits for analog-to-digital conversion or digital-to-analog conversion, which fall under any of the following (excluding those falling under (m)):
(一) アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
1. those for analog-to-digital conversion that fall under any of the following:
1 分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプリング毎秒を超えるもの
i. those with a resolution of 8 bits or more but less than 10 bits and a sample rate that exceeds 1.3 gigasamples per second
2 分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが六〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
ii. those with a resolution of 10 bits or more but less than 12 bits and a sample rate that exceeds 600 megasamples per second;
3 分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
iii. those with a resolution of 12 bits or more but less than 14 bits and a sample rate that exceeds 400 megasamples per second;
4 分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが二五〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
iv. those with a resolution of 14 bits or more but less than 16 bits and a sample rate that exceeds 250 megasamples per second;
5 分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが六五メガサンプリング毎秒を超えるもの
v. those with a resolution of 16 bits or more but a sample rate that exceeds 65 megasamples per second;
(二) デジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those for digital-to-analogue conversion which fall under any of the following:
1 分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、調整された更新速度が三、五〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
i. those with a resolution of 10 bits or more but less than 12 bits and a coordinated update rate that exceeds 3,500 megasamples per second;
2 分解能が一二ビット以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. those with a resolution of 12 bits or more which fall under any of the following:
一 調整された更新速度が一、二五〇メガサンプリング毎秒を超え三、五〇〇メガサンプリング毎秒以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
a. those with a coordinated update rate that exceeds 1,250 megasamples per second and 3,500 megasamples or less per second, which fall under any of the following:
一二ビットの分解能で動作する場合のアナログ出力値が、フルスケールのレベルからフルスケールの〇・〇二四パーセント以内のレベルに変化するまでのセトリング時間が九ナノ秒未満のもの
1 those whose settling time in which the analog output level changes to a level within 0.024 % of full scale from the full-scale level is less than nine nanoseconds when they operate at a resolution of 12 bits;
一〇〇メガヘルツのデジタル入力信号でフルスケールを出力する場合又は一〇〇メガヘルツ未満のデジタル入力信号で最も高いフルスケールを出力する場合のスプリアス・フリー・ダイナミック・レンジが六八デシベルを超えるもの
2 those with a spurious free dynamic range exceeding 68 decibels when a full-scale output is made by digital input signals of 100 megahertz or when the maximum full-scale output is made by digital input signals of less than 100 megahertz;
二 調整された更新速度が三、五〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
b. those with a coordinated update rate that exceeds 3,500 megasamples per second;
信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路であって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(f)electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) レーザー発振器を有するもの
1. integrated circuits possessing laser oscillators;
(二) 受光素子を有するもの
2. integrated circuits possessing light receiving elements;
(三) 光導波路を有するもの
3. integrated circuits possessing optical waveguides;
フィールドプログラマブルロジックデバイス(コンプレックスプログラマブルロジックデバイス、フィールドプログラマブルゲートアレイ、フィールドプログラマブルロジックアレイ又はフィールドプログラマブル相互接続用集積回路を含む。)であって、次のいずれかに該当するもの(ワに該当するものを除く。)
(g)field programmable logic devices (including complex programmable logic devices, field programmable gate arrays, field programmable logic arrays, or integrated circuits for field programmable interconnections), which fall under any of the following (excluding those falling under (m)):
(一) シングルエンド方式の最大デジタル入出力数が七〇〇を超えるもの
1. those with a maximum number of single-ended digital input and output that exceeds 700;
(二) シリアルトランシーバーの最大データ速度の総計が一秒当たり五〇〇ギガビット以上のもの
2. those with serial transceivers that have a total maximum data speed of 500 gigabits or more per second;
ニューラルネットワークを用いたもの
(h)devices using neural networks;
カスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
(i)custom integrated circuits that fall under any of the following:
(一) 端子数が一、五〇〇を超えるもの
1. those with a number of terminals exceeding 1,500;
(二) 基本ゲート伝搬遅延時間が〇・〇二ナノ秒未満のもの
2. those with a basic gate propagation delay time of less than 0.02 nanoseconds;
(三) 動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
3. those with an operating frequency that exceeds 3 gigahertz;
化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの(ハ、ホからリまで及びルのいずれかに該当するものを除く。)
(j)digital devices using compound semiconductors, which fall under any of the following (excluding those which fall under any of (c), (e) through (i), and (k)):
(一) 等価ゲート数が二入力ゲート換算で三、〇〇〇を超えるもの
1. those with a number of equivalent gates that exceeds 3,000 on a dual-entry gate conversion basis;
(二) トグル周波数が一・二ギガヘルツを超えるもの
2. those with a toggle frequency that exceeds 1.2 gigahertz;
FFTプロセッサであって、高速フーリエ変換のミリ秒で表した定格実行時間が次に掲げる式により算出した値未満のもの(複素点の数)log2(複素点の数)/20,480
(k)FFT processors with the execution time of fast Fourier transformation expressed in milliseconds which is less than the value calculated by the following formula: (number of complex points) log2 (number of complex points) divided by 20,480;
ダイレクト・デジタル・シンセサイザ(DDS)集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
(l)direct digital synthesizer (DDS) integrated circuits that fall under any of the following:
(一) デジタルアナログ変換クロック周波数が三・五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のもの
1. those with a digital-to-analog conversion clock frequency of 3.5 gigahertz or more and with a digital-to-analog conversion resolution of 10 bits or more and less than 12 bits;
(二) デジタルアナログ変換クロック周波数が一・二五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一二ビット以上のもの
2. those with a digital-to-analog conversion clock frequency of 1.25 gigahertz or more and with a digital-to-analog conversion resolution of or more than 12 bits;
次の(一)及び(二)に該当するもの又はこれを実行するようにプログラムが可能なもの
(m)devices that fall under the following 1. and 2. or that can be programmed to run them:
(一) アナログデジタル変換機能を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
1. devices that have an analog-to-digital conversion function and fall under any of the following:
1 分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプリング毎秒を超えるもの
i. those with a resolution of 8 bits or more but less than 10 bits and a sample rate that exceeds 1.3 gigasamples per second;
2 分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプリング毎秒を超えるもの
ii. those with a resolution of 10 bits or more but less than 12 bits and a sample rate that exceeds 1 gigasamples per second;
3 分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプリング毎秒を超えるもの
iii. those with a resolution of 12 bits or more but less than 14 bits and a sample rate exceeding 1 gigasamples per second;
4 分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
iv. those with a resolution of 14 bits or more but less than 16 bits and a sample rate that exceeds 400 megasamples per second;
5 分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが一八〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
v. those with a resolution of 16 bits or more and a sample rate that exceeds 180 megasamples per second;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. devices that fall under any of the following:
1 デジタル化されたデータを記録するもの
i. those for recording digitized data;
2 デジタル化されたデータを処理するもの
ii. those for processing digitized data;
マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii)components of microwave equipment or of millimeter wave equipment, which fall under any of the following:
真空電子デバイス(クライストロン、進行波管及びこれらから派生したものを含む。以下ロにおいて同じ。)であって、次のいずれかに該当するもの((四)に該当するものを除く。)
(a)vacuum electronic devices (including klystrons and traveling wave tubes and derivatives of these; hereinafter the same applies in (b)), which fall under any of the following (excluding those falling under 4):
(一) 進行波真空電子デバイスであって、次のいずれかに該当するもの
1. traveling wave vacuum electronic devices that fall under any of the following:
1 動作周波数が三一・八ギガヘルツを超えるもの
i. those with an operating frequency that exceeds 31.8 gigahertz;
2 フィラメントを加熱してから定格出力に達するまでの時間が三秒未満の熱陰極を有するもの
ii. those that have a hot cathode for which the time from the heating of the filament to attainment of the rated output is less than 3 seconds;
3 空胴結合形のものであって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が七パーセントを超えるもの又は最大出力が二・五キロワットを超えるもの
iii. cavity coupled traveling wave that has the value for the instantaneous bandwidth divided by the center frequency that exceeds 7% or with a maximum output exceeding 2.5 kilowatts;
4 ヘリックス形のもの、折返し導波管形のもの又は蛇行導波管回路形のものであって、次のいずれかに該当するもの
iv. helical form-shaped devices, folded waveguide-shaped devices, or serpentine waveguide circuit-shaped devices, which fall under any of the following:
一 一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が〇・五を超えるもの
a. devices having an instantaneous bandwidth exceeding 1 octave, and for which the value obtained by multiplying the average output value expressed in kilowatts by the operating frequency value expressed in gigahertz exceeds 0.5;
二 一オクターブ以下の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が一を超えるもの
b. devices having an instantaneous bandwidth of 1 octave or less, and for which the value obtained by multiplying the average output value expressed in kilowatts by the operating frequency value expressed in gigahertz exceeds 1;
三 宇宙用に設計したもの
c. devices designed for use in space;
四 グリッド式電子銃を有するもの
d. devices that have a grid electron gun;
5 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセント以上のものであって、次のいずれかを有するもの
v. devices for which the value arrived at when instantaneous bandwidth is divided by center frequency is 10% or more, and which have any of the following:
一 環状電子ビーム
a. an annular electron beam;
二 非軸対称電子ビーム
b. a non-axisymmetric electron beam; or
三 複数電子ビーム
c. multiple electron beams;
(二) クロスフィールド増幅真空電子デバイスであって、その利得が一七デシベルを超えるもの
2. crossfield amplifier vacuum electronic devices with a gain that exceeds 17 decibels;
(三) デュアルモードで操作可能なもの
3. devices which can be operated in a dual mode;
(四) 国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域(無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。)で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
4. devices designed to be used in frequency bands allotted for wireless transmission by the International Telecommunication Union (excluding frequency bands allotted for wireless positioning), which fall under any of the following:
1 動作周波数が三一・八ギガヘルツ以下であるもの
i. those with an operating frequency of 31.8 gigahertz or less;
2 専ら宇宙において使用するために設計したもの以外のものであって、平均出力値が五〇ワット以下及び動作周波数が三一・八ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下のもの
ii. those other than devices designed exclusively for use in space that have an average output of 50 watts or less and an operating frequency that exceeds 31.8 gigahertz but is 43.5 gigahertz or less;
真空電子デバイスに使用するように設計した熱電子陰極であって、定格動作状態での放射電流密度が五アンペア毎平方センチメートルを超えるもの又は定格動作状態でのパルス放射電流密度が一〇アンペア毎平方センチメートルを超えるもの
(b)thermionic cathodes designed to be used for vacuum electronic devices whose radiation current density exceeds 5 amperes per square centimeter in a rated operating condition or whose pulse radiation current density exceeds 10 amperes per square centimeter in a rated operating condition;
モノリシックマイクロ波集積回路増幅器であって、次のいずれかに該当するもの(カに該当する集積化された移相器を有するモノリシックマイクロ波集積回路増幅器を除く。)
(c)monolithic microwave integrated circuit amplifiers which fall under any of the following (excluding monolithic microwave integrated circuit amplifiers that have an integrated phase shifter falling under (n)):
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. devices that have an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less, for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 15%, which fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七五ワット(四八・七五ディービーエム)超三〇〇ワット(五四・八ディービーエム)以下のもの
i. those with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 2.9 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 75 watts (48.75 dBm) but is 300 watts (54.8 dBm) or less;
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五五ワット(四七・四ディービーエム)超三〇〇ワット(五四・八ディービーエム)以下のもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 2.9 gigahertz but is 3.2 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 55 watts (47.4 dBm) but is 300 watts (54.8 dBm) or less;
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット(四六ディービーエム)超三〇〇ワット(五四・八ディービーエム)以下のもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 3.2 gigahertz but is 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 40 watts (46 dBm) but is 300 watts (54.8 dBm) or less;
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット(四三ディービーエム)超三〇〇ワット(五四・八ディービーエム)以下のもの
iv. those with an operating frequency that exceeds 3.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 20 watts (43 dBm) but is 300 watts (54.8 dBm) or less;
5 動作周波数が二・七ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三〇〇ワット(五四・八ディービーエム)を超えるのもの
v. those with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 300 watts (54.8 dBm);
6 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一二〇ワット(五〇・八ディービーエム)を超えるのもの
vi. those with an operating frequency that exceeds 3.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 120 watts (50.8 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
2. devices with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 16 gigahertz or less and for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%, which fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ワット(四〇ディービーエム)超二五ワット(四四ディービーエム)以下のもの
i. those with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 10 watts (40 dBm) but is 25 watts (44 dBm) or less;
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五ワット(三七ディービーエム)超二五ワット(四四ディービーエム)以下のもの又は動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五ワット(三七ディービーエム)を超えるもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 8.5 gigahertz but is 12 gigahertz or less, with a peak saturation output value that exceeds 5 watts (37 dBm) but is 25 watts (44 dBm) or less, or those with an operating frequency that exceeds 12 gigahertz but is 16 gigahertz or less, with a peak saturation output value that exceeds 5 watts (37 dBm);
3 動作周波数が六・八ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二五ワット(四四ディービーエム)を超えるもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 25 watts (44 dBm);
(三) 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三ワット(三四・七七ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
3. devices with an operating frequency that exceeds 16 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less, and with a peak saturation output value that exceeds 3 watts (34.77 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(四) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
4. devices with an operating frequency that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less, and with a peak saturation output value that exceeds 0.1 nanowatts (−70 dBm);
(五) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一・〇ワット(三〇ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
5. devices with an operating frequency that exceeds 37 gigahertz but is 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 1.0 watts (30 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(六) 動作周波数が四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
6. devices with an operating frequency that exceeds 43.5 gigahertz but is 75 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 31.62 milliwatts (15 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(七) 動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ミリワット(一〇ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
7. devices with an operating frequency that exceeds 75 gigahertz but is 90 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 10 milliwatts (10 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 5%;
(八) 動作周波数が九〇ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
8. devices with an operating frequency that exceeds 90 gigahertz, and a peak saturation output value that exceeds 0.1 nanowatts (−70 dBm);
マイクロ波用ディスクリートトランジスタであって、次のいずれかに該当するもの
(d)microwave discrete transistors that fall under any of the following:
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
1. devices with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less, which fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇〇ワット(五六ディービーエム)超六〇〇ワット(五七・八ディービーエム)以下のもの
i. those with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 2.9 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 400 watts (56 dBm) but is 600 watts (57.8 dBm) or less;
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇五ワット(五三・一二ディービーエム)超六〇〇ワット(五七・八ディービーエム)以下のもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 2.9 gigahertz but is 3.2 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 205 watts (53.12 dBm) but is 600 watts (57.8 dBm) or less;
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一一五ワット(五〇・六一ディービーエム)超六〇〇ワット(五七・八ディービーエム)以下のもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 3.2 gigahertz but is 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 115 watts (50.61 dBm) but is 600 watts (57.8 dBm) or less;
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇ワット(四七・七八ディービーエム)超一三〇ワット(五一・二ディービーエム)以下のもの
iv. those with an operating frequency that exceeds 3.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 60 watts (47.78 dBm) but is 130 watts (51.2 dBm) or less;
5 動作周波数が二・七ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇〇ワット(五七・八ディービーエム)を超えるもの
v. those with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value exceeding 600 watts (57.8 dBm);
6 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一三〇ワット(五一・二ディービーエム)を超えるもの
vi. those with an operating frequency that exceeds 3.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 130 watts (51.2 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
2. devices with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 31. 8 gigahertz or less, which fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット(四七ディービーエム)超一三〇ワット(五一・二ディービーエム)以下のもの
i. those with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 50 watts (47 dBm) but is 130 watts (51.2 dBm) or less;
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一五ワット(四一・七六ディービーエム)超六〇ワット(四七・八ディービーエム)以下のもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 8.5 gigahertz but is 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 15 watts (41.76 dBm) but is 60 watts (47.8 dBm) or less;
3 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一三〇ワット(五一・二ディービーエム)を超えるもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 130 watts (51.2 dBm);
4 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇ワット(四七・八ディービーエム)を超えるもの
iv. those with an operating frequency that exceeds 8.5 gigahertz but is 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 60 watts (47.8 dBm);
5 動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット(四六ディービーエム)を超えるもの
v. those with an operating frequency that exceeds 12 gigahertz but is 16 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 40 watts (46 dBm);
6 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七ワット(三八・四五ディービーエム)を超えるもの
vi. those with an operating frequency that exceeds 16 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 7 watts (38.45 dBm);
(三) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ワット(二七ディービーエム)を超えるもの
3. devices with an operating frequency that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 0.5 watts (27 dBm);
(四) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一ワット(三〇ディービーエム)を超えるもの
4. devices with an operating frequency that exceeds 37 gigahertz but is 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 1 watt (30 dBm);
(五) 動作周波数が四三・五ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
5. devices with an operating frequency that exceeds 43.5 gigahertz, and a peak saturation output value that exceeds 0.1 nanowatts (−70 dBm);
(六) 動作周波数が八・五ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の全ての周波数帯域において、ピーク飽和出力値が五ワット(三七ディービーエム)を超えるもの(第六条第二号ニ(一)から(五)までのいずれかに該当するものを除く。)
6. devices with a peak saturation output value that exceeds 5 watts (37 dBm) in all frequency bands with an operating frequency that exceeds 8.5 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less (excluding those falling under any of Article 6, item (ii), (d) 1. through 5.);
マイクロ波用固体増幅器(モノリシックマイクロ波集積回路増幅器及びハーモニックミクサ又はコンバータを除く。)又はこれを含む組立品若しくはモジュール(送受信モジュール及び送信モジュールを除く。)であって、次のいずれかに該当するもの
(e)solid-state microwave amplifiers (excluding monolithic microwave integrated circuit amplifiers and harmonic mixers or converters) or assemblies or modules including them (excluding transmitter and receiver modules and transmitter modules), which fall under any of the following:
(一) 動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. devices with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less, for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 15%, which fall under any of the following:
1 動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇〇ワット(五七ディービーエム)を超えるもの
i. those with an operating frequency that exceeds 2.7 gigahertz but is 2.9 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 500 watts (57 dBm);
2 動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二七〇ワット(五四・三ディービーエム)を超えるもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 2.9 gigahertz but is 3.2 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 270 watts (54.3 dBm);
3 動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇〇ワット(五三ディービーエム)を超えるもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 3.2 gigahertz but is 3.7 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 200 watts (53 dBm);
4 動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が九〇ワット(四九・五四ディービーエム)を超えるもの
iv. those with an operating frequency that exceeds 3.7 gigahertz but is 6.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 90 watts (49.54 dBm);
(二) 動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
2. devices with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less, for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%, which fall under any of the following:
1 動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七〇ワット(四八・五四ディービーエム)を超えるもの
i. those with an operating frequency that exceeds 6.8 gigahertz but is 8.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 70 watts (48.54 dBm);
2 動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット(四七ディービーエム)を超えるもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 8.5 gigahertz but is 12 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 50 watts (47 dBm);
3 動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三〇ワット(四四・七七ディービーエム)を超えるもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 12 gigahertz but is 16 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 30 watts (44.77 dBm);
4 動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット(四三ディービーエム)を超えるもの
iv. those with an operating frequency that exceeds 16 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 20 watts (43 dBm);
(三) 動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ワット(二七ディービーエム)を超えるもの
3. devices with an operating frequency that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less, and a peak saturation output value that exceeds 0.5 watts (27 dBm);
(四) 動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二ワット(三三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
4. devices with an operating frequency that exceeds 37 gigahertz but is 43.5 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 2 watts (33 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
(五) 動作周波数が四三・五ギガヘルツを超えるものであって、次のいずれかに該当するもの
5. devices with an operating frequency that exceeds 43.5 gigahertz which fall under any of the following:
1 動作周波数が四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・二ワット(二三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
i. those with an operating frequency that exceeds 43.5 gigahertz but is 75 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 0.2 watts (23 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 10%;
2 動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ミリワット(一三ディービーエム)を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
ii. those with an operating frequency that exceeds 75 gigahertz but is 90 gigahertz or less and with a peak saturation output value that exceeds 20 milliwatts (13 dBm), for which the value of the instantaneous bandwidth divided by the center frequency exceeds 5%;
3 動作周波数が九〇ギガヘルツ超であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット(マイナス七〇ディービーエム)を超えるもの
iii. those with an operating frequency that exceeds 90 gigahertz and with a peak saturation output value that exceeds 0.1 nanowatts (−70 dBm);
電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過フィルターであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(f)electronically or magnetically tunable bandpass filters that fall under the following 1. and 2.:
(一) 半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
1. those having six or more variable frequency resonators capable of tuning across a half-octave frequency band in less than 10 microseconds;
(二) 中心周波数の〇・五パーセントを超える帯域を通過することができるもの
2. those capable of passing a band that exceeds 0.5% of the center frequency;
電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(g)electronically or magnetically tunable band elimination filters that fall under the following 1. and 2.:
(一) 半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
1. those having six or more variable frequency resonators capable of tuning across a half-octave frequency band in less than 10 microseconds;
(二) 中心周波数の〇・五パーセント未満の帯域を阻止することができるもの
2. those capable of eliminating a band less than 0.5% of the center frequency;
削除
(h)Deleted
ハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するもの
(i)harmonic mixers or converters that fall under any of the following:
(一) スペクトラムアナライザーの周波数帯域を九〇ギガヘルツ超に拡張するように設計したもの
1. those designed to broaden the frequency band of a spectrum analyzer to over 90 gigahertz;
(二) 信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
2. those designed to extend the operating range of a signal generator, which fall under any of the following:
1 周波数帯域が九〇ギガヘルツを超えるもの
i. those with a frequency band that exceeds 90 gigahertz; or
2 周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇ミリワット(二〇ディービーエム)を超えるもの
ii. those with a frequency band that exceeds 43.5 gigahertz but is 90 gigahertz or less, whose output exceeds 100 milliwatts (20 dBm);
(三) ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those designed to extend the operating range of a network analyzer, which fall under any of the following:
1 周波数帯域が一一〇ギガヘルツを超えるもの
i. those with a frequency band that exceeds 110 gigahertz;
2 周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもの
ii. those with a frequency band that exceeds 43.5 gigahertz but is 90 gigahertz or less, whose output exceeds 31.62 milliwatts (15 dBm); or
3 周波数帯域が九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一ミリワット(〇ディービーエム)を超えるもの
iii. those with a frequency band that exceeds 90 gigahertz but is 110 gigahertz or less, whose output exceeds 1 milliwatt (0 dBm);
(四) マイクロ波用試験受信機の周波数帯域を一一〇ギガヘルツ超に拡張するように設計したもの
4. those designed to broaden the frequency band of a microwave test receiver to over 110 gigahertz;
イに該当する真空電子デバイスを内蔵するマイクロ波用電力増幅器であって、次の(一)及び(二)に該当するもの(国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域(無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。)で使用するように設計したものを除く。)
(j)microwave power amplifiers that incorporate a vacuum electronic device falling under (a) and that fall under the following 1. and 2. (excluding those designed to be used in frequency bands allotted for wireless transmission by the International Telecommunication Union (excluding frequency bands allotted for wireless positioning)):
(一) 動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
1. those with an operating frequency that exceeds 3 gigahertz;
(二) 平均出力電力の質量に対する比が八〇ワット毎キログラムを超えるものであって、体積が四〇〇立方センチメートル未満のもの
2. those with the mass ratio of average power output that exceeds 80 watts per kilogram and with a volume of less than 400 cm³;
マイクロ波用電力モジュールであって、進行波真空電子デバイス、モノリシックマイクロ波集積回路及び電源を有するもののうち、次の(一)から(三)までの全てに該当するもの
(k)microwave power modules which have a traveling wave vacuum electronic device, a monolithic microwave integrated circuit, and a power supply, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 完全停止状態から完全作動状態までの時間が一〇秒未満のもの
1. those having a time from fully off to fully operational in less than 10 seconds;
(二) 体積が、ワットで表した最高定格出力値に一〇立方センチメートル毎ワットを乗じて得た数値未満のもの
2. those whose volume is less than the numerical value obtained by multiplying the maximum rated output value expressed in watts by 10 cm³ per watt;
(三) 一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
3. those having an instantaneous bandwidth of 1 octave or more, which fall under any of the following:
1 周波数が一八ギガヘルツ以下のものにあっては、無線周波数の出力が一〇〇ワットを超えるもの
i. for those with a frequency of 18 gigahertz or less, those with a radio frequency output that exceeds 100 watts;
2 周波数が一八ギガヘルツを超えるもの
ii. those with a frequency that exceeds 18 gigahertz;
発振器又は発振機能を有する組立品であって、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-126
(l)oscillators or assemblies having an oscillation function for which the ratio of single sideband phase noise per hertz to carrier waves in any frequency band of 10 hertz or more and less than 10 kilohertz where the difference between the operating frequency and the offset frequency is less than the value calculated using the following formula: 20log10 (operating frequency expressed in megahertz) − 20log10 (difference between operating frequency and offset frequency expressed in hertz) − 126;
周波数シンセサイザーを用いた組立品のうち、次のいずれかに該当するもの
(m)assemblies employing frequency synthesizers which fall under any of the following:
(一) 周波数切換えの所要時間が一四三ピコ秒未満のもの
1. those that take less than 143 picoseconds to vary the frequency;
(二) 四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
2. those that take less than 100 microseconds to vary any frequency exceeding 2.2 gigahertz in the combined output frequency range exceeding 4.8 gigahertz to less than 31.8 gigahertz;
(三) 削除
3. Deleted
(四) 三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
4. those that take less than 500 microseconds to vary any frequency exceeding 550 megahertz in the combined output frequency range exceeding 31.8 gigahertz to less than 37 gigahertz;
(五) 三七ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
5. those that take less than 100 microseconds to vary any frequency exceeding 2.2 gigahertz in the combined output frequency range exceeding 37 gigahertz to less than 90 gigahertz;
(六) 削除
6. Deleted
(七) 九〇ギガヘルツを超える合成出力周波数範囲で、周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
7. those that take less than 1 millisecond to vary the frequency in the combined output frequency range exceeding 90 gigahertz;
送受信モジュール、送受信用モノリシックマイクロ波集積回路、送信モジュール及び送信用モノリシックマイクロ波集積回路であって、動作周波数が二・七ギガヘルツを超えるもののうち、次の全てに該当するもの
(n)transmitter and receiver modules, monolithic microwave integrated circuits for transmission and reception, transmitter modules, and monolithic microwave integrated circuits for transmission whose operating frequency exceeds 2.7 gigahertz, which fall under all of the following:
(一) いずれかのチャネルにおいて、ワットで表したピーク飽和出力値が五〇五・六二をギガヘルツで表した最大動作周波数の二乗で除した値を超えるもの
1. those whose peak saturation output level expressed in watts exceeds the value arrived at when 505.62 is divided by the square of the maximum operating frequency expressed in gigahertz, on any channel;
(二) いずれかのチャネルにおいて、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセント以上のもの
2. those for which the value arrived at when the instantaneous bandwidth is divided by the center frequency is 5% or more, on any channel;
(三) 平面のいずれかの辺の長さをセンチメートルで表した値が、送信又は送受信チャネル数と一五の積をギガヘルツで表した最小動作周波数で除した値以下のもの
3. those for which the value of the length of any side of the plane expressed in centimeters is less than the value arrived at when the product of the number of transmitting channels or transmitting and receiving channels and 15 is divided by the minimum operating frequency expressed in gigahertz; and
(四) チャネル毎に電子的に位相シフトできるもの
4. those capable of causing an electronic phase shift for each channel;
弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの(特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。)又はその部分品
(iii)signal processing equipment that uses elastic waves or acousto-optic effects and falls under any of the following (excluding equipment solely having any of the functions of specific band pass, low band pass, high band pass, band elimination, or resonance), or its components:
表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
(a)signal processing equipment that uses surface elastic waves or pseudo-surface elastic waves, which falls under any of the following:
(一) 搬送周波数が六ギガヘルツを超えるもの
1. signal processing equipment with a carrier frequency that exceeds 6 gigahertz;
(二) 搬送周波数が一ギガヘルツ超六ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
2. signal processing equipment with a carrier frequency that exceeds 6 gigahertz but is 2.5 gigahertz or less that falls under any of the following:
1 サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるもの
i. equipment with a main lobe to side lobe power ratio that exceeds 65 decibels;
2 マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
ii. equipment for which the numeric value of the maximum delay time expressed in microseconds multiplied by the value of the bandwidth expressed in megahertz exceeds 100;
3 帯域幅が二五〇メガヘルツを超えるもの
iii. equipment with a bandwidth that exceeds 250 megahertz;
4 分散型遅延時間(周波数に応じた遅延時間の最大の値と最小の値との差をいう。)が一〇マイクロ秒を超えるもの
iv. equipment for which the distributed delay time (meaning the difference between the maximum and minimum delay time values according to frequency) exceeds 10 microseconds;
(三) 搬送周波数が一ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
3. signal processing equipment with a carrier frequency of 1 gigahertz or less that falls under any of the following:
1 マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
i. equipment for which the numeric value obtained by multiplying the maximum delay time expressed in microseconds by the value of the bandwidth expressed in megahertz exceeds 100;
2 分散型遅延時間が一〇マイクロ秒を超えるもの
ii. equipment for which the distributed delay time exceeds 10 microseconds;
3 サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるものであって、帯域幅が一〇〇メガヘルツを超えるもの
iii. equipment with a main lobe to side lobe power ratio exceeding 65 decibels and with a bandwidth that exceeds 100 megahertz;
バルク弾性波を利用するものであって、六ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの
(b)equipment that utilizes bulk elastic waves and is capable of performing direct processing of signals at frequencies exceeding 6 gigahertz;
弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの
(c)signal processing that utilizes the interaction of elastic waves and light waves and capable of performing direct processing of signals or images;
超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
(iv)devices which use superconductive material and constitute electron devices or electronic circuits with components using superconductive materials, which are designed to be used at temperatures lower than the critical temperature of the superconductive materials used and fall under any of the following:
超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が一、〇〇〇億分の一ミリジュール未満のもの
(a)devices possessing a current switching function for digital circuits with superconducting gates for which the value obtained by multiplying the delay time per gate by the power consumption per gate is less than 1/100 billion millijoules;
周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が一〇、〇〇〇を超える共振回路を有するもの
(b)devices that have frequency separation function and have resonant circuits with a Q-value exceeding 10,000;
セル(バッテリー(シングルセルバッテリーを含む。)に組み込まれているものを除く。)であって、次のいずれかに該当するもの
(v)cells (excluding those incorporated in batteries (including single cell batteries)) that fall under any of the following:
一次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度及び電力密度が次のいずれかに該当するもの
(a)primary cells whose energy density and power density at a temperature of 20 ºC fall under any of the following:
(一) エネルギー密度が五五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が五〇ワット毎キログラムを超えるもの
1. those with an energy density exceeding 550 watt-hours per kilogram and a continuous power density exceeding 50 watts per kilogram;
(二) エネルギー密度が五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が三五〇ワット毎キログラムを超えるもの
2. cells with an energy density exceeding 50 watt-hours per kilogram and a continuous power density exceeding 350 watts per kilogram;
二次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が三五〇ワット時毎キログラムを超えるもの
(b)secondary cells with an energy density exceeding 350 watt-hours per kilogram at a temperature of 20 ºC;
高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
(vi)high voltage capacitors that fall under any of the following:
反復サイクルが一〇ヘルツ未満のコンデンサであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(a)those with a repeated cycle of less than 10 hertz that fall under all of the following 1. through 3.:
(一) 定格電圧が五キロボルト以上のもの
1. those with a rated voltage of 5 kilovolts or more;
(二) エネルギー密度が二五〇ジュール毎キログラム以上のもの
2. those with an energy density of 250 joules per kilogram or more;
(三) 総エネルギーが二五キロジュール以上のもの
3. those with a total energy of 25 kilojoules or more;
反復サイクルが一〇ヘルツ以上のコンデンサであって、次の(一)から(四)までのすべてに該当するもの
(b)capacitors with a repetitive cycle of 10 hertz or more and that fall under all of the following 1. through 4.:
(一) 定格電圧が五キロボルト以上のもの
1. those with a rated voltage of 5 kilovolts or more;
(二) エネルギー密度が五〇ジュール毎キログラム以上のもの
2. those with an energy density of 50 joules per kilogram or more;
(三) 総エネルギーが一〇〇ジュール以上のもの
3. those with a total energy of 100 joules or more;
(四) 一〇、〇〇〇回以上充電及び放電の繰り返しをすることができるように設計したもの
4. those designed to be capable of being charged and discharged for 10,000 times or more;
一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石(ソレノイドコイル形のものを含む。)であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
(vii)superconducting magnets (including solenoid coil types) designed to fully generate or dissipate a complete magnetic field in less than one second, which fall under all of the following (a) through (c):
減磁の際に最初の一秒間で放出するエネルギーが一〇キロジュールを超えるもの
(a)those that discharge energy exceeding 10 kilojoules in the first second of demagnetization;
コイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
(b)those whose coil has an internal diameter exceeding 250 millimeters;
定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
(c)those with a rated maximum current density exceeding 300 amperes per square millimeter or with a rated magnetic flux density exceeding 8 teslas;
七の二太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの
(vii)-2solar batteries, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, or solar arrays which are designed for use in space, for which the minimum average conversion efficiency when irradiated by 1,367 watts per square meter under air mass zero conditions exceeds 20% at an operating temperature of 28 ºC;
回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの及び当該エンコーダ用に設計されたリング、ディスク又はスケール
(viii)rotary input-type absolute encoders for which the absolute value of the conversion error of angles is 1 second or less, and rings, disks, or scales designed for those encoders;
八の二パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの(民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。)
(viii)-2thyristor devices or thyristor modules which convert pulse output and use a conversion method controlled electronically or optically or a conversion method with a controlled electron emission, which fall under any of the following (excluding those incorporated into a device designed to be used in railway vehicles or aircraft for civilian use):
最大立上がり電流が三〇、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が一、一〇〇ボルトを超えるもの
(a)those with a maximum turn-on current exceeding 30,000 amperes per microsecond, and off-state voltage exceeding 1,100 volts;
最大立上がり電流が二、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(b)those with a maximum turn-on current exceeding 2,000 amperes per microsecond, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 休止状態電圧が三、〇〇〇ボルト以上のもの
1. those with an off-state voltage of 3,000 volts or more;
(二) 最大電流が三、〇〇〇アンペア以上のもの
2. those with a maximum current of 3,000 amperes or more;
八の三電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの(民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。)
(viii)-3semiconductor devices or semiconductor modules that control electric power or rectify electric signals, which fall under all of the following (a) through (c) (excluding those incorporated into a device designed to be used in automobiles, railway vehicles, or aircraft for civilian use):
最大動作接合部温度が二一五度を超えるように設計したもの
(a)those designed for a maximum operating junction temperature that exceeds 215 ºC;
繰返しピーク休止状態電圧が三〇〇ボルトを超えるもの
(b)those with a repetitive peak off-state voltage that exceeds 300 volts;
継続電流が一アンペアを超えるもの
(c)those with a continuous current that exceeds one ampere;
八の四アナログ信号用に設計した光の強度、振幅又は位相を操作する電気光学効果を利用する光変調器であって、次のいずれかに該当するもの(光入出力コネクタを有するものを含む。)
(viii)-4optical modulators which use electrooptic effects to operate the intensity, amplitude, or phases of light designed for analog signals, which fall under any of the following (including those which have an optical input and output connector):
最大動作周波数が一〇ギガヘルツ超二〇ギガヘルツ未満であって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
(a)those with a maximum operating frequency that exceeds 10 gigahertz but is less than 20 gigahertz and with an optical insertion loss of 3 decibels or less, which fall under any of the following:
(一) 一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が二・七ボルト未満のもの
1. those with a half-wave voltage of less than 2.7 volts when it is measured at frequencies of 1 gigahertz or less;
(二) 一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が四ボルト未満のもの
2. those with a half-wave voltage of less than 4 volts when it is measured at frequencies exceeding 1 gigahertz;
最大動作周波数が二〇ギガヘルツ以上のものであって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
(b)those with a maximum operating frequency of 20 gigahertz or more and with an optical insertion loss of 3 decibels or less, which fall under any of the following:
(一) 一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が三・三ボルト未満のもの
1. those with a half-wave voltage of less than 3.3 volts when it is measured at frequencies of 1 gigahertz or less;
(二) 一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が五ボルト未満のもの
2. those with a half-wave voltage of less than 5 volts when it is measured at frequencies exceeding 1 gigahertz;
サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、いずれかのチャネルの入力三デシベル帯域幅が六〇ギガヘルツ以上の場合において、そのチャネルのノイズが最小となる縦軸レンジにおけるノイズ電圧の二乗平均平方根がフルスケールの二パーセント未満のもの
(ix)sampling oscilloscopes using the method of real-time sampling, which, if the input 3-decibel bandwidth of any channel is 60 gigahertz or more, the root-mean-square of noise voltage at the longitudinal axis range in which the noise of the channel is the smallest is less than 2% of the full scale;
アナログデジタル変換器のうち、アナログデジタル変換を行う機能を有するモジュール、組立品又は装置(アナログデジタル変換カード、波形デジタイザー、データ収集カード、信号収集ボード及びトランジェントレコーダーを含む。)であって、次のイ及びロに該当するもの(デジタル方式の記録装置、サンプリングオシロスコープ、スペクトラムアナライザー、信号発生器、ネットワークアナライザー及びマイクロ波用試験受信機を除く。)
(x)analog-digital converters that constitute modules, assemblies, or devices with the function of performing analog-to-digital conversions (including analog-to-digital conversion cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards, and transient recorders), which fall under the following (a) and (b) (excluding digital method recording devices, sampling oscilloscopes, spectrum analyzers, signal generators, network analyzers, and microwave test receivers):
分解能及びサンプルレートが次のいずれかに該当するもの
(a)modules, assemblies, or devices whose resolution and sample rate fall under any of the following:
(一) 分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプル毎秒を超えるもの
1. those with a resolution of 8 bits or more and less than 10 bits, whose sample rate exceeds 1.3 gigasamples per second;
(二) 分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
2. those with a resolution of 10 bits or more and less than 12 bits, whose sample rate exceeds 1 gigasamples per second;
(三) 分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
3. those with a resolution of 12 bits or more and less than 14 bits, whose sample rate exceeds 1 gigasamples per second;
(四) 分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプル毎秒を超えるもの
4. those with a resolution of 14 bits or more and less than 16 bits, whose sample rate exceeds 400 megasamples per second; or
(五) 分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが一八〇メガサンプル毎秒を超えるもの
5. those with a resolution of 16 bits or more, whose sample rate exceeds 180 megasamples per second;
次のいずれかの機能を持つもの
(b)modules, assemblies, or devices which have any of the following functions:
(一) デジタル化されたデータを出力するもの
1. those that output digitized data;
(二) デジタル化されたデータを記録するもの
2. those that record digitized data; or
(三) デジタル化されたデータを処理するもの
3. those that process digitized data;
十一デジタル方式の記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの
(xi)digital method recording devices that fall under the following (a) and (b):
ディスクメモリ又はソリッドステートドライブメモリへのデータ連続記録速度が六・四ギガビット毎秒を超えて維持可能なもの
(a)those capable of maintaining the speed of continuously recording data on disk memory or solid-state drive memory at over 6.4 gigabits per second; and
記録中の無線周波数信号データを信号処理することができるもの
(b)those capable of performing signal processing of radio frequency signal data being recorded;
十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
(xii)spectrum analyzers that fall under any of the following:
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、三デシベルの分解能帯域幅が四〇メガヘルツを超えるもの
(a)those for which the resolution bandwidth for 3 decibels in any frequency band that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less exceeds 40 megahertz;
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス一五〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
(b)those whose displayed average noise level in any frequency band that exceeds 43.5 gigahertz but is 90 gigahertz or less is less than −150 dBm per hertz;
九〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの
(c)those capable of analyzing frequencies that exceeds 90 gigahertz; or
次の(一)及び(二)に該当するもの
(d)those that fall under the following 1. and 2.:
(一) 実時間帯域幅が一七〇メガヘルツを超えるもの
1. those with a real time bandwidth that exceeds 170 megahertz; and
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. those that fall under any of the following:
1 一五マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの
i. those that detect signals with a length of 15 microseconds or less with a probability of 100%, with an attenuation, due to gap or window effect, of less than 3 decibels from the total amplitude; or
2 周波数マスクトリガー機能を有するものであって、一五マイクロ秒以下の長さの信号を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの
ii. those with a frequency mask trigger function that detects signals with a length of 15 microseconds or less with a probability of 100%;
十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの(二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。)
(xiii)signal generators which fall under any of the following (excluding generators which set output frequencies by values obtained by adding or subtracting the frequencies of two or more crystal oscillators or values obtained by multiplying those values):
三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の(一)及び(二)に該当するパルス変調信号を発振するもの
(a)signal generators which generate, in any frequency band that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less, pulse modulated signals that fall under the following 1. and 2.:
(一) パルス幅が二五ナノ秒未満のもの
1. those with a pulse width of less than 25 nanoseconds; and
(二) オン・オフ比が六五デシベル以上のもの
2. those with the on and off ratio of 65 decibels or more;
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリワット(二〇ディービーエム)を超えるもの
(b)signal generators with an output exceeding 100 milliwatts (20 dBm), in any frequency band that exceeds 43.5 gigahertz but is 90 gigahertz or less;
次のいずれかに該当するもの
(c)signal generators that fall under any of the following:
(一) 削除
1. Deleted
(二) 四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
2. those that take less than 100 microseconds to vary any frequency exceeding 2.2 gigahertz in the output frequency band that exceeds 4.8 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less;
(三) 削除
3. Deleted
(四) 三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
4. those that take less than 500 microseconds to vary any frequency exceeding 550 megahertz in the output frequency band that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less; or
(五) 三七ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
5. those that take less than 100 microseconds to vary any frequency exceeding 2.2 gigahertz in the output frequency band that exceeds 37 gigahertz but is 90 gigahertz or less;
搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの
(d)signal generators for which the ratio of single side band phase noise per hertz to carrier waves falls under any of the following:
(一) 三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-20log10(ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり)-126
1. those for which the difference between operating frequency and offset frequency in any output frequency band that exceeds 3.2 gigahertz but is 90 gigahertz or less is less than the value calculated using the following formula in any frequency band of 10 hertz or more and 10 kilohertz or less: 20log10 (operating frequency expressed in megahertz) − 20log10 (difference between operating frequency and offset frequency expressed in hertz) − 126; or
(二) 三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの20log10(メガヘルツで表した動作周波数)-206
2. those for which the difference between operating frequency and offset frequency in any output frequency band that exceeds 3.2 gigahertz but is 90 gigahertz or less is less than the value calculated using the following formula in any frequency band of that exceeds 10 kilohertz but is 100 kilohertz or less: 20log10 (operating frequency expressed in megahertz) − 206;
デジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域幅が次のいずれかに該当するもの
(e)signal generators having a function to perform vector modulation of digital baseband signals, for which the vector modulation bandwidth falls under any of the following:
(一) 四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
1. vector modulation bandwidth exceeding 2.2 gigahertz in the output frequency band that exceeds 4.8 gigahertz but is 31.8 gigahertz or less;
(二) 三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるもの
2. vector modulation bandwidth exceeding 550 megahertz in the output frequency band that exceeds 31.8 gigahertz but is 37 gigahertz or less;
(三) 三七ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
3. vector modulation bandwidth exceeding 2.2 gigahertz in the output frequency band that exceeds 37 gigahertz but is 90 gigahertz or less;
最大出力周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
(f)signal generators with a maximum output frequency that exceeds 90 gigahertz;
十四ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
(xiv)network analyzers that fall under any of the following:
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもの
(a)those with an output exceeding 31.62 milliwatts (15 dBm) in any operating frequency band that exceeds 43.5 gigahertz but is 90 gigahertz or less;
九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が一ミリワット(〇ディービーエム)を超えるもの
(b)those with an output exceeding 1 milliwatt (0 dBm) in any operating frequency band that exceeds 90 gigahertz but is 110 gigahertz or less;
五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機能を有するもの(イ又はロに該当するものを除く。)
(c)those with a function of non-linear vector measurement within the frequency band that exceeds 50 gigahertz but is 110 gigahertz or less (excluding those which fall under (a) or (b));
最大動作周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
(d)those with a maximum operating frequency that exceeds 110 gigahertz;
十五マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
(xv)microwave test receivers that fall under the following (a) and (b):
一一〇ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの
(a)those designed to be capable of being used at frequencies exceeding 110 gigahertz;
振幅及び位相を同時に測定できるもの
(b)those that can simultaneously measure amplitude and phase;
十六原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
(xvi)atomic frequency standard devices that fall under any of the following:
ルビジウムを用いていないものであって、三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
(a)those that do not use rubidium, with a stability of less than 1/100 billion when oscillated continuously for 30 days;
宇宙用に設計したもの
(b)those designed for use in space;
宇宙用に設計していないものであって、次の(一)から(三)までのすべてに該当するもの
(c)those that are not designed for use in space, which fall under all of the following 1. through 3.:
(一) ルビジウムを用いたもの
1. those that use rubidium;
(二) 三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
2. those with a stability of less than 1/100 billion when oscillated continuously for 30 days;
(三) 消費電力が一ワット未満のもの
3. those with a power consumption of less than 1 watt;
十六の二スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品
(xvi)-2spray cooling method temperature control devices which are capable of cyclical use of coolant in a hermetically sealed device, which have atomizing nozzles specifically designed to spray dielectric coolant on electric components and keep the components' temperature within a certain range, or components specially designed for that purpose;
十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置(ホにおいて「半導体製造装置」という。)若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品
(xvii)equipment for manufacturing or testing semiconductor devices, integrated circuits, or semiconductor materials (referred to as "semiconductor manufacturing equipment" in (e)), or masks or reticles for manufacturing integrated circuits, which fall under any of the following, or their components or accessories:
結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの
(a)crystal epitaxial growth systems that fall under any of the following:
(一) 七五ミリメートル以上の長さにわたり膜の厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満のシリコン以外の膜を形成するように設計又は改造したもの
1. those designed or altered to form films other than silicon whose absolute value of the allowable tolerance of film thickness is less than 2.5 percent for a length of 75 millimeters or more;
(二) 有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、砒素、燐、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタキシャル成長させるもの
2. metal-organic chemical vapor deposition reactors that epitaxially grow compound semiconductors containing two or more elements among aluminum, gallium, indium, arsenic, phosphor, antimony, and nitrogen;
(三) ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置
3. molecular beam epitaxial growth systems using gas sources or solid sources;
イオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの
(b)ion implanters that fall under any of the following:
(一) 削除
1. Deleted
(二) 水素、重水素又はヘリウムを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
2. those designed and optimized to operate when implanting hydrogen, heavy hydrogen, or helium, at beam energies of 20 kiloelectron volts or more and a beam current of 10 milliamperes or more;
(三) 直接描画を行うことができるもの
3. those that are capable of direct writing;
(四) 加熱された半導体材料の基板へ酸素を注入する場合において、ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のもの
4. those that have beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more, when implanting oxygen on a heated semiconductor material substrate;
(五) 六〇〇度以上の温度に加熱された半導体材料の基板へシリコンを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
5. those designed and optimized to operate at beam energies of 20 kiloelectron volts or more and a beam current of 10 milliamperes or more, when implanting silicon on a semiconductor material substrate heated to a temperature of 600 ºC or more;
削除
(c)Deleted
削除
(d)Deleted
自動的にウエハーの装填を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(e)automatic loading multi-chamber central wafer handling systems that fall under the following 1. and 2.:
(一) イ(一)から(三)まで又はロ(二)から(五)までのいずれかに該当する半導体製造装置であってそれぞれ異なるものを三台以上接続することができるように設計したウエハーの出し入れ用の接続部を有するもの(異なる機能を有するものを接続することができるものに限る。)
1. semiconductor manufacturing equipment that falls under any of (a), 1. through 3. or (b), 2. through 5. with wafer input and output connectors designed to be capable of connecting three or more units of different equipment (limited to those capable of connecting equipment with different functions);
(二) 複数のウエハーの処理を順次行うために真空状態で一体化された装置を構成するように設計したもの
2. equipment designed to form an integrated system in a vacuum environment for consecutively performing multiple wafer processing;
リソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
(f)lithography equipment that falls under any of the following:
(一) ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
1. step and repeat method or step and scan method exposure apparatus for wafer processing which use optical method or X-rays, and which falls under any of the following:
1 光源の波長が一九三ナノメートル未満のもの
i. equipment with a light source wavelength shorter than 193 nanometers;
2 ナノメートルで表した光源の波長に〇・三五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
ii. equipment for which the value obtained by multiplying the exposure light source wavelength expressed in nanometers by 0.35, and then dividing that value by the numerical aperture is 45 or less;
(二) インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現することができるもの
2. imprint lithography equipment capable of producing a line width of 45 nanometers or less;
(三) マスクの製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
3. equipment that is designed to be capable of manufacturing masks; that uses electron beams, ion beams, or laser beams; and that falls under any of the following:
1 照射面の半値全幅の直径が六五ナノメートル未満、かつ、イメージ位置誤差(平均値に三シグマを加えたもの)が一七ナノメートル未満のもの
i. equipment for which the full width at half the maximum of the irradiation face is less than 65 nanometers in diameter and whose image position error (value obtained by adding 3 sigmas to the mean value) is less than 17 nanometers;
2 削除
ii. Deleted
3 マスク上の二層目の重ね合わせ誤差(平均値に三シグマを加えたもの)が二三ナノメートル未満のもの
iii. equipment for which a second layer overlay error (value obtained by adding 3 sigmas to the mean value) on the mask is less than 23 nanometers;
(四) 直接描画方式で半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビームを用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
4. equipment designed to be capable of manufacturing semiconductor elements or integrated circuits by the direct writing method, which uses an electron beam, and falls under any of the following:
1 照射面の直径が一五ナノメートル以下のもの
i. equipment whose irradiation face is 15 nanometers or less in diameter; or
2 重ね合わせ誤差(平均値に三シグマを加えたもの)が二七ナノメートル以下のもの
ii. equipment with an overlay error (value obtained by adding 3 sigmas to the mean value) of 27 nanometers or less;
マスク又はレチクルであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
(g)masks or reticles for manufacturing integrated circuits that fall under any of the items (i) through (viii)-4;
位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリソグラフィ装置に用いるために設計したもの(トに該当するもの及び第一号から第八号の四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。)
(h)multilayer masks with a phase shift layer that are designed to be used in lithography equipment with a light source wavelength shorter than 245 nanometers (excluding those which fall under (g) and those designed to manufacture storage elements that do not fall under any of the items (i) through (viii)-4):
インプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの
(i)imprint lithography templates for manufacturing integrated circuits which fall under any of items (i) through (viii)-4;
試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
(j)test equipment for testing semiconductor devices or integrated circuits or their semi-finished products, which falls under any of the following:
(一) 第二号ニに該当する貨物のエスパラメータを試験することができるように設計したもの
1. test equipment designed to be capable of testing the S-parameters of goods falling under item (ii), (d);
(二) 削除
2. Deleted
(三) 第二号ハに該当する貨物の試験を行うことができるように設計したもの
3. test equipment designed to be capable of testing goods falling under item (ii), (c);
十七の二マスクの製造に用いられる基材であって、モリブデン及びシリコンからなる多層膜の反射構造を有するマスクブランクのうち、次のイ及びロに該当するもの
(xvii)-2base materials used for manufacturing masks which are mask blanks that have a reflection structure of a multilayer film composed of molybdenum and silicon, which fall under the following (a) and (b):
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
(a)those specially designed for devices for manufacturing integrated circuits using extreme ultraviolet; and
国際半導体製造装置材料協会が定めたSEMI規格P三七の仕様に準拠したもの
(b)those that conform to the specifications of the SEMI Standards P37 established by the Semiconductor Equipment and Materials International;
十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となるもの(ニに該当する化合物(窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限る。)のP型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該P型エピタキシャル層がN型層に挟まれていないものを除く。)
(xviii)substrates that have on them multilayer film crystals which are of a substance falling under any of the following and which have been formed through epitaxial growth; that can be used as a hetero epitaxial material (excluding those that have one or more P-type epitaxial layers of compounds falling under (d) (limited to gallium nitride, indium gallium nitride, aluminum gallium nitride, indium aluminum nitride, indium aluminum gallium nitride, gallium phosphide, gallium arsenide, aluminum gallium arsenide, indium phosphide, indium gallium phosphide, aluminum indium phosphide, or indium gallium aluminum phosphide), in which the P-type epitaxial layers are not sandwiched between N-type layers):
シリコン
(a)silicon;
ゲルマニウム
(b)germanium;
炭化けい素
(c)silicon carbide;
III―V族化合物(ガリウム又はインジウムの化合物に限る。)
(d)III-V compounds (limited to gallium or indium compounds);
十九レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
(xix)resists that fall under any of the following or substrates to which they have been applied:
半導体用のリソグラフィに使用するレジストであって、次のいずれかに該当するもの
(a)resists used in semiconductor lithography that fall under any of the following:
(一) 一五ナノメートル以上一九三ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したポジ型レジスト
1. positive resists optimized to be used with light with a wavelength of 15 nanometers or more and less than 193 nanometers; or
(二) 一ナノメートル超一五ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したレジスト
2. resists optimized to be used with light with a wavelength exceeding 1 nanometer and less than 15 nanometers;
電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの
(b)resists that are designed for use in electron beams or ion beams and have a sensitivity of 0.01 microcoulombs or less per square millimeter;
削除
(c)Deleted
表面イメージング技術用に最適化したレジスト
(d)resists optimized for surface imaging technology;
第十七号ヘ(二)に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの
(e)resists designed or optimized to be used for imprint lithography equipment falling under item (xvii), (f) 2, which are thermoplastic or photocurable;
二十有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
(xx)organic metallic compounds or organic compounds that fall under any of the following:
アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
(a)aluminum, gallium, or indium organic compounds with a purity exceeding 99.999%;
燐、砒素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
(b)phosphorus, arsenic, or antimony organic compounds with a purity exceeding 99.999%;
二十一燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの(二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。)
(xxi)phosphorus, arsenic, or antimony hydrides with a purity exceeding 99.999% (excluding those that contain 20 mole percent or more of inert gasses or hydrogen);
二十二炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの半導体基板又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの
(xxii)semiconductor substrates or ingots, boules, or other preforms of silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, or aluminum gallium nitride whose electrical resistivity at the temperature of 20 ºC exceeds 10,000 ohm centimeters;
二十三多結晶基板又は多結晶セラミック基板であって、二〇度の温度における電気の抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもののうち、当該基板の表面にシリコン、炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの非エピタキシャル単結晶層を少なくとも一層以上有するもの
(xxiii)polycrystalline substrates or polycrystalline ceramic substrates whose electrical resistivity at the temperature of 20 ºC exceeds 10,000 ohm centimeters, which have on their surface at least one non-epitaxial single crystal layer of silicon, silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, or aluminum gallium nitride;
二十四前二号のいずれかに該当する基板であって、当該基板の上に炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムのエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するもの(第十八号に該当するものを除く。)
(xxiv)substrates that fall under either of the preceding two items and have on those substrates at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, or aluminum gallium nitride (excluding those falling under item (xviii)).
第七条輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 7The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 8 of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
電子計算機若しくはその附属装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品
(i)computers, or their auxiliary equipment, which fall under any of the following, or components of these:
八五度を超える温度又は零下四五度より低い温度で使用することができるように設計したもの
(a)computers, or their auxiliary equipment, which is designed to be capable of being used at temperatures exceeding 85 ºC or below −45 ºC;
放射線による影響を防止するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
(b)computers, or their auxiliary equipment, which is designed to prevent the impact of radiation, and fall under any of the following:
(一) 全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイを超える放射線照射に耐えられるように設計したもの
1. those designed to withstand radiation exposure exceeding 5,000 grays on a silicon conversion basis for the total absorbed dose;
(二) 吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイを超える放射線照射により障害を発生しないように設計したもの
2. those designed not to malfunction from radiation exposure exceeding 5 million grays per second on a silicon conversion basis for the absorbed dose;
(三) 単事象障害によるエラー率が一日当たり一億分の一毎ビット未満となるように設計したもの
3. computers, or their auxiliary equipment, which is designed to have an error of rate of less than 1/100 million per 1 bit per day from a single event error;
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(ii)Deleted
デジタル電子計算機、その附属装置若しくはデジタル電子計算機の機能を向上するように設計した部分品であって、次のロ、ハ又はトのいずれかに該当するもの又はこれらの部分品(次のチからヌまでのいずれかに該当するもの及びこれらの部分品を除く。)
(iii)digital computers, their auxiliary equipment, or components designed to improve the functions of digital electronic computers, which fall under any of the following (b), (c), or (g); or the components of these (excluding goods and components that fall under any of the following (h) through (j)):
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(a)Deleted
デジタル電子計算機であって、加重最高性能が二九実効テラ演算を超えるもの
(b)digital computers whose adjusted peak performance exceeds 29 Weighted TeraFLOPS;
デジタル電子計算機の機能を向上するように設計した部分品であって、計算要素を集合させることにより、加重最高性能が二九実効テラ演算を超えるもの(最大性能が二九実効テラ演算を超えないデジタル電子計算機又はそのファミリーの計算機用に特別に設計されたものを除く。)
(c)components designed to improve the functions of digital computers whose adjusted peak performance exceeds 29 Weighted TeraFLOPS through assembling computational elements (excluding digital computers whose maximum performance does not exceed 29 Weighted TeraFLOPS or those specifically designed for computers in this family);
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(d)Deleted
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(e)Deleted
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(f)Deleted
デジタル電子計算機の演算処理の能力を向上させるために複数のデジタル電子計算機の間でデータを転送するように設計した、デジタル電子計算機の附属装置であって、転送されるデータの転送速度が二・〇ギガバイト毎秒を超えるもの
(g)auxiliary equipment of digital computer designed to transfer data among several digital computers for the purpose of improving the arithmetic processing capacity of digital computers, which has a transfer rate of data transferred exceeding 2.0 gigabytes per second;
他の装置に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもののうち、当該装置の主要な要素でないもの
(h)devices that are built into another device and that are indispensable for operating that device, but that are not key elements of that device;
他の装置に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもののうち、その機能が当該装置の信号処理又は画像強調に限定されているもの
(i)devices that are built into another device and that are indispensable for operating that device, but whose functions are limited to signal processing or image enhancement of that device;
輸出令別表第一の九の項(一)から(三)まで又は(五)から(五の五)までに掲げる貨物に内蔵されたものであって、当該装置を稼働するために必要不可欠であるもの
(j)devices built into goods set forth in row (9), (i) through (iii), or (v) through (v)-5 of Appended Table 1 of the Export Order and that are indispensable for operating those devices;
電子計算機であって、次のいずれかに該当するもの又はその附属装置若しくは部分品
(iv)computers that fall under any of the following, or their auxiliary equipment or components:
シストリックアレイコンピュータ
(a)systolic array computers;
ニューラルコンピュータ
(b)neural computers;
光コンピュータ
(c)optical computers;
電子計算機若しくはその附属装置又はこれらの部分品であって、侵入プログラムの作成、指揮統制又は配信を行うように特に設計又は改造されたもの
(v)computers, or their auxiliary equipment or components, which are specially designed or altered to create, command and control, or distribute hacking programs.
第八条輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 8The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 9 of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
伝送通信装置、電子式交換装置、通信用の光ファイバー、フェーズドアレーアンテナ、監視用の方向探知機、無線通信傍受装置、通信妨害装置、無線通信傍受装置若しくは通信妨害装置の作動を監視する装置、電波その他の電磁波を発信することなく、電波その他の電磁波の干渉を観測することにより位置を探知することができる装置又はインターネットを利用する方法による通信の内容を監視するための装置であって、次のいずれかに該当するもの
(i)telecommunication transmission equipment, electronic changers, telecommunication optical fibers, phased array antennas, direction finder for monitoring, radio communication interception equipment, communication jamming equipment, equipment that monitors the operation of radio communication interception equipment or communication jamming equipment, equipment capable of detecting the position of objects by observing the interference of radio waves or other electromagnetic waves, without transmitting radio waves or other electromagnetic waves, or equipment that monitors communication by the method of using the internet, which fall under any of the following:
核爆発による過渡的な電子的効果又はパルスによる影響を防止することができるように設計したもの
(a)equipment that is designed to be able to prevent transient radiation electronic effects or influence of pulses caused by nuclear explosions;
ガンマ線、中性子線又は重荷電粒子線による影響を防止することができるように設計したもの(人工衛星に搭載するように設計し、又は改造したものを除く。)
(b)equipment that is designed to prevent the effects of gamma rays, neutron beams, or heavy charged particle rays (excluding equipment designed or altered for mounting on artificial satellites);
零下五五度より低い温度で使用することができるように設計したものであって、電子回路を有するもの(人工衛星に搭載するように設計し、又は改造したものを除く。)
(c)equipment that is designed to be usable at temperatures of lower than −55 ºC and has electronic circuits (excluding those designed or altered for mounting on artificial satellites);
一二四度を超える温度で使用することができるように設計したものであって、電子回路を有するもの(人工衛星に搭載するように設計し、又は改造したものを除く。)
(d)equipment that is designed to be usable at temperatures exceeding 124 ºC and has electronic circuits (excluding those designed or altered for mounting on artificial satellites);
伝送通信装置又はその部分品若しくは附属品であって、次のいずれかに該当するもの
(ii)telecommunication transmission equipment, or its components or accessories, which fall under any of the following:
無線送信機又は無線受信機であって、次のいずれかに該当するもの
(a)radio transmitters or radio receivers that fall under any of the following:
(一) 一・五メガヘルツ以上八七・五メガヘルツ以下の周波数範囲で使用することができるものであって、次の1及び2に該当するもの
1. those that can be used within a frequency range from 1.5 megahertz to 87.5 megahertz, which fall under the following i. and ii.:
1 最適送信周波数及び一チャネル当たりの最適総合伝送速度を自動的に予測及び選択することができるもの
i. those that are capable of automatically estimating and selecting the optimum transmission frequency and the optimum general transfer rate per channel;
2 次の一から四までのすべてに該当する線形増幅器を用いたもの
ii. those that use linear amplifiers that fall under all of the following a. through d.:
一 二つ以上の信号を同時に増幅することができるもの
a. those that are capable of amplifying two or more signals simultaneously;
二 一・五メガヘルツ以上三〇メガヘルツ未満の周波数範囲においては一キロワット以上の出力、三〇メガヘルツ以上八七・五メガヘルツ以下の周波数範囲においては二五〇ワット以上の出力特性を有するもの
b. those that have output characteristics of 1 kilowatts or more within a frequency range from 1.5 megahertz to less than than 30 megahertz, and of 250 watts or more within a frequency range from 30 megahertz to 87.5 megahertz;
三 一オクターブ以上の瞬時帯域幅を有するもの
c. those that have an instantaneous bandwidth of 1 octave or more;
四 信号波に対する高調波又は歪成分の比がマイナス八〇デシベル未満のもの
d. those for which the ratio of high frequency or distortion component to signal waves is less than −80 decibels;
(二) スペクトル拡散(周波数ホッピングを含む。)技術を用いたものであって、次のいずれかに該当するもの((三)に該当するもの又は出力が一・〇ワット以下のものを除く。)
2. those that use spread spectrum (including frequency hopping) and fall under any of the following (excluding those falling under 3 or with an output of 1.0 watts or less):
1 使用者によって拡散符号の書換えができるもの
i. those for which spreading codes can be rewritten by the user;
2 送信帯域幅が情報チャネルの帯域幅の一〇〇倍以上であり、かつ、五〇キロヘルツを超えるもの(民生用のセルラー無線通信に使用するように設計したもの又は商用民生通信の固定若しくは移動の衛星通信地球局に使用するように設計したものを除く。)
ii. those that have a transmission bandwidth of 100 times or more of the bandwidth of the information channel and that exceeds 50 kilohertz (excluding those designed to be used for public cellular radio communications, or for fixed or mobile satellite communication earth stations for civilian commercial communications);
(三) ウルトラワイドバンド変調技術を用いたものであって、使用者によってチャンネル符号、スクランブル符号又はネットワーク認識符号の書換えができるもののうち、次のいずれかに該当するもの
3. those which use ultra wideband modulation technology, for which channeling codes, scrambling codes, or network identification codes can be rewritten by the user, and falls under any of the following:
1 帯域幅が五〇〇メガヘルツを超えるもの
i. those with a bandwidth exceeding 500 megahertz;
2 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が二〇パーセント以上のもの
ii. those for which the value obtained by dividing the instantaneous bandwidth by the center frequency is 20% or more;
デジタル信号処理機能を有するものであって、音声帯域圧縮技術を用いたもののうち、符号化速度が七〇〇ビット毎秒未満のもの
(b)those that have a digital signal processing function and use voice band compression technology, whose coding speed is less than 700 bits per second;
水中で使用することができるように設計した通信装置であって、次のいずれかに該当するもの(有線で結ばれていないものに限る。)
(c)communications equipment designed for underwater use that falls under any of the following (limited to those not connected by wire):
(一) 音波(超音波を含む。)を利用したものであって、搬送周波数が二〇キロヘルツ未満又は六〇キロヘルツを超えるもの
1. equipment that utilizes sound waves (including ultrasonic waves) having a carrier frequency of less than 20 kilohertz or that exceeds 60 kilohertz;
(二) 電磁波を利用したものであって、搬送周波数が三〇キロヘルツ未満のもの
2. equipment which utilizes electromagnetic waves and has a carrier frequency of less than 30 kilohertz;
(三) 電子的にビームを走査する機能を有するもの
3. equipment that have a function in which beams are scanned electronically;
(四) レーザー発振器又は発光ダイオードを使用したものであって、これらの出力波長が四〇〇ナノメートル超七〇〇ナノメートル未満であり、かつ、ローカルエリアネットワークにおいて用いられるもの
4. equipment that uses laser oscillators or light-emitting diodes, which has an output wavelength that exceeds 400 nanometers but is 700 nanometers or less, and is used in local area networks;
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(iii)Deleted
通信用の光ファイバーであって、長さが五〇〇メートルを超えるもののうち、引張強さが二ギガニュートン毎平方メートル以上のもの
(iv)communication optical fibers with a length exceeding 500 meters, which have a tensile strength of 2 giganewtons per square meter or more;
電子的に走査が可能なフェーズドアレーアンテナであって、次のイからニまでのいずれかで使用することができるように設計したもの(国際民間航空機関の標準に準拠したマイクロ波着陸システム(MLS)用のもの及びホからトまでのいずれかに該当するもののために特に設計したものを除く。)
(v)phased array antennas that can conduct electronic scanning and designed to be usable for a device referred to in any of the following (a) through (d) (excluding those for microwave landing systems (MLS) which conform to the standards of the International Civil Aviation Organization and those specially designed for a device falling under any of (e) through (g));
周波数が三一・八ギガヘルツ超五七ギガヘルツ以下であって、実効輻射電力(ERP)が二〇ディービーエム(等価等方輻射電力(EIRP)が二二・一五ディービーエム)以上のもの
(a)devices whose frequencies exceed 31.8 gigahertz but are 57 gigahertz or less and whose effective radiated power (ERP) is 20 dBm (equivalent isotropic radiated power (EIRP) is 22.15 dBm) or more;
周波数が五七ギガヘルツ超六六ギガヘルツ以下であって、実効輻射電力(ERP)が二四ディービーエム(等価等方輻射電力(EIRP)が二六・一五ディービーエム)以上のもの
(b)devices whose frequencies exceed 57 gigahertz but are 66 gigahertz or less and whose effective radiated power (ERP) is 24 dBm (equivalent isotropic radiated power (EIRP) is 26.15 dBm) or more;
周波数が六六ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、実効輻射電力(ERP)が二〇ディービーエム(等価等方輻射電力(EIRP)が二二・一五ディービーエム)以上のもの
(c)devices whose frequencies exceed 66 gigahertz but are 90 gigahertz or less and whose effective radiated power (ERP) is 20 dBm (equivalent isotropic radiated power (EIRP) is 22.15 dBm) or more;
周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
(d)devices whose frequencies exceed 90 gigahertz;
民生用のセルラー無線通信又は無線ローカルエリアネットワーク
(e)cellular radio communications or wireless local area networks for civilian use;
IEEE八〇二・一五又は無線化された高精細度マルチメディアインターフェース
(f)IEEE 802.15 or wireless high-definition multimedia interfaces;
商用民生通信の固定又は移動の衛星通信地球局
(g)fixed or mobile satellite communication earth stations for civilian commercial communications;
五の二動作周波数が三〇メガヘルツを超える監視用の方向探知機であって、次のイ及びロに該当するもの又はその部分品
(v)-2direction finder for monitoring with an operating frequency exceeding 30 megahertz, which falls under the following (a) and (b), or its components:
一〇メガヘルツ以上の瞬時帯域幅を有するもの
(a)direction finder that has an instantaneous bandwidth of 10 megahertz or more;
一ミリ秒未満の信号時間で、連携していない無線送信機に対する方位線を見つけることができるもの
(b)direction finder that can find a bearing line to radio transmitters that are not in coordination with a signal duration of less than 1 millisecond;
五の三無線通信傍受装置若しくは通信妨害装置若しくはこれらの作動を監視する装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品
(v)-3radio communication interception equipment or communication jamming equipment, or equipment that monitors their operation, which falls under any of the following, or components of these:
無線通信により送信される音声又はデータを抽出するように設計された無線通信傍受装置
(a)radio communication interception equipment designed to extract voices or data transmitted through radio communications;
無線通信により送信される移動体通信機器又は加入者を特定するために必要な識別情報、制御信号、他のメタデータを抽出するように設計された無線通信傍受装置
(b)radio communication interception equipment designed to extract identification information, control signals, or other metadata needed to identify mobile communication devices or subscribers that are transmitted through radio communications;
移動体通信に意図的かつ選択的に干渉し、若しくはこれを意図的かつ選択的に阻害し、途絶させ、減退させ、若しくは誘引するように設計した通信妨害装置のうち、次のいずれかに該当するもの
(c)communication jamming equipment designed to intentionally and selectively interfere with or intentionally or selectively inhibit, block, reduce, or induce mobile communication, which falls under any of the following:
(一) 無線アクセスネットワークの機能を装うもの
1. equipment that simulates the functions of radio access networks;
(二) 使用されている移動体通信プロトコルを探知し、かつ、これを利用するもの
2. equipment that detects and exploits the mobile communications protocol used;
(三) 使用されている移動体通信プロトコルを利用するもの((二)に該当するものを除く。)
3. equipment that exploits the mobile communications protocol used (excluding one that falls under 2.);
イからハまでのいずれかに該当する装置の作動を監視するために設計された装置
(d)equipment designed to monitor operations of equipment that falls under any of (a) through (c);
五の四電波その他の電磁波を発信することなく、電波その他の電磁波の干渉を観測することにより位置を探知することができる装置であって、非レーダー発信機により周囲に発信された無線周波数放射の反射を測定することにより移動している目標物を探知し、及び追跡するように設計したもの
(v)-4equipment capable of detecting the position of objects by observing the interference of radio waves or other electromagnetic waves without transmitting radio waves or other electromagnetic waves, and which is designed to detect and track moving targets by measuring the reflections of ambient radio frequency emissions transmitted by non-radar transmitters;
五の五インターネットを利用する方法による通信の内容を監視するための装置又はその部分品であって、次のイ及びロに該当するもの(マーケティング活動、ネットワークのサービス品質管理又は利用者の体感品質管理のために設計された装置を除く。)
(v)-5equipment for monitoring communications by a means that involves use of the internet, or its components, which fall under the following (a) and (b) (excluding equipment designed for marketing activities, quality management of network services, or quality management of user experience):
キャリアクラスのIPネットワーク上で次の(一)から(三)までの全ての機能を実現するもの
(a)equipment that realizes all of the functions referred to in the following 1. through 3. on carrier-class IP networks:
(一) アプリケーション層の分析
1. analysis of the application layer;
(二) 選択されたメタデータ及びアプリケーションの内容の抽出
2. extraction of selected metadata and content of applications;
(三) 抽出したデータの指標付け
3. indexing of extracted data;
次の(一)及び(二)を実行するために設計したもの
(b)equipment designed to conduct the following 1. and 2.:
(一) ハードセレクターに基づく検索
1. retrieval based on hard selector;
(二) 特定の個人又は集団の関係の解析
2. analysis of relationship between specific individuals or groups;
第二号イ(二)、第十四条第五号若しくは第五号の二に該当する貨物の設計用の装置、製造用の装置、測定装置若しくは試験装置又はこれらの部分品若しくは附属品
(vi)equipment for designing, manufacturing, measuring, or testing goods that fall under item (ii), (a) 2., Article 14, item (v) or item (v)-2, or its components or accessories;
前号に掲げるもののほか、第一号、第二号、第四号若しくは第五号から第五号の五までのいずれかに該当する貨物の設計用の装置、製造用の装置、測定装置若しくは試験装置(光ファイバーの試験装置及び測定装置を除く。)又はこれらの部分品若しくは附属品
(vii)beyond what is set forth in the preceding item, equipment for designing, manufacturing, measuring, or testing goods (excluding optical fiber testing equipment and measuring equipment) that fall under any of item (i), item (ii), item (iv), or items (v) through (v)-5, or its components or accessories;
削除
(viii)Deleted
八の二次のいずれかに該当する伝送通信装置若しくは電子式交換装置の設計用の装置又はその部分品若しくは附属品(第六号に該当するものを除く。)
(viii)-2equipment for designing telecommunication transmission equipment or electronic changers which falls under any of the following, or its components or accessories (excluding those that fall under item (vi)):
レーザー発振器を用いたものであって、次のいずれかに該当するもの
(a)equipment using laser oscillators that falls under any of the following:
(一) 一、七五〇ナノメートルを超える波長のレーザー光を利用するもの
1. those that use laser light having a wavelength of more than 1,750 nanometers;
(二) 削除
2. Deleted
(三) 削除
3. Deleted
(四) アナログ伝送方式を用いたものであって、帯域幅が二・五ギガヘルツを超えるもの(テレビジョン放送(有線テレビジョン放送を含む。)用の装置を除く。)
4. those that use an analog transmission system with a bandwidth exceeding 2.5 gigahertz (excluding television broadcasting (including cable television broadcasting) equipment);
無線送信機又は無線受信機であって、一、〇二四値を超える直交振幅変調技術を用いたもの
(b)radio transmitters or radio receivers that use quadrature amplitude modulation technology for value that exceeds 1,024;
暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品であって、次のイからホまでのいずれかに該当するもの(第三条第十九号ハ(二)2、本号ヘ、第十一号又は第十条第五号イに該当するものを除く。)
(ix)cryptographic equipment, or components for enabling cryptographic functionality, which falls under any of the following (a) through (e) (excluding those falling under Article 3, item (xix), (c) 2., ii, (f) of this item, item (xi), or Article 10, item (v), (a):
対称アルゴリズムを用いたものであって対称鍵の長さが五六ビットを超えるもの又は非対称アルゴリズム(アルゴリズムの安全性が次の(一)から(六)までのいずれかに該当する困難性に基づくものに限る。以下この号において同じ。)を用いたものであって、データの機密性確保のための暗号機能を有するように設計し、又は改造したもの(当該暗号機能を使用することができるもの(当該暗号機能が有効化されているものを含む。)又は安全な仕組みの暗号機能有効化の手段以外の手段で暗号機能を有効化できるものに限る)のうち、次の(七)から(十)までのいずれかに該当するもの((十一)から(二十)までに該当するものを除く。)
(a)those that use a symmetric algorithm with a symmetric key of over 56 bits in length, or that use an asymmetric algorithm (limited to an asymmetric algorithm for which the security of the algorithm is based on the difficulty falling under any of the following 1. through 6.; hereinafter the same applies in this item) and are designed or altered to have a cryptographic functionality for securing data confidentiality (limited to those capable of using that cryptographic functionality (including those whose cryptographic functionality has been activated) or those capable of activating cryptographic functionality by means other than cryptographic functionality activation with a safe mechanism); which fall under any of the following 7. through 10. (excluding those falling under 11. through 20.):
(一) 五一二ビットを超える整数の素因数分解
1. prime factorization of integers greater than 512 bits;
(二) 有限体上の乗法群における五一二ビットを超える離散対数の計算
2. computation of discrete logarithms in a multiplicative group of a finite field of size greater than 512 bits;
(三) (二)に規定するもの以外の群における一一二ビットを超える離散対数の計算
3. computation of discrete logarithms in a group other than that prescribed in 2. of size greater than 112 bits;
(四) 格子に関連する最短ベクトル又は最近接ベクトル問題
4. a problem of the shortest vector or the closest vector associated with the grid;
(五) 超特異楕円曲線間の同種写像の探索
5. exploration of homogeneous images between supersingular elliptical curves;
(六) ランダムな符号の復号
6. random code decryption;
(七) 情報システムのセキュリティ管理機能を主たる機能として有するもの
7. those which have a security management function for information systems as the main function;
(八) デジタル通信装置、有線若しくは無線回線網による電気通信回線を構築、管理若しくは運用するための装置又はこれらの部分品((七)に該当するものを除く。)
8. digital communication devices or devices for constructing, managing, or operating telecommunication lines using a wired or wireless network, or their components (excluding those falling under 7.);
(九) 電子計算機若しくは情報の記録及び保存若しくは処理を主たる機能として有するもの又はこれらの部分品((七)又は(八)に該当するものを除く。)
9. computers, or devices which have the main function of recording and storing or processing information, or their components (excluding those falling under 7. or 8.):
(十) 次の1及び2に該当するもの((七)から(九)までに該当するものを除く。)
10. those that fall under the following i. and ii. (excluding those falling under 7. through 9.):
1 当該貨物の有する暗号機能が当該貨物の主たる機能以外の機能を支援するために用いられているもの
i. goods whose cryptographic functionality is used to support functions other than the goods' main function; and
2 当該貨物の有する暗号機能が当該貨物に組み込まれたもの(この号から第十二号までのいずれかに該当するものに限る。)又は第二十一条第一項第七号、第七号の二、第八号の二、第八号の三、第九号、第九号の二若しくは第十七号のいずれかに該当するプログラム(公開されているものを除く。)によって実現されているもの
ii. goods whose cryptographic functionality is enabled through an item that has been incorporated into those goods (limited to those falling under any item from this item to item (xii)) or a program falling under any of Article 21, paragraph (1), item (vii), (vii)-2, (viii)-2, (viii)-3, (ix), (ix)-2, or (xvii) (excluding those open to the public);
(十一) 暗号機能を有するスマートカード若しくはそのリーダライタであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品
11. smart cards with cryptographic functionality or reader-writer for them, which fall under any of the following; or their components:
1 スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの
i. those that are smart cards, which fall under any of the following:
一 次のいずれかに該当するものに限定されて使用するものであって、他の用途のためにプログラムの書き換えを行うことができないもの
a. those that are used only in equipment or components falling under any of the following, and whose program cannot be rewritten for other uses:
(七)から(十)までのいずれにも該当しないもの
1 those not falling under any of 7. through 10.;
対称アルゴリズムを用いたものであって対称鍵の長さが五六ビットを超えるもの又は非対称アルゴリズムを用いたものであって、データの機密性確保のための暗号機能を有するように設計したもの以外のもの
2 those other than those that use a symmetric algorithm that have a symmetric key over 56 bits in length, or that use an asymmetric algorithm, which are designed to have cryptographic functionality for securing data confidentiality;
(十二)から(十六)までに該当するもの
3 those falling under 12. through 16.;
二 個人情報(生存する個人に関する情報であって、当該情報に含まれる氏名、生年月日その他の記述等により特定個人を識別することができるもの(他の情報と容易に照合することができ、それにより特定の個人を識別することができることとなるもの(認証及び金銭債権に係るものその他これらに類するものを含む。)を含む。)をいう。(十一)において同じ。)又は団体情報(法人その他の団体の情報であって、認証及び金銭債権に係るものその他これらに類するものを含む。(十一)において同じ。)に係る情報が記録され、又は記録されるように設計したものであって、次のイからハまでの全てに該当するもの
b. smart cards on which data containing personal information (meaning information about a living individual that contains a name, date of birth, or other statements that can be used to identify a specific individual (including information which can be readily cross-checked against other information and then used to identify a specific individual (including information concerning authentication and monetary claims or other similar information)); the same applies in 11.) or organization information (including information about a corporation or other organizations which concerns authentication and monetary claims or other similar information; the same applies in 11.) have been recorded or which are designed to have personal information or organization information recorded on them; and which fall under all of the following 1 through 3:
暗号機能を専ら当該スマートカードに記録された個人情報又は団体情報の保護のためにのみ使用するもの
1 those whose cryptographic functionality is used exclusively for protecting personal information or organization information recorded on the smart card;
専ら公共施設若しくは商業施設において使用し、又は当該スマートカードに記録された個人情報又は団体情報に係る情報の認証のために使用するもの
2 those used exclusively at public facilities or commercial facilities, or for authentication of the personal information data or organization information data recorded on the smart card;
当該スマートカードを使用する者が当該スマートカードの有する暗号機能を変更することができないもの
3 those that do not allow the person using the smart card to change the cryptographic functionality that it has;
2 リーダライタであって、専ら1に該当するスマートカードに記録された個人情報若しくは団体情報に係る情報を読み取り、又は当該スマートカードに個人情報若しくは団体情報に係る情報を記録するように設計し、又は改造したもの(電気通信回線を通じて読み取り、又は記録するものを含む。)
ii. reader-writer exclusively designed or altered to read personal information data or organization information data that has been recorded on smart cards falling under i. or to record personal information data or organization information data on those smart cards (including those which read or record data through a telecommunications line);
(十二) 暗号装置であって、銀行業務若しくは決済(料金の徴収及び精算又は割賦販売法(昭和三十六年法律第百五十九号)第二条第三項に規定する包括信用購入あつせんに係る業務を含む。)に使用するように設計したもの又はその部分品
12. cryptographic equipment designed to be used for banking services or settlement (including services involving the collection and calculation of fees or the intermediation of comprehensive credit purchases as defined in Article 2, paragraph (3) of the Installment Sales Act (Act No. 159 of 1961)) or their components;
(十三) 民生用の携帯用電話機端末(携帯回線網用の電話その他の無線回線網用の電話をいう。(十五)において同じ。)若しくは移動用電話機端末(専ら自動車その他の移動体において使用するように設計したものをいう。(十五)において同じ。)であって、次の1及び2に該当するもの又はこれらの部分品
13. cellular phone terminals (meaning telephones for use with mobile phone networks or other telephones for use with wireless networks; the same applies in 15.) or mobile phone terminals (meaning those exclusively designed to be used in automobiles or other such mobile objects; the same applies in 15.) for civilian use, which fall under the falling i. and ii., or their components:
1 他の電話機端末その他の装置(無線アクセスネットワーク装置を除く。)に暗号化されたデータを直接送信することができないもの
i. those incapable of transmitting encrypted data directly to another telephone terminal or other such device (excluding radio access network equipment);
2 無線ネットワーク制御装置、基地局制御装置その他の無線アクセスネットワーク装置を経由して暗号化されたデータを伝達することができないもの
ii. those incapable of conveying data encrypted through a radio network controller, base station controller, or other radio access network equipment;
(十四) コードレス電話機端末間での暗号化機能を有しないコードレス電話装置であって、コードレス電話機端末と家庭内基地局の間に無線中継器がない場合の一無線区間での電波到達最長実効距離が四〇〇メートル未満のもの又はその部分品
14. cordless telephone equipment which does not have an encryption function between cordless phone terminals, and whose maximum effective radio wave range is less than 400 meters in one radio section if there is no radio repeater between the cordless phone terminal and the home base station, or its components;
(十五) 民生用の携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線機端末であって、公開された又は商業用の暗号標準(無断の複製を防止するためのものであって、公開されていないものを含む。)のみを用いたもののうち、暗号機能が使用者によって変更できず、使用に際して供給者又は販売店の技術支援が不要であるように設計したもので、かつ、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもの(暗号機能を変更していないものに限る。)又はこれらの部分品
15. cellular phone terminals or mobile phone terminals for civilian use or radio terminals equivalent to them, which employ only published or commercial cryptographic standards (including those for preventing unauthorized reproduction and not opened to the public); whose cryptographic functionality cannot be changed by users; which are designed so that it is unnecessary to have technical assistance from suppliers or dealers at the time of use; and whose design has been changed for specific civilian industrial use (limited to those whose cryptographic functionality has not been changed), or their components;
(十六) 無線パーソナルエリアネットワークに用いられる装置であって、公開された若しくは商業用の暗号標準のみを用いたもの又はその部分品
16. equipment that is used for wireless personal area networks and that employs only published or commercial cryptographic standards; or its components;
(十七) 民生用に設計した移動体通信用の無線アクセスネットワーク装置であって、暗号機能が使用者によって変更できず、使用に際して供給者又は販売店の技術支援が不要であるように設計したもののうち、無線周波数の出力が〇・一ワット(二〇ディービーエム)以下で、かつ、同時に接続できるデバイスが十六以下のもの又はその部分品
17. wireless access network devices used for mobile communication and designed for civilian use, whose cryptographic functionality cannot be changed by users, which are designed so that it is unnecessary to have technical assistance from suppliers or dealers at the time of use, whose radio frequency output is 0.1 watts (20 dBm) or less, and which are connectable with sixteen or fewer devices simultaneously; or their components;
(十八) ルーター、スイッチ、ゲートウェイ若しくはリレーであって、情報システムのセキュリティ管理機能が装置の操作、管理若しくは保守に関するものに限定されており、かつ、公開された若しくは商業用の暗号標準のみを用いたもの又はこれらの部分品
18. routers, switches, gateways, or relays in which the security management functions for the information systems are limited to those connected to the operation, management, or maintenance of the devices, and which employ only published or commercial cryptographic standards; or their components;
(十九) 汎用目的の計算機能を有する装置若しくはサーバーであって、情報システムのセキュリティ管理機能が次の1及び2に該当するもの又はこれらの部分品
19. devices or servers which have a generalized computing function and in which the security management functions for the information systems fall under the following i. and ii.; or their components:
1 公開された又は商業用の暗号標準のみを用いたもの
i. those which employ only published or commercial cryptographic standards;
2 次のいずれかに該当するもの
ii. those which fall under any of the following:
一 ヘに該当する中央演算処理装置において実現されているもの
a. those which are actualized in a central processing unit falling under (f);
二 オペレーティングシステム(第二十一条第一項第七号、第七号の二、第八号の二、第八号の三、第九号、第九号の二又は第十七号のいずれかに該当するものを除く。)において実現されているもの
b. those which are actualized in an operating system (excluding those falling under any of Article 21, paragraph (1), item (vii), item (vii)-2, item (viii)-2, item (viii)-3, item (ix), item (ix)-2, or item (xvii)); or
三 装置の操作、管理又は保守に限定されているもの
c. those that are limited to the operation, management, or maintenance of devices;
(二十) ネットワークに接続する民生産業用途のために設計したものであって、次の1及び2に該当するもの又はこれらの部分品
20. those that are designed for civilian industrial use to be connected to a network, which fall under the following i. and ii., or their components:
1 次のいずれかに該当するもの
i. those that fall under any of the following:
一 ネットワークに接続可能な端末であって、次のいずれかに該当するもの
a. terminals that can be connected to a network and fall under any of the following:
情報システムのセキュリティ管理機能が、任意でないデータの秘匿又は操作、管理若しくは保守に限定されているもの
1 those in which the security management functions for the information systems are limited to the concealment, operation, management, or maintenance of data that is not arbitrary data;
ネットワークに接続する特定の民生産業用途に限定されているもの
2 those limited to specific civilian industrial use to be connected to a network;
二 ネットワーク装置であって、次のイ及びロに該当するもの
b. network devices that fall under the following 1 and 2:
一に該当する端末と通信するために設計したもの
1 those designed for communicating with a terminal falling under above a.;
情報システムのセキュリティ管理機能が、一に該当する端末のネットワークに接続する民生産業用途の支援に限定されているもの、又は当該ネットワーク装置若しくは本号イ(二十)に該当する他の貨物の操作、管理若しくは保守に限定されているもの
2 those in which the security management functions for the information systems are limited to support for civilian industrial use to be connected to the network of a terminal falling under above a., or are limited to the operation, management, or maintenance of the relevant network device or other goods falling under (a), 20 of this item;
2 情報システムのセキュリティ管理機能が、公開された又は商業用の暗号標準のみを用いたものであって、当該貨物の有する暗号機能が当該貨物を使用する者によって変更できないもの
ii. those in which the security management functions for the information systems use only published or commercial cryptographic standards, and whose cryptographic functionality cannot be changed by the person using the goods;
暗号機能有効化の手段を用いることによってのみ、ある貨物又はあるプログラムの暗号機能を有効化するものであって、次のいずれかに該当するもの
(b)those that activate the cryptographic functionality of certain goods or programs only by using a means of cryptographic functionality activation, and which fall under any of the following:
(一) ある貨物(本号から第十二号までに該当しないものに限る。)を本号イに該当するもの(本号ヘに該当しないものに限る。)に変換し、又はあるプログラム(第二十一条第一項第七号、第七号の二、第八号の二、第八号の三、第九号、第九号の二又は第十七号に該当しないものに限る。)を第二十一条第一項第九号(第八条第九号イ又はハからホまでに係るものに限る。)に該当するものに変換するように設計し、若しくは改造したもの
1. those designed or altered to convert certain goods (limited to those that do not fall under this item through item (xii)) into goods falling under (a) of this item (limited to those that do not fall under (f) of this item), or to convert certain programs (limited to those that do not fall under Article 21, paragraph (1), item (vii), (vii)-2, (viii)-2, (viii)-3, (ix), (ix)-2, or (xvii)) into programs falling under Article 21, paragraph (1), item (ix) (limited to those relating to Article 8, item (ix), (a), or (c) through (e));
(二) 本号から第十二号までのいずれかに該当するもの又は第二十一条第一項第七号、第七号の二、第八号の二、第八号の三、第九号若しくは第九号の二に該当するプログラムに本号イに該当する貨物の有する機能と同等の機能を追加することができるように設計し、若しくは改造したもの
2. those designed or altered to be capable of adding a function equivalent to the function of the goods falling under (a) of this item to those falling under any of this item through item (xii) or to the programs falling under Article 21, paragraph (1), item (vii), item (vii)-2, item (viii)-2, item (viii)-3, item (ix), or item (ix)-2,;
量子暗号を用いるように設計し、又は改造したもの
(c)those that are designed or altered to use quantum cryptography;
次のいずれかに該当するウルトラワイドバンド変調技術のためのチャンネル符号、スクランブル符号又はネットワーク認識符号の生成に暗号処理技術を用いるように設計し、又は改造したもの
(d)those that are designed or altered to use cryptographic processing technology to generate channelizing codes, scrambling codes, or network identification codes for ultra-wideband modulation technology, which fall under any of the following:
(一) 帯域幅が五〇〇メガヘルツを超えるもの
1. those whose bandwidth exceeds 500 megahertz; or
(二) 瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が二〇パーセント以上のもの
2. those for which the value arrived at when the instantaneous bandwidth is divided by the center frequency is 20% or more;
スペクトル拡散のための拡散符号の生成(周波数ホッピングのためのホッピング符号の生成を含む。)に暗号処理技術を用いるように設計し、又は改造したもの(ニに該当するものを除く。)
(e)those that are designed or altered to use cryptographic processing technology to generate the spreading code for spread spectrum (including generation of the hopping code for frequency hopping) (excluding those that fall under (d));
次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(該当することが貨物の製造者、販売者又は輸出者によって書面により確認できるものに限る。)
(f)those that fall under either of the following 1. or 2. (limited to those for which the fact that they fall under either of 1. or 2. can be confirmed in writing by the manufacturer, seller or, exporter of the goods):
(一) 次の1から3までの全てに該当するもの
1. those that fall under all of the following i. through iii.:
1 購入に際して何らの制限を受けず、店頭において又は郵便、民間事業者による信書の送達に関する法律(平成十四年法律第九十九号)第二条第六項に規定する一般信書便事業者若しくは同条第九項に規定する特定信書便事業者による同条第二項に規定する信書便若しくは公衆電気通信回線に接続した入出力装置(電話を含む。)による注文により、販売店の在庫から販売されるもの
i. those that can be purchased without any restrictions and are sold in stores, or from the stock of stores by placing orders by mail, by correspondence delivery prescribed in Article 2, paragraph (2) of the Act on Correspondence Delivery by Private Business Operators (Act No. 99 of 2002) by a general correspondence delivery operator prescribed in paragraph (6) of that Article or a specified correspondence delivery operator prescribed in paragraph (9) of that Article, or through input-output equipment connected to public telecommunication lines (including telephones);
2 当該貨物の有する暗号機能を当該貨物を使用する者によって変更できないもの
ii. those whose cryptographic functionality cannot be changed by the person using the goods;
3 当該貨物の有する暗号機能の使用に際して当該貨物の供給者又は販売店による技術支援の必要がないもの
iii. those whose cryptographic functionality can be used without technical support by the supplier or distributor of the goods;
(二) (一)に該当する貨物のために設計された部分品であって、次の1から3までの全てに該当するもの
2. components that are designed for goods falling under 1., and fall under all of the following i through iii:
1 情報システムのセキュリティ管理機能が当該部分品の主たる機能ではないもの
i. those in which the security management functions for the information systems do not constitute the main function of the component; or
2 (一)に該当する貨物の有する暗号機能を変更できず、かつ、当該貨物に新しい暗号機能を追加できないもの
ii. those that do not allow the cryptographic functionality of goods falling under 1. to be changed, and do not allow any new cryptographic functionality to be added to those goods;
3 当該部分品の機能が固定されており、特定の使用者のために設計し、又は改造していないもの
iii. components whose functions are fixed and are not designed or altered for specific users;
暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品以外の情報システムのセキュリティ管理機能を実現する装置又は部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(x)equipment or components for actualizing security management functions for information systems other than cryptographic equipment or components for realizing a cryptographic functionality, which fall under any of the following:
盗聴の検知機能を有する通信ケーブルシステム又はその部分品(盗聴の検知機能を実現するために設計し、又は改造した部分品に限る。)
(a)communication cable systems that have eavesdropping detection function, or their components (limited to components designed or altered to actualize eavesdropping detection function); or
情報を伝達する信号の漏えいを防止するように設計し、若しくは改造した装置(電磁波の放射による人体への危害若しくは他の装置の誤動作の誘発を防止することを目的として信号の漏えいを防止するように設計し、若しくは改造したもの又は電磁波妨害防止標準に基づいて信号の漏えいを防止するように設計し、若しくは改造したものを除く。)又はその部分品(情報を伝達する信号の漏えいを防止する機能を実現するために設計し、又は改造した部分品に限る。)
(b)equipment designed or altered to prevent leakage of signals that trasmit information (excluding equipment designed or altered to prevent leakage of signals for the purpose of preventing harm to the human body or malfunctions of other equipment due to radiation of electromagnetic waves, or equipment designed or altered to prevent leakage of signals in conformity with electromagnetic wave interference prevention standards), or its components (limited to components designed or altered to realize functions to prevent leakage of signals that transmit information);
十一暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品のうち、情報システムのセキュリティ管理機能を無効化し、機能を低下させ又は迂回させるものであって、次のいずれかに該当するもの
(xi)cryptographic equipment or components intended to actualize cryptographic functionality, which are for deactivating, degrading, or circumventing the security management function for information systems, which fall under any of the following:
暗号解析を行うように設計し、又は改造したもの(リバースエンジニアリングの方法により暗号解析機能を実行するように設計し、又は改造したものを含む。)
(a)those designed or altered to perform cryptanalysis (including those designed or altered to perform cryptanalysis functions by means of reverse engineering);
電子計算機の端末又は通信端末から生データを抽出するもの(イ又は第七条第五号に該当するものを除く。)であって、その機能実現のために電子計算機の端末又は通信端末の認証又は承認制御を迂回することができるように設計したもの(電子計算機の端末又は通信端末の設計又は製造のために特に設計したシステム又は装置、若しくは次の(一)から(四)に掲げるものを除く。)
(b)those that extract raw data from computer terminals or communication terminals (excluding items that fall under (a) or Article 7, item (v)) that are designed to bypass the authentication or authorization control of computer terminals or communication terminals in order for the terminals to function (excluding systems or devices specially designed for designing or manufacturing computer terminals or communication terminals, or those that are listed in the following (1) through (4)):
(一)デバッカー、ハイパーバイザー
1. debuggers and hypervisors;
(二)論理データ抽出に限定されたもの
2. those that have been restricted to logical data extraction;
(三)チップオフやJTAGを使用してデータ抽出するもの
3. those that extract data using chip-off or JTAG; and
(四)ジェイルブレーキング又はルート化用に特別に設計されたもの
4. those specially designed for jailbreaking or rooting.
十二第九号から前号までのいずれかに該当する貨物若しくは本号に該当する測定装置の設計用の装置若しくは製造用の装置又は第九号から前号までのいずれかに該当する貨物が有する情報システムのセキュリティ管理機能(第二十一条第一項第七号、第七号の二、第八号の二、第八号の三、第九号又は第九号の二のいずれかのプログラムが有する機能を含む。)を評価し、若しくは検証するための測定装置
(xii)equipment for designing or manufacturing goods that fall under any item from item (ix) to the preceding item, measuring equipment that fall under this item, or measuring equipment for evaluating or verifying the security management function for information systems which the goods falling under any item from item (ix) to the preceding item have (including the function which any program referred to in Article 21, paragraph (1), item (vii), item (vii)-2, item (viii)-2, item (viii)-3, item (ix), or item (ix)-2 has).
第十二条輸出令別表第一の一〇の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
Article 9The goods with specifications prescribed by Order of the Ministry of Economy, Trade and Industry that are referred to in row 10 of Appended Table 1 of the Export Order are goods falling under any of the following:
音波(超音波を含む。以下この条において同じ。)を利用した水中探知装置、船舶用の位置決定装置又はこれらの部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(i)underwater detection device or positioning devices for vessels using sound waves (including ultrasonic waves; hereinafter the same applies in this Article), or their components, which fall under any of the following:
送信機能を有するもの又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの(垂直方向にのみ使用することができるものであって、プラスマイナス二〇度を超える走査機能を有していないもののうち、水深の測定、水中にある物体若しくは水底に埋もれた物体までの距離の測定又は魚群探知のみを行うもの及び音響用のビーコンであって、緊急用のもの又は水中の任意の位置に設置することができるように設計したピンガーを除く。)
(a)those having a transmission function, or their components, which fall under any of the following (excluding those used solely for ocean depth measurement, for measuring underwater objects or the distance to objects buried under water or for finding schools of fish, as well as acoustic beacons for emergencies, and pingers designed to be installed at any position under water, among those used solely in vertical direction and that do not have a scanning function exceeding plus or minus 20 degrees):
(一) 音波を利用した海底測深機であって、次のいずれかに該当するもの
1. hydrographic survey equipment using sound waves, which fall under any of the following:
1 海底の地形図を作成するための船舶用測深機であって、次の一から四までの全てに該当するもの
i. hydrographic survey equipment for vessels intended for creating a bathymetric chart, which fall under all of the following a. through d.:
一 垂直方向から二〇度を超える角度での測定ができるように設計したもの
a. equipment designed for performing measurement at an angle that exceeds 20 degrees from the vertical direction;
二 水面下六〇〇メートルを超える海底の地形を測定することができるように設計したもの
b. equipment designed to enable measuring submarine topography at depths exceeding 600 meters below water surface;
三 走査を行うときの分解能が二未満のもの
c. equipment with a resolution at the time of scanning of less than 2;
四 次のイからハまでに掲げる全てについて自動的に補正を行い、測深の精度を向上させるもの
d. equipment that automatically adjusts all of the following 1 through 3 and improves precision of depth measurements:
センサーの動作
1 the operation of the sensor;
走査に用いる音波の状態
2 the state of the sound waves used in scanning;
センサーが感知する音波の速度
3 the speed of sound waves perceived by the sensor;
2 海底の地形図を作成するための水中測深機であって、次のいずれかに該当するもの
ii. hydrographic survey equipment intended for creating a bathymetric chart, which fall under any of the following:
一 三〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したものであって、走査効率が三、八〇〇メートル毎秒を超えるもの
a. those designed or altered to operate at depths exceeding 300 meters whose scanning efficiency exceeds 3,800 meters per second;
二 次のイからニまでの全てに該当するもの(一に該当するものを除く。)
b. those which fall under all of the following 1 through 4 (excluding those which fall under a.):
一〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したもの
1 those designed or altered to operate at depths exceeding 100 meters;
垂直方向から二〇度を超える角度での測定ができるように設計したもの
2 those designed to enable measurement at angles which exceed 20 degrees from the vertical direction;
動作周波数が三五〇キロヘルツ未満のもの又はセンサーから二〇〇メートルを超える海底の地形を測定することができるように設計したもの
3 those with an operating frequency of less than 350 kilohertz, or those designed to enable measuring submarine topography of more than 200 meters away from the sensor;
次の(一)から(三)までの全てについて自動的に補正を行い、測深の精度を向上させるもの
4 those which automatically adjust all of the following [i] through [iii] and improve the precision of depth measurements:
(一) センサーの動作
[i] the action of the sensor;
(二) 走査に用いる音波の状態
[ii] the state of the sound waves used in scanning;
(三) センサーが感知する音波の速度
[iii] the speed of the sound waves perceived by the sensor;
3 海底の画像を作成するために設計したサイドスキャンソナー又は合成開口ソナーであって、次の一から三までの全てに該当するもの又はこれらの装置に使用するように設計した送受信音響アレー
iii. side scan sonars or synthetic aperture sonars that are designed to create an image of the sea bed and that fall under all of the following a. through c., or acoustic transmitting-receiving arrays designed to be used for those devices:
一 五〇〇メートルを超える水深で作動するように設計又は改造したもの
a. those designed or altered to operate at depths exceeding 500 meters;
二 進行方向の分解能が一五センチメートル未満の状態で作動することができる最大レンジで作動しているときの走査範囲が一秒あたり五七〇平方メートルを超えるもの
b. those whose scanning field exceeds 570 m² per second when operating at the maximum range in which they can be operated when the resolution in the traveling direction is less than 15 centimeters;
三 進行方向に直交する方向の分解能が一五センチメートル未満のもの
c. those with a resolution in the direction perpendicular to the traveling direction of less than 15 centimeters;
(二) 水中探知装置であって、次のいずれかに該当するもの
2. underwater detection device which falls under any of the following:
1 送信周波数が五キロヘルツ未満のもの又は動作周波数が五キロヘルツ以上一〇キロヘルツ未満であって、音圧レベル(音源から一メートルの距離で音圧が一マイクロパスカルである場合を〇デシベルとしたときのものをいう。以下同じ。)が二二四デシベルを超えるもの
i. device in which the transmission frequency is less than 5 kilohertz or in which the operating frequency is 5 kilohertz or more but less than 10 kilohertz, and whose sound pressure level (level of 0 decibels when the sound pressure is 1 micropascal at a distance of 1 meter from the sound source; the same applies hereinafter) exceeds 224 decibels;
2 動作周波数が一〇キロヘルツ以上二四キロヘルツ以下であって、音圧レベルが二二四デシベルを超えるもの
ii. device with an operating frequency of 10 kilohertz or more but 24 kilohertz or less and with a sound pressure level that exceeds 224 decibels;
3 動作周波数が二四キロヘルツ超三〇キロヘルツ未満であって、音圧レベルが二三五デシベルを超えるもの
iii. device with an operating frequency that exceeds 24 kilohertz but is less than 30 kilohertz and with a sound pressure level that exceeds 235 decibels;
4 動作周波数が一〇〇キロヘルツ未満であって、ビーム幅が一度未満の音響ビームを成形することができるもの
iv. device with an operating frequency that is less than 100 kilohertz and which is capable of forming an acoustic beam whose width is less than 1 degree;
5 一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
v. device that is designed for use at depths exceeding 1,000 meters, which falls under any of the following:
一 水圧を補正することができる送受波器を有するもの
a. device that has a transducer which is capable of correcting water pressure;
二 チタン酸ジルコン酸鉛からなる送受信用素子以外の送受信用素子を組み込んだ送受波器を有するもの
b. device that has a transducer with built-in transmitting and receiving elements other than transmitting and receiving elements made of lead zirconate titanate;
6 計測距離が五、一二〇メートルを超えるように設計したもの
vi. device designed to measure a distance that exceeds 5,120 meters;
(三) 水中探知装置であって、送信周波数が一〇キロヘルツ未満のもの((二)に該当するものを除く。)
3. underwater detection device with a transmission frequency of less than 10 kilohertz (excluding those falling under above 2.);
(四) 音響送波器(送受波器を含む。)であって、個々に動作する圧電性物質からなる素子又は磁歪性、電歪性、電気力若しくは液圧力を有する素子を組み込んだもののうち、次のいずれかに該当するもの(音波の発生装置であって、電子式のもの(垂直方向にのみ使用することができるものに限る。)又は機械式若しくは化学式のものを除く。)
4. acoustic transmitters (including transducers) that incorporate elements composed of individually moving piezoelectric substances or elements having magnetostriction, electrostriction, electric force, or liquid pressure, which fall under any of the following (excluding sound wave generators that are electronic (limited to those usable only in the vertical direction), mechanical, or chemical):
1 一〇キロヘルツ未満の周波数で使用することができるものであって、次のいずれかに該当するもの
i. those capable of being used at frequencies of less than 10 kilohertz, which fall under any of the following:
一 デューティサイクルが一〇〇パーセントの状態で連続運転するように設計されていないものであって、自由音場における送波器の実効音響中心から基準距離にある主軸上の音圧レベルが次に掲げる式により算定した値を超えるもの
a. those not designed to be continuously operated with a duty cycle of 100 percent, whose sound pressure level of the principal axis is at a reference distance from the effective acoustic center of the transmitters in a free sound field exceeds the value calculated using the following formula:
10log(ヘルツで表した一〇キロヘルツ未満の送波電圧感度が最大となる周波数)+169.77デシベル
10log (frequency for which the wave transmission voltage sensitivity expressed in hertz of less than 10 kilohertz is maximized) + 169.77 decibels; or
二 デューティサイクルが一〇〇パーセントの状態で連続運転するように設計されたものであって、連続する自由音場における送波器の実効音響中心から基準距離にある主軸上の音圧レベルが次に掲げる式により算定した値を超えるもの
b. those designed to be continuously operated with a duty cycle of 100 percent, whose sound pressure level of the principal axis at a reference distance from the effective acoustic center of the transmitters in a continuous free sound field exceeds the value calculated using the following formula:
10log(ヘルツで表した一〇キロヘルツ未満の送波電圧感度が最大となる周波数)+159.77デシベル
10log (frequency whose wave transmission voltage sensitivity expressed in hertz of less than 10 kilohertz is maximized) + 159.77 decibels;
2 削除
ii. Deleted
3 サイドローブに対するメインローブの出力比が二二デシベルを超えるもの
iii. those in which power ratio of the main lobe to the side lobe exceeds 22 decibels;
(五) 船舶用の位置決定装置であって、次の1及び2に該当するもの又はその部分品
5. positioning device for vessels which falls under the following i. and ii., or its components:
1 船舶の位置を決定するために受信する信号を発信する装置(2において「応答機」という。)を探知することができる距離が一、〇〇〇メートルを超えるもの
i. those capable of detecting equipment transmitting signals to be received to determine the position of vessels (referred to as a "transponder" in ii.), at a distance exceeding 1,000 meters;
2 応答機から一、〇〇〇メートル以内の距離において計測し、決定した位置の誤差の二乗平均平方根が一〇メートル未満のもの
ii. those whose root mean square of the position error of the position measured at a distance of 1,000 meters or less from a transponder and the position determined is less than 10 meters;
(六) 水中において活動する人の位置を自動的に探知するために設計したソナーであって、次の1から3までの全てに該当するもののうち、音響アレーの送受信のために設計されたもの
6. sonars designed to automatically detect the position of the person who conduct activities in water and fall under all of the following i. through iii., which are designed for transmitting and receiving acoustic arrays:
1 対象を探知することができる距離が五三〇メートルを超えるもの
i. those capable of detecting the target object at a distance exceeding 530 meters;
2 当該装置から五三〇メートル以内の距離にいる人を探知した場合の位置の誤差の二乗平均平方根が一五メートル未満のもの
ii. those whose root mean square of the position error when a person who is at a distance of 530 meters or less from the sonar is detected is less than 15 meters;
3 送信パルスの帯域幅が三キロヘルツを超えるもの
iii. those whose bandwidth of transmitted pulse exceeds 3 kilohertz;
受信機能を有するもの又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(b)those with a receiving function, or its components, which falls under any of the following:
(一) ハイドロホンであって、加速度による影響を補正する機能を有していないもののうち、その音圧感度(一ボルト毎マイクロパスカルである場合を〇デシベルとしたときのものをいう。)がマイナス一八〇デシベルを超えるもの(水上船舶に取り付けるように設計された魚群探知機を除く。)
1. hydrophones that do not have a function for correcting the effects of acceleration, but have an acoustic compression sensitivity (0 decibels when it is 1 volt per micropascal), which exceeds −180 decibels (excluding fish finders designed to be installed in surface ships);
(二) えい航ハイドロホンアレー用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関(スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。)を行うことができるもの(実時間処理できるものを除く。)
2. signal processing equipment that are designed for towed hydrophone arrays, whose programs can be rewritten by the user, which can carry out processing or correlation of the time domain or frequency domain (including spectrum analysis, digital filtering, or beam formation) (excluding those that can carry out real-time processing);
(三) えい航ハイドロホンアレー用に設計したヘディングセンサーであって、精度の絶対値が〇・五度未満のもののうち、三五メートルを超える水深で使用することができるように設計したもの又は三五メートルを超える水深で使用することができるように調整若しくは取り外しをすることができる水深測定装置を有するもの
3. heading sensors designed to be used for towed hydrophone arrays which have an absolute precision value of less than 0.5 degrees, which are designed for use at depths exceeding 35 meters or have a depth sounding device which can be adjusted or removed so that the heading sensor can be used at depths exceeding 35 meters;
(四) 海底用又は港湾ケーブル用のハイドロホンアレーであって、(六)の水中音波センサーを組み込んだもの
4. hydrophone arrays for submarine or harbor cable with underwater acoustic wave sensors referred to in 6. built in;
(五) 海底用又は港湾用ケーブルシステム用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関(スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。)を行うことができるもの(実時間処理できるものを除く。)
5. signal processing equipment that is designed for submarine or harbor cable systems, whose programs can be rewritten by the user, and that carry out processing or correlation of the time domain or the frequency domain (spectrum analysis, digital filtering, or beam formation), (excluding those that can carry out real-time processing);
(六) 加速度計を有する水中音波センサーであって、次の全てに該当するもの(粒子速度センサー又は地中聴音器を除く。)
6. underwater acoustic wave sensors with accelerometers, which fall under all of the following (excluding grain velocity sensors or geophones):
1 三軸の加速度計により構成されるもの
i. those composed of three-axis accelerometers;
2 総加速度感度が四八デシベルを超えるもの
ii. those with a total acceleration sensitivity exceeding 48 decibels;
3 三五メートルを超える水深で動作するように設計されたもの
iii. those designed to operate at depths exceeding 35 meters;
4 操作周波数が二〇キロヘルツ未満のもの
iv. those with an operating frequency of less than 20 kilohertz;
船舶用の対地速力の測定装置(音波を利用したものに限る。)であって、次のイ又はロのいずれかに該当するもの(水上船に取り付けるように特に設計したもの又は次のハに掲げるものを除く。)
(ii)equipment for measuring speed over the ground for ships (limited to those using acoustic waves), which fall under any of the following (a) or (b) (excluding those specially designed to be installed in surface ships, or those set forth in the following (c)):
相関速度ログを用いたものであって、次のいずれかに該当するもの
(a)those using a correlation velocity log, which fall under any of the following:
(一) 水底から五〇〇メートルを超える位置で測定を行うことができるように設計したもの
1. those designed so that measurements can be carried out at a position exceeding 500 meters from the bottom of the water;
(二) 速力の精度が速力の一パーセント未満のもの
2. those with a speed accuracy less than 1% of speed;
ドップラー速度ログを用いたものであって、速力の精度が速力の一パーセント未満のもの
(b)those using a Doppler velocity log, with a speed accuracy of less than 1% of speed;
音響測深器であって、水深の測定、水底若しくは水中に存在する物体までの距離の測定又は魚群探知以外の用に供することができないもの
(c)echo sounding devices which cannot be used other than for ocean depth measurement, for measuring the distance to objects buried under water or those in the water, or for finding schools of fish;
光検出器又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
(iii)optical detectors, or their components, which fall under any of the following:
宇宙用に設計した固体の光検出器であって、次のいずれかに該当するもの
(a)solid optical detectors designed for use in space, which fall under any of the following:
(一) 一〇ナノメートル超三〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有し、かつ、四〇〇ナノメートルを超える波長における感度が最大感度の〇・一パーセント未満のもの
1. those having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 10 nanometers but is 300 nanometers or less, and the sensitivity at wavelengths exceeding 400 nanometers is less than 0.1% of the maximum sensitivity;
(二) 九〇〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有し、かつ、応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
2. those having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 900 nanometers but is 1,200 nanometers or less, and with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
(三) フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二、〇四八を超え、かつ、三〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
3. focal plane arrays with the number of elements exceeding 2,048, and a maximum sensitivity within the wavelength range exceeding 300 nanometers and 900 nanometers or less;
イメージ増強管であって、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(イメージングを行わない光電子増倍管であって、真空中に、単一の金属陽極又は金属陽極であって隣接する二の陽極の中心間の距離が五〇〇マイクロメートルを超えるもののみからなる電子検出素子を有するものを除く。)
(b)image reinforcing tubes which fall under any of the following 1. and 2. (excluding non-imaging photomultiplier tubes having in the vacuum space an electron detection device consisting solely of a single metal anode or metal anodes in which the distance between the centers of two adjoining anodes exceeds 500 micrometers):
(一) イメージ増強管であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. imaging reinforcing tubes that fall under all of the following i through iii:
1 四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. those having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is 1,050 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. those having electron image multiplication function, which use any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. micro-channel plates in which the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. electron detection devices are specially designed or altered to achieve charge multiplication other than by a microchannel plate, for which the distance between the center of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 次のいずれかに該当する光電陰極を有するもの
iii. those that have a photocathode that falls under any of the following:
一 主材料にマルチアルカリを用いたものであって、ルーメン感度が七〇〇マイクロアンペア毎ルーメンを超えるもの
a. photocathode which uses multi-alkali as the main material and has a luminous sensitivity that exceeds 700 microamperes per lumen;
二 主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いたもの
b. photocathode which uses gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material;
三 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いたものであって最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
c. photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material, with a maximum radiation sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
(二) イメージ増強管であって、次の1から3のすべてに該当するもの
2. image reinforcing tubes that fall under all of the following i. through iii.:
1 一、〇五〇ナノメートル超一、八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. those having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,050 nanometers but is 1,800 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. those having electron image multiplication function, which use any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. micro-channel plates in which the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. electron detection devices which are specially designed or altered to achieve charge multiplication other than by a micro-channel plate, for which the distance between the centers of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを含む。)を用いた光電陰極又は遷移電子光電陰極であって、最大放射感度が一五ミリアンペア毎ワットを超えるものを有するもの
iii. photocathodes or transferred electron photocathodes using a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material and having a maximum radiation sensitivity exceeding 15 milliamperes per watt;
イメージ増強管又はその部分品であって、次の(一)又は(二)のいずれかに該当するもの(イメージングを行わない光電子増倍管であって、真空中に、単一の金属陽極又は金属陽極であって隣接する二の陽極の中心間の距離が五〇〇マイクロメートルを超えるもののみからなる電子検出素子を有するものを除く。)
(c)image reinforcing tubes, or their components, which fall under any of the following 1. and 2. (excluding non-imaging photomultiplier tubes that have an electron detection device consisting solely of a single metal anode or metal anodes in which the distance between the centers of two adjoining anodes exceeds 500 micrometers, in vacuum):
(一) イメージ増強管であって、次の1から3までのすべてに該当するもの
1. image reinforcing tubes which fall under all of the following i. through iii.:
1 四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
i. those having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is 1,050 nanometers or less;
2 電子イメージの増倍機能を有するものであって、次のいずれかを用いたもの
ii. those having electron image multiplication function, which use any of the following:
一 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
a. micro-channel plates in which the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
二 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
b. electron detection devices which are specially designed or altered to achieve charge multiplication other than by a micro-channel plate, for which the distance between the centers of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にマルチアルカリを用いた光電陰極を有するものであって、当該光電陰極のルーメン感度が三五〇マイクロアンペア毎ルーメン超七〇〇マイクロアンペア毎ルーメン以下のもの
iii. those that have a photocathode which uses multi-alkali as the main material and the luminous sensitivity of the photocathode exceeds 350 microamperes per lumen and 700 microamperes per lumen or less;
(二) イメージ増強管の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
2. components of image reinforcing tubes which fall under any of the following:
1 マイクロチャンネルプレートであって、隣接する二のチャンネルの中心間の距離が一二マイクロメートル以下のもの
i. micro channel plates for which the distance between the centers of two adjoining channels is 12 micrometers or less;
2 電子検出素子であって、マイクロチャンネルプレート以外の方法で電荷増倍を行うように特に設計又は改造したもののうち、隣接する二の画素の中心間の距離が五〇〇マイクロメートル以下のもの
ii. electron detection devices which are specially designed or altered to achieve charge multiplication other than by a micro-channel plate, for which the distance between the centers of two adjoining pixels is 500 micrometers or less;
3 主材料にIII―V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを含む。)を用いた光電陰極(四〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有する光電陰極であって最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のもの又は一、〇五〇ナノメートル超一、八〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有する光電陰極であって最大放射感度が一五ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。)又は遷移電子光電陰極
iii. photocathodes using a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding photocathodes having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is 1,050 nanometers or less with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less, or photocathodes having a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,050 nanometers but is 1,800 nanometers or less with a maximum radiant sensitivity of 15 milliamperes per watt or less) or transferred electron photocathodes;
宇宙用に設計していないフォーカルプレーンアレーであって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(e)focal plane arrays not designed for use in space, which fall under the following 1. and 2.:
(一) 次のいずれかに該当するもの
1. those that fall under any of the following:
1 熱型でないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもの
i. focal plane arrays that are not thermal focal plane arrays, which fall under any of the following:
一 要素素子が九〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
a. those in which the factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 900 nanometers but is 1,050 nanometers or less, which fall under any of the following:
応答時定数が〇・五ナノ秒未満のもの
1 those with a response time constant of less than 0.5 nanoseconds;
電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
2 those specially designed or altered to achieve charge multiplication, which have a maximum radiaion sensitivity that exceeds 10 milliamperes per watt;
二 要素素子が一、〇五〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
b. those in which the factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,050 nanometers but is 1,200 nanometers or less, and which fall under any of the following:
応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
1 those with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
2 those specially designed or altered to achieve charge multiplication, which have a maximum radiation sensitivity that exceeds 10 milliamperes per watt;
三 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
c. those in which the factor elements are arrayed two-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,200 nanometers but is 30,000 nanometers or less;
四 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次のいずれかに該当するもの(ゲルマニウムのみを用いた要素素子を有するものであって、要素素子の数が三二以下のものを除く。)
d. those in which the factor elements are arrayed one-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,200 nanometers but is 3,000 nanometers or less, which fall under any of the following (excluding those having factor elements that only use germanium, which has 32 or less factor elements):
要素素子の配列方向を基準とする要素素子の縦横比が三・八未満のもの
1 focal plane arrays in which the aspect ratio of the factor elements that have the array direction of the factor elements as a standard is less than 3.8;
同一要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するもの
2 those that have a time delay and integrating function inside the same factor element;
五 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が三、〇〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
e. those in which factor elements are arrayed one-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 2,500 nanometers but is 30,000 nanometers or less;
六 要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のイ及びロに該当するもの
f. those in which factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range that exceedsg 400 nanometers but is 900 nanometers or less, which fall under the following 1 and 2:
電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、七六〇ナノメートルを超える波長における最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
1 those specially designed or altered to achieve charge multiplication, which have a maximum radiation sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt at wavelengths exceeding 760 nanometers;
要素素子の数が三二を超えるもの
2 those with the number of factor elements exceeding 32;
2 要素素子を二次元に配列した赤外線熱型フォーカルプレーンアレーであって、それぞれの要素素子がフィルターのない状態において八、〇〇〇ナノメートル以上一四、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で感度を有するもの
ii. infrared thermal focal plane arrays in which the factor elements are arrayed two-dimensionally and each factor element has a sensitivity within a wavelength range of 8,000 nanometers or more but 14,000 nanometers or less in an unfiltered state;
(二) 次のいずれかに該当するもの
2. those which fall under any of the following:
1 白金シリコンを用いたものであって、要素素子の数が一〇、〇〇〇未満のもの
i. those that use platinum silicon, which has less than 10,000 factor elements;
2 イリジウムシリコンを用いたもの
ii. those that use iridium silicon;
3 アンチモン化インジウム又はセレン化鉛を用いたものであって、要素素子の数が二五六未満のもの
iii. those that use indium antimonide or lead selenide, which has less than 256 factor elements;
4 砒化インジウムを用いたもの
iv. those that use indium arsenide;
5 硫化鉛を用いたもの
v. those that use lead sulfide;
6 砒化インジウムガリウムを用いたもの
vi. those that use indium gallium arsenide;
7 テルル化水銀カドミウムを用いたスキャニングアレーであって、次のいずれかに該当するもの
vii. scanning arrays that use mercury cadmium telluride, which fall under any of the following:
一 同一検出要素素子内に時間遅延及び積分機能を有していないものであって、要素素子の数が三〇以下のもの
a. those that do not have a time delay and integrating function inside the same detecting factor element, which have 30 or less factor elements;
二 同一検出要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するものであって、要素素子の数が二以下のもの
b. those that have a time delay and integrating function inside the same detecting factor element, which have 2 or less factor elements;
8 テルル化水銀カドミウムを用いたステアリングアレーであって、要素素子の数が二五六未満のもの
viii. steering arrays which use mercury cadmium telluride and have less than 256 factor elements;
9 砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、要素素子の数が二五六未満のもの
ix. quantum well focal plane arrays that use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide, which have less than 256 factor elements;
10 熱型フォーカルプレーンアレーであって、要素素子の数が八、〇〇〇未満のもの
x. thermal focal plane arrays that have less than 8,000 factor elements;
11 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、要素素子の数が四、〇九六以下のもの
xi. focal plane arrays in which the factor elements are arrayed one-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is 900 nanometers or less, which have 4,096 or less factor elements;
12 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が四〇〇ナノメートル超九〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、一方向の最大の要素素子の数が四、〇九六以下であり、かつ、すべての要素素子の数が二五〇、〇〇〇以下のもの
xii. focal plane arrays in which factor elements are arrayed two-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 400 nanometers but is 900 nanometers or less, whose maximum number of unidirectional factor elements is 4,096 or less and the number of all of the factor elements is 250,000 or less;
宇宙用に設計していないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもののうち、ニに該当するもの以外のもの
(e)focal plane arrays not designed for use in space which fall under any of the following, other than those falling under (d):
(一) 熱型でないフォーカルプレーンアレーであって、次のいずれかに該当するもの
1. focal plane arrays that are not thermal focal plane arrays, which fall under any of the following:
1 要素素子が九〇〇ナノメートル超一、〇五〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
i. focal plane arrays in which the factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 900 nanometers but is 1,050 nanometers or less, which fall under any of the following:
一 応答時定数が〇・五ナノ秒未満のもの
a. those with a response time constant of less than 0.5 nanoseconds;
二 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
b. those specially designed or altered to achieve charge multiplication, which have a maximum radiation sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
2 要素素子が一、〇五〇ナノメートル超一、二〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
ii. focal plane arrays in which the factor elements have a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,050 nanometers but is 1,200 nanometers or less, which fall under any of the following:
一 応答時定数が九五ナノ秒以下のもの
a. those with a response time constant of 95 nanoseconds or less;
二 電荷増倍を行うように特に設計又は改造したものであって、最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワットを超えるもの
b. those specially designed or altered to achieve charge multiplication, which have a maximum radiation sensitivity exceeding 10 milliamperes per watt;
3 要素素子を二次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの
iii. focal plane arrays in which the factor elements are arrayed two-dimensionally and each factor elements has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,200 nanometers but is 30,000 nanometers or less;
4 要素素子を一次元に配列したものであって、それぞれの要素素子が一、二〇〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもののうち、次のいずれかに該当するもの(ゲルマニウムのみを用いた要素素子を有するものであって、要素素子の数が三二以下のものを除く。)
iv. focal plane arrays in which the factor elements are arrayed one-dimensionally and each factor element has a maximum sensitivity within a wavelength range that exceeds 1,200 nanometers but is 3,000 nanometers or less, which fall under any of the following (excluding those having factor elements that only use germanium, which have 32 factor elements or less):
一 要素素子の配列方向を基準とする要素素子の縦横比が三・八未満のもの
a. those in which the aspect ratio of the factor elements that have the array direction of the factor elements as a standard is less than 3.8;
二 同一要素素子内に時間遅延及び積分機能を有するもの
b. those having a time delay and integrating function inside the same factor element;